KR0184687B1 - 고체촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents

고체촬상장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR0184687B1
KR0184687B1 KR1019940025246A KR19940025246A KR0184687B1 KR 0184687 B1 KR0184687 B1 KR 0184687B1 KR 1019940025246 A KR1019940025246 A KR 1019940025246A KR 19940025246 A KR19940025246 A KR 19940025246A KR 0184687 B1 KR0184687 B1 KR 0184687B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
microlens
photoelectric conversion
concave
imaging device
Prior art date
Application number
KR1019940025246A
Other languages
English (en)
Inventor
데쯔로 아오끼
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Application granted granted Critical
Publication of KR0184687B1 publication Critical patent/KR0184687B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 고체촬상장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 마이크로렌즈가 광전변환부상에 형성되어 있는 고체촬상장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 광전변환부 위에, 절연막(42), 전송전극(43), 차광막(44), 보호막(45) 및 평탄화층(51)을 형성하고, 평탄화층(51) 위에 오목렌즈층(52)을 격자형으로 형성한다. 격자형의 오목렌즈층(52)을 열용융하여 오목 마이크로렌즈층으로 변환한다. 오목렌즈(52)보다 굴절률이 낮은 수지층(53), 버퍼층(54) 및 볼록 마이크로렌즈(57)를 오목렌즈층(52) 위에 순차형성한다. 이 오목 렌즈층(52)은 볼록 마이크로렌즈(57)에 의해 집광된 광속을 광전변환부(41)상에 수직으로 입사되게 하는 작용을 갖는다.

Description

고체촬상장치 및 그 제조방법
제1a, b, c, d 및 e도는 본 발명에 따른 고체촬상장치의 제조방법의 제1실시예를 설명하는 공정도.
제2도는 화소영역이 관통되어 형성된 격자형 패턴의 레지스트의 사시도.
제3도는 상기 레지스트를 열용융한 상태를 보여주는 사시도.
제 4a, b 및 c도는 본 발명에 따른 고체촬상장치의 제조방법의 제2실시예를 설명하는 공정도.
제5a 및 b도는 본 발명에 따른 고체촬상장치의 제조방법의 제3실시예를 설명하는 공정도.
제6a, b 및 c도는 종래예의 개념도와 본 발명의 개념도를 나타낸 도면.
제7a, b, c 및 d도는 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법의 제4실시예를 설명하는 공정도.
제8a 및 8b도의 (B)는 종래예의 집광동작을 나타낸 도면.
제8c도는 본 발명의 집광동작을 나타낸 도면.
제9a 및 b도는 종래예의 집광동작과 본 발명의 집광동작을 비교하는 도면.
제10도는 굴절률 1.6인 재료에 입사되는 광의 반사율과 입사각도에 대한 반사율 의존성을 보여주는 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,41,61,81 : 광전변환부 2,42,82 : 층간절연막
3,43,83 : 전송전극 4,44,64,84 : 차광막
5,45,85 : 보호막 16,51,71 : 평탄화층
17 : 질화실리콘 층 18 : 감광성 레지스트
19,75 : 레지스트층 52 : 오목렌즈층
53 : 저굴절률 수지층 54 : 버퍼층
57 : 볼록 마이크로렌즈 76 : 오목 마이크로렌즈층
86,170 : 오목 마이크로렌즈 95 : 레지스트
본 발명은 고체촬상장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 광전변환부 및 그 광전변환부상에 형성된 마이크로렌즈를 포함하는 고체촬상장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근에는, 고체촬상장치 기술에서, 마이크로렌즈를 사용하여 비약적으로 감도가 향상되었다.
종래, 마이크로렌즈를 구비한 고체촬상장치에 있어서는, 제 8a도에 도시된 것과 같은 고체촬상장치가 있다. 제 8a도는 고체촬상장치의 단위 화소내의 광학계를 도시한 것이다. 제8a도에서, 참조부호(181)는 광전변환부, (182)는 층간절연막, (183)은 신호전하의 전송전극, (184)는 각 전송전극 상부의 차광부, (185)는 보호막, (186)은 투명 수지층 또는 마이크로렌즈 지지층, (187)은 마이크로렌즈, (188)은 렌즈 단부로의 수직 입사광, (189)는 경사 입사광이다.
제8a도에 도시된 바와같이, 이 고체촬상장치는 마이크로렌즈(187)에 의해 수직입사광(188)을 광전변환부(181)로 인도하여 감도를 향상시키도록 되어있다.
제8b도는 종래의 고체촬상장치의 광전변환부로의 광의 입사상황을 도시한 것이다. 제8b도의 (B)에서, 참조부호(190)는 통상의 조리개 위치에서의 입사광속, (191)은 유효 광전변환 영역, (192)는 실제로 광전변환이 행해지는 영역, (193)은 조리개를 열었을 때 신호전하 전송영역 부근에 경사 입사 상태로 도달하는 장파장광, (194)는 차광막 등으로 구성된 실제 조리개이다.
오늘날, 고체촬상장치의 용도는 비디오무비로부터 감시용 카메라 등에 이르기까지 매우 광범위하다. 실로, 고체촬상장치는 이와같은 다양한 용도 때문에 거의 모든 종류의 광학계에 응용되고 있다.
많은 경우에, 예컨대 카메라 렌즈 광학계의 조리개 변화와 같이, 과거에는 그렇게 심각한 문제로 취급되지 않았던 광학계내의 광학적변화가 화질이나 화면의 밝기 등에 중대한 영향을 미친다는 것이 발견되었다. 이와 관련하여, 상기 종래의 고체촬상장치에는 다음과 같은 결점이 있다.
이런 종래의 고체촬상장치에 있어서는, 마이크로렌즈 광학계의 설계에 있어 조리개가 보다 좁게되는 상태를 최적 상태로 하는 경우가 많았다. 즉, 제 8a도에 도시된 바와같이, 렌즈 단부로의 수직 입사광(188)이 잠식되지 않고 광전변환부로 입사되는 설계를 가장 이상적이라고 여기곤 했다.
