JP3307364B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
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- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
- B29L2011/0016—Lenses
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像装置の製造
方法に関する。特に、固体撮像装置等に設けられるマイ
クロレンズ(微小集光体)の製造方法に関する。
方法に関する。特に、固体撮像装置等に設けられるマイ
クロレンズ(微小集光体)の製造方法に関する。
【0002】近年、固体撮像装置のうち、2次元CCD
(Charge CoupledDevice:電荷結
合素子)においては、撮像領域に小型のフォトダイオー
ドが縦横のマトリックス状に配置され、前記フォトダイ
オードは入力された光信号を電気信号に変換する。各フ
ォトダイオード上には、感度向上のために半球状の集光
用レンズ(マイクロレンズ)が形成されている。係るマ
イクロレンズを通って入ってきた光はCCDの撮像領域
に投影され、光量に応じた電荷が各フォトダイオードに
蓄積される。
(Charge CoupledDevice:電荷結
合素子)においては、撮像領域に小型のフォトダイオー
ドが縦横のマトリックス状に配置され、前記フォトダイ
オードは入力された光信号を電気信号に変換する。各フ
ォトダイオード上には、感度向上のために半球状の集光
用レンズ(マイクロレンズ)が形成されている。係るマ
イクロレンズを通って入ってきた光はCCDの撮像領域
に投影され、光量に応じた電荷が各フォトダイオードに
蓄積される。
【0003】例えば、特公昭60−59752号に開示
された従来の固体撮像装置におけるマイクロレンズの製
造工程を図4に示される断面フロー図に示す。図4
(a)において、基板100は、N型基板1上にP型ウ
エル層2が形成され、前記P型ウエル層2上に第1のN
型領域よりなる受光部3及び第2のN型領域よりなるC
CDチャネル4が形成され、前記受光部3及びCCDチ
ャネル4を分離するP+型よりなる素子分離5が形成さ
れ、さらにその上にシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁
膜6、多結晶シリコン膜よりなるゲート電極7、CCD
へ入射する光を遮る遮光膜8が順に積層されてなる。な
お、図4においては、1〜8を総称して下地部110と
する。前記下地部110上には、シリコン酸化膜あるい
は透明樹脂よりなる平坦化層111が形成され、前記受
光部3上には、前記平坦化層111を介して、集光する
ためのマイクロレンズ112が設置されてなる。
された従来の固体撮像装置におけるマイクロレンズの製
造工程を図4に示される断面フロー図に示す。図4
(a)において、基板100は、N型基板1上にP型ウ
エル層2が形成され、前記P型ウエル層2上に第1のN
型領域よりなる受光部3及び第2のN型領域よりなるC
CDチャネル4が形成され、前記受光部3及びCCDチ
ャネル4を分離するP+型よりなる素子分離5が形成さ
れ、さらにその上にシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁
膜6、多結晶シリコン膜よりなるゲート電極7、CCD
へ入射する光を遮る遮光膜8が順に積層されてなる。な
お、図4においては、1〜8を総称して下地部110と
する。前記下地部110上には、シリコン酸化膜あるい
は透明樹脂よりなる平坦化層111が形成され、前記受
光部3上には、前記平坦化層111を介して、集光する
ためのマイクロレンズ112が設置されてなる。
【0004】次に、前記マイクロレンズ112の製造工
程について図4を参照して説明する。N型基板1上のP
型ウエル層2上に受光部3、電荷転送用CCDチャネル
4、多結晶シリコン膜よりなるゲート電極7等が作り込
まれた下地部110上に、下地の段差を平坦化し且つマ
イクロレンズの集光性を向上させるため、透明樹脂又は
シリコン酸化膜を形成することにより平坦化層111と
する(図4(a)・図4(b)参照)。続いて、マイク
ロレンズ母材である透明熱軟化性樹脂からなるマイクロ
レンズパターン112aを、フォトリソグラフィ技術を
用いて受光部3上に形成した後(図4(c)参照)、加
熱を行いマイクロレンズパターン112aを熱リフロー
させてマイクロレンズ112を形成する(図4(d)参
照)。
程について図4を参照して説明する。N型基板1上のP
型ウエル層2上に受光部3、電荷転送用CCDチャネル
4、多結晶シリコン膜よりなるゲート電極7等が作り込
まれた下地部110上に、下地の段差を平坦化し且つマ
イクロレンズの集光性を向上させるため、透明樹脂又は
シリコン酸化膜を形成することにより平坦化層111と
する(図4(a)・図4(b)参照)。続いて、マイク
ロレンズ母材である透明熱軟化性樹脂からなるマイクロ
レンズパターン112aを、フォトリソグラフィ技術を
用いて受光部3上に形成した後(図4(c)参照)、加
熱を行いマイクロレンズパターン112aを熱リフロー
させてマイクロレンズ112を形成する(図4(d)参
照)。
【0005】しかしながら、前述したマイクロレンズの
製造工程においては、熱軟化性の透光性材料からなるマ
イクロレンズパターン112aを熱により軟化させて形
成するので、得られるマイクロレンズ112の形状は、
マイクロレンズ母材の熱履歴、平坦化層111の表面状
態、マイクロレンズパターンの膜圧、寸法等により決定
される。そのため、熱リフローの際の温度やマイクロレ
ンズパターン112aの寸法・膜圧等のばらつきにより
マイクロレンズ112の形状にばらつきが発生するう
え、マイクロレンズ112形成後の熱履歴に対する信頼
性が低いため、高集光性に適した形状のレンズを再現性
よく形成できないという問題があった。
製造工程においては、熱軟化性の透光性材料からなるマ
イクロレンズパターン112aを熱により軟化させて形
成するので、得られるマイクロレンズ112の形状は、
マイクロレンズ母材の熱履歴、平坦化層111の表面状
態、マイクロレンズパターンの膜圧、寸法等により決定
される。そのため、熱リフローの際の温度やマイクロレ
ンズパターン112aの寸法・膜圧等のばらつきにより
マイクロレンズ112の形状にばらつきが発生するう
え、マイクロレンズ112形成後の熱履歴に対する信頼
性が低いため、高集光性に適した形状のレンズを再現性
よく形成できないという問題があった。
【0006】係る問題を解決するために、特開平5−3
26900号においては、前記下地部110上に、透明
樹脂又はシリコン酸化膜を形成することにより平坦化層
211とした後(図4(b)参照)、係る工程に引き続
いて、前記平坦化層211上にフォトレジスト13aを
塗布しフォトリソグラフィ技術を用いて各受光部3間の
境界領域211bを開孔し(図5(a)参照)、前記平
坦化層211をエッチングした後フォトレジスト13a
を剥離して境界領域211bに凹部211aを設け(図
5(b)参照)、続いてマイクロレンズ母材である透明
熱軟化性樹脂を積層し、図5(c)及び図5(d)に示
される工程と同様にフォトリソグラフィ技術等を用い
て、隣接する境界領域211bの凹部211aに挟まれ
た部分にマイクロレンズパターン212aを形成した後
(図5(c)参照)、最後に加熱しマイクロレンズパタ
ーン212aを熱リフローさせてマイクロレンズ212
を形成する(図5(d)参照)。或いは、前記下地部1
10上に平坦化層211を形成した後(図5(b)参
照)前記平坦化層211上にフォトレジスト13bを塗
布しフォトリソグラフィ技術を用いて各受光部3間の境
界領域311bを開孔し(図6(a)参照)、前記平坦
化層211をエッチングした後フォトレジスト13bを
剥離して境界領域311bに凸部311aを設け(図6
(b)参照)、続いてマイクロレンズ母材である透明熱
軟化性樹脂を積層し、フォトリソグラフィ技術等を用い
て、隣接する境界領域311bの凸部311aに挟まれ
た部分にマイクロレンズパターン312aを形成した後
(図6(c)参照)、最後に加熱しマイクロレンズパタ
ーン312aを熱リフローさせてマイクロレンズ312
を形成する(図6(d)参照)。図5及び図6に示され
る特開平5−326900号にの製造工程においては、
境界領域211bの凹部211aのエッジ及び境界領域
311bの凸部311aのエッジにより、それぞれマイ
クロレンズパターン212a・312aの熱リフロー形
成時のマイクロレンズ212・312の広がりを制御す
