JPS5888706A - カラ−映像装置とその製造方法 - Google Patents
カラ−映像装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPS5888706A JPS5888706A JP57195430A JP19543082A JPS5888706A JP S5888706 A JPS5888706 A JP S5888706A JP 57195430 A JP57195430 A JP 57195430A JP 19543082 A JP19543082 A JP 19543082A JP S5888706 A JPS5888706 A JP S5888706A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- filter
- color
- filter element
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 37
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 3
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 abstract description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 26
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 4
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 4
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 4
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000004833 fish glue Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 3
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWNRRUFOJXFKCU-UHFFFAOYSA-N Bromadiolone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(Br)=CC=2)C=CC=1C(O)CC(C=1C(OC2=CC=CC=C2C=1O)=O)C1=CC=CC=C1 OWNRRUFOJXFKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920001727 cellulose butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Vehicle Body Suspensions (AREA)
- Display Devices Of Pinball Game Machines (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Color Electrophotography (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、架剤で色付けする方法を用いてそれぞれ異な
る色の光を通過させる少なくとも2つのフィルタ素子系
を形成させるようにした1つの層を有する色フィルタと
映像装置とを含むカラー映像装置、ならびにこの種装置
の製造方法に関するものである。
る色の光を通過させる少なくとも2つのフィルタ素子系
を形成させるようにした1つの層を有する色フィルタと
映像装置とを含むカラー映像装置、ならびにこの種装置
の製造方法に関するものである。
この種カラー映像装置に関しては、米国特許第4.08
1,277号により公知であり、ビデオ画像の録画用に
使用されている。この既知の装置の場合は、感光素子系
を有する半導体層により該映像装置を形成し、前記感光
素子糸に直接色フィルタを取付けるようにしている。ま
た、前記色フィルタは、例えば、赤、緑および青のよう
な複数の色の光を通過させるフィルタ素子糸を有する1
つの層により形成している。この場合、正しいビデオ信
号を得るためには、色フィルタの各フィルタ素子を半導
体層の感光素子と正しい位置関係となるよう配置する必
要がある。
1,277号により公知であり、ビデオ画像の録画用に
使用されている。この既知の装置の場合は、感光素子系
を有する半導体層により該映像装置を形成し、前記感光
素子糸に直接色フィルタを取付けるようにしている。ま
た、前記色フィルタは、例えば、赤、緑および青のよう
な複数の色の光を通過させるフィルタ素子糸を有する1
つの層により形成している。この場合、正しいビデオ信
号を得るためには、色フィルタの各フィルタ素子を半導
体層の感光素子と正しい位置関係となるよう配置する必
要がある。
これらの色フィルタの製造に当っては、まず、半導体層
上に透明層を設けた後、その上にバリヤ層(障壁)を配
置し、次に写真石版工程を用いて前記バリヤ層に開口部
パターンを形成きせる。この場合、前記開口部パターン
は形成しようとする1つの色のフィルタ素子糸に対応せ
しめる。次いでバリヤ層の開口部に架剤を供給し、開口
部の下側にある透明層の領域に染色をほどこした後、バ
リヤ層を除去する。このような方法で、例えば、赤色光
を通過させる第1フイルタ素子糸を形成させた後、緑色
光および青色光を通すフィルタ素子系を形成するため、
前記工程を反復する。色フィルタはストライブフィルタ
またはモザイクフィルタとして形成するを可とする。
上に透明層を設けた後、その上にバリヤ層(障壁)を配
置し、次に写真石版工程を用いて前記バリヤ層に開口部
パターンを形成きせる。この場合、前記開口部パターン
は形成しようとする1つの色のフィルタ素子糸に対応せ
しめる。次いでバリヤ層の開口部に架剤を供給し、開口
部の下側にある透明層の領域に染色をほどこした後、バ
リヤ層を除去する。このような方法で、例えば、赤色光
を通過させる第1フイルタ素子糸を形成させた後、緑色
光および青色光を通すフィルタ素子系を形成するため、
前記工程を反復する。色フィルタはストライブフィルタ
またはモザイクフィルタとして形成するを可とする。
しかしながら、上述の方法により色フィルタを製造する
際は、感光素子に門するフィルタ素子の位置決め誤差と
色欠陥を生ずるという難点がある。
際は、感光素子に門するフィルタ素子の位置決め誤差と
色欠陥を生ずるという難点がある。
また、バリヤ層の開口部を介して透明層に染色する際に
は、開口部のすぐ下の領域だけに色付けすることが望ま
しいが、層に平行な方向への拡散により、架剤は当初予
定していた領域外に容易に浸透することとなり、その結
果、フィルタ素子の縁部)こ沿って異なる糸に属するフ
ィルタ素子の色かにじんだ領域が形成される。さらに、
一方では、透明層は、層に平行な方向における拡散がき
わめて小さいものでなければならず、他方においては、
梁側を容易に吸収しつるようなものでなければならない
という要求が課せられる。これら2つの要求を満たすと
いう観点からいえば、透明層用として好適な材料の数は
極度に制限される。
は、開口部のすぐ下の領域だけに色付けすることが望ま
しいが、層に平行な方向への拡散により、架剤は当初予
定していた領域外に容易に浸透することとなり、その結
果、フィルタ素子の縁部)こ沿って異なる糸に属するフ
ィルタ素子の色かにじんだ領域が形成される。さらに、
一方では、透明層は、層に平行な方向における拡散がき
わめて小さいものでなければならず、他方においては、
梁側を容易に吸収しつるようなものでなければならない
という要求が課せられる。これら2つの要求を満たすと
いう観点からいえば、透明層用として好適な材料の数は
極度に制限される。
また、バリヤ層の開口部の縁部の尖鋭さを与えるために
は、バリヤ層には写真石版工程に対して大きな分解能を
4えるようにすることが必要であり、さらに、異なる色
の光を通過させるフィルタ素子糸は相互にきわめて正し
く境を接するようにしなければならず、また、6糸のフ
ィルタ素子の・位置は関連する感光素子に正しく対応さ
せる必要があることから、8つの写真石版工程はきわめ
て正確なことを必要とする。
は、バリヤ層には写真石版工程に対して大きな分解能を
4えるようにすることが必要であり、さらに、異なる色
の光を通過させるフィルタ素子糸は相互にきわめて正し
く境を接するようにしなければならず、また、6糸のフ
ィルタ素子の・位置は関連する感光素子に正しく対応さ
せる必要があることから、8つの写真石版工程はきわめ
て正確なことを必要とする。
本発明の目的は色欠陥の発生を大幅に抑制するよう形成
した色フィルタを具えたカラー映像装置を提供しようと
するものである。また、本発明は、簡単に製造が可能で
、かっ色フィルタのフィルタ素子を映像装置の感光素子
に対して正しく位置決めしつるようなカラー映像装置を
提供することを他の目的とする。
した色フィルタを具えたカラー映像装置を提供しようと
するものである。また、本発明は、簡単に製造が可能で
、かっ色フィルタのフィルタ素子を映像装置の感光素子
に対して正しく位置決めしつるようなカラー映像装置を
提供することを他の目的とする。
これがため、上述形式の本発明カラー映像装置において
は、該フィルタ素子を該層に設けた隔離領域により相互
に隔離するようにしたことを特徴とする。
は、該フィルタ素子を該層に設けた隔離領域により相互
に隔離するようにしたことを特徴とする。
このように、フィルタ素子間に隔離領域を設けることに
より、1つのフィルタ素子糸用の梁側が層に平行な方向
への拡散により他のフィルタ素子系の領域に入りこむこ
とを防止することができ、かくして、色フィルタにおけ
