JP2713525B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JP2713525B2 JP2713525B2 JP4168775A JP16877592A JP2713525B2 JP 2713525 B2 JP2713525 B2 JP 2713525B2 JP 4168775 A JP4168775 A JP 4168775A JP 16877592 A JP16877592 A JP 16877592A JP 2713525 B2 JP2713525 B2 JP 2713525B2
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- Japan
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- imaging device
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- semiconductor substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置とその製造方法につ
いて図面を用いて説明する。
いて図面を用いて説明する。
【０００３】図３は従来の固体撮像装置のモールド状態
を説明するための断面図である。図３において、パッケ
ージ１上に接着剤２を用いて固体撮像素子３を接着す
る。
を説明するための断面図である。図３において、パッケ
ージ１上に接着剤２を用いて固体撮像素子３を接着す
る。
【０００４】次に、図４は従来の固体撮像装置の断面図
である。図４において、Ｎ型半導体基板４表面上にＰ型
ウェル領域５が形成され、この領域内に受光部のＮ型不
純物層６と電荷転送部のＮ型ウェル層７とが形成されて
いる。電荷転送部のＮ型ウェル層７上にはゲート絶縁膜
８を介して、多結晶シリコン９が形成され、多結晶シリ
コン９上方にはシリコン酸化膜１０が形成されている。
さらに、受光部のＮ型不純物層６以外に入射光が漏れ込
まないように遮光膜１１が形成され、その上に保護膜１
２が形成されている。
である。図４において、Ｎ型半導体基板４表面上にＰ型
ウェル領域５が形成され、この領域内に受光部のＮ型不
純物層６と電荷転送部のＮ型ウェル層７とが形成されて
いる。電荷転送部のＮ型ウェル層７上にはゲート絶縁膜
８を介して、多結晶シリコン９が形成され、多結晶シリ
コン９上方にはシリコン酸化膜１０が形成されている。
さらに、受光部のＮ型不純物層６以外に入射光が漏れ込
まないように遮光膜１１が形成され、その上に保護膜１
２が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
固体撮像装置において、固体撮像素子３をパッケージ１
に接着した後、接着剤２を乾燥させるために熱処理を行
なうが、このとき接着剤２よりシリコン半導体で形成さ
れた固体撮像素子３の熱膨張係数が小さいため、固体撮
像素子３の表面が凸状に反った形状になる。このため、
シリコン半導体表面の格子間距離が大きくなり、かつ格
子間のポテンシャルが小さくなるため、すでに半導体基
板内にトラップされていたＦｅイオン等の重金属イオン
がシリコン半導体内を容易に拡散できるようになる。固
体撮像素子３において、Ｎ型不純物層６とＰ型ウェル領
域５で形成される受光部のＰＮ接合部に重金属イオンが
存在すると、光を全く遮断した状態でも、その重金属イ
オンは電荷生成中心として働き、暗電流が局所的に増大
する。暗電流は熱的に生成される一種の漏れ電流であ
る。特に暗い被写体を撮影した場合に白いキズがついた
画像となり、そのＳ／Ｎ比を著しく低下させる。
固体撮像装置において、固体撮像素子３をパッケージ１
に接着した後、接着剤２を乾燥させるために熱処理を行
なうが、このとき接着剤２よりシリコン半導体で形成さ
れた固体撮像素子３の熱膨張係数が小さいため、固体撮
像素子３の表面が凸状に反った形状になる。このため、
シリコン半導体表面の格子間距離が大きくなり、かつ格
子間のポテンシャルが小さくなるため、すでに半導体基
板内にトラップされていたＦｅイオン等の重金属イオン
がシリコン半導体内を容易に拡散できるようになる。固
体撮像素子３において、Ｎ型不純物層６とＰ型ウェル領
域５で形成される受光部のＰＮ接合部に重金属イオンが
存在すると、光を全く遮断した状態でも、その重金属イ
オンは電荷生成中心として働き、暗電流が局所的に増大
する。暗電流は熱的に生成される一種の漏れ電流であ
る。特に暗い被写体を撮影した場合に白いキズがついた
画像となり、そのＳ／Ｎ比を著しく低下させる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の従来技術の問題点
を解決するため、本発明の固体撮像装置の製造方法は、
一導電型半導体基板の主表面に反対導電型の領域を設け
た受光部と、前記受光部に生じた信号電荷を読み出し、
前記信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部
上方に設けられた転送電極とを少なくとも具備し、前記
半導体基板の主表面の反対表面に凹部を少なくとも１個
以上有する固体撮像素子を容器内に搭載した固体撮像装
置で、前記半導体基板の前記反対表面と前記容器とを接
着剤により固着後、熱処理を行うことで、前記半導体基
板の主面を凹形状に反らせるものである。
を解決するため、本発明の固体撮像装置の製造方法は、
一導電型半導体基板の主表面に反対導電型の領域を設け
た受光部と、前記受光部に生じた信号電荷を読み出し、
前記信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部
上方に設けられた転送電極とを少なくとも具備し、前記
半導体基板の主表面の反対表面に凹部を少なくとも１個
以上有する固体撮像素子を容器内に搭載した固体撮像装
置で、前記半導体基板の前記反対表面と前記容器とを接
着剤により固着後、熱処理を行うことで、前記半導体基
板の主面を凹形状に反らせるものである。
【０００７】
【作用】本発明は上記した構成をとることにより、固体
撮像素子のシリコン基板表面を接着熱処理後において凹
面状に反らせるため、シリコン半導体基板表面を物理的
に圧縮することによってシリコンの格子間距離を短くす
ることができ、シリコン基板内にトラップされた重金属
イオンのシリコン基板表面への拡散を非常に少なくする
ことができる。
撮像素子のシリコン基板表面を接着熱処理後において凹
面状に反らせるため、シリコン半導体基板表面を物理的
に圧縮することによってシリコンの格子間距離を短くす
ることができ、シリコン基板内にトラップされた重金属
イオンのシリコン基板表面への拡散を非常に少なくする
ことができる。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例による固体撮像装
置を示すモールドされた断面図である。図１において、
１３は固体撮像素子、１４は接着剤、１５はパッケー
ジ、１６は固体撮像素子１３の裏面に形成された凹部で
ある。
置を示すモールドされた断面図である。図１において、
