JP2820074B2 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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Description
り、特にマイクロレンズを有する固体撮像装置の受光部
構造及びその製造方法に関する。
大によって、一画素の面積は益々縮小化される傾向にあ
る。画素が縮小すると受光面積が小さくなるために、感
度が低下する。しかし、主たるノイズ源であるリセット
ノイズやオンチップアンプノイズは変化しないため、結
果として、画素の縮小はS/N劣化を招く。従って、十
分なS/Nを確保するためには、ノイズを低減させる
か、あるいは固体撮像素子の感度を向上させることが必
要がある。感度を向上させるために、画素表面にマイク
ロレンズを設け、フォトダイオードへの集光率を高める
構造が種々提案されている。また、pnフォトダイオー
ドのn領域を低濃度に形成することによって空乏層を厚
くし、フォトダイオード自体の感度を向上させる技術も
提案されている。
撮像装置の一例を示す構成図である。シリコン基板10
1上に、p+ 領域102、n領域103、及びpウエル
104からなるフォトダイオード(以下、PDと称す
る)がマトリクス状に配列されている。フォトダイオー
ドPD以外の領域には、酸化膜105を介して転送電極
109が設けられ、さらに転送電極109の上部には遮
光膜106が形成されている。シリコン基板101の全
面には、フォトダイオードPD、酸化膜105及び遮光
膜106を被覆する平坦化膜107が形成されており、
さらに、平坦化膜107上にはフォトダイオードPDに
入射光を集光するためのマイクロレンズ108が画素ご
とに形成されている。
クロレンズの製造方法を示す工程図である。同図(A)
に示すように、まずシリコン基板101上に平坦化膜1
07を形成し、さらに平坦化膜107の表面にマイクロ
レンズの素材であるレンズ樹脂層を形成する。続いて、
レンズ樹脂層を部分的にエッチング除去し、各フォトダ
イオードPDに対応した直方体状のレンズ樹脂層を形成
する。その後、同図(B)に示すように、熱処理による
「だらし工程」によって樹脂層をなだらかにしてマイク
ロレンズ108を完成させる。
によってフォトダイオードの集光率を向上させる技術
は、特開平5−218372号公報及び特開平5−24
3539号公報に開示されている。
従来構造においては、図8(B)に示すように、隣接す
るマイクロレンズ108間に隙間が存在するため、その
部分に入射した光LはフォトダイオードPDに入射しな
い。このマイクロレンズ間の隙間をなくすために「だら
し工程」で隣接するマイクロレンズ108同士を密着さ
せると、マイクロレンズ形状が対称形でなくなり、シェ
ーディング等の特性劣化を招いてしまう。このためにマ
イクロレンズ間の隙間は残しておく必要がある。
特性劣化を引き起こすことなく感度及びS/Nを向上さ
せることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供
することにある。
装置は、基板に複数の光電変換素子が形成され、各光電
変換素子への入射光を集光するためのレンズが基板上に
透明層を介して複数形成され、更に、その透明層は、隣
接するレンズ間の隙間部分に凹レンズ機能を有する光学
手段を含むことを特徴とする。
能を有する構成であればよい。すなわち、光の入射側の
媒質より出射側の媒質の方が屈折率が大きい凹曲面であ
ることが望ましい。より詳しくは、透明層表面に形成さ
れた凹部、あるいは透明層内部に形成された凹曲面であ
る。
に表面に凹部を有する第1透明層を形成し、その第1透
明層上に第1透明層より屈折率の小さい第2透明層を形
成する。固体撮像装置表面をできるだけ平滑化するため
に第2透明層は凹部を埋めるだけでもよい。あるいは、
凹部を有する透明層をその透明層よりも屈折率の小さい
2つの透明層で挟んでもよい。この構成は、2回屈折が
生じるためにより大きな偏向量を得ることができる。い
ずれにしても、凹レンズ機能を生じさせる凹曲面は、固
体撮像装置の表面近くに形成されることが望ましい。
ズとは別個に、凹レンズ機能を有する光学手段が設けら
れているために、集光レンズの形状に影響を与えること