る色欠陥の発生を抑制することができる。また、この場
合には、層に平行な方向における拡散に関する制限がほ
とんどないため、染色しようとする層の材料に関する選
択の幅を大きくとることが可能となる。ざらに、本発明
色フィルタの場合は、δつの正確な写真石版工程の代り
に、隔離領域を設けるためだけの1っの正確な写真石版
工程を必要とするのみであり、したがって、フィルタ素
子と感光素子の関係位置の正確度を向上させることがで
きる。このように、必要とする正しい写真石版工程ステ
ップの数が少なくてすむことは、色フィルタの製造が簡
単になることを意味する。
より、1つのフィルタ素子糸用の梁側が層に平行な方向
への拡散により他のフィルタ素子系の領域に入りこむこ
とを防止することができ、かくして、色フィルタにおけ
る色欠陥の発生を抑制することができる。また、この場
合には、層に平行な方向における拡散に関する制限がほ
とんどないため、染色しようとする層の材料に関する選
択の幅を大きくとることが可能となる。ざらに、本発明
色フィルタの場合は、δつの正確な写真石版工程の代り
に、隔離領域を設けるためだけの1っの正確な写真石版
工程を必要とするのみであり、したがって、フィルタ素
子と感光素子の関係位置の正確度を向上させることがで
きる。このように、必要とする正しい写真石版工程ステ
ップの数が少なくてすむことは、色フィルタの製造が簡
単になることを意味する。
また、本発明カラー映像装置の一実施例においては、該
隔離領域を層内に設けた溝部により形成したことを特徴
とする。かくすれば、1つのフィルタ素子から他のフィ
ルタ素子への梁側の拡散を不可能とするような隔離フィ
ルタ素子を与えることができる。
隔離領域を層内に設けた溝部により形成したことを特徴
とする。かくすれば、1つのフィルタ素子から他のフィ
ルタ素子への梁側の拡散を不可能とするような隔離フィ
ルタ素子を与えることができる。
さらに、本発明カラー映像装置の他の実施例においては
、該隔離領域を、液体をほとんど通さないような構造に
変換した領域により形成したことを特徴とする。梁側を
容易に吸収するような層構造は、物理的または化学的に
、液体をほとんど通さないような構造に変換することが
できる。この不浸透構造も、梁側が1つのフィルタ素子
から他のフィルタ素子に拡散することを防止する機能を
有する。
、該隔離領域を、液体をほとんど通さないような構造に
変換した領域により形成したことを特徴とする。梁側を
容易に吸収するような層構造は、物理的または化学的に
、液体をほとんど通さないような構造に変換することが
できる。この不浸透構造も、梁側が1つのフィルタ素子
から他のフィルタ素子に拡散することを防止する機能を
有する。
フィルタ素子は、上述のように、フィルタ素子の寸法に
比しきわめて狭小な隔離領域により隔離することができ
る。きわめて高い品質を特徴とする特別の場合には、隔
離領域を介して流れ落ちる光が妨害効果をもたらす。し
たがって、その場合には、隔離領域のエリアにおけるゾ
ーンに不透光性をもたせるようにする必要がある。この
目的のため、本発明の他の実施例の場合は、隔離領域の
エリアに、例えば蒸着金属層のような不透光層を設ける
ようにしたことを特徴とする。
比しきわめて狭小な隔離領域により隔離することができ
る。きわめて高い品質を特徴とする特別の場合には、隔
離領域を介して流れ落ちる光が妨害効果をもたらす。し
たがって、その場合には、隔離領域のエリアにおけるゾ
ーンに不透光性をもたせるようにする必要がある。この
目的のため、本発明の他の実施例の場合は、隔離領域の
エリアに、例えば蒸着金属層のような不透光層を設ける
ようにしたことを特徴とする。
また、本発明カラー映像装置の他の実施例においては、
感光素子系を有する千尋体層により該映像装置を形成し
たことを特徴とする。この場合、映像装置は、センサの
構造に応じてストライプフィルタまたはモザイクフィル
タを含む半導体センサにより形成する。すなわち、スト
ライプフィルタは、例えば、いわゆるフレームトランス
7アセンサとして構成されたC0D(電荷結合装置)を
有するセンサに使用し、モザイクフィルタは、例えば、
集積光ダイオードを有するx−yセンサに使用する。
感光素子系を有する千尋体層により該映像装置を形成し
たことを特徴とする。この場合、映像装置は、センサの
構造に応じてストライプフィルタまたはモザイクフィル
タを含む半導体センサにより形成する。すなわち、スト
ライプフィルタは、例えば、いわゆるフレームトランス
7アセンサとして構成されたC0D(電荷結合装置)を
有するセンサに使用し、モザイクフィルタは、例えば、
集積光ダイオードを有するx−yセンサに使用する。
さらに、本発明の他の実施例においては、該色フィルタ
を該半導体層上に直接配置するようにしたことを特徴と
する。かくすれば、簡単な方法でそのフィルタ素子を半
導体層の感光素子と正しい位置関係に配置しつるような
色フィルタを提供することができる。また、本発明の他
の実施例によるときは、該色フィルタを透明基板上に配
置し、該基板を半導体層に固着させるようにすることも
できる。ただし、この場合は、色フィルタのフィルタ素
子を半導体層の感光素子に対して正しく位置決めするた
めの余分な工程を必要とする。
を該半導体層上に直接配置するようにしたことを特徴と
する。かくすれば、簡単な方法でそのフィルタ素子を半
導体層の感光素子と正しい位置関係に配置しつるような
色フィルタを提供することができる。また、本発明の他
の実施例によるときは、該色フィルタを透明基板上に配
置し、該基板を半導体層に固着させるようにすることも
できる。ただし、この場合は、色フィルタのフィルタ素
子を半導体層の感光素子に対して正しく位置決めするた
めの余分な工程を必要とする。
本発明は、それに限定されるものではないが、特に、感
光素子を有する半導体層の形状の映像装置用として適し
ている。例えば、本発明の他の実施例によるときは、窓
部を含み、該窓部の内側上に感光層を配置するようにし
た陰極線管により該映像装置を形成し、該感光層と該窓
部との間に色フィルタを配置するようにしている。この
実施例の場合は、該色フィルタを該陰極線管の窓部に直
接耐着することもでき、もしくは、該色フィルタを基板
上に配置した後、該基板を管の窓部に固着させるように
することもできる。
光素子を有する半導体層の形状の映像装置用として適し
ている。例えば、本発明の他の実施例によるときは、窓
部を含み、該窓部の内側上に感光層を配置するようにし
た陰極線管により該映像装置を形成し、該感光層と該窓
部との間に色フィルタを配置するようにしている。この
実施例の場合は、該色フィルタを該陰極線管の窓部に直
接耐着することもでき、もしくは、該色フィルタを基板
上に配置した後、該基板を管の窓部に固着させるように
することもできる。
また、本発明Oこよる映像装置の製造方法は、a)基板
上に透明層を設ける工程と、 b〕 該層内にフィルタ素子を形成するため、写真石版
工程を用いて該透明層に隔離領域のパターンを与える工
程と、 ○)該透明層上にバリヤ層を設ける工程と、d)写真石
版工程を用いて、該バリヤ層に第1フイルタ素子糸に対
応する開口部パターンを4える工程と、 e)該バリヤ層の開口部を介して該第1の糸のフィルタ
素子に梁側を供給する工程と、 f)該バリヤ層を除去する工程と、 を含むことを特徴とする。
上に透明層を設ける工程と、 b〕 該層内にフィルタ素子を形成するため、写真石版
工程を用いて該透明層に隔離領域のパターンを与える工
程と、 ○)該透明層上にバリヤ層を設ける工程と、d)写真石
版工程を用いて、該バリヤ層に第1フイルタ素子糸に対
応する開口部パターンを4える工程と、 e)該バリヤ層の開口部を介して該第1の糸のフィルタ
素子に梁側を供給する工程と、 f)該バリヤ層を除去する工程と、 を含むことを特徴とする。
ただし、異なる色の光を通過させる他のフィルタ素子糸
の形成に際しては、上述方法の工程C)ないし工程f)
を反復することが必要である〇本発明方法は、透明層に
隔離領域のパターンを4えるためにのみ、正確な写真石
版工程ステップを必要とするという利点を有する。また
、隔離フィルタ素子を形成するようにしているため、層
に平行な方向における拡散を小とする必要がなくなり、
したがって、染色しようとする透明層用の材料の選択に
大きな幅を与えることが可能となる。
の形成に際しては、上述方法の工程C)ないし工程f)
を反復することが必要である〇本発明方法は、透明層に
隔離領域のパターンを4えるためにのみ、正確な写真石
版工程ステップを必要とするという利点を有する。また
、隔離フィルタ素子を形成するようにしているため、層
に平行な方向における拡散を小とする必要がなくなり、
したがって、染色しようとする透明層用の材料の選択に
大きな幅を与えることが可能となる。
また、隔離領域を設けるようにしているため、フィルタ
素子の寸法は完全に固定され、バリヤ層の開口部の寸法
により決める必要性はなくなる。かくして、バリヤ層内
の開口部の寸法をフィルタ素子の寸法より小さく選定す
るこ4ができ、したがって、正確な写真石版工程を用い
て開口部を設けることを要せず、ざらに、バリヤ層の分
解能も大きくするを要しない。
素子の寸法は完全に固定され、バリヤ層の開口部の寸法
により決める必要性はなくなる。かくして、バリヤ層内
の開口部の寸法をフィルタ素子の寸法より小さく選定す
るこ4ができ、したがって、正確な写真石版工程を用い
て開口部を設けることを要せず、ざらに、バリヤ層の分
解能も大きくするを要しない。
以下図面により本発明を説明する。
第1allはいわゆるx−yセンサとして構成したカラ
ー映像装置の一部を示す断面図である。映像装置lは半
導体材料層2を含み、前記半導体層2内に多数の光ダイ
オード8を行列配置状に形成させる。色フィルタは前記
光ダイオード糸上に配置し、赤(R)、縁(G)および
青CB)のようなカラーを通過させるフィルタ素子糸4
