KR920005444B1 - 칼라필터 및 그 제조방법 - Google Patents

칼라필터 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

칼라필터 및 그 제조 방법
제1도는 종래의 칼라필터의 단면도.
제2도는 본 발명의 칼라필터를 나타내는 단면도.
제3(a)∼(e)도는 제2도의 제조공정을 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 반도체기판 32, 33, 43 : 제1, 제2 및 제3포토다이오드
35 : 도전막 또는 패트 36 : 절연막
37 : 평탄화층 38 : 제1칼라필터층
39 : 제1염색층 41 : 제1중간층
43 : 제2칼라필터층 45 : 제2염색층
47 : 제2중간층 49 : 제3칼라필터층
51 : 제3염색층 53 : 보호막층
55 : 개구
본 발명은 고체촬상소자와 표시장치에 사용되는 칼라필터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 입사광의 회절이나 반사에 의한 산란현상을 줄이며 광투과율을 향상 시키는 칼라필터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 촬상용전자관이나 전자관을 대신할 차세대의 촬상소자로서 각광받고 있는 고체 촬상소자의 칼라화는 광전변환영역의 상부에 칼라필터를 형성함으로써 행해지고 있다. 또한 액정표시소자 등의 표시소자의 칼라화는 광전변환영역의 상부에 칼라필터를 형성함으로써 행해지고 있다.
칼라필터의 종류에는 젤라틴 등의 유기물을 염색하는 유기 필터와, 광학 간섭을 이용하는 무기필터가 있다. 그러나 상기 필터중 유기필터가 가격이 저렴하여 무기필터보다 더 많이 이용되고 있다.
제1도는 종래의 전하결합소자(Charge Coupled Device ; 이하 CCD라 칭함)용 칼라필터의 단면도로서, 이 구조를 간단히 서술한다.
포토다이오드어레이(Photo Diode Array)(2)(3)(4)가 형성되어 요철(
Figure kpo00001
)을 갖는 실리콘기판(1)이 있다. 상기 실리콘기판(1)상의 요부분의 표면에는 화소가 되는 포토다이오드어레이(2)(3)(4)가 형성되어 있으며, 철부분의 표면에는 배선용 도전막(5) 및 절연막(6)이 형성되어 있다. 상기 도전막(5)중 일부는 반도체소자와 패키지 사이의 전기적 연결을 하기 위한 패드로 이용하며, 절연막(6)은 상기 포토다이오드(2)(3)(4)를 전기적으로 분리한다. 상기 요철을 갖는 실리콘기판(1)상에 평탄화층(7)과 중간층(11)(17)이 형성되어있다. 또한 상기 편탄화층(7)과 중간층들(11)(17)에 상기 포토다이오드어레이(2)(3)(4)와 대응하며 표면에 염색층들(9)(15)(21)이 형성된 칼라필터층(8)(13)(19)이 각각 형성되어 있다. 이때 상기 각각의 칼라필터층(8)(13)(19)은 포토다이오드어레이(2)(3)(3)로부터 수직 거리가 각각 다른 곳에 위치하고 있다(t1≠t2t3).
상술한 구조를 실현하는 제조 공정을 간단히 설명한다.