ることにより、マイクロレンズ212・312の形状の
ばらつきを少なくすることが試みられている。
26900号においては、前記下地部110上に、透明
樹脂又はシリコン酸化膜を形成することにより平坦化層
211とした後(図4(b)参照)、係る工程に引き続
いて、前記平坦化層211上にフォトレジスト13aを
塗布しフォトリソグラフィ技術を用いて各受光部3間の
境界領域211bを開孔し(図5(a)参照)、前記平
坦化層211をエッチングした後フォトレジスト13a
を剥離して境界領域211bに凹部211aを設け(図
5(b)参照)、続いてマイクロレンズ母材である透明
熱軟化性樹脂を積層し、図5(c)及び図5(d)に示
される工程と同様にフォトリソグラフィ技術等を用い
て、隣接する境界領域211bの凹部211aに挟まれ
た部分にマイクロレンズパターン212aを形成した後
(図5(c)参照)、最後に加熱しマイクロレンズパタ
ーン212aを熱リフローさせてマイクロレンズ212
を形成する(図5(d)参照)。或いは、前記下地部1
10上に平坦化層211を形成した後(図5(b)参
照)前記平坦化層211上にフォトレジスト13bを塗
布しフォトリソグラフィ技術を用いて各受光部3間の境
界領域311bを開孔し(図6(a)参照)、前記平坦
化層211をエッチングした後フォトレジスト13bを
剥離して境界領域311bに凸部311aを設け(図6
(b)参照)、続いてマイクロレンズ母材である透明熱
軟化性樹脂を積層し、フォトリソグラフィ技術等を用い
て、隣接する境界領域311bの凸部311aに挟まれ
た部分にマイクロレンズパターン312aを形成した後
(図6(c)参照)、最後に加熱しマイクロレンズパタ
ーン312aを熱リフローさせてマイクロレンズ312
を形成する(図6(d)参照)。図5及び図6に示され
る特開平5−326900号にの製造工程においては、
境界領域211bの凹部211aのエッジ及び境界領域
311bの凸部311aのエッジにより、それぞれマイ
クロレンズパターン212a・312aの熱リフロー形
成時のマイクロレンズ212・312の広がりを制御す
ることにより、マイクロレンズ212・312の形状の
ばらつきを少なくすることが試みられている。
【0007】一方、特開平4−61277号において
は、前述した問題を解決するために、図7に示されるよ
うに、製造すべきマイクロレンズと同様の形状(パター
ン)を有する溝部131が設けられてなる金型132を
製造し、前記金型132に光硬化性又は熱硬化性のマイ
クロレンズ母材133を流し込んだ後(図7(a)参
照)光硬化又は熱硬化を行うことにより複数のマイクロ
レンズ134が薄膜部135を介して一体化されたレン
ズ群136を作製してから(図7(b)・図7(c)参
照)、このレンズ群136を半導体基板137上のカラ
ーフィルタ138に貼着することにより固体撮像装置を
製造する方法(図7(d)・図7(e)参照)が開示さ
れている。
は、前述した問題を解決するために、図7に示されるよ
うに、製造すべきマイクロレンズと同様の形状(パター
ン)を有する溝部131が設けられてなる金型132を
製造し、前記金型132に光硬化性又は熱硬化性のマイ
クロレンズ母材133を流し込んだ後(図7(a)参
照)光硬化又は熱硬化を行うことにより複数のマイクロ
レンズ134が薄膜部135を介して一体化されたレン
ズ群136を作製してから(図7(b)・図7(c)参
照)、このレンズ群136を半導体基板137上のカラ
ーフィルタ138に貼着することにより固体撮像装置を
製造する方法(図7(d)・図7(e)参照)が開示さ
れている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た特開平5−326900号及び特開平4−61277
号に開示された従来の固体撮像装置の製造方法において
は、以下に示すような問題が生じていた。
た特開平5−326900号及び特開平4−61277
号に開示された従来の固体撮像装置の製造方法において
は、以下に示すような問題が生じていた。
【0009】特開平5−326900号に開示された従
来の固体撮像装置の製造方法においては、図5及び図6
に示されるように、平坦化層111・211に隣接する
マイクロレンズを隔てるための境界領域を設けることに
より、それぞれマイクロレンズ212・312を形成す
る際の熱リフロー時におけるマイクロレンズの広がりを
抑えることでマイクロレンズの幅X(図5(d)・図6
(d)参照)を制御する。一方、前述したような熱リフ
ロー工程によりマイクロレンズを形成する場合、マイク
ロレンズの幅・大きさは一般にマイクロレンズの製造に
用いる材質や熱処理の温度を適宜制御することにより決
定される。このため、前述の図5及び図6に示される工
程においては、マイクロレンズの幅Xをある程度制御す
ることができたとしても、マイクロレンズの厚さYは、
マイクロレンズの幅X、材料の体積によりある程度決定
されるものであるため(図5(d)・図6(d)参照)
厚さYを希望する所定値に制御することは困難である。
また、下地部10上に異なる大きさのマイクロレンズを
設置する必要が生じた場合、異なる大きさのマイクロレ
ンズを形成しようとしても、前述の熱リフロー工程によ
り、複数のマイクロレンズをそれぞれ異なる大きさに制
御することが困難であった。さらには、感度を向上する
ためにはマイクロレンズの大きさは、レンズとレンズ間
の幅を狭め、なるべく大きく形成した方が有効である
が、図5及び図6の製造方法では、ある一定の幅Wが必
要であり、これによりレンズとレンズ間の幅が制限さ
れ、感度を向上させるためには不利な製造方法となって
いる。
来の固体撮像装置の製造方法においては、図5及び図6
に示されるように、平坦化層111・211に隣接する
マイクロレンズを隔てるための境界領域を設けることに
より、それぞれマイクロレンズ212・312を形成す
る際の熱リフロー時におけるマイクロレンズの広がりを
抑えることでマイクロレンズの幅X(図5(d)・図6
(d)参照)を制御する。一方、前述したような熱リフ
ロー工程によりマイクロレンズを形成する場合、マイク
ロレンズの幅・大きさは一般にマイクロレンズの製造に
用いる材質や熱処理の温度を適宜制御することにより決
定される。このため、前述の図5及び図6に示される工
程においては、マイクロレンズの幅Xをある程度制御す
ることができたとしても、マイクロレンズの厚さYは、
マイクロレンズの幅X、材料の体積によりある程度決定
されるものであるため(図5(d)・図6(d)参照)
厚さYを希望する所定値に制御することは困難である。
また、下地部10上に異なる大きさのマイクロレンズを
設置する必要が生じた場合、異なる大きさのマイクロレ
ンズを形成しようとしても、前述の熱リフロー工程によ
り、複数のマイクロレンズをそれぞれ異なる大きさに制
御することが困難であった。さらには、感度を向上する
ためにはマイクロレンズの大きさは、レンズとレンズ間
の幅を狭め、なるべく大きく形成した方が有効である
が、図5及び図6の製造方法では、ある一定の幅Wが必
要であり、これによりレンズとレンズ間の幅が制限さ
れ、感度を向上させるためには不利な製造方法となって
いる。
【0010】一方、特開平4−61277号に開示され
た固体撮像装置の製造方法においては、図7に示される
ように、レンズ群136は各マイクロレンズ134が薄
膜部135を介して一体化されて形成されているため、
各マイクロレンズ134は薄膜部135の高さZに相当
する分膜厚が大きくなる(図7(d)・図7(e)参
照)。次に、図7に示される前記製造方法により得られ
た固体撮像装置を用いて、カメラレンズ139から各マ
イクロレンズ134に光を入射させる場合の模式図を図
8(a)に示す。図8(a)において、カメラレンズ1
39から比較的離れた位置に設置されるマイクロレンズ
134a・134c、及びカメラレンズ139から近い
位置に設置されるマイクロレンズ134bの拡大図を図
8(b)に示す。この場合、カメラレンズ139から近
い位置に設置されるマイクロレンズ134bには半導体
基板137のマイクロレンズ設置面に対して垂直に入射
する光が多いのに対し、カメラレンズ139から比較的
離れ、カメラレンズからの焦点を合わせる位置に設置さ
れるマイクロレンズ134a・134cには、マイクロ
レンズ134bと比較して、半導体基板137のマイク
ロレンズ設置面に対して斜めに入射する光が多い。一
方、前述したように、各マイクロレンズ134は薄膜部
135の高さZに相当する分膜厚が大きくなっている
(図8(b)参照)。マイクロレンズ134が薄膜部1
35の分膜厚が大きくなれば受光部3とマイクロレンズ
