JPS5968967A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS5968967A JPS5968967A JP57178540A JP17854082A JPS5968967A JP S5968967 A JPS5968967 A JP S5968967A JP 57178540 A JP57178540 A JP 57178540A JP 17854082 A JP17854082 A JP 17854082A JP S5968967 A JPS5968967 A JP S5968967A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、高感度固体撮像装置の製造方法に関する。
固体撮ＩＩ！１．素子の有効感光部は、感光画素部と、
感光画素部で発生した電荷を流す配線部とから構成され
ており、感光画素部と周辺の感光画素部とには間隙があ
る。そして従来のカラー固体撮像素子の色フイルタ形成
方法はこの感光画素上に平坦な色フィルタを乗せている
。そのため色フィルタを通ってくる光は直進し、感光画
素部周辺の光は、固体撮像素子基板に反射され、感光画
素に入射されない。
感光画素部で発生した電荷を流す配線部とから構成され
ており、感光画素部と周辺の感光画素部とには間隙があ
る。そして従来のカラー固体撮像素子の色フイルタ形成
方法はこの感光画素上に平坦な色フィルタを乗せている
。そのため色フィルタを通ってくる光は直進し、感光画
素部周辺の光は、固体撮像素子基板に反射され、感光画
素に入射されない。
本発明は、上記の色フィルタを通り感光画素の周辺で反
射される光を感光画素に入射する高感度色フィルタを有
する、固体撮像装置の製造方法を提供することを目的と
する。
射される光を感光画素に入射する高感度色フィルタを有
する、固体撮像装置の製造方法を提供することを目的と
する。
本発明は、固体撮像素子の感光画素上に形成する色フィ
ルタ層の上層あるいは下層に、写真蝕刻法により半凸レ
ンズ形の層を設けることにより、感光画素周辺で、反射
していた光をレンズ効果により感光画素に集光させるこ
とを特徴とする。
ルタ層の上層あるいは下層に、写真蝕刻法により半凸レ
ンズ形の層を設けることにより、感光画素周辺で、反射
していた光をレンズ効果により感光画素に集光させるこ
とを特徴とする。
本発明により、色フィルタを形成した固体撮像素子の各
画素の出力成分を従来の平坦な色フィルタを形成した固
体撮像素子の各画素の出力成分よりも増やすことができ
る。
画素の出力成分を従来の平坦な色フィルタを形成した固
体撮像素子の各画素の出力成分よりも増やすことができ
る。
以下本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｋ）ｆ、用い
て説明する。
て説明する。
固体撮像素子１上にＪＳ几ＣＩ几７ｏ７（日本合成ゴム
ｌ！Ｊ ） ９ｙ、、塗布する（第１図（ａ））。プリ
ベーク後、マスク１ｏにより露光する（第１図（ｂ））
。次に現像。
ｌ！Ｊ ） ９ｙ、、塗布する（第１図（ａ））。プリ
ベーク後、マスク１ｏにより露光する（第１図（ｂ））
。次に現像。
リンス、ボストベークし、感光画素３．４．５．６．７
゜８上に半凸レンズ形の層１１．１２．１３．１４．１
５．１６を得る（ム’ｒ １図（Ｃ））。
゜８上に半凸レンズ形の層１１．１２．１３．１４．１
５．１６を得る（ム’ｒ １図（Ｃ））。
ここで、露光はオーバー露光し、現１象リンス後、半凸
レンズ形の層の周辺にテーパーをつける。゛またこの露
光にはグロキシミティ露光が有効である。
レンズ形の層の周辺にテーパーをつける。゛またこの露
光にはグロキシミティ露光が有効である。
さらにボストベークはレジストの指定ボストベーク温度
よりも、高い温度でポストベークすることにより、レジ
ストに流れを生じさせて、半凸レンズ形の層にする。
よりも、高い温度でポストベークすることにより、レジ
ストに流れを生じさせて、半凸レンズ形の層にする。
以上が本発明において破裂なプロセスである。
な分、半凸レンズ形の層には ゴム系フォトレジストＯ
Ｍ几８３（東京応化工業ｇ ＞ 、ｒｓｎｃＩａ７ｏｘ
、 、ｒｓｆｃｃｉｎ、ｒｏ７（日本合成ゴム製） Ｆ
ＳＲ（富士薬品工業製）、ＫＭＩ（コダック製）等が有
用である。
Ｍ几８３（東京応化工業ｇ ＞ 、ｒｓｎｃＩａ７ｏｘ
、 、ｒｓｆｃｃｉｎ、ｒｏ７（日本合成ゴム製） Ｆ
ＳＲ（富士薬品工業製）、ＫＭＩ（コダック製）等が有
用である。
次に可染性樹脂ゼアチン−重クロム酸アンモニウム水溶
液１７全塗布する（第１図（ｄ））。乾燥後、マスク１
８により感光画素４，７上′ｆ：露光する。そして現像
、リンス、ボストベーク後、イエロー染色液、カヤノー
、ルイエロ−ＮＧＳ （日本化薬製）１チ水溶液に７０
℃１分間浸漬し、水洗乾燥後感光画素４．７上に、イエ
ロー染色層１９．２０を得る（第１図（ｆ））。
液１７全塗布する（第１図（ｄ））。乾燥後、マスク１
８により感光画素４，７上′ｆ：露光する。そして現像
、リンス、ボストベーク後、イエロー染色液、カヤノー
、ルイエロ−ＮＧＳ （日本化薬製）１チ水溶液に７０
℃１分間浸漬し、水洗乾燥後感光画素４．７上に、イエ
ロー染色層１９．２０を得る（第１図（ｆ））。
このとき、イエロー染色層は、半凸レンズ形の層１２．
１５を上面からみて全面カーバーし、感光画素４，７よ
りも大きくする。
１５を上面からみて全面カーバーし、感光画素４，７よ
りも大きくする。
次に、耐染色保護膜として、ＫＰＲ，（コダック製）２
１ヲ塗布する（第１図（ｇ））。グリベーク後、マスク
