JPH0461277A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH0461277A JPH0461277A JP2170267A JP17026790A JPH0461277A JP H0461277 A JPH0461277 A JP H0461277A JP 2170267 A JP2170267 A JP 2170267A JP 17026790 A JP17026790 A JP 17026790A JP H0461277 A JPH0461277 A JP H0461277A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、固体撮像素子の製造方法に関し、特にマイク
ロレンズの形成工程を改良した固体撮像素子の製造方法
に係わる。
ロレンズの形成工程を改良した固体撮像素子の製造方法
に係わる。
(従来の技術)
従来、固体撮像素子は以下に説明するように第7図(a
)〜(d)に示す工程により製造されている。
)〜(d)に示す工程により製造されている。
まず、例えばp型半導体基板1に絶縁膜2.3を介して
2層の転送電極4.5を形成した後、該転送電極5をマ
スクとしてn型不純物を前記基板1にドーピングして感
光部としてのn型拡散層6を形成する。つづいて、全面
に透明な層間絶縁膜7を堆積する。ひきつづき、前記層
間絶縁膜7上にAΩ等からなる遮光膜8を前記転送電極
5の上方に位置するように形成した後、色フィルタ 9
を形成する(第7図(a)図示)。
2層の転送電極4.5を形成した後、該転送電極5をマ
スクとしてn型不純物を前記基板1にドーピングして感
光部としてのn型拡散層6を形成する。つづいて、全面
に透明な層間絶縁膜7を堆積する。ひきつづき、前記層
間絶縁膜7上にAΩ等からなる遮光膜8を前記転送電極
5の上方に位置するように形成した後、色フィルタ 9
を形成する(第7図(a)図示)。
次いて、同図(b)に示すように前記色フィルタ 9上
に感光性透明レジストを塗布、乾燥して感光性透明レジ
スト膜10を形成する。つづいて、この感光性透明レジ
スト膜10を露光、現像を行うことにより同図(C)に
示すように断面が台形でストライブ状をなす透明レジス
トパターン11を前記n型拡散層6と対向するように形
成する。なお、二の丁、程においてアイランド状の透明
レジストパターンを形成し、てもよい。ひき−)づき、
前記透明レン“ストの溶融温度で熱処理することにより
、前記ストライプ状の透明レジストパターン」1をメル
トシ、て熱変形させ、同図(d)に示すように断面か半
円柱状のマイクロレンズ12を形成し゛C固体撮像素了
合製造する。なお、透明レジストパターンかアイランド
状の場合には崖球状のマイクロレンズか形成される。
に感光性透明レジストを塗布、乾燥して感光性透明レジ
スト膜10を形成する。つづいて、この感光性透明レジ
スト膜10を露光、現像を行うことにより同図(C)に
示すように断面が台形でストライブ状をなす透明レジス
トパターン11を前記n型拡散層6と対向するように形
成する。なお、二の丁、程においてアイランド状の透明
レジストパターンを形成し、てもよい。ひき−)づき、
前記透明レン“ストの溶融温度で熱処理することにより
、前記ストライプ状の透明レジストパターン」1をメル
トシ、て熱変形させ、同図(d)に示すように断面か半
円柱状のマイクロレンズ12を形成し゛C固体撮像素了
合製造する。なお、透明レジストパターンかアイランド
状の場合には崖球状のマイクロレンズか形成される。
上述した従来方法にあっCは、集光性か良好なレンズ形
状を得るためには第8図に示すよ・うに接触角α1、厚
さHl、幅W1などを制御する必要がある。かかるレン
ズ形状の制御は、第1図に示す透明レジストパターンの
傾斜角α2、厚さH2、幅W2に依存するたy)、これ
らを十分に考慮する必要があり、煩雑なデータ収集、解
析を必要とする。し、かし2なから、現状ではこれらの
解析等は試行錯誤で行なわれているため、高集光化に適
し7た形状の!/ ’、−ズを再現性よく形成できない
という問題かあった。また、透明レジストパターンの形
成工程においでレジスト残り苓生1.た場合には、レ一
・ズか該レンストの残りによって相)jに融着づるとい
う問題かあ・った。
状を得るためには第8図に示すよ・うに接触角α1、厚
さHl、幅W1などを制御する必要がある。かかるレン
ズ形状の制御は、第1図に示す透明レジストパターンの
傾斜角α2、厚さH2、幅W2に依存するたy)、これ
らを十分に考慮する必要があり、煩雑なデータ収集、解
析を必要とする。し、かし2なから、現状ではこれらの
解析等は試行錯誤で行なわれているため、高集光化に適
し7た形状の!/ ’、−ズを再現性よく形成できない
という問題かあった。また、透明レジストパターンの形