134との距離も同様に大きくなる。この場合、マイク
ロレンズ134bのように、カメラレンズ139から近
い位置に設置されるマイクロレンズでは、半導体基板1
37のマイクロレンズ設置面に対して垂直に入射する光
が多いため、薄膜部135の高さZに相当する分膜厚が
大きくなることにより受光部3とマイクロレンズ134
との距離が大きくなっても、受光部133に光が到達す
るが、マイクロレンズ134a・134cのように、カ
メラレンズ139から比較的離れた位置に設置されるマ
イクロレンズでは、マイクロレンズ表面に対して斜めに
入射する光が多いため、薄膜部135の高さZに相当す
る分膜厚が大きくなることにより受光部3とマイクロレ
ンズ134との距離が大きくなると、入射しても受光部
133に到達しない光が多くなるため、感度が低下する
という問題が生じていた。また、図7に示される前記従
来の固体撮像装置の製造方法においては、金型132に
流し込んだ光硬化又は熱硬化性材料を硬化させることに
よりレンズ群136を作製し、このレンズ群136を半
導体基板137上のカラーフィルタ138に貼着するこ
とにより固体撮像装置を製造する。この場合、前記レン
ズ群136は光硬化又は熱硬化により硬化されて形成さ
れたものであるため、硬い材質からなる。このため、前
記レンズ群136を半導体基板137に貼着する工程に
おいて、前記レンズ群136と半導体基板137との位
置合わせの際に、カラーフィルタ138等半導体基板1
37側が硬い材質からなる前記レンズ群136と接触し
傷が発生し、画面上にすり傷が表れるという問題が生じ
ていた。さらには、前記レンズ群136による接触キズ
を避けるためには、前記レンズ群136を受光部に関係
のない外壁により浮かせ、前記レンズ群136とカラー
フィルタ138との間を中空にする方法も考えられる
が、この場合、この中空の領域での屈折率は前記レンズ
群136及びカラーフィルタ138とは異なることによ
り設計が難しくなる。さらには、レンズまでの高さが高
くなることから、前に説明した通り受光部中央における
感度と比較して端部における感度は低下する。
た固体撮像装置の製造方法においては、図7に示される
ように、レンズ群136は各マイクロレンズ134が薄
膜部135を介して一体化されて形成されているため、
各マイクロレンズ134は薄膜部135の高さZに相当
する分膜厚が大きくなる(図7(d)・図7(e)参
照)。次に、図7に示される前記製造方法により得られ
た固体撮像装置を用いて、カメラレンズ139から各マ
イクロレンズ134に光を入射させる場合の模式図を図
8(a)に示す。図8(a)において、カメラレンズ1
39から比較的離れた位置に設置されるマイクロレンズ
134a・134c、及びカメラレンズ139から近い
位置に設置されるマイクロレンズ134bの拡大図を図
8(b)に示す。この場合、カメラレンズ139から近
い位置に設置されるマイクロレンズ134bには半導体
基板137のマイクロレンズ設置面に対して垂直に入射
する光が多いのに対し、カメラレンズ139から比較的
離れ、カメラレンズからの焦点を合わせる位置に設置さ
れるマイクロレンズ134a・134cには、マイクロ
レンズ134bと比較して、半導体基板137のマイク
ロレンズ設置面に対して斜めに入射する光が多い。一
方、前述したように、各マイクロレンズ134は薄膜部
135の高さZに相当する分膜厚が大きくなっている
(図8(b)参照)。マイクロレンズ134が薄膜部1
35の分膜厚が大きくなれば受光部3とマイクロレンズ
134との距離も同様に大きくなる。この場合、マイク
ロレンズ134bのように、カメラレンズ139から近
い位置に設置されるマイクロレンズでは、半導体基板1
37のマイクロレンズ設置面に対して垂直に入射する光
が多いため、薄膜部135の高さZに相当する分膜厚が
大きくなることにより受光部3とマイクロレンズ134
との距離が大きくなっても、受光部133に光が到達す
るが、マイクロレンズ134a・134cのように、カ
メラレンズ139から比較的離れた位置に設置されるマ
イクロレンズでは、マイクロレンズ表面に対して斜めに
入射する光が多いため、薄膜部135の高さZに相当す
る分膜厚が大きくなることにより受光部3とマイクロレ
ンズ134との距離が大きくなると、入射しても受光部
133に到達しない光が多くなるため、感度が低下する
という問題が生じていた。また、図7に示される前記従
来の固体撮像装置の製造方法においては、金型132に
流し込んだ光硬化又は熱硬化性材料を硬化させることに
よりレンズ群136を作製し、このレンズ群136を半
導体基板137上のカラーフィルタ138に貼着するこ
とにより固体撮像装置を製造する。この場合、前記レン
ズ群136は光硬化又は熱硬化により硬化されて形成さ
れたものであるため、硬い材質からなる。このため、前
記レンズ群136を半導体基板137に貼着する工程に
おいて、前記レンズ群136と半導体基板137との位
置合わせの際に、カラーフィルタ138等半導体基板1
37側が硬い材質からなる前記レンズ群136と接触し
傷が発生し、画面上にすり傷が表れるという問題が生じ
ていた。さらには、前記レンズ群136による接触キズ
を避けるためには、前記レンズ群136を受光部に関係
のない外壁により浮かせ、前記レンズ群136とカラー
フィルタ138との間を中空にする方法も考えられる
が、この場合、この中空の領域での屈折率は前記レンズ
群136及びカラーフィルタ138とは異なることによ
り設計が難しくなる。さらには、レンズまでの高さが高
くなることから、前に説明した通り受光部中央における
感度と比較して端部における感度は低下する。
【0011】本発明は、以上の従来技術における問題に
鑑みてなされたものである。本発明の目的は、精度及び
信頼性の向上を図ることができる固体撮像装置の製造方
法を提供することである。また、本発明の目的は、感度
の向上を図ることができる固体撮像装置の製造方法を提
供することである。
鑑みてなされたものである。本発明の目的は、精度及び
信頼性の向上を図ることができる固体撮像装置の製造方
法を提供することである。また、本発明の目的は、感度
の向上を図ることができる固体撮像装置の製造方法を提
供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め提供する本出願第1の発明は、半導体基板上に受光部
及び信号読出部を形成する工程と、前記半導体基板表面
に光透過性材料層を形成する工程と、前記光透過性材料
層上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パ
ターンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工
程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法
である。
め提供する本出願第1の発明は、半導体基板上に受光部
及び信号読出部を形成する工程と、前記半導体基板表面
に光透過性材料層を形成する工程と、前記光透過性材料
層上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パ
ターンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工
程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法
である。
【0013】本出願にいうマイクロレンズパターンと
は、第一義的には、所定のパターンを有する光透過性材
料層をいう。上記構成を有する本出願第1の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、半導体基板上に受光部及
び信号読出部を形成する工程と、前記半導体基板表面に
光透過性材料層を形成する工程と、前記光透過性材料層
上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パタ
ーンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工程
とを有することにより、光透過性材料層が変形し、所定
のパターンを有するマイクロレンズパターンが得られ
る。これにより、所望の形状・大きさを有するマイクロ
レンズを簡便に形成することができるため、精度の向上
を図ることができる。また、異なる形状・大きさを有す
るマイクロレンズを同時に形成することができるため、
高感度の固体撮像装置を得ることができる。
は、第一義的には、所定のパターンを有する光透過性材