그러나, 어두운 방에서 촬상하는 경우처럼 렌즈를 거의 해방에 가까운 상태로 사용할 경우에는, 제8a도에 참조부호(189)로 표시된 경사 입사광의 총 입사 광량에 대한 비율이 현저히 증가한다. 그결과, 구멍 주변의 구조물에 의해 잠식되어 광전변환부(181)로 입사하지 못하는 광의 비율이 증가하여, 실질적으로 감도가 저하된다.
상기 고체촬상장치가 컬러촬상장치인 경우에는, 화이트 벨런스가 악영향을 받을 수 있는 다른 문제도 있다.
이와같이, 이런 형태의 종래의 고체촬상장치에서는 촬상조건의 변화로 인한 화질의 열화를 유발할 수 있다.
상기 종래의 고체촬상장치에서, 마이크로렌즈의 구성은, 제8b도에 도시된 바와같이, 입사광속이 광전변환부(191)를 통과하는 영역(192)이 광전변환부(191)의 중심 부근으로 한정된다. 따라서, 발생된 캐리어들이 광전변환부의 중심부에서 국소적으로 과포화에 가까운 상태로 되고, 이 부분에서의 전자의 천이 확률은 캐리어 확산시간의 오더(order)로 저하되기 쉽다. 그 이유는, 기본적으로, 완전히 공핍상태인 부분이 최고의 전자 천이확률을 갖는다는데서 찾을 수 있다.
일반적으로, 광전변환부(191) 자체는 N형 층이고, 광전변환부(191)의 주변부는 P형 층으로 둘러싸인다. 따라서, 광전변환부(191)의 주변부는 전위구배가 크고 전자의 천이확률이 높다. 그러나, 이미 설명한 바와같이, 상기 종래의 고체촬상장치는 이런 주변부를 광전변환에 사용할 수 없다는 단점이 있다. 이 때문에, 감도의 면에서 종래의 장치는 결코 효율적이지 못하다.
마이크로렌즈를 통과한 입사광은 기본적으로 광전변환부에 대해 경사지게 될 수 있다. 따라서, 가시광 영역의 장파장 광이 광전변환부를 포함해 기판에 침입하는 깊이(5-10㎛)를 고려할 때, 광전변환부에 인접한 신호전하 전송부의 내부에서 또는 신호전하 전송부에 매우 가까운 부분에서 상기 입사광에 대한 광전변환이 행해질 확률은 거의 없다. 이것은, 스미어(smear) 억제의 입장에서 반드시 양호하다고는 말할 수 없다.
따라서, 촬상조건을 최적화 하려면, 광전변환 영역과 마이크로렌즈 광학계 쌍방을 매치할 필요가 있다.
싱글 렌즈를 고려할 경우, 일반적으로 렌즈의 직경(이 직경은 피사체의 직경을 고려하는 것이 좋다)이 일정하다면 초점거리가 짧을수록 렌즈가 밝아진다고 할 수 있다. 즉, 이런 렌즈를 이용하면 화면의 조도가 높아진다. 요컨데, 렌즈의 곡률이 커질수록, 소자 감도가 높아진다. 따라서, 종래의 장치들은 비교적 곡률이 큰 마이크로렌즈를 구비한다.
그러나, 마이크로렌즈의 곡률이 커지면, 렌즈로 광이 입사하는 지점에서의 입사광의 입사각도가 렌즈의 접면에 대해 커진다. 이때는, 굴절률 1.6의 재료에 대한 s 성분의 반사율 Rs 및 p성분의 반사율 Rp를 도시한 제10도에서와 같이, 통상, 입사각 θ도가 60°이상일 경우에는, 관련 반사율이 무시할 수 없을 정도로 높아서(예컨데, 이 경우 Rs=21%임), 마이크로렌즈 표면에서의 광의 반사가 무시할 수 없을 정도로 높다. 그결과 감도가 저하된다.
이렇게, 종래의 장치에서는 상기와 같이 광의 이용율에 관해서도 아직 해결해야할 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 감도가 높고 광의 이용율을 높일 수 있는 고체촬상소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 광전변환부를 포함하는 복수의 화소 및 상기 광전변환부 위에 배치된 볼록 마이크로렌즈를 구비한 고체촬상장치에 있어서 ; 상기 광전변환부와 상기 볼록 마이크로렌즈 사이에 형성되어 상기 볼록 마이크로렌즈를 지지하는 지지층; 및 상기 지지층과 광전변환부 사이에 배치되고, 상기 지지층을 구성하는 재료보다 굴절률이 높은 재료로 형성된 오목 마이크로렌즈층을 포함하는 고체촬상장치를 제공한다.
이 고체촬상장치는 상기 오목 마이크로렌즈층이 상기 볼록 마이크로렌즈에 의해 집광된 광속을 상기 광전변환부로 수직입사광에 가깝게 평행화하여 입사시키도록 설계되었다.
집광된 광선들을 평행화하면, 광전변환부상의 광전변환부와 대향하는 공간을 둘러싸는 조리개에 집광된 광이 충돌하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 감도가 향상된다.
또한, 상기 집광된 광을 평행화하면, 집광된 광이 이루는 광속이 상기 광전변환부에 입사하는 면적을 증가시킬 수 있다. 이렇게 되면, 광전변환부의 유효 이용면적이 증가하여, 감도가 향상된다.
또한, 오목 마이크로렌즈층과 지지층 사이에 배치되어 지지층을 지지하는 오목 렌즈 설치(seating)층이 제공되고; 오목 마이크로렌즈의 재료 지지층의 재료 및 오목 마이크로렌즈층의 재료 모두 오목 렌즈설치층의 재료보다 굴절률이 높도록 설계된다.
또, 본 발명에 따른 고체촬상소자는, 오목 마이크로렌즈층이 볼록 마이크로렌즈에 의해 집광된 광선을 광전변환부상으로 수직 입사광에 가깝게 평행화하여 입사시키도록 설계되었다.
