JPS5992568A - 固体撮像素子などの受光装置とその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子などの受光装置とその製造方法Info
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- JPS5992568A JPS5992568A JP57204150A JP20415082A JPS5992568A JP S5992568 A JPS5992568 A JP S5992568A JP 57204150 A JP57204150 A JP 57204150A JP 20415082 A JP20415082 A JP 20415082A JP S5992568 A JPS5992568 A JP S5992568A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は固体撮像素子などの受光装置とその製造方法
に関するものである。
に関するものである。
固体撮像素子は従来からカラー、モノクロを問わず種々
の方式、例えばMOS(Metal 0xideSil
icon)型、 CCD(Charge Couple
d Device)型、 CPD(Charge Pr
iming Device)型、 BBD(Bucke
t Brigade Device)型、およびCID
(Charge Injection Device)
型などが開発されており、それぞれに性能向上のだめの
努力が続けられている°。
の方式、例えばMOS(Metal 0xideSil
icon)型、 CCD(Charge Couple
d Device)型、 CPD(Charge Pr
iming Device)型、 BBD(Bucke
t Brigade Device)型、およびCID
(Charge Injection Device)
型などが開発されており、それぞれに性能向上のだめの
努力が続けられている°。
一般にこの種の固体撮像素子にあって、光入力信号は量
子効率X開口率×被写体照度によって決定されるが、種
々の検討、改良の結果、現在では既に量子効率(光電変
換効率)がはソ希望値に達しており、残るものとして開
口率を大きくすること、および雑音を減らすことにテー
マが絞られている。
子効率X開口率×被写体照度によって決定されるが、種
々の検討、改良の結果、現在では既に量子効率(光電変
換効率)がはソ希望値に達しており、残るものとして開
口率を大きくすること、および雑音を減らすことにテー
マが絞られている。
そしてこれらのうち、開口率を大きくすることについて
は、例えば構造的に開口率、すなわち素子全面に占める
受光面積の割合を大きくとり得るMOS型にあって既に
50〜60%に達しており、この開口率をさらに大きく
するためには、転送用のM配線巾を現在での3μmルー
ルから2μm、あるいは1μmに細くしなければならな
い。しかしこのように配線巾を細くすることは製造プロ
セス上非常に困難であり、また近い将来に実現可能な固
体撮像素子そのもの\小型化(現在の窮インチ型から7
2インチ型へ)とか、高品質画像テレビ、スチールカメ
ラなどに対応させるための絵素自体の小型化、高密度化
(絵素数400X500程度から1000X100Oな
いしはそれ以上)などを考慮すると、これ以上の開口率
の拡大は不可能であり、むしろこの開口率は絵素数の増
加と共に減少するものと考えられる。
は、例えば構造的に開口率、すなわち素子全面に占める
受光面積の割合を大きくとり得るMOS型にあって既に
50〜60%に達しており、この開口率をさらに大きく
するためには、転送用のM配線巾を現在での3μmルー
ルから2μm、あるいは1μmに細くしなければならな
い。しかしこのように配線巾を細くすることは製造プロ
セス上非常に困難であり、また近い将来に実現可能な固
体撮像素子そのもの\小型化(現在の窮インチ型から7
2インチ型へ)とか、高品質画像テレビ、スチールカメ
ラなどに対応させるための絵素自体の小型化、高密度化
(絵素数400X500程度から1000X100Oな
いしはそれ以上)などを考慮すると、これ以上の開口率
の拡大は不可能であり、むしろこの開口率は絵素数の増
加と共に減少するものと考えられる。
この発明は従来のこのような実情に鑑み、固体撮像素子
などの受光部にあって、各絵素対応に集光レンズを形成
して、各絵素に入射する光信号を増加させ、見掛は上、
開口率を向上させたのと同様な効果を得られるようにし
たものである。
などの受光部にあって、各絵素対応に集光レンズを形成
して、各絵素に入射する光信号を増加させ、見掛は上、
開口率を向上させたのと同様な効果を得られるようにし
たものである。
(3)
〔発明の実施例〕
以下、この発明の実施例につき、添付図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図(a) 、 (b)および第2図(a) 、 (
b)はこの発明の各別の実施例による集光レンズを示し
ている。すなわち、これらの各図において、符号(1)
はシリコン半導体基板、(2)はこの基板(1)上に拡
散層として形成された個々の絵素となるホトダイオード
であり、この発明では各絵素(2)上にあって対応する
ように、第1図(a)実施例の場合は横断面紡錘状をな
す凸型集光レンズ(3a)、同図(b)実施例の場合は
横断面三日月状をなす凸型集光レンズ(3b)を形成し
、かつ第2図(IL) 、 (b)実施例の場合謁− は第1図(a) 、 (b)実施例での横断面頂点付近