料層をいう。上記構成を有する本出願第1の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、半導体基板上に受光部及
び信号読出部を形成する工程と、前記半導体基板表面に
光透過性材料層を形成する工程と、前記光透過性材料層
上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パタ
ーンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工程
とを有することにより、光透過性材料層が変形し、所定
のパターンを有するマイクロレンズパターンが得られ
る。これにより、所望の形状・大きさを有するマイクロ
レンズを簡便に形成することができるため、精度の向上
を図ることができる。また、異なる形状・大きさを有す
るマイクロレンズを同時に形成することができるため、
高感度の固体撮像装置を得ることができる。
【0014】また、本出願第2の発明の固体撮像装置の
製造方法は、本出願第1の固体撮像装置の製造方法であ
って、前記光透過性材料層上に所定のパターンを有する
金型を押しつけて前記パターンを転写させマイクロレン
ズパターンを形成する工程の後に、マイクロレンズパタ
ーンを熱処理により硬化させマイクロレンズを形成する
工程とを有することを特徴とする。
製造方法は、本出願第1の固体撮像装置の製造方法であ
って、前記光透過性材料層上に所定のパターンを有する
金型を押しつけて前記パターンを転写させマイクロレン
ズパターンを形成する工程の後に、マイクロレンズパタ
ーンを熱処理により硬化させマイクロレンズを形成する
工程とを有することを特徴とする。
【0015】上記構成を有する本出願第2の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、前記光透過性材料層上に
所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パターン
を転写させマイクロレンズパターンを形成する工程の後
に、マイクロレンズパターンを熱処理により硬化させマ
イクロレンズを形成する工程とを有することにより、熱
処理により所定の形状を有するマイクロレンズを簡便に
形成することができるため、生産性の向上を図ることが
できる。さらに、前記マイクロレンズパターンを半導体
基板表面に直接形成することにより、密着性に優れたマ
イクロレンズを形成することができるため、精度の向上
を図ることができるうえ、半導体基板側に損傷を与える
ことなくマイクロレンズを形成することができるため、
生産性の向上を図ることができる。
撮像装置の製造方法によると、前記光透過性材料層上に
所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パターン
を転写させマイクロレンズパターンを形成する工程の後
に、マイクロレンズパターンを熱処理により硬化させマ
イクロレンズを形成する工程とを有することにより、熱
処理により所定の形状を有するマイクロレンズを簡便に
形成することができるため、生産性の向上を図ることが
できる。さらに、前記マイクロレンズパターンを半導体
基板表面に直接形成することにより、密着性に優れたマ
イクロレンズを形成することができるため、精度の向上
を図ることができるうえ、半導体基板側に損傷を与える
ことなくマイクロレンズを形成することができるため、
生産性の向上を図ることができる。
【0016】また、本出願第3の発明の固体撮像装置の
製造方法は、本出願第2の固体撮像装置の製造方法であ
って、前記光透過性材料層上に前記金型を設置した状態
で熱処理を行うことことを特徴とする。
製造方法は、本出願第2の固体撮像装置の製造方法であ
って、前記光透過性材料層上に前記金型を設置した状態
で熱処理を行うことことを特徴とする。
【0017】上記構成を有する本出願第3の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、前記光透過性材料層上に
前記金型を設置した状態で熱処理を行うことにより、形
状を保持したままの状態で前記光透過性材料層が熱硬化
するため、所望の形状を有するマイクロレンズを得るこ
とができるため、高精度のマイクロレンズを有する固体
撮像装置を得ることができる。
撮像装置の製造方法によると、前記光透過性材料層上に
前記金型を設置した状態で熱処理を行うことにより、形
状を保持したままの状態で前記光透過性材料層が熱硬化
するため、所望の形状を有するマイクロレンズを得るこ
とができるため、高精度のマイクロレンズを有する固体
撮像装置を得ることができる。
【0018】また、本出願第4の発明は、本出願第1の
固体撮像装置の製造方法であって、前記光透過性材料層
上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パタ
ーンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工程
の後に、マイクロレンズパターンを光硬化させマイクロ
レンズを形成する工程とを有してなることを特徴とする
固体撮像装置の製造方法である。
固体撮像装置の製造方法であって、前記光透過性材料層
上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パタ
ーンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工程
の後に、マイクロレンズパターンを光硬化させマイクロ
レンズを形成する工程とを有してなることを特徴とする
固体撮像装置の製造方法である。
【0019】上記構成を有する本出願第4の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、半導体基板上に受光部及
び信号読出部を形成する工程と、前記半導体基板表面に
光透過性材料層を形成する工程と、前記光透過性材料層
上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パタ
ーンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工程
と、マイクロレンズパターンを光硬化させマイクロレン
ズを形成する工程とを有してなることにより、所望の形
状・大きさを有するマイクロレンズを簡便に形成するこ
とができるため、精度が高いマイクロレンズを有する固
体撮像装置を得ることができる。また、異なる形状・大
きさを有するマイクロレンズを同時に形成することがで
きるため、設計の自由度が高い。さらには、特開平5−
326900で必要とされる幅Wが本発明では必要とさ
れない事から、感度が高いマイクロレンズを有する固体
撮像装置を得ることができる。さらに、前記パターンを
転写させマイクロレンズパターンを形成することによ
り、密着性の良いマイクロレンズを形成することができ
るうえ、マイクロレンズの形成の際に半導体基板側に損
傷を与えることがない。
撮像装置の製造方法によると、半導体基板上に受光部及
び信号読出部を形成する工程と、前記半導体基板表面に
光透過性材料層を形成する工程と、前記光透過性材料層
上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パタ
ーンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工程
と、マイクロレンズパターンを光硬化させマイクロレン
ズを形成する工程とを有してなることにより、所望の形
状・大きさを有するマイクロレンズを簡便に形成するこ
とができるため、精度が高いマイクロレンズを有する固
体撮像装置を得ることができる。また、異なる形状・大
きさを有するマイクロレンズを同時に形成することがで
きるため、設計の自由度が高い。さらには、特開平5−
326900で必要とされる幅Wが本発明では必要とさ
れない事から、感度が高いマイクロレンズを有する固体
撮像装置を得ることができる。さらに、前記パターンを
転写させマイクロレンズパターンを形成することによ
り、密着性の良いマイクロレンズを形成することができ
るうえ、マイクロレンズの形成の際に半導体基板側に損
傷を与えることがない。
【0020】また、本出願第5の発明の固体撮像装置の
製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第4の発明の何
れか1の固体撮像装置の製造方法であって、前記光透過
性材料層が透明な有機膜であることを特徴とする。
製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第4の発明の何
れか1の固体撮像装置の製造方法であって、前記光透過