볼록 마이크로렌즈의 재료, 지지층의 재료 및 오목 마이크로렌즈층의 재료 모두 오목 렌즈 설치층의 재료보다 굴절률이 높으므로, 볼록 마이크로렌즈에 의해 집광된 광속이 오목 렌즈 설치중에 의해 확산되는 경우가 없다. 이 때문에, 집광특성이 향상된다.
지지층에 비해 굴절률이 낮은 재료로 된 오목 렌즈 설치층이 지지층 바로 밑에 배치되므로, 초점거리를 증가시키지 않고, 볼록 마이크로 렌즈의 곡률을 상기한 오목 렌즈 설치층이 없는 경우보다 작게할 수 있다. 따라서, 볼록 마이크로렌즈 표면에서의 입사광의 반사를 방지할 수 있다.
광전변환부상에, 오목 마이크로렌즈층, 지지층 및 볼록 마이크로렌즈를 순차형성하는 고체촬상장치의 제조방법에 있어서: 상기 광전변환부상에, 상기 볼록 마이크로렌즈를 구성하는 재료와 상기 지지층을 구성하는 재료보다 굴절률이 높은 투명한 재료의 평탄층을 형성하는 단계; 상기 평탄층의 표면상에, 상기 광전변환부에 대향하는 관통 구명을 가지며 감광성 수지로 된 격자형 패턴층을 형성하는 단계: 상기 격자형 패턴층을 열용융하여, 상기 격자형 패턴층을 오목 마이크로렌즈 형상의 복수의 오목부를 갖는 오목 마이크로렌즈 패턴층으로 변환하는 단계; 및 상기 오목 마이크로렌즈 패턴층을 에칭하여, 이 마이크로렌즈 패터층의 오목 마이크로렌즈 형상을 상기 오목 마이크로렌즈층 밑의 상기 평탄층에 전사함으로써, 상기 평탄층을 상기 오목 마이크로렌즈층으로 변환하는 단계를 포함하는 고체촬상장치의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 고체촬상장치의 제조방법에 따르면, 격자형 패턴층을 열용융하여 오목 마이크로렌즈 패턴층을 형성한 뒤, 이 오목 마이크로렌즈 패턴층을 에칭하여 오목 마이크로렌즈 형상이 오목 마이크로렌즈층을 제공하기 위한 평탄층에 전사되게 한다. 본 발병의 고체촬상장치는 이렇게 제작된다.
광전변환부상에, 오목 마이크로렌즈층, 렌즈 설치층 및 볼록 마이크로렌즈를 순차형성하는 고체촬상장치의 제조방법에 있어서: 상기 렌즈 설치층의 구성 재료보다 광투과율과 굴절률이 높은 감광성수지재료로 형성되어 상기 광전변환부에 대향하는 관통 구멍을 갖는 격자형 패턴층을 상기 광전변환부상에 형성하는 단계: 및 상기 격자형 패턴층을 열용융한 뒤에, 열용융된 격자형 패턴층을 열경화하여, 이 격자형 패턴층을 오목 마이크로렌즈층으로 변환하는 단계를 포함하는 고체촬상장치의 제조방법이 제공된다.
이 방법에 따르면, 격자형 패턴층을 열용융하여 오목 마이크로렌즈층으로 형성함으로써, 고체 촬상장치를 제조한다.
광전변환부상에, 오목 마이크로렌즈층, 지지층 및 볼록 마이크로렌즈를 순차형성하는 고체촬상장치의 제조방법에 있어서: 감광성수지 재료를 격자형으로 패턴화하고 경화시켜, 상기 광전변환부에 대향하는 관통 구멍을 가진 격자형 패턴층을 광전변환부상에 형성하는 단계: 및 상기 격자형 패턴층에 투명수지로 된 오버코팅층을 형성하여 상기 오버코팅층이 오목 마이크로렌즈층으로 작용할 수 있게 하는 단계를 포함하는 고체촬상장치의 제조방법이 제공된다.
이 밥법에 따르면, 격자형 패턴층을 열용융하지 않고 오목 마이크로렌즈층을 형성할 수 있다. 이 때문에 재현성이 양호한 오목 마이크로렌즈층을 형성할 수 있다.
이하, 첨부 도면들을 참조하여 본 발명의 고체촬상장치 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
첫째, 종래예와 본 발명을 비교하기 위해, 제9a도에는 종래의 단위화소의 단면 모델을, 제 9b도에는 본 발명의 대표적인 단면 모델을 도시한다. 제 9a도에 도시된 종래 모델과 제 9b도에 도시된 본 발명의 모델에서는, 실질적인 조리개, 구멍 및 볼록 마이크로렌즈가 각각 동일한 크기라고 가정하였다. 제9b도에 도시된 바와같이, 본 발명의 모델은 볼록 마이크로렌즈(197)의 바로 밑에 오목 마이크로렌즈(170)를 구비한 점에서 종래 모델과 유일하게 차이가 난다.
제 9a, b도에서, 참조부호(198,199)는 각각 마이크로렌즈 단부에서의 수직입사광과 경사입사광이다. 수직입사광(198)은, 제 9a도의 종래 모델에서는 광전변환영역 d의 표면 중앙부에 초점을 맞추도록 설계되었다. 이에 비해, 제 9b도의 본 발명의 모델에서는, 오목 마이크로 렌즈(170)에 의해 수직입사광(198)이 굴절되어 광전변환영역에서 넓게 확산되도록 설계되었다.
제 9a도의 종래 모델에서는, 경사입사광이 조리개(204)에 막혀 광전변환부(207)로 입사되지 않는다. 반면에, 제 9b도의 본 발명의 모델에서는, 경사입사광(199)이 오목 마이크로렌즈(170)에 의해 굴절되어 광전변환부(207)로 입사된다.
제 8a, b, 및 c도를 기초로 종래예와 본 발명을 비교한다. 제8a도와 같이 고체촬상소자의 단위화소의 기하학적 구성은 차광막(184)이나 전극(183)으로 구성된 유효 조리개를 포함한다. 제8b도는 본 발명을 나타낸 제 8a, d 및 e도에 대응하는 종래의 구성을 보여준다.
