JPH03173472A - マイクロレンズの形成方法 - Google Patents
マイクロレンズの形成方法Info
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- JPH03173472A JPH03173472A JP1313759A JP31375989A JPH03173472A JP H03173472 A JPH03173472 A JP H03173472A JP 1313759 A JP1313759 A JP 1313759A JP 31375989 A JP31375989 A JP 31375989A JP H03173472 A JPH03173472 A JP H03173472A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光電変換部の前方に配設されて用いられるマ
イクロレンズの形成方法に関するものである。
イクロレンズの形成方法に関するものである。
第２図は例えば特公昭６０−５９７５２号公報に開示さ
れている固体撮像素子の構成を示す断面図である。同図
において、１はシリコン基板、２はフォトダイオード、
３はチャネルストッパ ４は転送部、５は絶縁層、６は
ポリシリコンゲート、７は絶縁層、８はアルミニウム遮
光膜、９はマイクロレンズ、１０は固体撮像素子の下地
部としての半導体基板である。
れている固体撮像素子の構成を示す断面図である。同図
において、１はシリコン基板、２はフォトダイオード、
３はチャネルストッパ ４は転送部、５は絶縁層、６は
ポリシリコンゲート、７は絶縁層、８はアルミニウム遮
光膜、９はマイクロレンズ、１０は固体撮像素子の下地
部としての半導体基板である。
このように構成される固体撮像素子のマイクロレンズ９
は、次のようにして形成される。すなわち、第３図（ａ
）に示すように受光部および転送部等を有する半導体基
板１０上に熱軟化性を有する透光性材料をスピン塗布法
により透光膜９ａを形成する。次に同図（ｂ）に示すよ
うに各受光部間の遮光膜８上でマイクロレンズ形成部の
端部をエツチングによシ除去して透光膜パターン９ｂを
形成した後、加熱し、各透光膜パターン９ｂの周辺部に
だれを形成させて同図（Ｃ）に示すようなマイクロレン
ズ９を形成する。
は、次のようにして形成される。すなわち、第３図（ａ
）に示すように受光部および転送部等を有する半導体基
板１０上に熱軟化性を有する透光性材料をスピン塗布法
により透光膜９ａを形成する。次に同図（ｂ）に示すよ
うに各受光部間の遮光膜８上でマイクロレンズ形成部の
端部をエツチングによシ除去して透光膜パターン９ｂを
形成した後、加熱し、各透光膜パターン９ｂの周辺部に
だれを形成させて同図（Ｃ）に示すようなマイクロレン
ズ９を形成する。
このような方法で形成されたマイクロレンズ９は、高い
曲率を容易に得ることができ、高い集光能力が得られる
。
曲率を容易に得ることができ、高い集光能力が得られる
。
しかしながら、前述したマイクロレンズ９は、熱軟化性
の透光性材料からなる透光膜パターン９ｂを加熱するこ
とによって形成させているので、熱安定性に欠けるなど
の問題があった。
の透光性材料からなる透光膜パターン９ｂを加熱するこ
とによって形成させているので、熱安定性に欠けるなど
の問題があった。
このような課題を解決するためにこの発明は、受光部お
よび信号転送部を有する半導体基板上に光硬化型の透光
性樹脂層を形成し、各受光部間の一部を除去して透光性
樹脂パターン層を形成した後、熱フローを行ない、しか
る後にこの透光性樹脂パターン層を光硬化させるもので
ある。
よび信号転送部を有する半導体基板上に光硬化型の透光
性樹脂層を形成し、各受光部間の一部を除去して透光性
樹脂パターン層を形成した後、熱フローを行ない、しか
る後にこの透光性樹脂パターン層を光硬化させるもので
ある。
この発明におけるマイクロレンズの形成方法においては
、熱７０−させた後に光硬化させるので、熱安定性が高
くなる。
、熱７０−させた後に光硬化させるので、熱安定性が高
くなる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図−）〜（ｄ）はこの発明によるマイクロレンズの
形成方法の一実施例を説明するための工程の断面図であ
り、前述の図と同一部分には同一符号を付しである。同
図において、まず同図（ａ）に示すように受光部および
転送部などが形成された半導体基板１０上に光硬化型の
透光性樹脂（例えば（勧富壬薬品製ｐｖＲ，（＆）日本
合成ゴム製ＭＥＳ等）による光硬化型の透光性樹脂層１
１をスピン塗布法等によ多形成した後、引き続きポジ型
フォトレジスト（例えば（輔東京応化製０ＦＰＲ−８０
０。
形成方法の一実施例を説明するための工程の断面図であ
り、前述の図と同一部分には同一符号を付しである。同
図において、まず同図（ａ）に示すように受光部および
転送部などが形成された半導体基板１０上に光硬化型の
透光性樹脂（例えば（勧富壬薬品製ｐｖＲ，（＆）日本
合成ゴム製ＭＥＳ等）による光硬化型の透光性樹脂層１
１をスピン塗布法等によ多形成した後、引き続きポジ型
フォトレジスト（例えば（輔東京応化製０ＦＰＲ−８０
０。
０ＤＵＲ−１０Ｂ等）もしくは下層の光硬化型の透光性
樹脂層１１を光硬化させない程度の光吸収性を有するか
もしくは感光波長の異なるネガ型フォトレジスト（例え
ば（（転）日立化成製ＲＤ −２００ＯＮ、（ａ）東京
応化製ＯＭＲ−８５等）によるフォトレジスト層１２を
スピン塗布法等にょ多形成する。次に同図（ｂ）に示す
ようにフォトレジスト層１２を露光現像し、遮光膜８上
の不要部分を除去してフォトレジストパターン１３を形
成する。次にこのフォトレジストパターン１３をマスク
にして光硬化型の透光性樹脂層１１を不要部分をエツチ
ング（例えば０２プラズマエツチング等）によシ除去し
、しかる後、フォトレジストパターン１３を剥離材（例
えばアルコール、アセトン等）によシ除去して同図（Ｃ
）に示すように光硬化型の透光性樹脂パターン１４を形
成する。次にこの透光性樹脂パターン１４は光硬化して
いないので、高温度でベークすることによって熱７０−
し、同図（ｄ）に示すように断面が半球状に形成され、
引き続き全面を一括露光することによって光硬化し、マ
イクロレンズ１５が形成されることになる。
樹脂層１１を光硬化させない程度の光吸収性を有するか
もしくは感光波長の異なるネガ型フォトレジスト（例え
ば（（転）日立化成製ＲＤ −２００ＯＮ、（ａ）東京
応化製ＯＭＲ−８５等）によるフォトレジスト層１２を
スピン塗布法等にょ多形成する。次に同図（ｂ）に示す
ようにフォトレジスト層１２を露光現像し、遮光膜８上
の不要部分を除去してフォトレジストパターン１３を形
成する。次にこのフォトレジストパターン１３をマスク
にして光硬化型の透光性樹脂層１１を不要部分をエツチ
ング（例えば０２プラズマエツチング等）によシ除去し
、しかる後、フォトレジストパターン１３を剥離材（例
えばアルコール、アセトン等）によシ除去して同図（Ｃ
）に示すように光硬化型の透光性樹脂パターン１４を形
成する。次にこの透光性樹脂パターン１４は光硬化して
いないので、高温度でベークすることによって熱７０−
し、同図（ｄ）に示すように断面が半球状に形成され、
引き続き全面を一括露光することによって光硬化し、マ
イクロレンズ１５が形成されることになる。
なお、前述した実施例においては、マイクロレンズ１５