표면이 요철구조로 이루어져 요부분의 표면에 포토다이오드어레이(2)(3)(4)가 형성되고, 철부분의 표면에 도전막(5) 및 절연막(6)이 형성된 실리콘기판(1)이 있다. 상기 실리콘기판(1)의 표면상에 폴리이미드 등의 투명한 물질로 평탄화층(7)을 도포한다. 그후 상기 평탄화층(7) 상부에 카제인 또는 젤라틴 등의 감광물질을 도포하고 사전공정에 의해 칼라필터층(8)을 형성한다. 그 다음 상기 평탄층(6)과 칼라필터층(8)에 염색물질을 도포한다. 이때 상기 칼라필터층(8)에만 염색되어 염색층(9)이 형성된다. 상기 염색층(9)이 마젠타(Magenta), 시안(Cyan) 또는 옐로우(Yellow)등의 색광들 중 어느 하나를 분광하기 위해서는 염색물질로 각각 마젠타. 시안 또는 예로우 등의 물질 중 어느 하나로 염색한다. 그후 전술한 구조의 표면에 폴리이미드를 도포하여 중간층(11)을 형성한다. 계속해서 전술한 바와 동일한 방법으로 칼라필터층들(13)(19)과, 이 칼라필터층들(13)(19)의 표면에 각각 희망하는 색을 분광할 수 있는 염색층들(15)(21)과, 중간층(17)을 형성한다. 상기 중간층들(11)(17)은 염색층(15)(21)을 형성할 때 이미 형성된 염색층(15)(21)을 형성할 때 이미 형성된 염색층들의 혼색을 방지한다. 그 다음 전술한 구조의 전표면에 폴리이미드를 도포하여 보호막층(23)을 형성하고 전극을 형성하기 위한 개구(25)를 형성하여 상기 패드(5)부위의 일부를 노출시킨다.
또 다른 종래의 칼라필터는 대한민국 특허공고 83-1451호에 개시되어 있다.
상술한 종래의 칼라필터는 광전소자어레이와 대응하는 칼라필터층들이 각기 다른 높이에 형성되고 평탄화층이 적층되어 두꺼워지므로 주입된 광들의 회절이나 반사에 의한 산란현상과 중간층에 의한 광투과율의 저하로 인하여 화질이 떨어지고, 또한 전극을 형성하기 위한 개구를 형성하기 어려운 문제점이 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하고 양호한 화질을 얻을 수 있는 칼라필터의 제조방법을 제공함에 있다.
또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판에 매트릭스모양으로 배열된 복수의 화소, 상기 화소사이에 패트릭스의 기둥방향으로 형성된 복수의 전극 및 상기 화소들과 각각 겹쳐지도록 형성되고 그 표면의 높이가 일정한 복수의 칼라필터층으로 구성되는 칼라필터를 제조하는데 있어서 상기 기판의 표면에 투광체인 평탄화층을 형성하는 공정, 상기 화소중 일부와 겹쳐지도록 상기 평탄화층 상에 제1칼라필터층을 형성하는 공정, 상기 제1칼라 필터층에 제1의 색깔을 착색하여 제1염색층을 형성하는 공정, 평탄화층 상의 상기 제1염색층을 제거하는 공정, 결과물 전면에 중간층을 형성하는 공정, 제2칼라필터층이 형성될 평탄화층을 노출시키기 위해 상기 중간층에 개구부를 형성하는 공정, 상기 화소들과 겹쳐지도록 상기 개구부 안에 제2칼라필터층을 형성하는 공정, 상기 제2칼라필터층에 제2의 색깔을 착색하여 제2염색층을 형성하는 공정, 중간 및 평탄화층 상의 상기 제2염색층을 제거하는 공정, 상기 중간층을 제거하는 공정, 결과물 전면에 중간층을 형성하는 제1공정, 상기 중간층에 다른 칼라필터층이 형성될 평탄화층을 노출시키기 위해 개구부를 형성하는 제2공정, 화소들과 겹쳐지도록 상기 개구부 안에 칼라 필터층을 형성하는 제3공정, 다른 색깔을 착색하게 염색층을 형성하는 제 4공정, 중간 및 평탄화층상의 상기 염색층을 제거하는 제5공정 및 상기 중간층을 제거하는 제6공정을 1회이상 반복하는 공정 및 결과물 전면에 보호막층을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 칼라필터가 CCD에 적용되어 수직으로 절단된 단면도이다. 그러나 본 발명에 따른 칼라필터가 다른 고체촬상소자와 표시소자에 적용될 수 있음을 유의하여야 한다.
제2도를 참조하면 실리콘기판(31)은 요철(
Figure kpo00003
Figure kpo00004
)을 가지며, 요부분의 표면에는 화소가 되는 포토다이오드어레이(32)(33)(34)가 형성되어 있고 철부분의 표면에는 배선용 도전막(35) 및 절연막(36)이 형성되어 있다.