によりこれらを形成する。種々の前記フィルタ素子糸4
は第1b図に示すようにいわゆるモザイクフィルタを形
成する。第1b図は第1図示装置の平面図である。
ー映像装置の一部を示す断面図である。映像装置lは半
導体材料層2を含み、前記半導体層2内に多数の光ダイ
オード8を行列配置状に形成させる。色フィルタは前記
光ダイオード糸上に配置し、赤(R)、縁(G)および
青CB)のようなカラーを通過させるフィルタ素子糸4
によりこれらを形成する。種々の前記フィルタ素子糸4
は第1b図に示すようにいわゆるモザイクフィルタを形
成する。第1b図は第1図示装置の平面図である。
フィルタ素子4の各々は半導体層2内の関連の光ダイオ
ード8上に正しい関係位置となるよう配置し1光ダイオ
ード8の縁部上に伸長する溝部5により相互に隔離させ
るようにする。半導体層2は、例えば、約δ()0μm
の面積を有する500×800光ダイオード8を含み
、その上に、例えば、約1〜5μmの幅を有する溝部5
で隔離したフィルタ素子4を配置する。
ード8上に正しい関係位置となるよう配置し1光ダイオ
ード8の縁部上に伸長する溝部5により相互に隔離させ
るようにする。半導体層2は、例えば、約δ()0μm
の面積を有する500×800光ダイオード8を含み
、その上に、例えば、約1〜5μmの幅を有する溝部5
で隔離したフィルタ素子4を配置する。
図示映像装置の作動は簡単にいえば次のとおり1である
。すなわち、撮像しようとする被写体は光ダイオード糸
δに表示され、その結果、光ダイオードδには電荷が生
ずる。一方、各光ダイオード8は、同じく半導体N2内
に形成した電界効果トランジスタ(図示を省略)を介し
てX導体およびX導体のマトリックスに接続されている
。かくして、形成された荷電像はX導体およびX導体を
正しいシーケンスで駆動することにより読取ることが可
能となる。
。すなわち、撮像しようとする被写体は光ダイオード糸
δに表示され、その結果、光ダイオードδには電荷が生
ずる。一方、各光ダイオード8は、同じく半導体N2内
に形成した電界効果トランジスタ(図示を省略)を介し
てX導体およびX導体のマトリックスに接続されている
。かくして、形成された荷電像はX導体およびX導体を
正しいシーケンスで駆動することにより読取ることが可
能となる。
以下第2a図ないし第2d図により半導体層2の感光素
子8の色フィルタの製造に関し詳細に説明することにす
る。まず始めに、約0.5〜3μmの厚みを有する半導
体N2上に透明層10を設ける(第2a図祢照)。層1
0もフォトレジスト層により形成するを可とする。この
場合、層10それ自体を7オトレジスト層により形成し
ない場合は、透明層上にフォトレジスト層を設けるよう
にする。次いで、所要の溝部パターンを有し、かつ半導
体層2内の感光素子δに対し正しく位置決めされたフォ
トマスクを通じて透明層を露出させる・。
子8の色フィルタの製造に関し詳細に説明することにす
る。まず始めに、約0.5〜3μmの厚みを有する半導
体N2上に透明層10を設ける(第2a図祢照)。層1
0もフォトレジスト層により形成するを可とする。この
場合、層10それ自体を7オトレジスト層により形成し
ない場合は、透明層上にフォトレジスト層を設けるよう
にする。次いで、所要の溝部パターンを有し、かつ半導
体層2内の感光素子δに対し正しく位置決めされたフォ
トマスクを通じて透明層を露出させる・。
これを現像した後には、第2b図に示すように、溝部5
で隔離されたフィルタ素子4が得られる。
で隔離されたフィルタ素子4が得られる。
このような溝部5を設けることにより、全フィルタ素子
4の位置は感光素子δに対して固定される。
4の位置は感光素子δに対して固定される。
次に、フォトレジスト層により形成するを可とする約0
.5〜2μmの厚みのバリヤ層(障壁〕1]−を配置す
る(第2C図参照)。次いで、開口部パターンを有する
マスクを通してこの層11を露出させ、この層】1を現
像して層内の開口部12を得るようにする(第2d図参
照)、前記開口部12の寸法はフィルタ素子4の寸法よ
り小きくする。かくすれば、バリヤ層1】に開口部12
を配置するに際して高度の正確さを必要とせず、さらに
、バリヤ層1]の分解能を大きくするを要しない。開口
部12は、例えば、赤色光を通す東側で1色付けする必
要がある全フィルタ素子4上に配置する。東側は開口部
12を介して4えるようにし、拡散によりフィルタ素子
4に染色するようにする。
.5〜2μmの厚みのバリヤ層(障壁〕1]−を配置す
る(第2C図参照)。次いで、開口部パターンを有する
マスクを通してこの層11を露出させ、この層】1を現
像して層内の開口部12を得るようにする(第2d図参
照)、前記開口部12の寸法はフィルタ素子4の寸法よ
り小きくする。かくすれば、バリヤ層1】に開口部12
を配置するに際して高度の正確さを必要とせず、さらに
、バリヤ層1]の分解能を大きくするを要しない。開口
部12は、例えば、赤色光を通す東側で1色付けする必
要がある全フィルタ素子4上に配置する。東側は開口部
12を介して4えるようにし、拡散によりフィルタ素子
4に染色するようにする。
溝部5の配置は、赤色の東側が予定外にフィルタ素子4
に入り込むことを防止している。かくして1、染色を終
った後、バリヤ層11を取除く。次に、権々のフィルタ
素子糸4に対して、それぞれ緑色光および青色光を通す
東側に関するバリヤ層の配置ならびGこ後続の工程を反
復して、第1b図に示すようなモザイク色フィルタを得
ることができる。
に入り込むことを防止している。かくして1、染色を終
った後、バリヤ層11を取除く。次に、権々のフィルタ
素子糸4に対して、それぞれ緑色光および青色光を通す
東側に関するバリヤ層の配置ならびGこ後続の工程を反
復して、第1b図に示すようなモザイク色フィルタを得
ることができる。
以下、色フィルタを製造する上述方法について、特定例
に関し詳述することにする。
に関し詳述することにする。
例I
透明なフォトレジスト層をスピンコーティングにより1
ないし2μmの厚みで半導体層上に配置する。フォトレ
ジスト層は、例えば、コダック(Kodakン社から商
品名KPRおよびKPLで市販されているフォトレジス
トのようなポリビニール桂皮酸塩により形成するを可と
する。前記層は90“Cの温度で10分間乾燥し、次い
で、3o。
ないし2μmの厚みで半導体層上に配置する。フォトレ
ジスト層は、例えば、コダック(Kodakン社から商
品名KPRおよびKPLで市販されているフォトレジス
トのようなポリビニール桂皮酸塩により形成するを可と
する。前記層は90“Cの温度で10分間乾燥し、次い
で、3o。
〈λ< 400 nmの波長を有するUV光によりフォ
トマスクを通して86秒間露出させる。次にフォトレジ
スト層の非N田部分をトルエン内で120秒現像して取
除き、溝部で隔離されたフィルタ素子を得る。ここで、
層を90″Cで10分間乾燥した後、バリヤ層として約
2μmの厚みのフォトレジスト層を設ける。フォトレジ
スト層は、例えば、(NH4)BOr、072%、ゼラ
チン7.5%および水90.5%の重量パーセント組成
よりなるゼラチン重クロム酸フォトレジストにより形成
する。この場合、ゼラチン重クロム酸フォトレジストの
代りに、フィッシュグルー重クロム酸フォトレジストを
使用することもできる。層は、50℃で10分間乾燥し
た後、フォトマスクを通して180秒間UV光に曝らし
、非露出領域を180秒間水で洗滌する。
トマスクを通して86秒間露出させる。次にフォトレジ
スト層の非N田部分をトルエン内で120秒現像して取
除き、溝部で隔離されたフィルタ素子を得る。ここで、
層を90″Cで10分間乾燥した後、バリヤ層として約
2μmの厚みのフォトレジスト層を設ける。フォトレジ
スト層は、例えば、(NH4)BOr、072%、ゼラ
チン7.5%および水90.5%の重量パーセント組成
よりなるゼラチン重クロム酸フォトレジストにより形成
する。この場合、ゼラチン重クロム酸フォトレジストの
代りに、フィッシュグルー重クロム酸フォトレジストを
使用することもできる。層は、50℃で10分間乾燥し
た後、フォトマスクを通して180秒間UV光に曝らし
、非露出領域を180秒間水で洗滌する。
かくすれば、フィルタ素子上のバリヤ層には、最初に染
色しようとする開口部が得られる。染色は、基板上に設
けた重合体のバインダ層内に分散させる熱伝導染色によ
り行うようにする。例えば、青の染色の場合、層は、B
ASF社から商品名ルラフィックスブ/l/ −(Lu
rafix Blue ) F −RLで市販されてい
る東側5%、コダック(Kodak )社から商品名テ
ナイト11 (Ten1ta II )、E AB −
1381−20で市販されているセルルーズ酪酸塩4%
、エチルアルコール86%、エチルグリコール86%お
よびアセトン1%の重量パーセント組成を有する。フィ
ルタ素子を有する半導体層に実際に染色する場合は、バ
インダ層を有する基板およびバリヤ層を加熱して水分お
よび溶剤の残滓を除去するようにする。次いで、バリヤ
層およびフィルタ素子を有する半導体層をバインダ層上
に置き、8分間210℃の温度まで加熱する。このよう
な高い温度のもとでは、架剤をバ・rンダ層からバリヤ
層の開口部の下側にあるフィルタ素子内に拡散させるこ
とができる。かくして染色した後、80°Cの50%水
酸化ナトリウム溶液内でバリヤ層を取除き、ついで、充
分に洗滌し、乾燥した後、赤色光および緑色光を通すフ
ィルタ素子に染色する工程を繰返えす。ただし、バイン
ダ層においては、青の架剤、ルラフィックスブ/l/
−(Lurafix B1ue′)F−RLを、赤色光
通過フィルタ素子の場合は、ルラフイツクスレツド(L
urafix Red ) RF ニ置き換え、緑色通
過フィルタ素子の場合は、ルラフィックスブルーF−R
Lとルラフィックスイエロー (Lurafix Ye
llow ) RLの混合物に置き換えなければならな
い。