を平坦した集光レンズ(3a’) 、 (3b’)を形
成したものである。 ゛ こ\で各実施例での集光レンズ形成のためには次のよう
な手段がある。すなわち、集光レンズを形成する下地の
各部分を、例えばホトレジスト。
b)はこの発明の各別の実施例による集光レンズを示し
ている。すなわち、これらの各図において、符号(1)
はシリコン半導体基板、(2)はこの基板(1)上に拡
散層として形成された個々の絵素となるホトダイオード
であり、この発明では各絵素(2)上にあって対応する
ように、第1図(a)実施例の場合は横断面紡錘状をな
す凸型集光レンズ(3a)、同図(b)実施例の場合は
横断面三日月状をなす凸型集光レンズ(3b)を形成し
、かつ第2図(IL) 、 (b)実施例の場合謁− は第1図(a) 、 (b)実施例での横断面頂点付近
を平坦した集光レンズ(3a’) 、 (3b’)を形
成したものである。 ゛ こ\で各実施例での集光レンズ形成のためには次のよう
な手段がある。すなわち、集光レンズを形成する下地の
各部分を、例えばホトレジスト。
DeepUVレジスト、 EBレジスト、あるいはX線
(4) レジストなどのレジストパターンをマスクにして、例え
ばプラズマエッチ、リアクティブイオンエッチ、イオン
ビームエッチなどのいわゆるドライエツチングとか、あ
るいは化学薬品を用いたウェットエツチングなどの微細
加工技術により所定形状に加工した上で、下地とは異っ
た屈折率の有機、もしくは無機レンズ材料に、より各集
光レンズ形状を形成するのである。
(4) レジストなどのレジストパターンをマスクにして、例え
ばプラズマエッチ、リアクティブイオンエッチ、イオン
ビームエッチなどのいわゆるドライエツチングとか、あ
るいは化学薬品を用いたウェットエツチングなどの微細
加工技術により所定形状に加工した上で、下地とは異っ
た屈折率の有機、もしくは無機レンズ材料に、より各集
光レンズ形状を形成するのである。
しかして前記下地加工に使用するレジストとしては、い
わゆるポジ型、ネガ型があシ、共に加工プロセスに充分
耐え得ることが必要である。すなわち、ホトレジストと
しては、ポジ型のAZ−1350(商品名、以下同様)
、 AZ−2400,0FPR−2などが、ネガ型の
OMR−83,CIR−707,CBR−M2O3など
があり、これらはドライエッチ耐性、基板への密着性が
良好である。またdeepUVレジストとしては、RD
−200ON、0DUR−1003シリーズなどがあり
、さらにEBおよびX線レジストとしては、ポジ型のR
E−5000P、0EBR−1000,0EBR−10
30など、ネガ型のCMS、b侶S、COP、RE−4
00ON、0EBR−100などがある。
わゆるポジ型、ネガ型があシ、共に加工プロセスに充分
耐え得ることが必要である。すなわち、ホトレジストと
しては、ポジ型のAZ−1350(商品名、以下同様)
、 AZ−2400,0FPR−2などが、ネガ型の
OMR−83,CIR−707,CBR−M2O3など
があり、これらはドライエッチ耐性、基板への密着性が
良好である。またdeepUVレジストとしては、RD
−200ON、0DUR−1003シリーズなどがあり
、さらにEBおよびX線レジストとしては、ポジ型のR
E−5000P、0EBR−1000,0EBR−10
30など、ネガ型のCMS、b侶S、COP、RE−4
00ON、0EBR−100などがある。
また下地加工のためのドライエツチング法によるエッチ
ャントとしては、有機物の場合に、酸素。
ャントとしては、有機物の場合に、酸素。
窒素、ヘリウムもしくはこれらの混合ガスを、酸化シリ
コンやPSG(Phoapho 5ilicon Gl
ass)などの場合に、フッソ系ガスとか四塩化炭素、
ヘリウム、アルゴン、酸素などの混合ガスを使用でき、
またシェツトエツチング法によるときは、有機物の場合
に、これを溶解可能な溶剤、例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系と
か、ブチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの
アルコール系とか、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブなどのセロソルブ系とか、酢酸エチル、酢酸イソアミ
ルなどのエステル系、その他これらの混合液を、酸化シ
リコンやPEGなどの場合に4、フッ酸系エツチング液
などを使用できる。
コンやPSG(Phoapho 5ilicon Gl
ass)などの場合に、フッソ系ガスとか四塩化炭素、
ヘリウム、アルゴン、酸素などの混合ガスを使用でき、
またシェツトエツチング法によるときは、有機物の場合
に、これを溶解可能な溶剤、例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系と
か、ブチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの
アルコール系とか、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブなどのセロソルブ系とか、酢酸エチル、酢酸イソアミ
ルなどのエステル系、その他これらの混合液を、酸化シ
リコンやPEGなどの場合に4、フッ酸系エツチング液
などを使用できる。
さらにレンズ材料としては、光学的に無色透明で、可視
光に対する吸収がなくて安定な物質であって、厚さ0.