成工程においでレジスト残り苓生1.た場合には、レ一
・ズか該レンストの残りによって相)jに融着づるとい
う問題かあ・った。
(発明か解決りようと−4る課題)
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、高集光化に適し、た接触角、埋さ、幅に制御さ
れたマイクロッレンズか再現性よく形成された固体撮像
素子の製造方法を提供【2.ようとするものである。
もので、高集光化に適し、た接触角、埋さ、幅に制御さ
れたマイクロッレンズか再現性よく形成された固体撮像
素子の製造方法を提供【2.ようとするものである。
(課題を解決するための4段)
本発明は、予め感光部、電極、遮光膜か形成された半導
体基板上に色フィルタを形成し、この色フィルタ」−に
高分子−材料からなるマイクロレンズを前記感光部と対
向するように形成1.て固体撮像装置を製造する方法に
おいて、型内に高分子材料からなるレンズ原料を流し込
み、熱硬化又は光硬化によりマイクロレンズを作製]2
、このマイクロレンズを前記色フィルタ上に貼着するこ
とを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。
体基板上に色フィルタを形成し、この色フィルタ」−に
高分子−材料からなるマイクロレンズを前記感光部と対
向するように形成1.て固体撮像装置を製造する方法に
おいて、型内に高分子材料からなるレンズ原料を流し込
み、熱硬化又は光硬化によりマイクロレンズを作製]2
、このマイクロレンズを前記色フィルタ上に貼着するこ
とを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。
(イ1 用)
本発明によれば、型内に高分子−材料からなるレンズ原
料を流し込み、熱硬化又は光硬化することによ〕て目的
とする接触角、厚さ、幅を有するる集光性の良好なマイ
クロレンズを作製できる。
料を流し込み、熱硬化又は光硬化することによ〕て目的
とする接触角、厚さ、幅を有するる集光性の良好なマイ
クロレンズを作製できる。
かかるマイクロレンズを崖導体基板上の色フィルタ上に
貼着することによって、高感度の固体撮像素子を簡単か
つ再現性よく製造できる。
貼着することによって、高感度の固体撮像素子を簡単か
つ再現性よく製造できる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第1図に示すように半円柱形状の溝部21か製造ずべき
固体撮像素子のマイクロレンズと同様に配列された金型
22を製作し、この金型22を用いて次のような工程に
よりマイクロレンズを作製し、た。
固体撮像素子のマイクロレンズと同様に配列された金型
22を製作し、この金型22を用いて次のような工程に
よりマイクロレンズを作製し、た。
まず、第2図(a)に示すように前記金型22にポリス
チレン系のレンズ原料を流し込んで溝部21及び溝部2
1間の金型22表面にレンズ原料23を満たず。
チレン系のレンズ原料を流し込んで溝部21及び溝部2
1間の金型22表面にレンズ原料23を満たず。
つづいて、第2図(b)に示すように光硬化を行って複
数の半円柱状のマイクロレンズ24が薄膜部25て一体
化されたストライブ状のレンズ群26を作製し、た後、
金型22から取り出す(第2図(C)図が)。
数の半円柱状のマイクロレンズ24が薄膜部25て一体
化されたストライブ状のレンズ群26を作製し、た後、
金型22から取り出す(第2図(C)図が)。
次いで、例えばp型半導体基板27に絶縁膜28.29
を介して2層の転送電極30.31を形成し11、該転
送電極31をマスクとしてn型不純物を前記基板27に
ドーピングし、て感光部としてのn型拡散層32を形成
し1、全面に透明な層間絶縁膜33を堆積1、史に前記
層間絶縁膜33上にへβ等からなる遮光膜34を前記転
送電極31のL方に位置するように形成l。
を介して2層の転送電極30.31を形成し11、該転
送電極31をマスクとしてn型不純物を前記基板27に
ドーピングし、て感光部としてのn型拡散層32を形成
し1、全面に透明な層間絶縁膜33を堆積1、史に前記
層間絶縁膜33上にへβ等からなる遮光膜34を前記転
送電極31のL方に位置するように形成l。
た後、全面に色フィルタ35を形成し、この色−ノイル
タ35のト、方に前記T、程で作製した【ノンズ群26
を反転しC配置する(第2図(d)図示)。この後、レ
ンズ群26を接着剤を介して前記色フィルタ35に貼着
することによりカラー固体撮像累fを製造する(第2図
(e)図/jO0 し、かじで、本発明力性によれば金型22を用いてポリ
スチレン系のレンズ原料を流(1,込み、光硬化を行な
うことによって、集光性が良好な複数の゛4′4層状の
マイク0 [/ンズ24か薄膜部25て 一体化された
レンズ群2Bを作製できる。この後、該レンズ群26を