色しようとする開口部が得られる。染色は、基板上に設
けた重合体のバインダ層内に分散させる熱伝導染色によ
り行うようにする。例えば、青の染色の場合、層は、B
ASF社から商品名ルラフィックスブ/l/ −(Lu
rafix Blue ) F −RLで市販されてい
る東側5%、コダック(Kodak )社から商品名テ
ナイト11 (Ten1ta II )、E AB −
1381−20で市販されているセルルーズ酪酸塩4%
、エチルアルコール86%、エチルグリコール86%お
よびアセトン1%の重量パーセント組成を有する。フィ
ルタ素子を有する半導体層に実際に染色する場合は、バ
インダ層を有する基板およびバリヤ層を加熱して水分お
よび溶剤の残滓を除去するようにする。次いで、バリヤ
層およびフィルタ素子を有する半導体層をバインダ層上
に置き、8分間210℃の温度まで加熱する。このよう
な高い温度のもとでは、架剤をバ・rンダ層からバリヤ
層の開口部の下側にあるフィルタ素子内に拡散させるこ
とができる。かくして染色した後、80°Cの50%水
酸化ナトリウム溶液内でバリヤ層を取除き、ついで、充
分に洗滌し、乾燥した後、赤色光および緑色光を通すフ
ィルタ素子に染色する工程を繰返えす。ただし、バイン
ダ層においては、青の架剤、ルラフィックスブ/l/
−(Lurafix B1ue′)F−RLを、赤色光
通過フィルタ素子の場合は、ルラフイツクスレツド(L
urafix Red ) RF ニ置き換え、緑色通
過フィルタ素子の場合は、ルラフィックスブルーF−R
Lとルラフィックスイエロー (Lurafix Ye
llow ) RLの混合物に置き換えなければならな
い。
例■
透明なフォトレジスト層をスピンコーティングにより半
導体層上に配置する。フォトレジスト層は、例えば、(
NH4)20r、078.q qr、ノーランドブロタ
クツ社(Norland Products Inc、
)から市販されている商品名ノーランドフォトグレー
バグルー (Norland phOtograVer
G Glue )δ7,5%、アセトン6.8%および
水58.5%の重量バーセン) ftl成を有するフィ
ッシュグルー重クロム酸フォトレジストにより形成する
。この場合、フィッシュグルー重クロム酸フォトレジス
トの代り【こ、ゼラチン重クロム酸フォトレジストを使
用することもできる。フォトレジスト層は50℃の温度
で10分間乾燥し、次いで、フォトマスクを通してUV
光に120秒間露出させる。さらに、フォトレジスト層
を流水中で2分間現像した後、溝部で隔離された感光素
子を得る。ここでζ層を90℃で1.0分間乾燥した後
、スピンコーティングによりバリヤ層として約1μmの
厚みの7オトレジス) JHを設ける。このフォトレジ
スト層は、例えは、米国シップレイ社(Ship18y
company )から商品名シップレイ(5hipl
ey ) A Z 1850で市販されているようなナ
フトキノンダイヤザイド形(napl’1tO−qui
none diazide type )の正のフォト
レジストにより形成する。層はフォトマスクを通して曝
らした後、例えは、シップレイAZ現像液で現像し、次
いで、120°Cの温度で10分間乾燥させ、かくして
、バリヤ層の開口部を得るようにする。フィルタ素子の
染色は先染め(wool dyes )水溶液により行
う。赤色光通過フィルタ素子を染色する溶剤としては、
チバガイギ社(0iba Geigy )から市販され
ている商品名ネオボーラブυラントロツ) B (Ne
opolar Br1llant Rot B ) 1
%、酢酸0.6%、酢酸ナトリウム0.8%および水9
7.6%□の重量パーセント組成を有するものが適当で
あり、青色光通過フィルタ素子を染色する溶剤としては
、サンドウズ社(5andoz )から市販されている
商品名サンド−ラン・ウオルクブラウ(5andola
n−Wolkblau ) N −F RL ]%、酢
酸0.6%、酢酸ナトリウム0.8%および水97.6
%の重量パーセント組成を有するものが適当であり、ま
た、緑色光通過フィルタ素子を染色する溶剤としては、
チバガイギ社(C1ba Ge1gM )から市販され
ているソロフェニールターキッシュプラウ(5olop
henylTurkisch Blau ) B RL
O,8%、同じくチバガイギ社から市販されている商
品名工リオニールグリュ−ン(Er1onyl gru
n ) 46 0.4%、サンドウズ社(5andoz
)から市販されている商品名サンドーランエクトゲル
ブ(5andolan Echt Ge1b ) PL
400.3%、酢酸0.6%、酢酸ナトリウム0゜8%
および水97.6%の重量パーセント組成を有するもの
が適当である。架剤は80°Cの温度で5分間フィルタ
素子に供給するようゃこし、染色を終った後、アセトン
で洗滌することにより正のフォトレジストを取り除く。
導体層上に配置する。フォトレジスト層は、例えば、(
NH4)20r、078.q qr、ノーランドブロタ
クツ社(Norland Products Inc、
)から市販されている商品名ノーランドフォトグレー
バグルー (Norland phOtograVer
G Glue )δ7,5%、アセトン6.8%および
水58.5%の重量バーセン) ftl成を有するフィ
ッシュグルー重クロム酸フォトレジストにより形成する
。この場合、フィッシュグルー重クロム酸フォトレジス
トの代り【こ、ゼラチン重クロム酸フォトレジストを使
用することもできる。フォトレジスト層は50℃の温度
で10分間乾燥し、次いで、フォトマスクを通してUV
光に120秒間露出させる。さらに、フォトレジスト層
を流水中で2分間現像した後、溝部で隔離された感光素
子を得る。ここでζ層を90℃で1.0分間乾燥した後
、スピンコーティングによりバリヤ層として約1μmの
厚みの7オトレジス) JHを設ける。このフォトレジ
スト層は、例えは、米国シップレイ社(Ship18y
company )から商品名シップレイ(5hipl
ey ) A Z 1850で市販されているようなナ
フトキノンダイヤザイド形(napl’1tO−qui
none diazide type )の正のフォト
レジストにより形成する。層はフォトマスクを通して曝
らした後、例えは、シップレイAZ現像液で現像し、次
いで、120°Cの温度で10分間乾燥させ、かくして
、バリヤ層の開口部を得るようにする。フィルタ素子の
染色は先染め(wool dyes )水溶液により行
う。赤色光通過フィルタ素子を染色する溶剤としては、
チバガイギ社(0iba Geigy )から市販され
ている商品名ネオボーラブυラントロツ) B (Ne
opolar Br1llant Rot B ) 1
%、酢酸0.6%、酢酸ナトリウム0.8%および水9
7.6%□の重量パーセント組成を有するものが適当で
あり、青色光通過フィルタ素子を染色する溶剤としては
、サンドウズ社(5andoz )から市販されている
商品名サンド−ラン・ウオルクブラウ(5andola
n−Wolkblau ) N −F RL ]%、酢
酸0.6%、酢酸ナトリウム0.8%および水97.6
%の重量パーセント組成を有するものが適当であり、ま
た、緑色光通過フィルタ素子を染色する溶剤としては、
チバガイギ社(C1ba Ge1gM )から市販され
ているソロフェニールターキッシュプラウ(5olop
henylTurkisch Blau ) B RL
O,8%、同じくチバガイギ社から市販されている商
品名工リオニールグリュ−ン(Er1onyl gru
n ) 46 0.4%、サンドウズ社(5andoz
)から市販されている商品名サンドーランエクトゲル
ブ(5andolan Echt Ge1b ) PL
400.3%、酢酸0.6%、酢酸ナトリウム0゜8%
および水97.6%の重量パーセント組成を有するもの
が適当である。架剤は80°Cの温度で5分間フィルタ
素子に供給するようゃこし、染色を終った後、アセトン
で洗滌することにより正のフォトレジストを取り除く。
以下第8図に示す他の実施例に関し詳述することにする
。第8図において、第1a図と同じ構成素子に関しては
同一符号数字を用いて表示しである。図示装置の場合は
、溝部5の領域における光ダイオード層δ上に、例えば
、0.1〜1μmの厚さのニッケルよりなる金M層i5
を蒸着させる。これは、狭い溝部5を通して光ダイオー
ド3に入射する光の妨害作用を防止する働きをする。第
1図、第2図および第3図に示す映像装置の場合は、感
光素子を有する層上に直接色フィルタを配置するように
しており、これは、正確に溝部のパターンを4えるよう
にした場合、フィルタ素子を感光素子に対して正しく位
置決めできるという利点を有する。しかし、これとは別
に、透明な基板上に色フィルタを配置し、フィルタ素子
および感光素子を一列に配列した後、半導体層に固着さ
せるようにすることもできる。
。第8図において、第1a図と同じ構成素子に関しては
同一符号数字を用いて表示しである。図示装置の場合は
、溝部5の領域における光ダイオード層δ上に、例えば
、0.1〜1μmの厚さのニッケルよりなる金M層i5
を蒸着させる。これは、狭い溝部5を通して光ダイオー
ド3に入射する光の妨害作用を防止する働きをする。第
1図、第2図および第3図に示す映像装置の場合は、感
光素子を有する層上に直接色フィルタを配置するように
しており、これは、正確に溝部のパターンを4えるよう
にした場合、フィルタ素子を感光素子に対して正しく位
置決めできるという利点を有する。しかし、これとは別
に、透明な基板上に色フィルタを配置し、フィルタ素子
および感光素子を一列に配列した後、半導体層に固着さ
せるようにすることもできる。
次に、本発明色フィルタの第2実施例の製造方法に関し
、第4図により詳細に説明する。図示のように、この場
合は、約0.5〜8μmの厚さを有する透明なフォトレ
ジスト層20をスピンコーティングにより半導体層2の
光ダイオード層上に配置する。層20は負のフォトレジ