5〜5μm程度の薄膜形成、ならびに種々の微細加工が
容易、かつこれらのプロセス条件に耐えられるものであ
れば有機、無機の各材料を適用できる。すなわち、有機
材料には、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタ
クリレート。
光に対する吸収がなくて安定な物質であって、厚さ0.
5〜5μm程度の薄膜形成、ならびに種々の微細加工が
容易、かつこれらのプロセス条件に耐えられるものであ
れば有機、無機の各材料を適用できる。すなわち、有機
材料には、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタ
クリレート。
ポリイソプロピルメタクリレート、ポリフェニルメタク
リレート、ポリグリシジルメタクリレートなどの光透過
性のよいメタクリレート系のポリマーおよびコポリマー
とか、ポリスチレン、ポリケイ皮酸ビニル、ポリイソプ
ロペニルケトンなどのポリマーおよびコポリマー、なら
びにこれらのポリマーを主成分とするコポリマーとか、
側鎖もしくは主鎖の一部を塩素、フッ素、ヨウ素などや
、これらの化合物などで置換したポリマーおよびコポリ
マーを、無機材料には透明な薄膜形成の可能な酸化シリ
コン、酸化亜鉛、酸化アルミニクム。
リレート、ポリグリシジルメタクリレートなどの光透過
性のよいメタクリレート系のポリマーおよびコポリマー
とか、ポリスチレン、ポリケイ皮酸ビニル、ポリイソプ
ロペニルケトンなどのポリマーおよびコポリマー、なら
びにこれらのポリマーを主成分とするコポリマーとか、
側鎖もしくは主鎖の一部を塩素、フッ素、ヨウ素などや
、これらの化合物などで置換したポリマーおよびコポリ
マーを、無機材料には透明な薄膜形成の可能な酸化シリ
コン、酸化亜鉛、酸化アルミニクム。
酸化ジルコニウム、酸化インジウム、 PSG 、およ
び窒化シリコン、あるいはこれらを組み合わせたものを
使用できる。
び窒化シリコン、あるいはこれらを組み合わせたものを
使用できる。
次に製造プロセスの実施例を挙げる。
第1実施例の製造プロセスを第3図(、)ないしくd)
(7) に示す。
(7) に示す。
絵素数384X485をもつモノリシックMO8型カラ
ー固体撮像素子にあって、基板(1)、ホトダイオ−)
” (2) 、パシベーション膜(4) 、およびカラ
ーフィルタ(5)を順次に形成したのち、その上部の保
護膜(6)を従来よりも2〜3μm程度厚目に形成し、
この膜(6)上にポジ型ホトレジスト(7)。
ー固体撮像素子にあって、基板(1)、ホトダイオ−)
” (2) 、パシベーション膜(4) 、およびカラ
ーフィルタ(5)を順次に形成したのち、その上部の保
護膜(6)を従来よりも2〜3μm程度厚目に形成し、
この膜(6)上にポジ型ホトレジスト(7)。
例えばAZ−1350を塗布し、ついでクロムマスク(
8)を用い紫外線(9)により露光し、かつ現像して各
絵素、勿論こ\ではホトダイオード(2)以外の各部に
レジストパターン(7′)を形成する(同図(a))。
8)を用い紫外線(9)により露光し、かつ現像して各
絵素、勿論こ\ではホトダイオード(2)以外の各部に
レジストパターン(7′)を形成する(同図(a))。
そしてこのレジストパターン(γ)をマスクに湿潤空気
をエッチャントガスとして、ITorr。
をエッチャントガスとして、ITorr。
200Wの条件で保護膜(6)をドライエツチングし、
各絵素上に所定の曲率をもった凹部(6′)を形成させ
る(同図(b))。
各絵素上に所定の曲率をもった凹部(6′)を形成させ
る(同図(b))。
続いて前記凹部(6′)をもつ保護膜(6)上に、例え
ばポリメチルメタクリレートを用いた有機レンズ材料に
よる厚さ2〜3μm程度のレンズ層(10)を形成し、
この層(10)上に前記と同様にして、(8) ホトダイオード(2)に対応する部分に、ホトダイオー
ド(2)よりも周囲4〜6μm程度大きいレジストパタ
ーン(γ)を形成する(同図(C))。そしてこのレジ
ストパターン(γ)をマスクにして、ドライまたはウェ
ットエツチングによりレンズ層(10)をエツチングし
、前記第1図(、)に示す横断面紡錘状をなす凸型集光
レンズ(3a)を形成した(同図(d))。
ばポリメチルメタクリレートを用いた有機レンズ材料に
よる厚さ2〜3μm程度のレンズ層(10)を形成し、
この層(10)上に前記と同様にして、(8) ホトダイオード(2)に対応する部分に、ホトダイオー
ド(2)よりも周囲4〜6μm程度大きいレジストパタ
ーン(γ)を形成する(同図(C))。そしてこのレジ
ストパターン(γ)をマスクにして、ドライまたはウェ
ットエツチングによりレンズ層(10)をエツチングし
、前記第1図(、)に示す横断面紡錘状をなす凸型集光
レンズ(3a)を形成した(同図(d))。
このようにして構成されたカラー固体撮像素子にあって
は、凸型集光レンズ(3a)を通して″ホトダイオード
(2)に入射される光入力信号が、この凸型集光レンズ
(3a)を設けないときよりも25〜30チ程度まで増
加し、その集光作用に優れるものであることを確認でき
た。そしてこれから得た画質は色の再現性もよく、格段
に性能向上を図り得た。
は、凸型集光レンズ(3a)を通して″ホトダイオード
(2)に入射される光入力信号が、この凸型集光レンズ