상기 실리콘기판(31)상에 평탄화층(37)이 형성되어 있다. 또한 상기 평탄화층(37)의 상부에는 표면이 염색층들(39)(45)(51)로 둘러싸인 칼라필터층들(38)(43)(49)이 상기 포토다이오드어레이(32)(33)(34)와 대응하여 형성되어 있다. 상기 칼라필터층들(38)(43)(49)은 상기 포토다이오드어레이(32)(33)(34)에 대하여 같은 높이에 형성되어 있다. 상기 칼라필터층들(38)(43)(49)은 상기 포토다이오드(32)(33)(34)에 대하여 같은 높이에 형성되어 있다. 또한 상기 평탄화층(37)과 염색층들(39)(45)(51)의 표면에는 보호막층(53)이 도포되어 있으며, 상기 보호막층(53)에 전극을 형성하기 위한 개구(55)가 형성되어 있다.
제3(a)∼(e)도는 제2도를 실현하기 위한 제조공정을 나타낸 단면도들이다. 상기 제2도와 제3(a)∼(e)도중 동일한 참조번호들은 동일한 부분 또는 동일한 구성을 나타내는 것임을 유의하여야 한다.
제3a도를 참조하면 실리콘기판(31)은 표면이 요철구조로 이루어져 요부분의 표면에 포토다이오드어레이(32)(33)(34)가, 철부분에는 A1등의 금속으로 배선용 도전막(35)과 SiO2등의 절연막(36)이 형성되어 있다. 상기 실리콘기판(31)상에 요철을 채워 표면을 평탄화하는 평탄화층(37)을 형성한다. 상기 평탄화층(37)은 폴리이미드를 철부분을 기준으로 하여 3,000Å 정도의 두께로 도포하여 입사되는 광을 95%이상 투과시킬 수 있도록 형성한다. 다음 상기 평탄화층(37)의 표면에 중크롬산이 혼합된 카제인 또는 젤라틴을 4,000∼10,000AÅ정도 두께로 도포한 후 사진식각 공정에 의해 제1칼라필터층(38)을 형성한다. 이 때 상기 제1칼라필터층(38)은 제1포토다이오드(32)와 대응된다. 계속하여 전술한 구조의 전표면에 염색물질을 도포하면 상기 제1칼라필터층(38)의 표면이 염색되어 제1염색층(39)이 형성된다. 그후 평탄화층(37)상의 염료물질을 탈이온수에 의해 제거한다. 상기 염색물질은 마젠타, 시안, 그린, 또는 옐로우 등의 색광들 중 어느하나를 분광하기 위해서는 각각 마젠타, 시안, 그린 또는 옐로우 등의 물질중 어느하나를 사용한다. 다시 말해 제 1염색층(39)이 마젠타색의 광을 분광하기 위해서는 염색물질로 마젠타를 사용한다.
제3b도를 참조하면 상기 평탄화층(37)과 제1염색층(39)의 상부에 폴리이미드를 1㎛정도 두께로 도포한 후 사진식각방법으로 제2포토다이오드(33)상의 평탄화층(37)을 노출시켜 제1중간층(41)을 형성한다. 상기 평탄화층(37)과 제1중간층(41)을 각각 다른 물질이거나, 또는 동일한 물질로 형성한다. 즉, 동일한 물질일때에는 상기 제 1중간층(41)의 형성시 평탄화층(37)과 감광되지 않도록 상기 평탄화층(37)을 형성한 후 열에너지를 충분히 가한다. 또한 상기 평탄화층(37)과 제1중간층(41)은 각기 다른 물질로 형성하여 각각 다른 파장의 광에 감광되도록 한다. 이때 이후에 형성될 층의 평탄화를 위해 상기 평탄화층(37)을 충분히 노출한다.