スト、すなわち、露出により不溶性となるような重合体
形式のフォトレジストによりこれを形成する。透明層2
0は、隔離領域パターンを有し、かつ光ダイオードδに
対し正しく位置決めされたフォトマスクを通して、例え
ばUV光に露出させるようにする。この露出により、露
出隔離領域22はフィルタ素子21の非露出領域と異な
る構造を呈することになる。実際には、露出の結果、層
20の重合体チェーン間にクロスリンクが形成され、重
合体は不溶性となる。また、かくして形成されたクロス
リンクにより、重合体の蜜度はかηCり増え、駒20は
露出隔離領域22のエリヤにおいて液体をほとんど通さ
なくなる。さらに、フィルタ素子21よりなる糸の染色
は、第2C図および第2d図に関し前述したと同じ方法
で行うが、この場合には、フィルタ素子21の材料を不
溶性にするため、バリヤ層を除去した後、UV光に曝ら
すようにすることが望ましい。
、第4図により詳細に説明する。図示のように、この場
合は、約0.5〜8μmの厚さを有する透明なフォトレ
ジスト層20をスピンコーティングにより半導体層2の
光ダイオード層上に配置する。層20は負のフォトレジ
スト、すなわち、露出により不溶性となるような重合体
形式のフォトレジストによりこれを形成する。透明層2
0は、隔離領域パターンを有し、かつ光ダイオードδに
対し正しく位置決めされたフォトマスクを通して、例え
ばUV光に露出させるようにする。この露出により、露
出隔離領域22はフィルタ素子21の非露出領域と異な
る構造を呈することになる。実際には、露出の結果、層
20の重合体チェーン間にクロスリンクが形成され、重
合体は不溶性となる。また、かくして形成されたクロス
リンクにより、重合体の蜜度はかηCり増え、駒20は
露出隔離領域22のエリヤにおいて液体をほとんど通さ
なくなる。さらに、フィルタ素子21よりなる糸の染色
は、第2C図および第2d図に関し前述したと同じ方法
で行うが、この場合には、フィルタ素子21の材料を不
溶性にするため、バリヤ層を除去した後、UV光に曝ら
すようにすることが望ましい。
また、隔離領域のエリアGこおける層を化学的方法を用
いて、はとんど液体を通さない構造に変換する方法で、
フィルタ紫子間に隔離領域を形成させるようにした未染
色透明層を使用することもできる。
いて、はとんど液体を通さない構造に変換する方法で、
フィルタ紫子間に隔離領域を形成させるようにした未染
色透明層を使用することもできる。
上述の実施例においては、モザイクフィルタを含むダイ
オードを有するx−yセンサにより該映像装置を形成し
ているが、その構造船こ応じて、モザイクフィルタまた
はストライブフィルタを設けるを要する他の形式のセン
サに本発明を使用することもできる。例えば、ストライ
ブフィルタを4えるべく、いわゆるフレームトランス7
アセンサとして形成したCOD (電荷結合装置)を有
するセンサに本発明を使用することもでき、もしくは、
モザイクフィルタを与える0ID(電荷注入装置)セン
サに本発明を使用することもできる。
オードを有するx−yセンサにより該映像装置を形成し
ているが、その構造船こ応じて、モザイクフィルタまた
はストライブフィルタを設けるを要する他の形式のセン
サに本発明を使用することもできる。例えば、ストライ
ブフィルタを4えるべく、いわゆるフレームトランス7
アセンサとして形成したCOD (電荷結合装置)を有
するセンサに本発明を使用することもでき、もしくは、
モザイクフィルタを与える0ID(電荷注入装置)セン
サに本発明を使用することもできる。
次に、陰fi!ii線管の断面を示す第5a図により、
本発明カラー映像装置の第8実施例を詳細に説明する。
本発明カラー映像装置の第8実施例を詳細に説明する。
陰極線管80は窓部82を有するガラスエンベロープ8
1により形成し、窓部82の内側に色フィルタ89を取
付ける。色フィルタは、それぞれ、赤色光、緑色光およ
び青色光を通過させるストライブ状フィルタ素子89R
,89Gおよび89Bにより形成したいわゆるストライ
プフィルタと呼ばれるものである。前記の各フィルタ素
子は溝部により隔離し、染色中に架剤が流れることをこ
より色欠陥が生じないようにしている。この場合、溝部
を設ける代りに、架剤をほとんど通ざないような構造を
有する隔離領域により各フィルタ素子を相互に隔離する
ようにすることもできる。
1により形成し、窓部82の内側に色フィルタ89を取
付ける。色フィルタは、それぞれ、赤色光、緑色光およ
び青色光を通過させるストライブ状フィルタ素子89R
,89Gおよび89Bにより形成したいわゆるストライ
プフィルタと呼ばれるものである。前記の各フィルタ素
子は溝部により隔離し、染色中に架剤が流れることをこ
より色欠陥が生じないようにしている。この場合、溝部
を設ける代りに、架剤をほとんど通ざないような構造を
有する隔離領域により各フィルタ素子を相互に隔離する
ようにすることもできる。
ストライブフィルタ89はきわめて薄いガラス層40で
被覆し、その上にδつの指状の透明な信号電極4δR,
43Gおよび48Bを設ける。フィルタ素子89は前記
信号電極48と正しい位置関係となるようこれらを配置
する。第5b図はこれら8つの指状信号電極48R,4
1Gおよび48Bの形状を示す。また、前記信号電極4
δ上には光導電層44を配置する。管は、ざらに、層4
4に指向する電子ビームを生成し、集束させるための陰
極δ6を具える。また、感光層44上の電子ビームをほ
ぼ平行なうインのラスタにより伽向させるため、管の周
囲にはコイル糸87を配置する。
被覆し、その上にδつの指状の透明な信号電極4δR,
43Gおよび48Bを設ける。フィルタ素子89は前記
信号電極48と正しい位置関係となるようこれらを配置
する。第5b図はこれら8つの指状信号電極48R,4
1Gおよび48Bの形状を示す。また、前記信号電極4
δ上には光導電層44を配置する。管は、ざらに、層4
4に指向する電子ビームを生成し、集束させるための陰
極δ6を具える。また、感光層44上の電子ビームをほ
ぼ平行なうインのラスタにより伽向させるため、管の周
囲にはコイル糸87を配置する。
かくすれば、撮像しようとする被写体は、色フィルタδ
9を通して感光層44上に投影されるので、1曽44の
自由表面には信号電極48に供給される電位の制御のも
とに荷電像が形成される。この荷電像は走査ビームによ
り変形され、δつの各カラー用のビデオ信号は抵抗を介
して信号電極48R24’lGおよび43Bから抽出さ
れる。
9を通して感光層44上に投影されるので、1曽44の
自由表面には信号電極48に供給される電位の制御のも
とに荷電像が形成される。この荷電像は走査ビームによ
り変形され、δつの各カラー用のビデオ信号は抵抗を介
して信号電極48R24’lGおよび43Bから抽出さ
れる。
第5a図示実施例においては、陰極線管の窓部上に色フ
ィルタを直接取り付けるようにしているが、ガラスプレ
ート上に色フィルタを配置し、該ガラスプレートを陰極
線管に固着させるようにすることもできる。
ィルタを直接取り付けるようにしているが、ガラスプレ
ート上に色フィルタを配置し、該ガラスプレートを陰極
線管に固着させるようにすることもできる。
以上、赤色光、緑色光および青色光を通過させるフィル
タ素子を有するストライプフィルタまたはモザイクフィ
ルタにより色フィルタを形成した実施例につき記述して
きたが、本発明は原色光を通すフィルタ素子を有する色
フィルタに限定されるものでなく、シアン、マゼンダお
よびイエローのような補色光を通過させるフィルタ素子
、あるいは原色光を通過させるフィルタ素子と補色光を
通過させるフィルタ素子、あるいは原色光を通過させる
フィルタ素子と補色光を通過させるフィルタ素子の組合
わせにより前記色フィルタを構成することもできる。例
えば、色フィルタとしては、赤色光、緑色光およびシア
ン色光を通過させるフィルタ素子、または白色光、緑色
光およびシアン色光を通過させるフィルタ素子、もしく
は白色光、イエ四−色光およびシアン色光を通過させる
フィルタ素子を有するものを使用することも可能である
。
タ素子を有するストライプフィルタまたはモザイクフィ
ルタにより色フィルタを形成した実施例につき記述して
きたが、本発明は原色光を通すフィルタ素子を有する色
フィルタに限定されるものでなく、シアン、マゼンダお
よびイエローのような補色光を通過させるフィルタ素子
、あるいは原色光を通過させるフィルタ素子と補色光を
通過させるフィルタ素子、あるいは原色光を通過させる
フィルタ素子と補色光を通過させるフィルタ素子の組合
わせにより前記色フィルタを構成することもできる。例
えば、色フィルタとしては、赤色光、緑色光およびシア
ン色光を通過させるフィルタ素子、または白色光、緑色
光およびシアン色光を通過させるフィルタ素子、もしく
は白色光、イエ四−色光およびシアン色光を通過させる
フィルタ素子を有するものを使用することも可能である
。
第1a図は本発明カラー映像装置の第1実施例の一部を
示す断面図、 第1b図は第1a図示装置の平面図、 第2a図ないし第2d図は第1a図示カラー映像装置の
各製造工程を示す図、 第8図は第1a図示カラー吠像装置の他の変形例の一部
を示す断面図、 第4図は本発明カラー映像装置の第2実施例の一部を示
す断面図、 第5a図は本発明カラー映像装置の第3実施例の断面図
、 第5b図は第5a図示装置の線Vb−vbによる断面図
である。 1・・・カラー映像装置 2・・・半導体層8・・・
感光素子(光ダイオード) 4.21・・・フィルタ素子 5・・・溝部10、20
・・・透明層 11・・・バリヤ層12・・・開
口部 15・・・金属層22・・・隔離領域
30・・・陰極線管81・・・ガラス エン
ベロープ δ2・・・窓部 85・・・電極手段86
・・・陰!#8q・・・偏向コイル糸89、39R,3
9G、 39B・・・色フィルタ素子40・・・薄層 壱δ、4δR,48G、 4δB・・・信号電極44・