(3a)を設けないときよりも25〜30チ程度まで増
加し、その集光作用に優れるものであることを確認でき
た。そしてこれから得た画質は色の再現性もよく、格段
に性能向上を図り得た。
第2実施例の製造プロセスを第4図(、)ないしくd)
に示す。
に示す。
カラー固体撮像素子、もしくは単管式カラー撮像管のた
めのカラーフィルタにあって、ガラス基板(11)の受
光面側にホトレジス) (7) 、例えばポジ型ではA
Z−1350J 、あるいはAZ−2400など、ネガ
型ではOMR−83、あるいはCIR−707などを塗
布し、前例と同様に各絵素対応以外の各部にレジストパ
ターン(τ)を形成する(同図<1−) ’)。ついで
この例の場合、対象がガラス基板(11)であるので、
塩素系あるいはフッ素系ガス、もしくはこれらと酸素、
ヘリウム、アルゴンなどの混合ガスをエッチャントとし
てドライエツチング、ないしはフッ酸系°のエツチング
液などによりウェットエツチングをなして、前例の凹部
(6′)に相当する凹部(11’)を形成する(同図(
b))。そしてこのように下地加工をなした上で、この
凹部(11’)をもつガラス基板(11)上に、前例と
同様にレンズ層(10)を形成し、かつレジストパター
ン(γ)を形成しく同図(e) ) 、さらにこのレジ
ストパターン(γ)をマスクにしてレンズ層(10)を
エツチングするが、このエツチング時の条件をしかるべ
く選択することにより、第2図(、)に示す横断面が頂
点部を平坦とした紡錘状の凸型集光レンズ(3m’)を
形成しく同図(d))、このカラーフィルタを固体撮像
素子、管に使用する。
めのカラーフィルタにあって、ガラス基板(11)の受
光面側にホトレジス) (7) 、例えばポジ型ではA
Z−1350J 、あるいはAZ−2400など、ネガ
型ではOMR−83、あるいはCIR−707などを塗
布し、前例と同様に各絵素対応以外の各部にレジストパ
ターン(τ)を形成する(同図<1−) ’)。ついで
この例の場合、対象がガラス基板(11)であるので、
塩素系あるいはフッ素系ガス、もしくはこれらと酸素、
ヘリウム、アルゴンなどの混合ガスをエッチャントとし
てドライエツチング、ないしはフッ酸系°のエツチング
液などによりウェットエツチングをなして、前例の凹部
(6′)に相当する凹部(11’)を形成する(同図(
b))。そしてこのように下地加工をなした上で、この
凹部(11’)をもつガラス基板(11)上に、前例と
同様にレンズ層(10)を形成し、かつレジストパター
ン(γ)を形成しく同図(e) ) 、さらにこのレジ
ストパターン(γ)をマスクにしてレンズ層(10)を
エツチングするが、このエツチング時の条件をしかるべ
く選択することにより、第2図(、)に示す横断面が頂
点部を平坦とした紡錘状の凸型集光レンズ(3m’)を
形成しく同図(d))、このカラーフィルタを固体撮像
素子、管に使用する。
この例においても前例と同様の効果が得られた。
第3実施例の製造プロセスを第5図(、)ないしくd)
に示す。
に示す。
絵素数384X485をもつMO8型固体撮像素子にあ
って、前記パシベーション膜(4)上にPSG 膜(1
2)を2〜3μm程度の厚さに形成し、かつこのPSG
膜(12)上に前例と同様にホトレジストパターン(τ
)を形成する(同図(a))。ついでこのレジストパタ
ーン(γ)をマスクにして、5チの0!ガスを含むCF
4ガスによシ、0.ITorr 、 500Wの条件で
PSG膜(12)をドライエツチングし、各絵素上にこ
の例では所定の曲率をもった凸部(12’)を形成させ
る(同図(b))。
って、前記パシベーション膜(4)上にPSG 膜(1
2)を2〜3μm程度の厚さに形成し、かつこのPSG
膜(12)上に前例と同様にホトレジストパターン(τ
)を形成する(同図(a))。ついでこのレジストパタ
ーン(γ)をマスクにして、5チの0!ガスを含むCF
4ガスによシ、0.ITorr 、 500Wの条件で
PSG膜(12)をドライエツチングし、各絵素上にこ
の例では所定の曲率をもった凸部(12’)を形成させ
る(同図(b))。
続いて前記凸部(1z)のあるPSG膜(12)上に、
前例と同様にレンズ層(10)を形成し、ついで例えば
EBレジス) (CMS)(13)を塗布し、図では省
略したが適宜マスクを介しEB(14)により露光して
、各絵素対応にこれよシも周囲2〜3μm程度大きいレ
ジストパターン(13’)を形成する(同図(c))。
前例と同様にレンズ層(10)を形成し、ついで例えば
EBレジス) (CMS)(13)を塗布し、図では省
略したが適宜マスクを介しEB(14)により露光して
、各絵素対応にこれよシも周囲2〜3μm程度大きいレ
ジストパターン(13’)を形成する(同図(c))。
そしてこのレジストパターン(13’)ヲマスクにして
、ドライまたはウェットエツチングによりレンズ層(1
0)をエツチングし、前記第1図6)に示す横断面三日
月状をなす凸型集光レンズ(3b)を形成した(同図(
d))。
、ドライまたはウェットエツチングによりレンズ層(1
0)をエツチングし、前記第1図6)に示す横断面三日
月状をなす凸型集光レンズ(3b)を形成した(同図(
d))。
この例においても前例と同様の効果が得られた。
以上詳述したようにこの発明によれば、固体撮像素子な
どにあって受光部側を下地とし、この下地の各絵素対応