半導体基板27上の色フィルタ35に接着剤等により貼
着することによって高感度のカラー固体撮像素子を簡単
かつ再現性よく製造できる。
タ35のト、方に前記T、程で作製した【ノンズ群26
を反転しC配置する(第2図(d)図示)。この後、レ
ンズ群26を接着剤を介して前記色フィルタ35に貼着
することによりカラー固体撮像累fを製造する(第2図
(e)図/jO0 し、かじで、本発明力性によれば金型22を用いてポリ
スチレン系のレンズ原料を流(1,込み、光硬化を行な
うことによって、集光性が良好な複数の゛4′4層状の
マイク0 [/ンズ24か薄膜部25て 一体化された
レンズ群2Bを作製できる。この後、該レンズ群26を
半導体基板27上の色フィルタ35に接着剤等により貼
着することによって高感度のカラー固体撮像素子を簡単
かつ再現性よく製造できる。
また、レンズ群26の薄膜部25の厚さを変えることに
よって光路長を制御できる。即ち、実施例のように薄膜
部25の厚さがt (第2図(e)図示)の場合にはマ
イクロレンズ24による光路長がΩとなるか、第3図に
示すように薄膜部25の厚さを厚くしてt′とすると、
マイクロレンズ24による光路長をΩ゛と長くすること
ができる。
よって光路長を制御できる。即ち、実施例のように薄膜
部25の厚さがt (第2図(e)図示)の場合にはマ
イクロレンズ24による光路長がΩとなるか、第3図に
示すように薄膜部25の厚さを厚くしてt′とすると、
マイクロレンズ24による光路長をΩ゛と長くすること
ができる。
なお、上記実施例では第2図(c)に示すように比較的
緩やかな円弧を持つ半円柱状のマイクロレンズを作製し
たが、第4図に示すように膨出した半円柱状のマイクロ
レンズ24、第5図に示す二段形の半円柱状のマイクロ
レンズ24を作製してもよい。また、第6図に示すよう
に細長状の凹部36の底面を凸形にしてマイクロレンズ
24としたレンズ群26゛を用いてもよい。
緩やかな円弧を持つ半円柱状のマイクロレンズを作製し
たが、第4図に示すように膨出した半円柱状のマイクロ
レンズ24、第5図に示す二段形の半円柱状のマイクロ
レンズ24を作製してもよい。また、第6図に示すよう
に細長状の凹部36の底面を凸形にしてマイクロレンズ
24としたレンズ群26゛を用いてもよい。
上記実施例では、複数の半円柱状のマイクロレンズか薄
膜部で一体化されたストライプ状のレンズ群を作製した
が、複数の半球状のマイクロレンズが薄膜部で一体化さ
れたアイランド状のレンズ群を作製してもよい。かかる
半球状のマイクロレンズは前述した第4図〜第6図に示
すのと同様な断面形状にすることができる。
膜部で一体化されたストライプ状のレンズ群を作製した
が、複数の半球状のマイクロレンズが薄膜部で一体化さ
れたアイランド状のレンズ群を作製してもよい。かかる
半球状のマイクロレンズは前述した第4図〜第6図に示
すのと同様な断面形状にすることができる。
[発明の効果]
以上詳述した如く、本発明によれば高集光化に適した接
触角、厚さ、幅に制御されたマイクロレンズを再現性よ
く形成でき、ひいては高感度、高集積度の固体撮像素子
を量産的に製造できる等顕著な効果を奏する。
触角、厚さ、幅に制御されたマイクロレンズを再現性よ
く形成でき、ひいては高感度、高集積度の固体撮像素子
を量産的に製造できる等顕著な効果を奏する。
第1図は本発明の実施例で用いた金型を示す斜視図、第
2図(a)〜(e)は本発明の実施例におけるカラー固
体撮像素子の製造工程を示す断面図、第3図は本発明の
他の実施例を示すカラー固体撮像素子の断面図、第4図
〜第6図は本発明方法で形成されたマイクロレンズの他
の形態を示す断面図、第7図(a)〜(d)は従来法に
よるカラー固体撮像素子の製造工程を示す断面図、第8
図及び第9図は従来法による問題点を説明するための概
略図である。 21・・・溝部、22・・・金型、24・・マイクロレ
ンズ、26.26′・・レンズ群、27・・・p型半導
体基板、30.31・・・転送電極、32・・・n型拡
散層(感光部) 、34−9゜遮蔽膜、35・・・色フ
ィルタ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 11!3図 ′444図 第5図 第 図 (a) (b) (C) 第7図
2図(a)〜(e)は本発明の実施例におけるカラー固
体撮像素子の製造工程を示す断面図、第3図は本発明の
他の実施例を示すカラー固体撮像素子の断面図、第4図
〜第6図は本発明方法で形成されたマイクロレンズの他
の形態を示す断面図、第7図(a)〜(d)は従来法に
よるカラー固体撮像素子の製造工程を示す断面図、第8
図及び第9図は従来法による問題点を説明するための概
略図である。 21・・・溝部、22・・・金型、24・・マイクロレ
ンズ、26.26′・・レンズ群、27・・・p型半導