・・光導電層。 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
示す断面図、 第1b図は第1a図示装置の平面図、 第2a図ないし第2d図は第1a図示カラー映像装置の
各製造工程を示す図、 第8図は第1a図示カラー吠像装置の他の変形例の一部
を示す断面図、 第4図は本発明カラー映像装置の第2実施例の一部を示
す断面図、 第5a図は本発明カラー映像装置の第3実施例の断面図
、 第5b図は第5a図示装置の線Vb−vbによる断面図
である。 1・・・カラー映像装置 2・・・半導体層8・・・
感光素子(光ダイオード) 4.21・・・フィルタ素子 5・・・溝部10、20
・・・透明層 11・・・バリヤ層12・・・開
口部 15・・・金属層22・・・隔離領域
30・・・陰極線管81・・・ガラス エン
ベロープ δ2・・・窓部 85・・・電極手段86
・・・陰!#8q・・・偏向コイル糸89、39R,3
9G、 39B・・・色フィルタ素子40・・・薄層 壱δ、4δR,48G、 4δB・・・信号電極44・
・・光導電層。 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 架剤で色付けする方法を用いてそれぞれ異なる色の
光を通過させる少なくとも2つのフィルタ素子糸を形成
させるようにした1つの層を有する色フィルタと映像装
置とを含むカラー映像装置において、該層に設けた隔離
領域により該フィルタ素子を相互に隔離するようにした
ことを特徴とするカラー映像装置。 a 該隔離領域を該層に設けた溝部により形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装置。 & 該隔離領域を液体をほとんど通さないような構造に
変換させた領域により形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の装置。 表 該隔離領域のエリアに不透光層を設げるようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項の
いずれかに記載の装置。 5 感光素子糸を有する半導体層により該映像装置を形
成したことを特徴とする特許1tff求の範囲第1項な
いし第4項のいずれかに記載の装置。 & 該色フィルタを該半導体層上にW接装置するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の装置
。 I 該色フィルタを透明基板上(こ配置し、該基板を該
半導体層に回着させるようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第5項記載の装置。 8、 窓部を含み、該窓部の内側に感光層を配置するよ
うにした陰極線管により該映像装置を形成したこと、該
感光層と該窓部との間に・該色フィルタを配置するよう
にしたことを特徴とする特a′I−請求の範囲第1項な
いし第4項のいずれかに記載の装置。 9、 該色フィルタを該陰極線管の余部に直接装着する
ようにしたことを特徴とする特許十1求の範囲第8項記
載の装置。 10、該色フィルタを透明基板上に配置し、該基板を該
陰極線管の窩部に固着させるようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第8項記載の装置。 】1. 架剤で色付けする方法を用いてそれぞれ異な
る色の光を通過させる少なくとも2つのフィルタ素子糸
を形成させるようにした1つの層を有する色フィルタと
映像装置とを含むカラー映像装置において、該層に設け
た隔離領域により該フィルタ素子を相互に隔離するよう
にしたカラー映像装置を製造するにあたりa) 基板
上に透明層を設ける工程と、b)該層にフィルタ素子を
形成させるため、写真石版工程を用いて該透明層に隔離
領域のパターンを4える工程と、 C) 該透明層−ににバリヤ層を設ける工程と、d)
写真石版工程を用いて該バリヤ層に第1フイルタ素子糸
に対応する開口部パターンを4える工程と、 e)該バリヤ層の開口部を介して該第1の糸のフィルタ
素子に架剤を供給する工程と、f)該バリヤ層を除去す
る工程 とを含むことを特徴とするカラー映像装置の製造方法。 1区 異なる色の光を通過きせる他のフィルタ素子糸
を形成きせるため、工程C)ないし工程f)を反復する
ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第11項記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8105071 | 1981-11-10 | ||
NL8105071A NL8105071A (nl) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | Kleurenbeeldopneeminrichting. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5888706A true JPS5888706A (ja) | 1983-05-26 |
Family
ID=19838342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57195430A Pending JPS5888706A (ja) | 1981-11-10 | 1982-11-09 | カラ−映像装置とその製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4565756A (ja) |
EP (1) | EP0079111B1 (ja) |
JP (1) | JPS5888706A (ja) |
AT (1) | ATE23077T1 (ja) |
CA (1) | CA1206566A (ja) |
DE (1) | DE3273922D1 (ja) |
ES (2) | ES517200A0 (ja) |
HK (1) | HK39387A (ja) |
NL (1) | NL8105071A (ja) |
SG (1) | SG20687G (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60131522A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Sharp Corp | カラ−液晶表示装置 |
JP2006163241A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子用カラーフィルタ基板 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4794063A (en) * | 1985-10-23 | 1988-12-27 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Photoreceptor for electrophography, method for the production thereof and method of the image formation thereby |
JPS62134604A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-17 | Casio Comput Co Ltd | カラ−フイルタ膜の形成方法 |
US4972254A (en) * | 1987-02-24 | 1990-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensors for reproducing high definition images |
US4876586A (en) * | 1987-12-21 | 1989-10-24 | Sangamo-Weston, Incorporated | Grooved Schottky barrier photodiode for infrared sensing |
EP0323214B1 (en) * | 1987-12-28 | 1994-03-02 | Victor Company Of Japan, Limited | Color stripe filter in color image pickup apparatus |
EP0341348B1 (en) * | 1988-05-10 | 1993-07-21 | Agfa-Gevaert N.V. | Method for the production of a multicolour filter array |
GB8912486D0 (en) * | 1989-05-31 | 1989-07-19 | Kodak Ltd | Method of making grid lines for thermally-transferred colour filter array element |
GB8912488D0 (en) * | 1989-05-31 | 1989-07-19 | Kodak Ltd | Method of making opaque grid lines for thermally-transferred colour filter array element |
KR920005444B1 (ko) * | 1989-12-02 | 1992-07-04 | 삼성전자 주식회사 | 칼라필터 및 그 제조방법 |
JPH03287103A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Seiko Epson Corp | カラーフィルターの形成法 |