제8c도의 (D)와 같이, 유효 광전변환영역(201)을 포함한 광전변환부 바로 위에 굴절률이 높은 오목 마이크로렌즈(205)가 형성된 본 발명의 구성에 따르면, 상기 오목 마이크로렌즈(205)의 상방에 배치되어 있는 볼록 마이크로렌즈(도시안됨)에 의해 굴절되어 볼록 마이크로렌즈의 초점을 향해 집광되기 시작하는 광속(210)이 상기 오목 마이크로렌즈(205)에 의해 굴절되므로, 상기 광속(210)이 수직방향에 대해 거의 평행하게 된다. 따라서, 본 발명에 따르면, 상기 볼록 마이크로렌즈에 의해 굴절되어 집광과정에 있는 입사광속을 상기 오목 마이크로렌즈에 의해 진행방향을 평행화하여 광전변환부와 사실상 동일한 단면적을 갖는 거의 평행한 광선속으로 변환한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 유효 광전변환영역(201)에서 광속 통과영역(202)이 점유하는 비율이 종래예에 비해 증가된다. 즉, 유효 광전변환영역의 이용효율이 향상되고 감도가 향상된다.
본 발명의 고체촬상장치는, 볼록 마이크로렌즈와 그 볼록 마이크로렌즈의 지지층 바로 밑에, 상기 블록 마이크로렌즈 및 지지층에 비교하여 굴절률이 높은 투명수지재료를 이용하여 오목 마이크로렌즈가 형성되어 있으므로, 상기 볼록 마이크로렌즈를 통과하여 집광되는 어떠한 광속이라도 광전변환부 상방에서 평행광선으로 될 수 있다.
본 발명의 이상의 구성에 있어서, 상기 볼록 마이크로렌즈의 지지층을 상기 볼록 마이크로렌즈 및 오목 마이크로렌즈에 비해 굴절률이 낮은 투명수지재료로 제조한다. 이렇게 하면 광선의 평행화가 더 향상된다. 또한, 상기 지지층 바로 밑의 중간층으로서, 볼록 마이크로렌즈 및 지지층에 비해 굴절률이 낮은 투명수지로 된 평탄층을 형성할 수 있다.
[실시예 1]
제 1a도 및 1b도는 본 발명에 따른 고체촬상장치의 제조방법의 실시예를 도시하였다. 제1도에는 이 고체촬상장치의 단위화소를 나타내는 셀의 구성을 도시하였다.
제1a도에 도시된 바와같이, 광전변환부(1)를 포함한 기판상의, 광전변환부(1)에 대향하지 않는 영역에 층간절연막(2)을 삽입한 전송전극들(3)을 형성한다. 이 전송전극(3)을 덮도록 차광막(4)을 배치한 뒤, 이 차광막(4)과 광전변환부(1) 양쪽을 덮는 보호막(5)을 형성한다. 이 보호막(5)은 하지 흑백 디바이스를 보호하기 위한 것이다. 상기 이 보호막(5)을 형성한 직후에, 수소 분위기중에서 어닐링을 행한다. 이 어닐링은, 상기 광전변환부(1)의 활성영역과 산화막과의 계면에서의 격자 부정합에 의한 계면준위의 릴랙세이션(완화)의 한가지 방법이다. 보호막(5)위에는 평탄화층(16)을 형성한다. 이 평탄화층(16)은, 열용융성 저융점 유리 또는 SOG(spin-on glass)막으로 구성되고 전극(3) 등에 의해 발생된 모든 표면 단차를 완화하기 위한 것이다. 상기 평탄화층(16)의 위에는, 화학 증착법 등에 의해, 질화실리콘으로 된 두께 1.5㎛정도의 질화실리콘 층(17)을 형성한다. 상기 질화실리콘 층(17)의 두께는 상기 단차의 정도에 따라 다르지만, 통상 1.5 내지 2.0㎛로 설정된다. 상기 질화실리콘 층(17)의 굴절률은 그 질화실리콘 층(17)의 성장조건에 따라 다르지만, 통상은 2.0이상이다. 이 질화실리콘 층(17)은 이후의 공정을 거쳐 굴절률이 높은 오목 마이크로렌즈로 된다.
이어서, 제1b도에 도시된 바와같이, 포토리소그래피에 의해 질화실리콘 층(17)위에, 광전변환부(1)에 대향하는 화소부분이 관통되어 있는 격자형태로 패턴화된 감광성 레지스트(18)를 형성한다. 이 레지스트를 윗쪽에서 비스듬히 본 것이 제2도이다. 이 레지스트(18)는 노볼락(novolak) 수지로 대표되는 열가소성 수지로 형성된다. 레지스트(18)를 180℃정도의 온도로 가열 용융하여, 제1b도에 파단선으로 도시된 형태의 오목 마이크로렌즈를 구비한 레지스트층(19)으로 형성한다. 열용융 흐의 레지스트층(19)을 윗쪽에서 비스듬히 바라본 것이 제3도이다.
이어서, 제1c도와 같이, 레지스트층(19)을 CF4+02,CHF3+O2또는 CHF3+O2등의 불소계 기체(20)로 드라이에 칭한다. 이 드라이에칭에 의해, 레지스층(19)의 오목 마이크로렌즈 형상이 그 레지스트층(19)밑의 질화실리콘 층(17)으로 전사된다. 구체적으로는, 예컨데 출력 약 200W의 SF6를 플라즈마 에칭할 경우, 선택비가 2 : 1이상으로 되어, 질화실리콘 층(17)의 최종 형상은 레지스트층(19)의 오목 마이크로렌즈 형상을 길이방향으로 2배 확장한 형상으로 된다.
제1d도에는, 오목 마이크로렌즈로 형성된 질화실리콘 층(17)의 최종형상이 도시된다.