性材料層が透明な有機膜であることを特徴とする。
【0021】上記構成を有する本出願第5の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、前記光透過性材料層が透
明な有機膜であることにより、金型を押しつけることに
より形状が容易に変化し、熱又は光によって硬化し所望
のパターンを有するマイクロレンズを得ることができる
ため、生産性の向上を図ることができるとともに、高精
度のマイクロレンズを得ることができる。
撮像装置の製造方法によると、前記光透過性材料層が透
明な有機膜であることにより、金型を押しつけることに
より形状が容易に変化し、熱又は光によって硬化し所望
のパターンを有するマイクロレンズを得ることができる
ため、生産性の向上を図ることができるとともに、高精
度のマイクロレンズを得ることができる。
【0022】また、本出願第6の発明の固体撮像装置の
製造方法は、本出願第2の発明、本出願第3の発明、及
び本出願第5の発明のうち何れか1に記載の固体撮像装
置の製造方法であって、前記熱硬化の際の熱処理温度が
200〜300℃であることを特徴とする。
製造方法は、本出願第2の発明、本出願第3の発明、及
び本出願第5の発明のうち何れか1に記載の固体撮像装
置の製造方法であって、前記熱硬化の際の熱処理温度が
200〜300℃であることを特徴とする。
【0023】前記熱硬化の際の熱処理温度が200℃未
満であると、前記光透過性材料層が十分に硬化しないこ
とが考えられる。一方、前記熱硬化の際の熱処理温度が
300℃以上である場合、半導体基板−絶縁膜界面の準
位密度が増大し、暗電流が高くなり歩留まりの低下が起
こる。したがって、上記構成を有する本出願第6の発明
の固体撮像装置の製造方法によると、前記熱硬化の際の
熱処理温度が200〜300℃であることにより、半導
体基板内部に影響を与えることなく、所定のパターンを
有するマイクロレンズを得ることができ、生産性の向上
を図ることができる。
満であると、前記光透過性材料層が十分に硬化しないこ
とが考えられる。一方、前記熱硬化の際の熱処理温度が
300℃以上である場合、半導体基板−絶縁膜界面の準
位密度が増大し、暗電流が高くなり歩留まりの低下が起
こる。したがって、上記構成を有する本出願第6の発明
の固体撮像装置の製造方法によると、前記熱硬化の際の
熱処理温度が200〜300℃であることにより、半導
体基板内部に影響を与えることなく、所定のパターンを
有するマイクロレンズを得ることができ、生産性の向上
を図ることができる。
【0024】また、本出願第7の発明の固体撮像装置の
製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第6の発明の何
れか1の固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板
上に受光部及び信号読出部を形成する工程の後、平坦化
層を形成することを特徴とする。
製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第6の発明の何
れか1の固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板
上に受光部及び信号読出部を形成する工程の後、平坦化
層を形成することを特徴とする。
【0025】上記構成を有する本出願第7の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、半導体基板上に受光部及
び信号読出部を形成する工程の後、平坦化層を形成する
ことにより、下地の段差を平坦化するためマイクロレン
ズ形状が安定することにより、信頼性の向上したマイク
ロレンズを有する固体撮像装置を得ることができる。
撮像装置の製造方法によると、半導体基板上に受光部及
び信号読出部を形成する工程の後、平坦化層を形成する
ことにより、下地の段差を平坦化するためマイクロレン
ズ形状が安定することにより、信頼性の向上したマイク
ロレンズを有する固体撮像装置を得ることができる。
【0026】また、本出願第8の発明の固体撮像装置の
製造方法は、本出願第7の発明の固体撮像装置の製造方
法であって、前記平坦化層内にカラーフィルタ層を設置
することを特徴とする。
製造方法は、本出願第7の発明の固体撮像装置の製造方
法であって、前記平坦化層内にカラーフィルタ層を設置
することを特徴とする。
【0027】上記構成を有する本出願第8の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、前記平坦化層内にカラー
フィルタ層を設置することにより、カラーの固体撮像装
置を製造することができる。
撮像装置の製造方法によると、前記平坦化層内にカラー
フィルタ層を設置することにより、カラーの固体撮像装
置を製造することができる。
【0028】また、本出願第9の発明の固体撮像装置の
製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第8の発明の何
れか1の固体撮像装置の製造方法であって、前記金型
は、タングステン、アルミニウム、銅、若しくはこれら
の金属からなる合金で形成されてなることを特徴とす
る。
製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第8の発明の何
れか1の固体撮像装置の製造方法であって、前記金型
は、タングステン、アルミニウム、銅、若しくはこれら
の金属からなる合金で形成されてなることを特徴とす
る。
【0029】上記構成を有する本出願第9の発明の固体
撮像装置の製造方法によると、前記金型は、タングステ
ン、アルミニウム、銅、若しくはこれらの金属からなる
合金で形成されてなることにより、透明有機層と接着性
が悪いことから、前記金型を前記光透過性材料層から容
易に剥がすことができるため、生産性の向上を図ること
ができる。
撮像装置の製造方法によると、前記金型は、タングステ
ン、アルミニウム、銅、若しくはこれらの金属からなる
合金で形成されてなることにより、透明有機層と接着性
が悪いことから、前記金型を前記光透過性材料層から容
易に剥がすことができるため、生産性の向上を図ること
ができる。
【0030】また、本出願第10の発明の固体撮像装置
の製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第9の発明の
何れか1の固体撮像装置の製造方法であって、前記金型
は、製造すべきマイクロレンズと同様のパターンを有す
る複数の溝部と、隣接する溝部間に光透過性材料層を退
避させるための退避部とが設けられてなることを特徴と
する。
の製造方法は、本出願第1の発明〜本出願第9の発明の
何れか1の固体撮像装置の製造方法であって、前記金型
は、製造すべきマイクロレンズと同様のパターンを有す
る複数の溝部と、隣接する溝部間に光透過性材料層を退
避させるための退避部とが設けられてなることを特徴と
する。
【0031】上記構成を有する本出願第10の発明の固
体撮像装置の製造方法によると、前記金型は、製造すべ
きマイクロレンズと同様のパターンを有する複数の溝部
と、隣接する溝部間に光透過性材料層を退避させるため
の退避部とが設けられてなることにより、前記光透過性
材料層上に金型を押しつけて前記パターンを転写する際
に、前記溝部からはみ出た前記光透過性材料を退避させ
ることができるため、希望するパターンを有するマイク
ロレンズを確実に得ることができる。これにより、希望
する形状のマイクロレンズを有する高精度の固体撮像装
置を得ることができる。
体撮像装置の製造方法によると、前記金型は、製造すべ
きマイクロレンズと同様のパターンを有する複数の溝部
と、隣接する溝部間に光透過性材料層を退避させるため
の退避部とが設けられてなることにより、前記光透過性
材料層上に金型を押しつけて前記パターンを転写する際
に、前記溝部からはみ出た前記光透過性材料を退避させ
ることができるため、希望するパターンを有するマイク
ロレンズを確実に得ることができる。これにより、希望
する形状のマイクロレンズを有する高精度の固体撮像装
置を得ることができる。
【0032】
【0033】
【0034】
【0035】
【0036】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
固体撮像装置の製造方法を、図面を参照して説明する
が、以下に示す実施の形態は、本発明に係る固体撮像装
置の製造工程の一例にすぎない。図1は、本実施の形態
に係る固体撮像装置の一製造工程を示す図である。図2
は、本実施の形態の一実施例に係る固体撮像装置の一製