２２より露光する（第１図（ｈ））。そして現像リンス
ボストベーク後、Ａｔパッド２上にＫＰＲが除かれた層
２３を得る（第１図０））。
１ヲ塗布する（第１図（ｇ））。グリベーク後、マスク
２２より露光する（第１図（ｈ））。そして現像リンス
ボストベーク後、Ａｔパッド２上にＫＰＲが除かれた層
２３を得る（第１図０））。
次に前記と同様、可染性樹脂ゼラチン−重クロム酸アン
モニウム水溶液１７ヲ塗布後、感光画素５，８上を露光
し、現像リンスボストベーク後、７アン染色液、カヤノ
ールターキスブルー３Ｇ ３％ 水溶液に７０℃５分間
浸漬し、水洗乾燥後、感光画素５．８上にシア／染色層
２４．２５を得る（第１図（Ｊ））。
モニウム水溶液１７ヲ塗布後、感光画素５，８上を露光
し、現像リンスボストベーク後、７アン染色液、カヤノ
ールターキスブルー３Ｇ ３％ 水溶液に７０℃５分間
浸漬し、水洗乾燥後、感光画素５．８上にシア／染色層
２４．２５を得る（第１図（Ｊ））。
このときシアン染色層２４．２５は、中間層２３を被っ
た半凸レンズの）ｆＪ １３．１６ ’に上面からみて
全面カバーし、感光画素５．８よりも大きくする。
た半凸レンズの）ｆＪ １３．１６ ’に上面からみて
全面カバーし、感光画素５．８よりも大きくする。
次に色フイルタ全体の保護膜としてＫＩ’Ｒ（コダック
製）を塗布し、プリベータ、露光、現像、リンスボスト
ベーク後、Ａｔパッド２上にＫＰＲが除かれた層２６を
得る（第１図（ｋ））。
製）を塗布し、プリベータ、露光、現像、リンスボスト
ベーク後、Ａｔパッド２上にＫＰＲが除かれた層２６を
得る（第１図（ｋ））。
以上により、ホワイト、イエロー、シアンの補色型の高
感度色フィルタを製造する。
感度色フィルタを製造する。
なお、半凸レンズ形の層の上に色フィルタを形成する場
合、半凸レンズ形の層のパターンサイズは感光画素より
も大きなサイズにし、その上に形成する色フィルタの半
凸レンズ形の断面形状、及び固体撮像素子の感光画素の
サイズ等から決定すればよい。
合、半凸レンズ形の層のパターンサイズは感光画素より
も大きなサイズにし、その上に形成する色フィルタの半
凸レンズ形の断面形状、及び固体撮像素子の感光画素の
サイズ等から決定すればよい。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の実施例を示す。
固体撮像素子１上に、先に述べた実施例の第１図（（■
）から第１図（ｋ）により形成した色フィルタを形成す
る（第２図（ａ））。この上にＪＳ几ＣＩ几７０７（日
本合成ゴム製）２２に塗布する（第２図（ｂ））。そし
てマスク２８によりすべての感光画素３．４．５．６．
７゜８、上のＪＳＲＣＩ几７０７．２７ｖ露光する（第
２図（Ｃ））。
）から第１図（ｋ）により形成した色フィルタを形成す
る（第２図（ａ））。この上にＪＳ几ＣＩ几７０７（日
本合成ゴム製）２２に塗布する（第２図（ｂ））。そし
てマスク２８によりすべての感光画素３．４．５．６．
７゜８、上のＪＳＲＣＩ几７０７．２７ｖ露光する（第
２図（Ｃ））。
次に現像リンスボストベーク後、感光画素３，４゜５、
６．７．８ 上に半凸レンズ形の層２９．３０．３１
．３２゜３３、３４ ｆ、得る（第２図（ｄ））。
６．７．８ 上に半凸レンズ形の層２９．３０．３１
．３２゜３３、３４ ｆ、得る（第２図（ｄ））。
以上により、ホワイト、イエロー、シアンの補色型の高
感度色フィルタを製造する。この時の露光、ボストベー
クの条件は前の実施例で述べた通りである。なお、アッ
ヤンブリ一工程において、表面の半凸レンズ形の層には
ぐり等の支障が生じる場合には、保護膜として常法によ
り、ＫＰ几３５を形成してもよい（第２図（ｅ））。
感度色フィルタを製造する。この時の露光、ボストベー
クの条件は前の実施例で述べた通りである。なお、アッ
ヤンブリ一工程において、表面の半凸レンズ形の層には
ぐり等の支障が生じる場合には、保護膜として常法によ
り、ＫＰ几３５を形成してもよい（第２図（ｅ））。
また、本製造においては、色フィルタの染色層のパター
ンは可能な限り広くシ、感光画素上の染色層の平坦な部
分を広くする。そして半凸レンズ形の層のサイズを平坦
な染色層と同じ大きさにすることが、固体］電像素子の
各感光画素の出力成分全増大させる有効な方法である。
ンは可能な限り広くシ、感光画素上の染色層の平坦な部
分を広くする。そして半凸レンズ形の層のサイズを平坦
な染色層と同じ大きさにすることが、固体］電像素子の
各感光画素の出力成分全増大させる有効な方法である。
以上、染色法による補色塑の高感度色フィルタの製造の
実施例をνＲべたが、本発明は染色法に限らず、′Ａ１
！Ｆ、法（写真法）による色フイルタ製造に有効であり
、また浦色屓に限らず、原色型の色フイルタ製造ｌこも
有効である。
実施例をνＲべたが、本発明は染色法に限らず、′Ａ１
！Ｆ、法（写真法）による色フイルタ製造に有効であり
、また浦色屓に限らず、原色型の色フイルタ製造ｌこも
有効である。
さらに、本発明は、カラー固本撮謙装置に限らず、白黒
固体撮１象装置直の製造方法にも山川である。
固体撮１象装置直の製造方法にも山川である。
第１図（ａ）〜（ｋ）は、本発明の一実施例ｆｆ：１況
明するための工程図、第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明
の他の実施例を説明するための工、１呈図である。 １・・・固体撮１象素子 ２・・・アルミパッド Ｊ＋ ４１５？ ６１７’； ８・・・感光画素９−Ｊ
ＳＲｕ几−７０７ １０・・・マスク １１、１２．１３．１４．１５．１６・・・半凸レンズ
形の層１７・・・ゼラチン−重クロム改アンモニウムの