なく入射光を光電変換素子へ集光させることができ、特
性を劣化させることなく感度及びS/Nを向上させるこ
とができる。
参照しながら詳細に説明する。図1(A)〜(D)は本
発明の第1実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を示
す工程図である。同図(A)に示すように、フォトダイ
オードPDが形成された基板1上に平坦化膜2(例えば
SiO2 :屈折率n1 =1.46)を形成し、この平坦
化膜2の表面にレジスト膜3を塗布する。そして、フォ
トダイオードPD間の所定部分のレジスト膜3をエッチ
ング除去して隙間4を形成する。この隙間4の幅は、エ
ッチングのアンダカットを考慮して、形成されるべきマ
イクロレンズの隙間間隔より狭く形成される。
をマスクとして、同図(B)に示すように、ウェットエ
ッチングにより隙間4の平坦化膜2に凹部5を形成す
る。凹部5の形成後、レジスト膜3を除去する。
樹脂層6を形成し、凹部5及びその近傍のレンズ樹脂層
6をエッチング除去することで、各フォトダイオードP
Dに対応した直方体状のレンズ樹脂層6を多数形成す
る。
し工程」によりレンズ樹脂層6をなだらかにしてマイク
ロレンズ7を形成する。なお、マイクロレンズ6の屈折
率は平坦化膜2とほぼ同じである。空気の屈折率n0 は
約1.0、平坦化膜2の屈折率n1 は約1.46である
から、凹部5の湾曲面5aによってマイクロレンズ7間
の平坦化膜2は凹レンズ機能を有する。従って、同図
(D)に示すように、隣接するマイクロレンズ間の隙
間、即ち凹部5に入射した入射光8は両側のフォトダイ
オードPDへ向けて屈折する。
形態に係る固体撮像素子の製造方法を示す工程図であ
る。本実施形態においては、まず同図(A)に示すよう
に、フォトダイオードPDが形成された基板1上に平坦
化膜10(例えばSiO2 :屈折率1.46)を形成
し、この平坦化膜10の表面に屈折率の異なる材料の平
坦化膜11(例えば窒化シリコン膜:屈折率2.0)を
形成する。
1上にレジスト膜12を塗布し、フォトダイオードPD
間の所定部分のレジスト膜12をエッチング除去して隙
間を形成する。この隙間の幅は、エッチングのアンダカ
ットを考慮して、形成されるべきマイクロレンズの隙間
間隔より狭く形成される。
をマスクとして、ウェットエッチングにより平坦化膜1
1に凹部5を形成する。凹部5の形成後、レジスト膜1
2を除去し、平坦化膜11より屈折率の小さい材料(こ
こではSiO2)を堆積させて平坦化膜13を形成す
る。続いて、平坦化膜13上にレンズ樹脂層を形成し、
凹部5及びその近傍のレンズ樹脂層をエッチング除去す
ることで、各フォトダイオードPDに対応した直方体状
のレンズ樹脂層を多数形成する。最後に、「だらし工
程」によりレンズ樹脂層をなだらかにしてマイクロレン
ズ14を形成する。
む平坦化膜10及び13の屈折率は1.46であるか
ら、凹部5の湾曲面5aによってマイクロレンズ14間
の平坦膜は凹レンズ機能を有する。従って、同図(B)
に示すように、隣接するマイクロレンズ間の隙間に入射
した入射光8は両側のフォトダイオードPDへ向けて屈
折する。
る固体撮像装置の構成を示す概略的断面構成図である。
本実施形態では、図2(B)に示す平坦化膜13を形成
した後、エッチバックによって平坦化膜13を平坦化膜
11表面まで除去し、凹部5のみに平坦化膜13(ここ
では、窒化シリコン)を残存させる。このように凹部5
を屈折率の小さい材料で埋めることにより、第2実施形
態と同様の効果を得ることができ、更に凹部5が平坦化
されるために汚染に対しても有利となる。
光8の屈折の様子を見れば分かるように、凹レンズ特性
を与える凹部5は、できるだけ表面近くに形成しフォト
ダイオードPD形成面から離すのが有利である。より大
きな偏向量が得られるからである。
施形態による固体撮像装置の製造方法を示す工程図であ
る。本実施形態においては、まず同図(A)に示すよう
に、フォトダイオードPDが形成された基板1上に平坦
化膜10(例えば窒化シリコン:屈折率2.0)を形成
し、その平坦化膜10上にレジスト膜12を塗布する。
レジスト膜12のうちフォトダイオードPD間の所定部
分をエッチング除去して隙間を形成する。この隙間の幅
は、エッチングのアンダカットを考慮して、形成される