造工程を示す図である。図3は、本実施の形態の一実施
例に係る固体撮像装置の一製造工程を示す図である。
固体撮像装置の製造方法を、図面を参照して説明する
が、以下に示す実施の形態は、本発明に係る固体撮像装
置の製造工程の一例にすぎない。図1は、本実施の形態
に係る固体撮像装置の一製造工程を示す図である。図2
は、本実施の形態の一実施例に係る固体撮像装置の一製
造工程を示す図である。図3は、本実施の形態の一実施
例に係る固体撮像装置の一製造工程を示す図である。
【0037】本実施の形態に係る固体撮像装置の製造工
程について、図1を参照して説明する。まず、従来例と
同様に、図1(a)に示されるように、N型基板1上に
形成されたP型ウエル層2上に、第1のN型領域よりな
る受光部3、第2のN型領域よりなり信号読出部である
CCDチャネル4、及びゲート絶縁膜7等が作りこまれ
た下地部10上に、下地の段差を平坦化し且つマイクロ
レンズの集光性を向上(光路長を確保)させるために、
シリコン酸化膜又は透明樹脂からなる平坦化層11を形
成する。次に、前記平坦化層11上に光透過性材料層1
2aを形成する。続いて、製造すべきマイクロレンズと
同様の形状(パターン)を有する溝部31が設けられて
なる金型14を透過性材料層12aに押しつけて前記パ
ターンを転写させ、前記パターンを有するマイクロレン
ズパターン12bを形成する((図1(b)・図1
(c)参照)。さらに、前記マイクロレンズパターン1
2bを熱処理又は光照射により硬化させ、マイクロレン
ズ12を形成する(図1(d)参照)。
程について、図1を参照して説明する。まず、従来例と
同様に、図1(a)に示されるように、N型基板1上に
形成されたP型ウエル層2上に、第1のN型領域よりな
る受光部3、第2のN型領域よりなり信号読出部である
CCDチャネル4、及びゲート絶縁膜7等が作りこまれ
た下地部10上に、下地の段差を平坦化し且つマイクロ
レンズの集光性を向上(光路長を確保)させるために、
シリコン酸化膜又は透明樹脂からなる平坦化層11を形
成する。次に、前記平坦化層11上に光透過性材料層1
2aを形成する。続いて、製造すべきマイクロレンズと
同様の形状(パターン)を有する溝部31が設けられて
なる金型14を透過性材料層12aに押しつけて前記パ
ターンを転写させ、前記パターンを有するマイクロレン
ズパターン12bを形成する((図1(b)・図1
(c)参照)。さらに、前記マイクロレンズパターン1
2bを熱処理又は光照射により硬化させ、マイクロレン
ズ12を形成する(図1(d)参照)。
【0038】図1に示されるように、前記光透過性材料
層上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パ
ターンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工
程により、光透過性材料層に対して金型を押し付けるこ
とにより、柔らかい光透過性材料層が変形し、所定のパ
ターンを有するマイクロレンズパターンが得られる。こ
のマイクロレンズパターンを、熱処理により硬化させる
ことにより、所望の形状・大きさを有するマイクロレン
ズを簡便に形成することができるため、高精度のマイク
ロレンズを得ることができる。さらに、光透過性材料層
12aを形成してから、金型14を用いて前記パターン
を転写させマイクロレンズパターン12bを形成するこ
とにより、密着性に優れたマイクロレンズ12を形成す
ることができるため、精度の高いマイクロレンズを得る
ことができる。そのうえ、基板側に損傷を与えることな
くマイクロレンズ12を形成することができるため、生
産性の向上を図ることができる。
層上に所定のパターンを有する金型を押しつけて前記パ
ターンを転写させマイクロレンズパターンを形成する工
程により、光透過性材料層に対して金型を押し付けるこ
とにより、柔らかい光透過性材料層が変形し、所定のパ
ターンを有するマイクロレンズパターンが得られる。こ
のマイクロレンズパターンを、熱処理により硬化させる
ことにより、所望の形状・大きさを有するマイクロレン
ズを簡便に形成することができるため、高精度のマイク
ロレンズを得ることができる。さらに、光透過性材料層
12aを形成してから、金型14を用いて前記パターン
を転写させマイクロレンズパターン12bを形成するこ
とにより、密着性に優れたマイクロレンズ12を形成す
ることができるため、精度の高いマイクロレンズを得る
ことができる。そのうえ、基板側に損傷を与えることな
くマイクロレンズ12を形成することができるため、生
産性の向上を図ることができる。
【0039】また、受光部3及び信号読出部であるCC
Dチャネル4を形成した後、平坦化層11を形成する代
わりに、カラーフィルタ層を設置してもよい。この場合
前記カラーフィルタ層は光を受光部3に確実に集光させ
るのに十分な厚みを有する必要がある。また、平坦化層
中にカラーフィルタ層を設置してもよい。
Dチャネル4を形成した後、平坦化層11を形成する代
わりに、カラーフィルタ層を設置してもよい。この場合
前記カラーフィルタ層は光を受光部3に確実に集光させ
るのに十分な厚みを有する必要がある。また、平坦化層
中にカラーフィルタ層を設置してもよい。
【0040】前記光透過性材料層12aは、熱硬化材又
は光硬化材を加えることにより熱処理又は光照射により
硬化する性質を有する光透過性層であり、例えば、フェ
ノールノボラック樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合樹脂、ポリノルボ
ルネン樹脂、ゼラチン・カゼイン等があてはまる。
は光硬化材を加えることにより熱処理又は光照射により
硬化する性質を有する光透過性層であり、例えば、フェ
ノールノボラック樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合樹脂、ポリノルボ
ルネン樹脂、ゼラチン・カゼイン等があてはまる。
【0041】前記熱処理は、金型14により前記パター
ンを転写させてマイクロレンズパターン12bを形成し
た後、金型14を設置したまま行ってもよいし、金型1
4を設置した状態で行ってもよい。また、熱処理により
マイクロレンズパターン12bを硬化させる際の温度は
熱硬化材を加えた後の光透過性材料層12aの種類や半
導体基板の内部構造等により適宜決定されるものである
が、前記熱硬化の際の熱処理温度が200℃未満である
と、前記光透過性材料層が十分に硬化せず、所定のパタ
ーンを有するマイクロレンズを得ることができないこと
が予想される。一方、前記熱硬化の際の熱処理温度が3
00℃以上である場合、半導体基板−絶縁膜界面の準位
密度が増大し、暗電流が増大するため歩留まりの低下が
起こる。したがって、前記熱処理の際の温度は200〜
300℃であることが望ましい。したがって、熱硬化材
を加えた後の光透過性材料層12aも200〜300℃
で硬化するものであるのが望ましい。
ンを転写させてマイクロレンズパターン12bを形成し
た後、金型14を設置したまま行ってもよいし、金型1
4を設置した状態で行ってもよい。また、熱処理により
マイクロレンズパターン12bを硬化させる際の温度は
熱硬化材を加えた後の光透過性材料層12aの種類や半
導体基板の内部構造等により適宜決定されるものである
が、前記熱硬化の際の熱処理温度が200℃未満である
と、前記光透過性材料層が十分に硬化せず、所定のパタ
ーンを有するマイクロレンズを得ることができないこと
が予想される。一方、前記熱硬化の際の熱処理温度が3
00℃以上である場合、半導体基板−絶縁膜界面の準位
密度が増大し、暗電流が増大するため歩留まりの低下が
起こる。したがって、前記熱処理の際の温度は200〜
300℃であることが望ましい。したがって、熱硬化材
を加えた後の光透過性材料層12aも200〜300℃
で硬化するものであるのが望ましい。
【0042】また、希望するパターンを有する金型14
を用いて転写することによりマイクロレンズ12の形状
を容易に設定することができる。例えば、図2(b)に
示されるように、隣接する溝部31が互いに接するよう
に形成されてなる金型214を用いることにより、隣接
するマイクロレンズ12が互いに接する固体撮像装置を
容易に製造することができる(図2(d)参照)。この
構造は感度を向上する為には最も適した構造である。ま
た、希望するマイクロレンズの形状・大きさに応じたパ
ターンを有する金型を作成し、前記金型を用いて光透過
性材料層12aに転写することにより、異なる形状・大
きさを有するマイクロレンズを同時に形成することがで
きる。
を用いて転写することによりマイクロレンズ12の形状
を容易に設定することができる。例えば、図2(b)に