US5140396A (en) * | 1990-10-10 | 1992-08-18 | Polaroid Corporation | Filter and solid state imager incorporating this filter |
US5059500A (en) * | 1990-10-10 | 1991-10-22 | Polaroid Corporation | Process for forming a color filter |
JPH04269713A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Seiko Instr Inc | 多色パターンの製造方法 |
US5229595A (en) * | 1991-12-19 | 1993-07-20 | Xerox Corporation | Fluid-filled color filtered input scanner arrays |
TW417034B (en) * | 1993-11-24 | 2001-01-01 | Canon Kk | Color filter, method for manufacturing it, and liquid crystal panel |
US6686104B1 (en) | 1993-11-24 | 2004-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Color filter, method for manufacturing it, and liquid crystal panel |
US5534443A (en) * | 1994-03-25 | 1996-07-09 | Matsushita Electronics Corporation | Method of manufacturing a solid state imaging device |
EP0739039A3 (en) * | 1995-04-18 | 1998-03-04 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Pixel structure, image sensor using such pixel, structure and corresponding peripheric circuitry |
US5708264A (en) * | 1995-11-07 | 1998-01-13 | Eastman Kodak Company | Planar color filter array for CCDs from dyed and mordant layers |
US5677202A (en) * | 1995-11-20 | 1997-10-14 | Eastman Kodak Company | Method for making planar color filter array for image sensors with embedded color filter arrays |
US5667920A (en) * | 1996-03-11 | 1997-09-16 | Polaroid Corporation | Process for preparing a color filter |
JP3724882B2 (ja) * | 1996-08-14 | 2005-12-07 | シャープ株式会社 | カラー固体撮像装置 |
US7199410B2 (en) * | 1999-12-14 | 2007-04-03 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Pixel structure with improved charge transfer |
US20010045508A1 (en) * | 1998-09-21 | 2001-11-29 | Bart Dierickx | Pixel structure for imaging devices |
US6815791B1 (en) * | 1997-02-10 | 2004-11-09 | Fillfactory | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
US6011251A (en) * | 1997-06-04 | 2000-01-04 | Imec | Method for obtaining a high dynamic range read-out signal of a CMOS-based pixel structure and such CMOS-based pixel structure |
EP0883187A1 (en) | 1997-06-04 | 1998-12-09 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | A detector for electromagnetic radiation, pixel structure with high sensitivity using such detector and method of manufacturing such detector |
US7106373B1 (en) | 1998-02-09 | 2006-09-12 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Method for increasing dynamic range of a pixel by multiple incomplete reset |
US8063963B2 (en) * | 1998-02-09 | 2011-11-22 | On Semiconductor Image Sensor | Imaging device having a pixel structure with high dynamic range read-out signal |
US5914749A (en) * | 1998-03-31 | 1999-06-22 | Intel Corporation | Magenta-white-yellow (MWY) color system for digital image sensor applications |
US6642963B1 (en) * | 1998-06-29 | 2003-11-04 | Intel Corporation | Silylation layer for optical devices |
JP3467013B2 (ja) | 1999-12-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US6960817B2 (en) * | 2000-04-21 | 2005-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device |
US6783900B2 (en) * | 2002-05-13 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Color filter imaging array and method of formation |
US7808022B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Cross talk reduction |
US7750958B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
US20080124823A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | United Microdisplay Optronics Corp. | Method of fabricating patterned layer using lift-off process |
US8476567B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-07-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Active pixel with precharging circuit |
US7974805B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-07-05 | ON Semiconductor Trading, Ltd | Image sensor and method |
US9502453B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-11-22 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state imaging devices |
US9570491B2 (en) | 2014-10-08 | 2017-02-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Dual-mode image sensor with a signal-separating color filter array, and method for same |
JP2018166159A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | キヤノン株式会社 | デバイスおよび電子機器、輸送機器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5519885A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Color solid imaging element plate |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL227196A (ja) * | 1957-04-24 | |||