제1a도 내지 d도에 도시된 제조방법은 재현성이 높고 안정성이 좋다. 그러나, 오목 마이크로렌즈로 되는 질화실리콘층(17) 바로 밑과 광전변환부(1)사이에 비교적 굴절률이 낮은(통상 약1.5)유리로 제작된 평탄화층(16)을 삽입하기 때문에, 이 평탄화층(16)이 오목 마이크로 렌즈로 되는 질화실리콘층(17)의 평행화성능을 어느정도 저하시킬 가능성이 있다.
따라서, 기상 성장에 있어서 질화실리콘의 스탭 커버리지를 양호하게 이용하기 위해, 상기 보호막(5)상에 직접 질화실리콘 층(17)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제1e도와 같이, 두께 약 2.0㎛의 모조의 오목 마이크로렌즈(170)를 얻을 수 있다. 격자형 레지스트(18)가 열용융되고 에칭되어 있는 제 1b도 및 c도의 전사방법을 사용해, 오목 마이크로렌즈(170)의 오목 형상을 강조하여, 그 오목 마이크로렌즈(170)의 형상을 제1d도와 같은 양호한 형상의 오목 마이크로렌즈와 동일한 형상으로 한다. 딸사서, 오목 마이크로렌즈(170)를 평행화성능이 좋은 오목 마이크로렌즈로 형성할 수 있다. 그후, 제 9b도와 같이, 상기 오목 마이크로렌즈(170)의 표면을 PMMA(polymethylmetha crylate)등의 투명 평탄화 수지층으로 평탄하게 오버코팅하고, 이 평탄화 수지의 표면상에 통상의 방식으로 볼록 마이크로렌즈(197)를 형성하여, 본 발명의 고체 촬상장치를 형성한다. 투명 평탄화 수지층(186)은 볼록 마이크로렌즈(197)를 지지하는 지지층이다. 오목 마이크로렌즈(170)는 투명 수지층(186)과 볼록 마이크로렌즈(197)중의 어느것보다 굴절률이 높은 재료로 형성된다.
이 고체촬상장치는 오목 마이크로렌즈(170)를 이용해, 전극을 포함한 실질적인 조리개(204)상으로의 제9b도에 도시된 경사입사광(199)을 평행하게 하여, 그 경사 입사광(199)이 광전변환부(207)로 입사되게 할 수 있다. 따라서, 상기 고체촬상장치에서는, 종래에는 조리개(204)에 의해 막혀 광전변환부(207)로 입사되지 않던 경사입사광(199)을 광전변환부(207)로 입사시킬 수 있다. 따라서, 이 고체촬상장치에 의하면 감도가 향상된다.
오목 마이크로렌즈(170)는, 고체촬상장치의 마이크로렌즈 등의 특수한 광학계에서, 고체촬상장치의 수광측 구멍에 상당하는 상면(像面)조리개를 실질적으로 확대하는 역할을 한다.
종래에는 광전변환부의 표면에 광속의 초점이 맞춰지도록 배열하였지만, 본 발명의 고체촬상장치는 이 광속을 제9b도에 도시된 바와같이 광전변환부(207)에 큰 입사단면적을 갖는 평행광속으로 변환할 수 있다.
따라서, 본 발명의 고체촬상장치에서는, 제8b도의 (B)에 도시된 종래에의 광속통과영역(192)을 제 8d도에 도시된 광속통과영역(202)으로 확대할 수 있다. 그결과, 광속통과영역(202)내의 단위체적당의 광자 밀도가 저하된다. 따라서, 제 8b도의 (C)에 도시된 바와같이, 발생된 신호전자의 국소적인 과포화(NsAt)를 방지하여, 광전변활율의 일시적인 저하를 방지할 수 있다.
제8c도에 도시된 바와같이, 상기 고체촬상장치는 종래예와 비교하여 입사광속(210)을 광전변환영역(201)의 표면에 평행한 횡방향으로 확장할 수 있기 때문에, 단위 구배가 큰 광전변환부의 주변 단부, 즉 천이확률이 높은 완전 공핍화 영역에서 광전변환을 행할 수 있다. 이 때문에, 광전변환 효율이 향상된다.
상기 실시예의 고체촬상장치에 의하면, 제8b도의 (B)에 도시된 바와같이, 스미어의 원인이 될 수 있는 작은 각도의 경사입사광(193)을 상기 오목 마이크로렌즈(170)에 의해 평행하게 할 수 있다. 따라서, 스미어의 저감을 도모할 수 있다.
[실시예 2]
제 4a 내지 c도에 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법의 제2실시예를 나타내며, 단위화소 셀의 오목 마이크로렌즈 형성 과정을 도시한다.
제 4a도에 도시된 바와같이, 광전변환부(41)를 포함하는 기판상의, 상기 광전변환부(41)에 대향하지 않는 영역에 층간절연막(42)을 삽입한 전송전극들(43)을 먼저 형성한다. 이 전송적극(43)을 덮는 차광막(44)을 형성하고, 이 차광막(44)과 상기 광전변환부(41)를 덮는 보호막(45)을 형성한다. 이어서, 상기 전송전극(43) 등에 의한 단차를 경감하기 위해, 상기 보호막(45)의 위에, 예컨대 폴리스티렌 등의 굴절률이 높은 수지로 된 평탄화층(51)을 형성하고, 이 평탄화층(51)에 의해 요철표면을 평탄화한다. 이어서, 오목 렌즈층(52)을 형성한다. 이 오목렌즈층(52)은, 예컨대 노볼락 수지나 폴리스티렌 등의 열가소성 수지(임계온도 120-180℃, 굴절률 1.6이상)를 베이스로 하는 감광성수지를 스핀코팅 등의 방법을 이용해 평탄화층(51)위에 코팅한 뒤, 리소그 래피법으로 패턴화하여 격자형상으로 형성한다.