べきマイクロレンズの隙間間隔より狭く形成される。
をマスクとして、ウェットエッチングにより平坦化膜1
0に凹部5を形成する。凹部5の形成後、レジスト膜1
2を除去し、平坦化膜10より屈折率の小さい材料(こ
こではSiO2)を堆積させて平坦化膜13を形成す
る。続いて、平坦化膜13上にレンズ樹脂層を形成し、
凹部5及びその近傍のレンズ樹脂層をエッチング除去す
ることで、各フォトダイオードPDに対応した直方体状
のレンズ樹脂層を多数形成する。最後に、「だらし工
程」によりレンズ樹脂層をなだらかにしてマイクロレン
ズ14を形成する。
形成された平坦化膜13の屈折率は1.46であるか
ら、凹部5の湾曲面5aによってマイクロレンズ14間
の平坦膜は凹レンズ機能を有する。従って、同図(B)
に示すように、隣接するマイクロレンズ間の隙間に入射
した入射光8は両側のフォトダイオードPDへ向けて屈
折する。平坦化膜10を所望の厚さに形成することで、
マイクロレンズ14間に入射した光をフォトダイオード
PDまで偏向させることができる。
る固体撮像装置の構成を示す概略的断面構成図である。
本実施形態では、図3(B)に示す平坦化膜13を形成
した後、エッチバックによって平坦化膜13を平坦化膜
10表面まで除去し、凹部5のみに平坦化膜13(ここ
では、SiO2)を残存させる。このように凹部5を屈
折率の小さい材料で埋めることにより、第2実施形態と
同様の効果を得ることができ、更に凹部5が平坦化され
るために汚染に対しても有利となる。また、第3実施例
と同様に、凹レンズ特性を与える凹部5をできるだけ表
面近くに形成しフォトダイオードPD形成面から離すこ
とで、より大きな偏向量が得られる。
図に示すように所定径のマイクロレンズ7あるいは14
がマトリクス状に配列され、その間に凹レンズ特性を有
する凹部領域5が形成されている。ここで、マイクロレ
ンズ14の端と凹部5の端とを完全に一致させることは
困難であるが、凹部5の領域で入射光8を屈折させてフ
ォトダイオードPDへ集光するよりも、マイクロレンズ
7あるいは14で集光する方が効率的であること明らか
である。従って、マイクロレンズ7,14を出来るだけ
大きく形成し、凹部5の領域はその端がマイクロレンズ
端と一致するように出来るだけ小さく表面近くに形成す
ることでマイクロレンズにより集光されなかった光のみ
を凹部5でフォトダイオードPDに導くのが望ましい。
実施形態の一実施例における入射光の集光及び拡散の様
子を示す模式図である。図1に示す第1実施形態におい
て、マイクロレンズ7に屈折率約1.46のレンズ樹脂
を使用し、平坦化膜2にSiO2(屈折率1.46)を
使用した。この場合、同図(A)に示すように、マイク
ロレンズ7によって入射光8はフォトダイオードPDに
集光され、また同図(B)に示すように、凹部5によっ
て入射光8は拡散され、フォトダイオードPD方向に偏
向される。
す第2実施形態の一実施例における入射光の集光及び拡
散の様子を示す模式図である。図2(B)に示す第2実
施形態において、マイクロレンズ14に屈折率約1.4
6のレンズ樹脂を使用し、平坦化膜10及び13にSi
O2(屈折率1.46)を使用し、凹部5の湾曲面を形
成した平坦化膜11に窒化シリコン(Si3N4)を使用
した。この場合、図6(A)に示すように、マイクロレ
ンズ14によって入射光8は集光し、また凹部5の湾曲
面5a及び平坦化膜10及び11の界面で入射光8は屈
折しフォトダイオードPD側へ偏向する。
よれば、集光レンズとは別に、透明層表面又は内部に凹
レンズ機能を有する光学手段が設けられている。このた
めに、レンズによって集光されるだけでなく、隣接する
レンズ間の隙間に入射した入射光も光学手段により屈折
して光電変換素子へ集められ、集光レンズの形状に影響
を与えることなく、すなわち特性を劣化させることな
く、感度及びS/Nを向上させることができる。
造方法を示す工程図である。
る固体撮像装置の製造方法を示す工程図であり、(C)
は本発明の第3実施形態による固体撮像装置の概略的断
面構成図である。
る固体撮像装置の製造方法を示す工程図であり、(C)
は本発明の第5実施形態による固体撮像装置の概略的断
面構成図である。
射光の集光及び拡散を示す模式図である。
射光の集光及び拡散を示す模式図である。
ある。
Claims (5)