示されるように、隣接する溝部31が互いに接するよう
に形成されてなる金型214を用いることにより、隣接
するマイクロレンズ12が互いに接する固体撮像装置を
容易に製造することができる(図2(d)参照)。この
構造は感度を向上する為には最も適した構造である。ま
た、希望するマイクロレンズの形状・大きさに応じたパ
ターンを有する金型を作成し、前記金型を用いて光透過
性材料層12aに転写することにより、異なる形状・大
きさを有するマイクロレンズを同時に形成することがで
きる。
【0043】一方、図3に示されるように、複数の溝部
31を有してなり、隣接する溝部31間に退避部32が
設置されてなる金型314を用いてマイクロレンズを製
造してもよい。これにより、パターン転写の際に、溝部
31以外の部分から排除される余分な光透過性材料層1
2aを簡便に排除することができるため、正確な形状を
有するマイクロレンズを確実に得ることができる。これ
により固体撮像装置の生産性の向上を図ることができ
る。また、前記金型は、タングステン、アルミニウム、
銅、若しくはこれらの金属からなる合金で形成されてな
る。前記材料は、特に、透明な有機膜と密着性が悪いた
め、前記金型を用いてマイクロレンズを形成する場合、
金型から容易に剥がすことができる。これにより、所望
のパターンを有するマイクロレンズを確実に形成するこ
とができるため、生産性の向上を図ることができる。
31を有してなり、隣接する溝部31間に退避部32が
設置されてなる金型314を用いてマイクロレンズを製
造してもよい。これにより、パターン転写の際に、溝部
31以外の部分から排除される余分な光透過性材料層1
2aを簡便に排除することができるため、正確な形状を
有するマイクロレンズを確実に得ることができる。これ
により固体撮像装置の生産性の向上を図ることができ
る。また、前記金型は、タングステン、アルミニウム、
銅、若しくはこれらの金属からなる合金で形成されてな
る。前記材料は、特に、透明な有機膜と密着性が悪いた
め、前記金型を用いてマイクロレンズを形成する場合、
金型から容易に剥がすことができる。これにより、所望
のパターンを有するマイクロレンズを確実に形成するこ
とができるため、生産性の向上を図ることができる。
【図1】 本発明の一実施の形態に係る固体撮像装置の
一製造工程を示す図である。
一製造工程を示す図である。
【図2】 本実施の形態の一実施例に係る固体撮像装置
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図3】 本実施の形態の一実施例に係る固体撮像装置
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図4】 従来の固体撮像装置の一製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図5】 従来の固体撮像装置の一製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図6】 従来の固体撮像装置の一製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図7】 従来の固体撮像装置の一製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図8】 図7に示される従来の固体撮像装置の一製造
工程により得られた固体撮像装置に対し、カメラレンズ
から光を入射する一例を示す模式図である。
工程により得られた固体撮像装置に対し、カメラレンズ
から光を入射する一例を示す模式図である。
1 N型基板 2 P型ウエル層 3 受光部 4 CCDチャネル 5 素子分離 6 ゲート絶縁膜 7 ゲート電極 8 遮光膜 13a・13b フォトレジスト 14・214・314 金型 31 溝部 32 退避部 100 基板 10・110 下地部 111・211 平坦化層 111b 112・212・312 マイクロレンズ 112a・212a・312a マイクロレンズ
パターン 131 溝部 132 金型 133 マイクロレンズ母材 134・134a・134b・134c マイ
クロレンズ 135 薄膜部 136 レンズ群 137 半導体基板 138 カラーフィルタ 139 カメラレンズ 140 絶縁膜 211a 凹部 211b・311b 境界領域 311a 凸部 W 幅 X 幅 Y 厚さ Z 高さ
パターン 131 溝部 132 金型 133 マイクロレンズ母材 134・134a・134b・134c マイ
クロレンズ 135 薄膜部 136 レンズ群 137 半導体基板 138 カラーフィルタ 139 カメラレンズ 140 絶縁膜 211a 凹部 211b・311b 境界領域 311a 凸部 W 幅 X 幅 Y 厚さ Z 高さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−61277(JP,A) 特開 平5−303009(JP,A) 特開 平6−92658(JP,A) 特開 平8−43605(JP,A) 特開 平8−113616(JP,A) 特開 平7−32117(JP,A) 特開 平10−166368(JP,A) 特開 平7−256649(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/14 B29C 33/38 G02B 3/00 H04N 5/335
Claims (10)
- 【請求項1】半導体基板上に受光部及び信号読出部を形
成する工程と、 前記半導体基板表面に光透過性材料層を形成する工程
と、 前記光透過性材料層上に所定のパターンを有する金型を
押しつけて前記パターンを転写させマイクロレンズパタ
ーンを形成する工程とを有することを特徴とする固体撮
像装置の製造方法。 - 【請求項2】前記光透過性材料層上に所定のパターンを
有する金型を押しつけて前記パターンを転写させマイク
ロレンズパターンを形成する工程の後に、マイクロレン
ズパターンを熱処理により硬化させマイクロレンズを形
成する工程とを有することを特徴とする請求項1に記載
の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項3】前記光透過性材料層上に前記金型を設置し
た状態で熱処理を行うことを特徴とする請求項2に記載
の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項4】前記光透過性材料層上に所定のパターンを
有する金型を押しつけて前記パターンを転写させマイク
ロレンズパターンを形成する工程の後に、マイクロレン
ズパターンを光硬化させマイクロレンズを形成する工程
とを有してなることを特徴とする請求項1に記載の固体
撮像装置の製造方法。 - 【請求項5】前記光透過性材料層が透明な有機膜である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4何れか1項に記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項6】前記熱硬化の際の熱処理温度が200〜3
00℃であることを特徴とする請求項2、請求項3、及
び請求項5のうち何れか1項に記載の固体撮像装置の製
造方法。 - 【請求項7】半導体基板上に受光部及び信号読出部を形
成する工程の後、平坦化層を形成することを特徴とする
請求項1乃至請求項6何れか1項に記載の固体撮像装置
の製造方法。 - 【請求項8】前記平坦化層内にカラーフィルタ層を設置
することを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の
製造方法。 - 【請求項9】前記金型は、透明有機層と接着性が悪く、
剥がしやすいタングステン、アルミニウム、銅、若しく
はこれらの金属からなる合金で形成されてなることを特
徴とする請求項1乃至請求項8何れか1項に記載の固体
撮像装置の製造方法。 - 【請求項10】前記金型は、製造すべきマイクロレンズ
と同様のパターンを有する複数の溝部と、隣接する溝部
間に光透過性材料層を退避させるための退避部とが設け
られてなることを特徴とする請求項1乃至請求項9何れ
か1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13059099A JP3307364B2 (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
TW089108358A TW465103B (en) | 1999-05-11 | 2000-05-03 | Method to form the microlens of solid state image capturing device |