상기 오목렌즈층(52)의 형상은 제2도에 도시된 바와같은 격자형태가 일반적이지만, 관통부를 장방형이 아닌 타원형으로 형성한다면, 이들을 미세한 피치로 배열해도 해상이 용이해질 수 있다. 또, 제4b도에 도시된 바와같이, 열용융에 의해 이상적인 오목 마이크로렌즈 형상을 쉽게 얻을 수 있다.
상기 오목렌즈층(52)의 두께는 광학계의 기하학적인 구성에 크게 의존하므로, 최종적으로 이런 기하학적인 구성을 기본으로 하여 결정될 수 있다. 그러나, 평행화 성능의 관점에서는 오목렌즈층(52)의 두께는 1㎛ 이상인 것이 바람직하다.
제4b에 도시된 바와같이, 오목렌즈층(52)을 열용융하여 오목랜즈 형상으로 한 뒤, 제4c도와 같이, 오목렌즈층(52)의 위에 오목렌즈층보다 굴절률이 낮은 투명한 저굴절률 수지층 또는 평탄화층(53)을 형성한다.
저굴절률 수지층(53)의 재료는 낮은 굴절률이 필요하기 때문에 상당히 제한적이다. 굴절률은 구성분자의 분극률 및 분자량에 크게 의존하고, 그 두가지가 작을수록 저굴절률을 갖기 때문에 좋다. 현재는, 아사이 글래스사의 CYTOP 등의 투명 불소수지가 약 1.34정도의 저굴절률을 갖는다고 알려져있다. 그러나, 상기 불소수지는 소수, 소유성이고, 이 때문에 표면에너지가 비교적 낮고 밀착성이 극히 떨어진다. 따라서, 밀착도를 강화하기 위해, 계면활성제 등으로 구성된 밀착강화 박막을 상기 저굴절률 수지층(53)에 인접하여 밀착되게 삽입하는 것이 좋다.
상기 저굴절률 수지층(53)위에는, 지지층으로서 버퍼층(54)을 형성한다. 이 버퍼층(54)은, 그 상하 양측 층과의 밀착성 및 다른 물리화학적인 매칭을 양호하게하는 역할을 하는 매우 중요한 층이다. 이 버퍼층(54)은 아크릴 수지로 제작하는 것이 좋다.
끝으로, 버퍼층(54) 위에 볼록 마이크로렌즈(57)를 형성한다.
제4c도에 도시된 제2실시예에 따라 제조된 고체촬상장치에서는 상기 저굴절률 수지층(53)이 있기 때문에 오목렌즈층(52)의 평행화 효과를 향상시킬 수 있다.
[실시예 3]
제5a도 및 b도는 본 발명의 고체촬상장치의 제작방법의 제3실시예를 나타내며, 단위화소 셀의 오목 마이크로렌즈의 형성공정을 도시한 것이다. 이 실시예에서, 굴절률이 높은 평탄화층(71)을 형성하기까지의 공정은 상술한 제2실시예와 동일하므로, 설명을 생략한다.
본 실시예에서는, 제 5a도와 같이, 상기 평탄화층(71)의 위에 오목마이크로렌즈층의 토대가 되는 격자형 패턴의 레지스트층(75)을 형성한다. 이 레지스트층(75)은 감광성 수지로 패턴형성되고, 광전변환부(61)에 대향하는 수광영역을 둘러싼다. 참조부호(63)는 전송전극이다.
상기 레지스트층(75)을 g선 또는 i선을 흡수하는 염료를 함유한 재료로 형성할 경우에는, 마이크로렌즈 형성공정의 리소그래픽 처리중에 고반사율 차광막(64)에서의 반사를 방지할 수 있어, 안티-헐레이션(anti-halation)효과를 기대할 수 있다. 레지스트층(75)을 노볼락 수지로 형성할 경우에도, g-선과 i-선 흡수효과가 있다.
이어서, 제5b도와 같이, 굴절률이 높은 수지(예컨대, 포리스티랜)를 스핀코팅법 등으로 레지스트층(75)과 평탄화층(71)위에 코팅하여 오목 마이크로렌즈층(76)을 형성한다. 오목 마이크로렌즈층(76)은 오버코팅층이다, 오목 마이크로렌즈층(76)의 형성은 레지스트층(75)의 레지스트 패턴의 선폭과 고굴절률 수지의 점성을 조정하여서만 제어될 수 있다. 이렇게 되면, 오목 마이크로렌즈층(76)을 비교적 재현성이 양호하게 형성할 수 있는 이점이 있다.
그후, 제2실시예와 같은 방식으로, 굴절률이 오목 마이크로렌즈층(76)보다 굴절율이 낮은 수지재료로 된 저굴절룰 수지층(53)과, 버퍼층(54) 및 볼록 마이크로렌즈(57)를 제5b와 같이 차례대로 형성한다. 고체촬상장치의 제조는 이렇게 해서 완료된다.
[실시예 4]
제7도에는 본 발명의 고체촬상장치의 제조방법의 제4실시예에 의한 오목 마이크로렌즈의 형성공정이 도시되어 있다.
제7a도에 도시된 바와같이, 광전변환부(81), 전송전극(83), 충간절연막(82) 및 차광막(84)의 위에 형성된 보호막(85)상에, 굴절률이 높은 오목 마이크로렌즈(86)를 형성한다. 이 오목 마이크로렌즈(86)위에, 제3실시예의 레지스트층(75)과 동일한 수지로 제조된 레지스트(95)를 도포하고, 이 레지스트(95)를 포토리소그래피 기술로 노광하여 제7b도와 같이, 상기 광전변환부(81)에 대향하는 구멍 부분을 둘러싸는 격자형의 패턴으로 형성한다.
이어서, 제7a도와 같이, 상기 격자형 패턴으로 형성된 레지스트(95)를 열처리 등으로 충분히 경화한다.
이어서, 제7c도와 같이, 상기 레지스트(95)의 표면과 상기 오목 마이크로렌즈(86)의 표면상에, 오목 마이크로렌즈(86)의 재료보다 굴절률이 낮은 저굴절률 수지(예컨대, CYTOP)를 코팅하여 오목렌즈 설치층(100)를 형성한다.