１３は固体撮像素子、１４は接着剤、１５はパッケー
ジ、１６は固体撮像素子１３の裏面に形成された凹部で
ある。
【０００９】固体撮像素子１３は、固体撮像素子１３の
裏面の凹部１６の内側につけられた接着剤１４を用いて
パッケージ１５上に接着される。接着剤１４は熱処理後
に、固体撮像素子１３の構成されたシリコン基板より熱
膨張係数が小さいため、固体撮像素子１３を下方（図１
における矢印の方向）に引っ張る。このため、固体撮像
素子１３の基板表面は物理的に凹面状になる。
裏面の凹部１６の内側につけられた接着剤１４を用いて
パッケージ１５上に接着される。接着剤１４は熱処理後
に、固体撮像素子１３の構成されたシリコン基板より熱
膨張係数が小さいため、固体撮像素子１３を下方（図１
における矢印の方向）に引っ張る。このため、固体撮像
素子１３の基板表面は物理的に凹面状になる。
【００１０】次に、本発明の一実施例による固体撮像装
置の製造方法を図２を用いて説明する。
置の製造方法を図２を用いて説明する。
【００１１】図２（ａ）に示すように、固体撮像素子が
形成されたシリコン基板２１表面にＣＶＤ保護膜２２を
形成する。
形成されたシリコン基板２１表面にＣＶＤ保護膜２２を
形成する。
【００１２】この後、図２（ｂ）に示すように、固体撮
像素子のシリコン基板２１の裏面にフォトレジスト２３
により孔を形成するためのパターンを形成する。
像素子のシリコン基板２１の裏面にフォトレジスト２３
により孔を形成するためのパターンを形成する。
【００１３】次に、図２（ｃ）に示すように、弗酸と硝
酸の混合液によりウェットエッチングを行い、凹部２４
を形成する。その後、フォトレジスト２３を除去する。
これにより、シリコン基板２１の裏面に凹部２４を形成
した固体撮像装置を実現することができる。
酸の混合液によりウェットエッチングを行い、凹部２４
を形成する。その後、フォトレジスト２３を除去する。
これにより、シリコン基板２１の裏面に凹部２４を形成
した固体撮像装置を実現することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、固体撮像
素子のシリコン基板裏面に凹部を形成しておいてシリコ
ン基板とパッケージを接着剤で接着し、シリコン基板表
面を凹面状とすることで、シリコン格子間距離が短くな
り、シリコン基板内の重金属イオンをＰＮ接合フォトダ
イオード近傍へ拡散することを大幅に抑制でき、局所的
な暗電流を大幅に低減することができる固体撮像装置を
提供することができる。
素子のシリコン基板裏面に凹部を形成しておいてシリコ
ン基板とパッケージを接着剤で接着し、シリコン基板表
面を凹面状とすることで、シリコン格子間距離が短くな
り、シリコン基板内の重金属イオンをＰＮ接合フォトダ
イオード近傍へ拡散することを大幅に抑制でき、局所的
な暗電流を大幅に低減することができる固体撮像装置を
提供することができる。
【図１】本発明の一実施例のモールド状態の固体撮像装
置の断面図
置の断面図
【図２】本発明の一実施例の固体撮像装置の製造方法を
示す工程断面図
示す工程断面図
【図３】従来のモールド状態の固体撮像装置の断面図
【図４】従来の固体撮像装置の断面図
１３ 固体撮像素子 １４ 接着剤 １５ パッケージ １６ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型半導体基板の主表面に反対導電
型の領域を設けた受光部と、前記受光部に生じた信号電
荷を読み出し、前記信号電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部上方に設けられた転送電極とを少なくと
も具備し、前記半導体基板の主表面の反対表面に凹部を
少なくとも１個以上有する固体撮像素子を容器内に搭載
した固体撮像装置の製造方法において、前記半導体基板
の前記反対表面と前記容器とを接着剤により固着後、熱
処理を行うことで、前記半導体基板の主面を凹形状に反
らせることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4168775A JP2713525B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4168775A JP2713525B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613594A JPH0613594A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2713525B2 true JP2713525B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=15874236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4168775A Expired - Lifetime JP2713525B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713525B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9425078D0 (en) * | 1994-12-13 | 1995-02-08 | British Airways Plc | A seating unit |
| AU770136B2 (en) | 1998-10-15 | 2004-02-12 | British Airways Plc | A seating unit |
| DE102010019805A1 (de) * | 2010-05-06 | 2011-11-10 | Z/I Imaging Ltd. | Kamera, insbesondere zur Aufnahme von Luftbildern aus Flugzeugen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174993A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-27 | Toshiba Corp | Color solid-state image pickup device |
| JPS614430U (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0336739A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Seiko Instr Inc | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4168775A patent/JP2713525B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613594A (ja) | 1994-01-21 |
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