- 【請求項1】基板に複数の光電変換素子が配列形成され
た固体撮像装置において、 前記基板上に形成され、表面に凹部を有する第1透明層
と、 前記第1透明層上に形成され、前記第1透明層より屈折
率の小さい第2透明層と、 前記第2透明層上の前記第1透明層凹部上以外の部分に
設けられ、前記複数の光電変換素子の各々に対応した複
数の凸型集光レンズと、 からなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】基板に複数の光電変換素子が配列形成され
た固体撮像装置において、 前記基板上に形成された第1透明層と、 前記第1透明層上に形成され、前記第1透明層より屈折
率が大きく、且つ表面に凹部を有する第2透明層と、 前記第2透明層上に形成され、前記第2透明層より屈折
率が小さい第3透明層と、 前記第3透明層上の前記第2透明層凹部上以外の部分に
設けられ、前記複数の光電変換素子の各々に対応した複
数の凸型集光レンズと、 からなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項3】基板に複数の光電変換素子が配列形成され
た固体撮像装置において、 前記基板上に形成された第1透明層と、 前記第1透明層上に形成され、前記第1透明層より屈折
率が大きく、且つ表面に凹部を有する第2透明層と、 前記第2透明層の前記凹部のみに形成され、前記第2透
明層より屈折率が小さい第3透明層と、 前記第2透明層上の前記凹部以外の部分に設けられ、前
記複数の光電変換素子の各々に対応した複数の凸型集光
レンズと、 からなることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項4】基板に複数の光電変換素子が配列形成さ
れ、各光電変換素子に対応して集光レンズが設けられた
固体撮像装置の製造方法において、 前記複数の光電変換素子が形成された前記基板上に第1
透明層を形成し、 前記第1透明層上に前記第1透明層より屈折率が大きい
第2透明層を形成し、 前記第2透明層上にマスク層を形成し、 前記マスク層を部分的にエッチングすることにより、形
成されるべき集光レンズ間の隙間より狭い幅の開口部を
形成し、 前記開口部が形成された前記マスク層をマスクとして前
記第2透明層をエッチングすることにより、前記第2透
明層に凹曲面を形成し、 前記第2透明層上に前記第2透明層より屈折率の小さい
第3透明層を形成し、 前記凹曲面が存在する領域を挟んで、前記第3透明層上
に前記集光レンズを形成する、 ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項5】前記第3透明層は、前記第2透明層の前記
凹部のみに形成されることを特徴とする請求項4記載の
固体撮像装置の製造方法。
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JP7214115A JP2820074B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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JP7214115A JP2820074B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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JPH0945884A JPH0945884A (ja) | 1997-02-14 |
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Family
ID=16650487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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- 1995-07-31 JP JP7214115A patent/JP2820074B2/ja not_active Expired - Fee Related
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