JPS6059752B2 - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6059752B2 JPS6059752B2 JP51151123A JP15112376A JPS6059752B2 JP S6059752 B2 JPS6059752 B2 JP S6059752B2 JP 51151123 A JP51151123 A JP 51151123A JP 15112376 A JP15112376 A JP 15112376A JP S6059752 B2 JPS6059752 B2 JP S6059752B2
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- Japan
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- receiving element
- light receiving
- solid
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置、特にその受光部の構造およびそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
一般に固体撮像装置における光を受ける部分l □ れ
゛゛イオード等の受光素子のみである。
゛゛イオード等の受光素子のみである。
この受光素子の周囲には転送領域等が設けられており、
従つてこのような受光素子以外の領域に入射する光は全
く無駄なものとなり、感度が非常に低下する。すなわち
、従来の固体撮像装置では、全表面に入射する光を完全
に利用することができず、感度や輝度が劣るものである
。個々の受光素子の面積を大きくすることにより、上記
問題を解消することができるが、上述の周囲の転送領域
等の兼ねあいから入射光をすべて利用てきる程大きくす
ることはできない。第1図に従来の固体撮像装置の断面
構成図を示す。1はP型シリコン基板であり、2はチャ
ンネルストップのためのP゛拡散層、3は転送段のN゛
拡散層、4はフォトダイオード、5は絶縁膜、6は多結
晶シリコンゲートである。
従つてこのような受光素子以外の領域に入射する光は全
く無駄なものとなり、感度が非常に低下する。すなわち
、従来の固体撮像装置では、全表面に入射する光を完全
に利用することができず、感度や輝度が劣るものである
。個々の受光素子の面積を大きくすることにより、上記
問題を解消することができるが、上述の周囲の転送領域
等の兼ねあいから入射光をすべて利用てきる程大きくす
ることはできない。第1図に従来の固体撮像装置の断面
構成図を示す。1はP型シリコン基板であり、2はチャ
ンネルストップのためのP゛拡散層、3は転送段のN゛
拡散層、4はフォトダイオード、5は絶縁膜、6は多結
晶シリコンゲートである。
この時受光できる入射光はD1の領域にかぎられ、入射
光の全部は利用できず、感度、輝度の向上が妨げられる
。本発明は、固体撮像素子の表面に入射した光を’でき
るだけ多く受光素子に導き、感度、輝度が非常に改良さ
れた固体撮像装置を提供するものである。以下本発明を
図面を用いて実施例とともに説明する。
光の全部は利用できず、感度、輝度の向上が妨げられる
。本発明は、固体撮像素子の表面に入射した光を’でき
るだけ多く受光素子に導き、感度、輝度が非常に改良さ
れた固体撮像装置を提供するものである。以下本発明を
図面を用いて実施例とともに説明する。
第2図は本発明の一実施例を示す構造断面図であり、第
3図は同斜視図であつて、第1図と同じものは同一番号
を示し、説明は省略する。
3図は同斜視図であつて、第1図と同じものは同一番号
を示し、説明は省略する。
すなわち、固体撮像素子の受光表面に、屈折率が1より
大きくて光を透過させる材料よりなる半球状の集束体7
を、隣接する2つの電荷転送用多結晶シリコンゲート6
に接するようにもうける。この半球状体7は、入射光を
集束体7の厚い方へ屈折させ、集束体7の中央部に集束
させるよう形成される。従つて、集束体7の中央部、す
なわち前記隣接する2つの多結晶シリコンゲート6間の
中央部の直下に受光素子としてのフォトダイオード4を
位置すれば、フォトダイオード4に照射させる光の量は
D2で示す範囲となり、従来例のものに比べて、増加す
る。第4図a−cに、本発明の固体撮像装置の製造方法
の一実施例について示す。
大きくて光を透過させる材料よりなる半球状の集束体7
を、隣接する2つの電荷転送用多結晶シリコンゲート6
に接するようにもうける。この半球状体7は、入射光を
集束体7の厚い方へ屈折させ、集束体7の中央部に集束
させるよう形成される。従つて、集束体7の中央部、す
なわち前記隣接する2つの多結晶シリコンゲート6間の
中央部の直下に受光素子としてのフォトダイオード4を
位置すれば、フォトダイオード4に照射させる光の量は
D2で示す範囲となり、従来例のものに比べて、増加す
る。第4図a−cに、本発明の固体撮像装置の製造方法
の一実施例について示す。
P型シリコン基板1上にチャンネルストップ2、転送段
の拡散層3、フォトダイオード4、絶縁膜5、多結晶シ
リコンゲート6をそれぞれ形成し、この上に熱軟化性の
材料からなる層、たとえばフォトレジスト8−を一様に
塗布する(同図a)。次にフォトエッチング工程により
、半球状体の端部となるべき、フォトレジスト8の部分
をとり除く(同図b)。その後、熱を加えることにより
フォトレジスト8を軟化させ、エッチングされたフォト
レジスト8の−角の部分をだれさせて、集束体7とする
(同図c)。また破線9は熱を加える前の形状を示す。
以上説明したように本発明の固体撮像装置は、固体撮像
素子の受光素子の表面に透光性の集束体が形成されてい
るため、固体撮像素子の全表面に入射する光の大半を有
効に利用でき、装置の感度や輝度を向上させることがで
きる。さらに、本発明は、受光素子の面積を従来の装置
よりも小さくしても、受光素子への入射光量は減少させ
ることはないため、固体撮像素子の高密度化が図れ、高
解像度の装置が得られる。しかも、複数の集束体の各々
は、隣接する電荷転送用ゲートに接するように設けてあ
るので、集束体の付着強度を強くすることができる。
の拡散層3、フォトダイオード4、絶縁膜5、多結晶シ
リコンゲート6をそれぞれ形成し、この上に熱軟化性の
材料からなる層、たとえばフォトレジスト8−を一様に
塗布する(同図a)。次にフォトエッチング工程により
、半球状体の端部となるべき、フォトレジスト8の部分
をとり除く(同図b)。その後、熱を加えることにより
フォトレジスト8を軟化させ、エッチングされたフォト
レジスト8の−角の部分をだれさせて、集束体7とする
(同図c)。また破線9は熱を加える前の形状を示す。
以上説明したように本発明の固体撮像装置は、固体撮像
素子の受光素子の表面に透光性の集束体が形成されてい
るため、固体撮像素子の全表面に入射する光の大半を有
効に利用でき、装置の感度や輝度を向上させることがで