제3c도를 참조하면 전술한 구조의 전표면에 상기 제1칼라필터층(37)과 동일한 물질로 동일한 방법에 의해 제2칼라필터층(43)을 형성한다. 이때 상기 제2칼라필터층(43)은 제 포토다이오드(33)와 대응하게 된다. 그 다음 상기 제2칼라필터층(43)의 표면에 상기 제1염색층(39)의 형성과 동일한 방법으로 제2염색층(45)을 형성한다. 이때 상기 제1중간층(41)은 제2염색층(45)을 형성하기 위한 염색물질이 제1염색층(39)에 도포되어 색이 혼색되는 것을 방지한다. 상기 제2염색층(45)이 시안색의 광을 분광하기 위해서는 염색물질로 시안을 사용한다.
제3d도를 참조하면 상기 제1중간층(41)상의 염료물질은 탈이온수에 의해 제거한 제1중간층(41)을 전면조사 후 현상하거나 희석제(Thinner) 또는 스트립퍼(Stripper)로 제거한다. 그 다음 전술한 바와 동일한 방법으로 제3칼라필터층(49)과 제3염색층(51)을 형성한다. 이때 상기 제3칼라필터층(49)은 제3포토다이오드(34)와 대응하게 된다. 또한 상기 제3염색층(51)이 옐로우색의 광을 분광하기 위해서는 염색물질로 옐로우를 사용한다.
제3e도를 참조하면 제 2중간층(47)을 제거한 후 전술한 구조의 전면에 폴리이미드를 1㎛정도의 두께로 도포하여 보호막층(53)을 도포한 후 전극을 형성하기 위한 개구(55)을 형성하여 상기 패드(35)의 일부를 노출시킨다.
상술한 바와 같이 광전소자어레이와 대응하는 칼라필터층들이 모두 동일한 높이에 위치하므로 주입된 광들의 회절이나 반사에 의한 산란현상을 방지할 수 있으며, 또한 염색물질 도포시 색의 혼색을 방지하기 위한 중간층들이 없으므로 광투과율이 향상되며 전극을 형성하기 위한 개구공정을 용이하게 한다.
따라서 본 발명은 광투과율의 향상과 입사광의 회절과 반사에 의한 산란현상을 방지하여 칼라필터상의 화질을 개선하며 또한 제조공정이 용이해지는 이점이 있다.

Claims (10)

  1. 기판에 매트릭스모양으로 배열된 복수의 화소, 상기 화소사이에 매트릭스의 기둥방향으로 복수의 전극 및 상기 화소들과 각각 겹쳐지도록 형성되고 그 표면의 높이가 일정한 복수의 칼라필터층으로 구성되는 칼라필터를 제조하는데 있어서, 상기 기판의 표면에 투광체인 평탄화층을 형성하는 공정, 상기 화소중 일부와 겹쳐지도록 상기 평탄화층 상에 제1의 칼라필터층을 형성하는 공정, 상기 제1칼라필터층에 제1의 색깔을 착색하여 제1염색층을 형성하는 공정, 평탄화층 상의 상기 제1염색층을 제거하는 공정, 결과물 전면에 중간층을 형성하는 공정, 제2칼라필터층이 형성될 평탄화층을 노출시키기 위해 상기 중간층에 개구부를 형성하는 공정, 상기 화소들과 겹쳐지도록 상기 개구부 안에 제2칼라필터층을 형성하는 공정, 상기 제2칼라필터층에 제2의 색깔을 착색하여 제2염색층을 형성하는 공정, 중간 및 평탄화층 상의 상기 제2칼라필터층을 염색층을 제거하는 공정, 상기 중간층을 제거하는 공정, 결과물 전면에 중간층을 형성하는 제1공정, 상기 중간층에 다른 칼라필터층이 형성될 평탄화층을 노출시키기 위해 개구부를 형성하는 제2공정, 화소들과 겹쳐지도록 상기 개구부 안에 칼라필터층을 형성하는 제3공정, 다른 색깔을 착색하게 염색층을 형성하는 제4공정, 중간 및 평탄화층 상의 염색층을 제거하는 제5공정 및 상기 중간층을 제거하는 제6공정을 1회이상 반복하는 공정 및 결과물 전면에 보호막층을 형성하는 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 칼라필터의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 칼라필터층들을 중크롬산이 혼합된 카제인 또는 젤라틴중 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 평탄화층과 중간층들을 감광성수지로 형성함을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 평탄화층과 중간층들을 동일한 물질로 형성함을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 평탄화층을 열에너지를 가해 형성함을 특징으로하는 칼라필터의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 평탄화층과 중간층을 각각 다른 파장의 광에 감광되는 물질로 형성함을 특징으로하는 칼라필터의 제조방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 중간층들을 전면 조사 후 현상하여 제거함을 특징으로하는 칼라필터의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 중간층들을 희석제 또는 박리제중 어느 하나로 제거함을 특징으로하는 칼라필터의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 염색층들을 마젠타, 시안 및 그린의 색을 선택적으로 염색하여 형성함을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 염색층들을 마젠타, 시안, 옐로우를 선택적으로 염색하여 형성함을 특징으로 하는 칼라필터의 제조방법.