層１８・・・マスク １９．２０・・・イエロ染色層 ２１・・・耐染色保護膜（ＫＰＩＩ、）２２・・・マス
ク ２３・・・パターニング１皮の耐染色保護膜２４、２５
・・・シアン染色層 ２６・・・保護膜（ＫＰ几） ２７ ・・１呆護ｊ摸 （ＫＰ几） ２８・・マスク ２’ｌ、 ３０．３１．３２．３３．３４・・・半凸レ
ンズ形の層３５・保、１論膜（ＫＰル） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第 ｔ 図
明するための工程図、第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明
の他の実施例を説明するための工、１呈図である。 １・・・固体撮１象素子 ２・・・アルミパッド Ｊ＋ ４１５？ ６１７’； ８・・・感光画素９−Ｊ
ＳＲｕ几−７０７ １０・・・マスク １１、１２．１３．１４．１５．１６・・・半凸レンズ
形の層１７・・・ゼラチン−重クロム改アンモニウムの
層１８・・・マスク １９．２０・・・イエロ染色層 ２１・・・耐染色保護膜（ＫＰＩＩ、）２２・・・マス
ク ２３・・・パターニング１皮の耐染色保護膜２４、２５
・・・シアン染色層 ２６・・・保護膜（ＫＰ几） ２７ ・・１呆護ｊ摸 （ＫＰ几） ２８・・マスク ２’ｌ、 ３０．３１．３２．３３．３４・・・半凸レ
ンズ形の層３５・保、１論膜（ＫＰル） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第 ｔ 図
Claims (1)
- 固体撮像素子の有効感光部の感光画素上に透明有機層を
堆積せしめる工程と、該透明有機層を写真蝕刻法により
、任意の感光画素上のみ残存させる工程と、該透明有機
残存層を熱処理して半凸レンズ形の形状にする工程とを
有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178540A JPS5968967A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178540A JPS5968967A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968967A true JPS5968967A (ja) | 1984-04-19 |
Family
ID=16050260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178540A Pending JPS5968967A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968967A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990013146A1 (en) * | 1989-04-20 | 1990-11-01 | Eastman Kodak Company | Lens arrays for light sensitive devices |
| JPH0493801A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Samsung Electron Co Ltd | カラーフィルターの製造方法 |
| JPH04234705A (ja) * | 1990-12-31 | 1992-08-24 | Samsung Electron Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5374395A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
| JPS5721879A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Solid state image pickup device |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57178540A patent/JPS5968967A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5374395A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
| JPS5721879A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Solid state image pickup device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990013146A1 (en) * | 1989-04-20 | 1990-11-01 | Eastman Kodak Company | Lens arrays for light sensitive devices |
| JPH0493801A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Samsung Electron Co Ltd | カラーフィルターの製造方法 |
| JPH04234705A (ja) * | 1990-12-31 | 1992-08-24 | Samsung Electron Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
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