다음, 제7d도와 같이, 상기 오목 렌즈 설치층(100)의 표면을 제3실시예의 오버코팅 재료로 사용된 타입의 고굴절률 수지(101)(예컨대, 폴리스티렌)로 오버코팅하여, 오목렌즈 설치층(100)의 단차를 평탄화한다. 그후, 상기 수지(101)상에 골률이 작은 볼록 마이크로렌즈(97)를 형성한다.
상기 오목렌즈 설치층(100)은 상기 볼록 마이크로렌즈(97)를 구성하는 재료보다 굴절률이 낮은 재료로 제조된다.
제4실시예에 의해 제조된 고체촬상장치의 집광동작 개념을 제6a도 내지 c도를 참조하여 설명한다. 제6a도에는 종래예의 집광동작 개념을 도시하였고, 제6b도에는 본 발명의 제1 내지 3 실시예의 집광동작 개념을 도시하였으며, 제 6c도에는 본 발명의 제4실시예의 집광동작 개념을 도시하였다.
제6a도와 같이, 상기 종래에는 에지부 양각이 60°미만으로 정의된 비교적 곡률이 적은 볼록 마이크로렌즈를 구비한다. 이 볼록 마이크로렌즈의 곡률과 유효 초점거리 OF1(점 0에서 F1까지의 거리)은 경우에 따라 다양한 값을 취할 수 있다.
본 발명의 목적은, 전극의 측벽을 포함한 실질적인 조리걔(174)에 의해 입사광이 방해되는 문제점을 극복하는데 있다. 입사광을 방해하는 문제에 대한 기본적인 개선 방향은, 광진행 방향으로 제6a도에 도시된 조리개 위치앞쪽에 입사광을 집광하는 것, 및 상기 입사광의 광속을 상기 조리개 위치로부터 이미지 필드까지 평행화하는데 있다.
고체촬상장치의 마이크로렌즈는 이른바 결상(結像) 광학계의 범주에는 속하지 않는다. 즉, 고체촬상장치의 마이크로렌즈는 마이크로렌즈 표면에 입사하는 방사속(이 방사속의 무리량은 에너지 형태이다)을 손실 없이 광전변환영역으로 유도하기 위해 설치된 특수한 광학계이다.
입사광을 광전변환부로 유도하는 과정에서의 손실을 저감하는 관점에서 보면, 제6a도의 종래에는, 다음 (i) 내지 (iii)의 3가지 결점을 갖는다. 즉, (i)광의 도파설비가 확립되어 있지 않기 때문에, 어떠한 경사입사광이라도 조리개(174)에 의해 손실되고, (ii)초점거리와 밀접한 관계가 있는 영상의 횡배율이 장초점 렌즈계에서는 커지므로, 이미지가 상면(像面) 조리개보다 커지게 되고, 이것은 마이크로렌즈의 중요한 임무인 집광면에서 상당히 비효율적이며; (iii)곡률이 큰 렌즈(렌즈의 에지부의 양각이 60°이상)를 채택할 경우, 렌즈 표면에서의 입사광의 반사는 더 이상 무시할 수 없다.
상기 결정(i)은 본 발명의 제1 및 제2실시예에 의해 개선될 수 있고, 결점(ii)는 제6b도에 도시된 볼록 마이크로렌즈의 곡률을 크게하면 극복될 수 있다.
그러나, 제6b도에 도시된 것과 같이 볼록 마이크로렌즈의 곡률을 증가시키면, 렌즈 표면에서의 반사광에 의해 상당한 손실이 발생하므로, 상기 결점(iii)을 극복할 수는 없다.
따라서, 제6c도에 도시된 제4실시예에 따라 제조된 고체촬상장치에서는, 저굴절률(약1.3)의 재료로 제조된 오목렌즈 설치층(100)을 고굴절률(약1.6)의 재료로 제조된 곡률이 작은 볼록 마이크로렌즈(97)바로 밑에 설치한다. 지지층(101)과 볼록 마이크로렌즈(97)가 함께 볼록 마이크로렌즈를 구성한다.
제6c도에 따르면, 제 6b도에 비교할 수 있는 방사속이 오목렌즈설치층(100)의 표면에서 굴절되어 오목 마이크로렌즈(86)가 없을 경우의 가상의 초점 F에 초점이 맞춰지는 광하계로 된다. 즉, 제6c도의 구조에서는 볼록 마이크로렌즈의 최상부 표면의 곡률은 제6b도의 구조에 비해 작지만 제6b도의 구조와 광학적으로 동등한 집광특성을 갖도록 된 것이다. 그 이유는, 제6c도의 주변광선이 가상초점 F에 대해 이루는 각도θ 가 제6b도의 주변광선이 가상초점 F에 대해 이루는 각도θ와 동일하기 때문이다.
이와 같은 제6c도의 구조에 따르면, 제6b도의 구조에 비해 볼록 마이크로렌즈의 표면에서의 반사를 낮출 수 있고, 또한 제6b도의 구조와 동등한 집광특성을 실현할 수 있다.
이상의 설명에서 분명히 알 수 있겠지만, 본 발명의 고체촬상장치는, 광전변환부와 볼록 마이크로렌즈 사이에 형성되어 상기 볼록 마이크로렌즈를 지지하는 지지층 및 상기 지지층의 바로 밑에 놓여 볼록 마이크로렌즈와 지지층의 재료보다 굴절률이 높은 재료로 제조된 오목 마이크로렌즈층을 구비한다.
따라서, 본 발명의 고체촬상장치는, 상기 오목 마이크로렌즈층이 상기 볼록 마이크로렌즈에 집광된 광을 상기 광전변환부로 수직입사광에 가깝게 평행화하여 입사시키도록 설계되었다.
상기 집광된 광을 평행화하면, 광전변환부상의 광전변환부와 대향하는 공간을 둘러싸는 조리개에 집광된 광이 충돌하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에 감도가 향상된다.