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FR9002936A FR2655501B1 (fr) 1989-12-02 1990-03-08 Filtre couleur et son procede de fabrication.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229595A (en) * 1991-12-19 1993-07-20 Xerox Corporation Fluid-filled color filtered input scanner arrays
KR950011567B1 (ko) * 1992-02-21 1995-10-06 삼성전자주식회사 칼라필터 제조방법
US5654202A (en) * 1992-03-24 1997-08-05 Eastman Kodak Company Stabilization of a patterned planarizing layer for solid state imagers prior to color filter pattern formation
KR960003482B1 (ko) * 1992-12-14 1996-03-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 칼라 필터 제조방법
US5514503A (en) * 1994-10-17 1996-05-07 Corning Incorporated Apparatus and method for printing a color filter
US6001515A (en) * 1993-11-03 1999-12-14 Corning Incorporated Method for printing a color filter
US5578404A (en) * 1995-03-27 1996-11-26 Polaroid Corporation Process for the production of liquid crystal display
US5677202A (en) * 1995-11-20 1997-10-14 Eastman Kodak Company Method for making planar color filter array for image sensors with embedded color filter arrays
KR970067920A (ko) * 1996-03-07 1997-10-13 문정환 고체촬상소자의 제조방법
EP0959505A3 (en) * 1998-05-18 2000-01-26 Eastman Kodak Company Method for planarising the device topography on solid state imagers
US7157302B2 (en) * 1998-06-04 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Imaging device and method of manufacture
US20020084407A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-04 Xerox Corporation Systems and methods for fabricating an electro-optical device used for image sensing
JP4223743B2 (ja) * 2002-06-26 2009-02-12 光寶科技股▲分▼有限公司 カラーセクションディスプレイユニットの製造方法
US6660641B1 (en) 2002-07-05 2003-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming crack resistant planarizing layer within microelectronic fabrication
US20040265481A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Yoshihiro Kobayashi Method for manufacturing electroluminescent element
US7232697B2 (en) * 2003-12-23 2007-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having enhanced photo sensitivity and method for manufacture thereof
CN100399571C (zh) * 2005-07-19 2008-07-02 联华电子股份有限公司 影像传感器的制作方法
CN104968162A (zh) * 2015-05-26 2015-10-07 维沃移动通信有限公司 一种印刷电路板的加工方法及印刷电路板
JPWO2019044277A1 (ja) * 2017-08-30 2020-10-01 富士フイルム株式会社 カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子の製造方法、画像表示装置の製造方法およびカラーフィルタ

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50147339A (ko) * 1974-05-16 1975-11-26
CA1078500A (en) * 1976-10-08 1980-05-27 Jerry R. Horak Solid-state color imaging devices and method for making them
JPS556342A (en) * 1978-06-28 1980-01-17 Fuji Photo Film Co Ltd Production of multicolor optical filter
KR830001311B1 (ko) * 1979-08-17 1983-07-06 이시하라 다까시 무저직기의 위사 절단장치
US4383018A (en) * 1979-09-04 1983-05-10 Eastman Kodak Company Color imaging devices having integral color filter arrays
JPS5642481A (en) * 1979-09-13 1981-04-20 Canon Inc Color picture detector
JPS56165362A (en) * 1980-05-26 1981-12-18 Hitachi Ltd Manufacture of solid state color image pickup element
JPS5720481A (en) * 1980-07-11 1982-02-02 Sony Corp Production of solid-state image sensing device
JPS6034085B2 (ja) * 1981-04-20 1985-08-07 松下電器産業株式会社 カラ−フイルタの製造方法
NL8105071A (nl) * 1981-11-10 1983-06-01 Philips Nv Kleurenbeeldopneeminrichting.