部に所定曲率の凹または凸部を形成して、この凹または
凸部上にそれぞれ凸型集光レンズを形成したから、個々
の絵素に対する受光部にそれぞれ集光レンズが配される
ことになり、しかも各集光レンズは表面が凸型、下地に
接した裏面が凸または凹型に形成されているために、各
受光部における集光性能を単なる集光レンズ以上に良好
にでき、結果的に見掛は上の受光部開口率を格段に向上
し得る特長がある。
どにあって受光部側を下地とし、この下地の各絵素対応
部に所定曲率の凹または凸部を形成して、この凹または
凸部上にそれぞれ凸型集光レンズを形成したから、個々
の絵素に対する受光部にそれぞれ集光レンズが配される
ことになり、しかも各集光レンズは表面が凸型、下地に
接した裏面が凸または凹型に形成されているために、各
受光部における集光性能を単なる集光レンズ以上に良好
にでき、結果的に見掛は上の受光部開口率を格段に向上
し得る特長がある。
第1図(a) 、 (b)および第2図(a)、伽)は
この発明の各別の実施例による装置構成を示すそれぞれ
部分断面図、第3図(、)〜(d)ないし第5図(a)
〜(d)は各実施例での製造プロセスをそれぞれに示す
断面説明図である。 (1)・・・・シリコン半導体基板、(2)・・・・ホ
トダイオード(絵素)、(3m)、(3m’)および(
3b)l(3b’)・・・・凸形集光レンズ、(5)・
・・・カラーフィルタ、(6)および(6′)・・・・
保護膜および凹部、(γ)、(13’) ・・・・レ
ジストパターン、(10)・・・・レンズ層、(11)
および(11’)・・・・ガラス基板および凹部、(1
2)・・・・PSG膜。 代理人 葛野信− 第1図 (a) (b) 第2図 (a) (b) 16よ− 8 77・ )5 自;吻≠龜・ 第4図 □1 (C) (d) 手続補正書(自発) 58316 昭和 年 月 日 2、発明の名称 固体撮像素子などの受光装置とそ(DJI造方法3、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称(601) 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 4、代理人 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (11明細書第5頁第17行のr 0DUR−1003
シリーズ」をr 0DUR−1013シリーズ」と補正
する。 (2)同書第6頁第5行のrsllleonJをr 5
ilIcate」と補正する。 (3)同書第9頁第2行の「4〜6μm」を「2〜4μ
m」と補正する。 (4)同書第11頁第18〜19行の「図では省略した
が適宜マスクを介し」を削除する。 以 上
この発明の各別の実施例による装置構成を示すそれぞれ
部分断面図、第3図(、)〜(d)ないし第5図(a)
〜(d)は各実施例での製造プロセスをそれぞれに示す
断面説明図である。 (1)・・・・シリコン半導体基板、(2)・・・・ホ
トダイオード(絵素)、(3m)、(3m’)および(
3b)l(3b’)・・・・凸形集光レンズ、(5)・
・・・カラーフィルタ、(6)および(6′)・・・・
保護膜および凹部、(γ)、(13’) ・・・・レ
ジストパターン、(10)・・・・レンズ層、(11)
および(11’)・・・・ガラス基板および凹部、(1
2)・・・・PSG膜。 代理人 葛野信− 第1図 (a) (b) 第2図 (a) (b) 16よ− 8 77・ )5 自;吻≠龜・ 第4図 □1 (C) (d) 手続補正書(自発) 58316 昭和 年 月 日 2、発明の名称 固体撮像素子などの受光装置とそ(DJI造方法3、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称(601) 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 4、代理人 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (11明細書第5頁第17行のr 0DUR−1003
シリーズ」をr 0DUR−1013シリーズ」と補正
する。 (2)同書第6頁第5行のrsllleonJをr 5
ilIcate」と補正する。 (3)同書第9頁第2行の「4〜6μm」を「2〜4μ
m」と補正する。 (4)同書第11頁第18〜19行の「図では省略した
が適宜マスクを介し」を削除する。 以 上
Claims (2)
- (1)受光部側を下地として、この下地の各絵素対応部
に所定曲率の凹または凸部を形成すると共に、この凹ま
たは凸部上にそれぞれ凸型集光レンズを形成したことを
特徴とする固体撮像素子などの受光装置。 - (2)受光部側表面層の各絵素対応部に所定曲率の凹ま
たは凸部を形成する工程と、この凹または凸部をもつ表
面層上にレンズ層を形成する工程と、レジストパターン
などをマスクとしてこのレンズ層をエツチングし、前記
臼または凸部上にレンズ層による凸型集光レンズを形成
する工程とを含むことを特徴とする固体撮像素子などの
受光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57204150A JPS5992568A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 固体撮像素子などの受光装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57204150A JPS5992568A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 固体撮像素子などの受光装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5992568A true JPS5992568A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16485660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57204150A Pending JPS5992568A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 固体撮像素子などの受光装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5992568A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6060757A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | マイクロレンズを備えた撮像素子及びその製造方法 |
JPS61290403A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロレンズ |
JPH01270362A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JPH02103962A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH03280574A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JPH04303801A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-27 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5374395A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
JPS5417620A (en) * | 1977-07-08 | 1979-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid pickup element |
JPS55124366A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pickup device |
JPS58220106A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP57204150A patent/JPS5992568A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5374395A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
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JPS55124366A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pickup device |
JPS58220106A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
Cited By (6)
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JPS6060757A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | マイクロレンズを備えた撮像素子及びその製造方法 |
JPS61290403A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロレンズ |
JPH01270362A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JPH02103962A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH03280574A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JPH04303801A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-27 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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