体基板、30.31・・・転送電極、32・・・n型拡
散層(感光部) 、34−9゜遮蔽膜、35・・・色フ
ィルタ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 11!3図 ′444図 第5図 第 図 (a) (b) (C) 第7図
Claims (1)
- 予め感光部、電極、遮光膜が形成された半導体基板上
に色フィルタを形成し、この色フィルタ上に高分子材料
からなるマイクロレンズを前記感光部と対向するように
形成して固体撮像装置を製造する方法において、型内に
高分子材料からなるレンズ原料を流し込み、熱硬化又は
光硬化によりマイクロレンズを作製し、このマイクロレ
ンズを前記色フィルタ上に貼着することを特徴とする固
体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2170267A JPH0461277A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2170267A JPH0461277A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0461277A true JPH0461277A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15901772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2170267A Pending JPH0461277A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0461277A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100394304B1 (ko) * | 1999-05-11 | 2003-08-09 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 고체 촬상 장치의 마이크로 렌즈 형성 방법 |
JP2005538545A (ja) * | 2002-09-09 | 2005-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2006066912A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Agilent Technol Inc | 統合型電気光学デバイスを含むイメージセンサ及びその製造方法 |
US7042644B2 (en) | 1998-12-10 | 2006-05-09 | Seiko Epson Corporation | Optical substrate and display device using the same |
JP2007005671A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 光発電パネル及びその製造方法 |
KR100793917B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2008-01-16 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2170267A patent/JPH0461277A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7042644B2 (en) | 1998-12-10 | 2006-05-09 | Seiko Epson Corporation | Optical substrate and display device using the same |
KR100394304B1 (ko) * | 1999-05-11 | 2003-08-09 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 고체 촬상 장치의 마이크로 렌즈 형성 방법 |
US6623668B1 (en) | 1999-05-11 | 2003-09-23 | Nec Electronics Corporation | Method of forming micro lenses of a solid-state image pick-up device |
JP2005538545A (ja) * | 2002-09-09 | 2005-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 |
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