US4580159A (en) * 1982-10-15 1986-04-01 Nec Corporation Color solid-state imager with color filter array formed by layers of hydrophilic and hydrophobic dye receiving resins
JPS608803A (ja) * 1983-06-29 1985-01-17 Toshiba Corp カラ−フイルタ−の製造方法
JPS6041256A (ja) * 1983-08-16 1985-03-04 Toshiba Corp カラ−固体撮像素子およびその製造方法
JPS60188927A (ja) * 1984-03-08 1985-09-26 Toshiba Corp カラ−・マトリツクス型液晶表示装置の製造方法
JPS61290408A (ja) * 1985-06-18 1986-12-20 Fuji Xerox Co Ltd カラ−密着型イメ−ジセンサおよびその製造方法
JPS61292960A (ja) * 1985-06-21 1986-12-23 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS61295505A (ja) * 1985-06-25 1986-12-26 Seikosha Co Ltd カラ−フイルタの製造方法
JPS62229204A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Dainippon Printing Co Ltd カラ−フイルタ−
CA1293879C (en) * 1986-06-20 1992-01-07 Laurel Jean Pace Color filter arrays
JP2677786B2 (ja) * 1986-07-10 1997-11-17 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JPS6394670A (ja) * 1986-10-09 1988-04-25 Fujitsu Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JPS63143504A (ja) * 1986-12-05 1988-06-15 Toshiba Corp カラ−固体撮像装置の製造方法
US4786148A (en) * 1986-12-10 1988-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Color filter having different primary color pigment densities, inter alia
JPS63155002A (ja) * 1986-12-19 1988-06-28 Fujitsu Ltd 固体撮像装置の製造方法
EP0277385A3 (en) * 1987-01-27 1990-11-14 Agfa-Gevaert Naamloze Vennootschap Process for the manufacture of a relief element
JPS63188104A (ja) * 1987-01-30 1988-08-03 Mitsubishi Electric Corp カラ−フイルタの製造方法
US4855724A (en) * 1987-03-23 1989-08-08 Tektronix, Inc. Color filter grouping for addressing matrixed display devices
JPS63276003A (ja) * 1987-05-08 1988-11-14 Casio Comput Co Ltd カラ−フィルタの製造方法
JPS643605A (en) * 1987-06-25 1989-01-09 Mitsubishi Electric Corp Production of color filter
JP2567257B2 (ja) * 1987-09-30 1996-12-25 日本化薬株式会社 カラーフィルター
JPH01149459A (ja) * 1987-12-04 1989-06-12 Nec Corp カラー固体撮像素子
US4934791A (en) * 1987-12-09 1990-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Color filter
DE3842507A1 (de) * 1987-12-18 1989-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd Verfahren zur herstellung eines mehrfarbigen musters fuer farbfilter
JP3385479B2 (ja) * 1993-05-13 2003-03-10 大成建設株式会社 耐強硫酸性のモルタル又はコンクリート

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Publication number Publication date
KR910012757A (ko) 1991-08-08
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FR2655501A1 (fr) 1991-06-07
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