の母材としての光硬化型透光性樹脂層１１をエツチング
させるフォトレジストパターン１３は一層の場合につい
て説明したが、眉間にバッファ層等を介在させた多層レ
ジストパターンを用いても良い。
の母材としての光硬化型透光性樹脂層１１をエツチング
させるフォトレジストパターン１３は一層の場合につい
て説明したが、眉間にバッファ層等を介在させた多層レ
ジストパターンを用いても良い。
以上説明したようにこの発明によれば、光硬化型の透光
性樹脂層を光硬化せずに不要部分を除去し、熱フローさ
せた後に光硬化させたことにょシ、熱的に安定でかつ高
い集光能力を有するマイクロレンズが得られるという極
めて優れた効果が得られる。
性樹脂層を光硬化せずに不要部分を除去し、熱フローさ
せた後に光硬化させたことにょシ、熱的に安定でかつ高
い集光能力を有するマイクロレンズが得られるという極
めて優れた効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロレンズの形
成方法を示す工程の断面図、第２図は従来のマイクロレ
ンズを用いた固体撮像素子の構成を示す断面図、第３図
は従来のマイクロレンズの形成方法を示す工程の断面図
である。 ８＠・・１アルミニウム遮光膜、１０−−・・半導体基
板、１１・・・・光硬化型透光性樹脂層、１２−−−・
フォトレジスト層、１３・・・・フォトレジストパター
ン、１４・・・・透光性樹脂パターン、１５ｅ＠・・マ
イクロレンズ。
成方法を示す工程の断面図、第２図は従来のマイクロレ
ンズを用いた固体撮像素子の構成を示す断面図、第３図
は従来のマイクロレンズの形成方法を示す工程の断面図
である。 ８＠・・１アルミニウム遮光膜、１０−−・・半導体基
板、１１・・・・光硬化型透光性樹脂層、１２−−−・
フォトレジスト層、１３・・・・フォトレジストパター
ン、１４・・・・透光性樹脂パターン、１５ｅ＠・・マ
イクロレンズ。
Claims (1)
- 受光部および信号転送部を有する半導体基板上に光硬化
型の透光性樹脂層を形成し前記透光性樹脂層の各受光部
間の一部を除去して透光性樹脂パターン層を形成する工
程と、前記透光性樹脂パターン層を熱フローさせる工程
と、前記熱フローさせた透光性樹脂パターン層を光硬化
させる工程とを有することを特徴としたマイクロレンズ
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1313759A JPH03173472A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | マイクロレンズの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1313759A JPH03173472A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | マイクロレンズの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173472A true JPH03173472A (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=18045192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1313759A Pending JPH03173472A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | マイクロレンズの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03173472A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536455A (en) * | 1994-01-03 | 1996-07-16 | Omron Corporation | Method of manufacturing lens array |
| EP0753765A2 (en) * | 1995-07-11 | 1997-01-15 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method for forming multiple-layer microlenses and use thereof |
| WO2005013369A1 (ja) * | 2003-08-01 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
| EP1406304A3 (en) * | 2002-09-26 | 2006-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
| US7420236B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| JP2009272650A (ja) * | 2003-05-28 | 2009-11-19 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| DE102005063114B4 (de) * | 2004-12-30 | 2011-05-12 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | CMOS-Bildsensor und Herstellungsverfahren desselben |
| JP2012252183A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板の製造方法を用いて製造されたマイクロレンズ基板を備えた撮像装置、及びその撮像装置を備えた電子機器 |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP1313759A patent/JPH03173472A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0753765A3 (en) * | 1995-07-11 | 1997-05-28 | Imec Inter Uni Micro Electr | Manufacturing process for multilayer microlenses and their use |
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| US7709918B2 (en) | 2003-05-28 | 2010-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US8581358B2 (en) | 2003-05-28 | 2013-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method |
| US8866249B2 (en) | 2003-05-28 | 2014-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
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