US09/567,193 US6623668B1 (en) | 1999-05-11 | 2000-05-09 | Method of forming micro lenses of a solid-state image pick-up device |
KR10-2000-0025195A KR100394304B1 (ko) | 1999-05-11 | 2000-05-12 | 고체 촬상 장치의 마이크로 렌즈 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13059099A JP3307364B2 (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000323693A JP2000323693A (ja) | 2000-11-24 |
JP3307364B2 true JP3307364B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=15037854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13059099A Expired - Fee Related JP3307364B2 (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6623668B1 (ja) |
JP (1) | JP3307364B2 (ja) |
KR (1) | KR100394304B1 (ja) |
TW (1) | TW465103B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020069846A (ko) * | 2001-02-28 | 2002-09-05 | 삼성전자 주식회사 | 마이크로렌즈를 구비한 고체 촬상 소자의 제조방법 |
JP2002321227A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-05 | Canon Inc | 光学素子成形用母型の製造方法、及び該母型を用いた光学素子の製造方法、該製造方法による光学素子 |
US6979588B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-12-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor having microlens therein with high photosensitivity |
KR100541027B1 (ko) * | 2003-07-19 | 2006-01-11 | 주식회사 옵토메카 | 이미지 센서 및 이미지 센서 제작방법과 이에 이용되는마이크로 광집속 소자 어레이 제작용 몰드 |
KR100589225B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2006-06-19 | 엘지전자 주식회사 | 향상된 시야각을 갖는 마이크로렌즈 배열 시트 |
US7329856B2 (en) * | 2004-08-24 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method |
KR100731098B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
US7456044B2 (en) * | 2005-12-28 | 2008-11-25 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing image sensor |
KR100788349B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
KR100806781B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6059752A (ja) | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5225935A (en) * | 1989-10-30 | 1993-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device having a microlens and a process for making microlenses |
JPH0461277A (ja) | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JPH05303009A (ja) | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | マイクロレンズアレー原版およびマイクロレンズアレー作製方法 |
JPH05326900A (ja) | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP3266659B2 (ja) | 1992-09-11 | 2002-03-18 | 旭光学工業株式会社 | 光学素子成形用の成形型及び光学素子の成形方法 |
US5581379A (en) * | 1993-02-15 | 1996-12-03 | Omron Corporation | Rectangular based convex microlenses surrounded within a frame and method of making |
JPH06265702A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Omron Corp | 光学素子及びその製造方法ならびにドットマトリクス表示装置 |
JPH0732117A (ja) | 1993-07-20 | 1995-02-03 | Hitachi Metals Ltd | 減圧ダイカスト用金型 |
JP3051018B2 (ja) | 1994-03-18 | 2000-06-12 | 沖電気工業株式会社 | 成形金型 |
JP3666905B2 (ja) | 1994-08-01 | 2005-06-29 | リコー光学株式会社 | 光学デバイスおよびその製造方法 |
JP3555626B2 (ja) | 1994-09-09 | 2004-08-18 | ソニー株式会社 | マイクロレンズの製造方法 |
JPH08113616A (ja) | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 活性エネルギー線硬化性組成物およびレンズシート |
JPH10166368A (ja) | 1996-12-10 | 1998-06-23 | Nikon Corp | 成形用金型の製造方法および成形用金型 |
JPH11123771A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Micro Opt:Kk | 平板型マイクロレンズアレイ製造用スタンパ及び平板型マイクロレンズアレイの製造方法 |
DE69911529T2 (de) * | 1998-02-05 | 2004-08-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Gegenstand mit unebener oberfläche, verfahren zu dessen herstellung und zusammenstellung dafür |
-
1999
- 1999-05-11 JP JP13059099A patent/JP3307364B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
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---|---|
KR20010014897A (ko) | 2001-02-26 |
US6623668B1 (en) | 2003-09-23 |
KR100394304B1 (ko) | 2003-08-09 |
TW465103B (en) | 2001-11-21 |
JP2000323693A (ja) | 2000-11-24 |
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