きる。さらに、本発明は、受光素子の面積を従来の装置
よりも小さくしても、受光素子への入射光量は減少させ
ることはないため、固体撮像素子の高密度化が図れ、高
解像度の装置が得られる。しかも、複数の集束体の各々
は、隣接する電荷転送用ゲートに接するように設けてあ
るので、集束体の付着強度を強くすることができる。
さらにエッチングにより、透光性熱軟化性材料膜を所定
形状に形成し、加熱によつて、その角部をだれさせて集
束体を作るようにしているので、複数の集束体を均一か
つ簡単に作成することができる。
形状に形成し、加熱によつて、その角部をだれさせて集
束体を作るようにしているので、複数の集束体を均一か
つ簡単に作成することができる。
第1図は従来の固体撮像装置の構造断面図、第2図、第
3図は本発明の一実施例を示す構造断面図および斜視図
、第4図a−cは本発明の固体撮像装置の製造方法の一
実施例を示す工程図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・チャンネ
ルストップ、3・・・・・・拡散層、4・・・・・・フ
ォトダイオード、5・・・・・絶縁膜層、6・・・・・
・多結晶シリコンゲート、7・・・・半球状体(集光体
)、8・・・・・・熱軟化性の材料。
3図は本発明の一実施例を示す構造断面図および斜視図
、第4図a−cは本発明の固体撮像装置の製造方法の一
実施例を示す工程図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・チャンネ
ルストップ、3・・・・・・拡散層、4・・・・・・フ
ォトダイオード、5・・・・・絶縁膜層、6・・・・・
・多結晶シリコンゲート、7・・・・半球状体(集光体
)、8・・・・・・熱軟化性の材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体基板に複数の受光素子と、この受光素子の電
荷を転送する転送領域を設け、上記基板上に電荷転送用
ゲートを設けるとともに、隣合う電荷転送用ゲート間の
部分の直下に上記受光素子が位置するようになし、かつ
、入射光を上記受光素子に集束させる複数の集束体を、
熱軟化性を有する透光性材料を用いて、上記隣合う電荷
転送用ゲートに接しかつ上記受光素子を覆うように設け
たことを特徴とする固体撮像装置。 2 複数の受光素子、電荷転送領域、電荷転送用ゲート
を作り込んだ半導体基板上に透光性の熱軟化性材料膜を
形成する第1の工程と、この膜の集束体形成部の端部を
エッチングにより除去する第2の工程と、この第2の工
程により得られた複数の集束体形成部の端部を、加熱に
よりだれさせる第3の工程を有し、入射光を複数の受光
素子に集束させる複数の集束体を隣合う電荷転送用ゲー
トに接して受光素子を覆うように形成することを特徴と
する固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51151123A JPS6059752B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51151123A JPS6059752B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5374395A JPS5374395A (en) | 1978-07-01 |
JPS6059752B2 true JPS6059752B2 (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=15511857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51151123A Expired JPS6059752B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6059752B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5868970A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
JPS58225668A (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JPS5910266A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JPS5968967A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JPS5984476A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学機器用基板の製造方法 |
JPS5992568A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子などの受光装置とその製造方法 |
JPS5994456A (ja) * | 1982-11-20 | 1984-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子用マイクロ集光レンズの形成方法 |
JPS6038989A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JPS59109157U (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-23 | 沖電気工業株式会社 | 等倍読取センサ |
JPS59134974A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-02 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
JPS59148482A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JPS6053073A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | マイクロレンズ付固体撮像素子および製法 |
JPS6060756A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | マイクロレンズ付固体撮像素子の製造方法 |
JPS6060757A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | マイクロレンズを備えた撮像素子及びその製造方法 |
-
1976
- 1976-12-15 JP JP51151123A patent/JPS6059752B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5374395A (en) | 1978-07-01 |
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