NL7202478A (ja) * | 1972-02-25 | 1973-08-28 | ||
JPS5639020B2 (ja) * | 1973-10-05 | 1981-09-10 | ||
US4001878A (en) * | 1975-11-19 | 1977-01-04 | Rca Corporation | Charge transfer color imagers |
US4081277A (en) * | 1976-10-08 | 1978-03-28 | Eastman Kodak Company | Method for making a solid-state color imaging device having an integral color filter and the device |
JPS6041872B2 (ja) * | 1979-06-22 | 1985-09-19 | 大日本印刷株式会社 | カラ−固体撮像素子板 |
JPS5942749B2 (ja) * | 1979-07-11 | 1984-10-17 | 株式会社東芝 | 多層膜のエツチング方法 |
US4412236A (en) * | 1979-08-24 | 1983-10-25 | Hitachi, Ltd. | Color solid-state imager |
US4345021A (en) * | 1979-09-25 | 1982-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup element and process for fabricating the same |
US4315978A (en) * | 1980-03-06 | 1982-02-16 | Eastman Kodak Company | Solid-state color imaging device having a color filter array using a photocrosslinkable barrier |
JPS574012A (en) * | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Canon Inc | Production of color filter |
JPS57190912A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of color filter |
-
1981
- 1981-11-10 NL NL8105071A patent/NL8105071A/nl not_active Application Discontinuation
-
1982
- 1982-11-04 CA CA000414850A patent/CA1206566A/en not_active Expired
- 1982-11-08 ES ES517200A patent/ES517200A0/es active Granted
- 1982-11-09 JP JP57195430A patent/JPS5888706A/ja active Pending
- 1982-11-09 EP EP82201409A patent/EP0079111B1/en not_active Expired
- 1982-11-09 DE DE8282201409T patent/DE3273922D1/de not_active Expired
- 1982-11-09 AT AT82201409T patent/ATE23077T1/de active
-
1983
- 1983-04-06 ES ES521263A patent/ES8402461A1/es not_active Expired
-
1984
- 1984-10-12 US US06/660,256 patent/US4565756A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-02-26 SG SG206/87A patent/SG20687G/en unknown
- 1987-05-21 HK HK393/87A patent/HK39387A/xx unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5519885A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Color solid imaging element plate |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60131522A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Sharp Corp | カラ−液晶表示装置 |
JPH0541971B2 (ja) * | 1983-12-20 | 1993-06-25 | Sharp Kk | |
JP2006163241A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子用カラーフィルタ基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES8308154A1 (es) | 1983-08-01 |
ES521263A0 (es) | 1984-01-16 |
US4565756A (en) | 1986-01-21 |
HK39387A (en) | 1987-05-29 |
DE3273922D1 (en) | 1986-11-27 |
ES8402461A1 (es) | 1984-01-16 |
ATE23077T1 (de) | 1986-11-15 |
EP0079111A1 (en) | 1983-05-18 |
CA1206566A (en) | 1986-06-24 |
SG20687G (en) | 1987-07-03 |
NL8105071A (nl) | 1983-06-01 |
EP0079111B1 (en) | 1986-10-22 |
ES517200A0 (es) | 1983-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5888706A (ja) | カラ−映像装置とその製造方法 | |
US4345011A (en) | Color imaging devices and color filter arrays using photo-bleachable dyes | |
US4416961A (en) | Color imaging devices and color filter arrays using photo-bleachable dyes | |
US4721999A (en) | Color imaging device having white, cyan and yellow convex lens filter portions | |
KR950010205B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
US4339514A (en) | Process for making solid-state color imaging device | |
JPS58100108A (ja) | 色フイルタ素子 | |
JPS6167003A (ja) | カラ−イメ−ジセンサ− | |
US4247799A (en) | Color imaging devices and color filter arrays using photo-bleachable dyes | |
JPH0624232B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US5053299A (en) | Method of making color filter arrays | |
JPH0997887A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JPH03255404A (ja) | カラー固体撮像装置の製造方法 | |
KR930003687B1 (ko) | 칼라필터의 제조방법 | |
JPH02220002A (ja) | カラーフィルター及びその製造方法 | |
JPS6336203A (ja) | 固体カラ−撮像素子及びその製造方法 | |
JPH08191141A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS6242104A (ja) | カラ−フイルタの製造方法 | |
JPS623203A (ja) | カラ−固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPS5968967A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
KR950011779B1 (ko) | 칼라필터의 제조방법 | |
KR930000151B1 (ko) | 칼라필터의 제조방법 | |
JPS5888705A (ja) | 色フイルタの製造方法 | |
JPH01108502A (ja) | カラーフィルターの製造方法 | |
EP0090865A1 (en) | Process for making solid-state color image device |