또, 상기 집광된 광을 평행화하면, 집광된 광이 이루는 광속이 상기 광진변환부로 입사하는 면적을 증가시킬 수 있다. 이렇게 되면, 광전변환부의 유효 이용면적이 증가하여, 감도가 향상된다.
또, 본 발명에 따른 고체촬상소자에서는, 오목 마이크로렌즈층이 볼록 마이크로렌즈에 의해 집광된 광선을 광전변환부상으로 수직 입사광에 가깝게 평행화하여 입사시키도록 설계되었다.
상기 볼록 마이크로렌즈를 구성하는 재료의 굴절률이 상기 오목렌즈 설치층을 구성하는 재료의 굴절률보다 높으므로, 상기 볼록 마이크로렌즈에서 집광된 광속이 상기 오목렌즈 설치층에 의해 확산되는 경우가 없다. 이 때문에, 집광특성의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 지지층 바로 아래에 제공되는 오목 렌즈 설치층이 지지층에 비해 굴절률이 낮은 재료로 구성되기 때문에, 초점거리를 증가시키지 않고도, 볼록 마이크로렌즈의 곡률을 오목렌즈 설치층이 없는 경우보다 작게 할 수 있다. 따라서, 볼록 마이크로렌즈 표면에서의 입사광의 반사를 방지할 수 있다.
본 발명의 고체촬상장치의 제조방법에 따르면, 격자형 패턴층을 열용융하여 오목 마이크로렌즈로 형성한 뒤, 오목 마이크로렌즈를 에칭하여 상기 오목 마이크로렌즈의 형태가 오목 마이크로렌즈층의 제공을 위한 평탄층에 전사되게 한다. 본 발명의 고체촬상장치는 이렇게 제조된다.
이 방법에 따르면, 격자형 패턴층을 열용융하여 그 격자형 패턴층을 오목 마이크로랜즈층으로 형성함으로써, 고체촬상장치를 형성한다.
또한, 상기 방법에서, 격자형 패턴층의 위에 투명수지로 된 오버코팅층이 형성되어, 이 오버코팅층이 오목 마이크로렌즈층으로 작용할 수 있다. 따라서, 격자형 패턴층을 열용융하지 않고도 오목 마이크로렌즈층을 제작할 수 있다. 이 때문에 재현성이 양호한 오목 마이크로렌즈층을 형성할 수 있다.
이상에서 알 수 있듯이, 본 발명의 고체촬상장치는 광전변환부 바로 위에 콜리메이터(collimator)가 장치되어 있기 때문에, 제8d도 및 e도와 같이, 입사광속을 효율적으로 광전변환할 수 있고, 스미어의 원인이 될 수 있는 광전변환부로 경사입사광을 억제할 수 있다. 또한, 제9b도와 같이, 경사입사광의 침입을 방지함으로써, 전체적인 감도의 향상과 스미어의 억제를 동시에 실현할 수 있다.
또한, 곡률을 낮춘 가장 바같쪽의 볼록 마이크로렌즈와 저굴절률의 오목 렌즈 설치층을 조합하여, 집광특성을 손상시키지 않고 표면의 광반사를 억제할 수 있다.

Claims (12)

  1. 광전변환부를 포함하는 복수의 화소: 상기광전변환부 위에 배치된 볼록 마이크로렌즈: 상기 광전변환부와 상기 볼록 마이크로렌즈 사이에 형성되어 상기 볼록 마이크로렌즈를 지지하는 지지층: 상기 지지층과 광전변환부 사이에 배치되고 상기 지지층을 구성하는 재료보다 굴절률이 높은 재료로 형성된 오목 마이크로렌즈층: 및 상기 오목 마이크로렌즈층과 지지층 사이에 배치되어 상기 지지층을 지지하는 오목렌즈 설치층을 포함하는 고체촬상장치에 있어서, 상기 볼록 마이크로렌즈의 재료, 상기 지지층의 재료 및 상기 오목 마이크로렌즈층의 재료 모두 상기 오목렌즈 설치층의 재료보다 굴절률이 높도록 설계된 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 광전변환부상에, 오목 마이크로렌즈층, 지지층 및 볼록 마이크로렌즈를 순차형성하는 고체촬상장치의 제조방법에 있어서; 상기 광전변환부상에, 상기 볼록 마이크로렌즈를 구성하는 재료와 상기 지지층을 구성하는 재료보다 굴절률이 높은 투명한 재료의 층을 형성하는 단계; 상기 투명한 재료의 층의 표면상에, 상기 광전변환부에 대향하는 관통 구멍을 갖는 감광성 수지 재료의 격자형 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 격자형 레지스트 패턴을 오목 마이크로렌즈 형상을 갖는 레지스트층으로 변환하도록 열용융하는 단계 ; 및 상기 레지스트층을 에칭하여, 이 레지스트층의 오목 마이크로렌즈형상을 상기 레지스트층 밑의 상기 투명한 재료의 층에 전사함으로써, 상기 투명한 재료의 층을 상기 오목 마이크로렌즈층으로 변환하는 단계를 포함하는 고체촬상장치의 제조방법.
  3. 광전변환부상에, 오목 마이크로렌즈층, 지지층 및 볼록 마이크로렌즈를 순차형성하는 고체촬상장치의 제조방법에 있어서; 상기 지지층의 구성 재료보다 광투과율과 굴절률이 높은 감광성수지로 형성되어 상기 광전변환부에 대향하는 관통 구멍을 갖는 격자형 패턴층을 상기 광전변환부상에 형성하는 단계; 및 상기 격자형 패턴층을 열용융하여, 이 격자형 패턴층을 오목 마이크로렌즈층으로 변환하는 단계를 포함하는 고체촬상장치의 제조방법.
  4. 광전변환부상에, 오목 마이크로렌즈층, 지지층 및 볼록 마이크로렌즈를 순차형성하는 고체촬상장치의 제조방법에 있어서; 감광성수지 재료를 격자형으로 패턴화하고 경화시켜, 상기 광전변환부에 대향하는 관통 구멍을 갖는 격자형 패턴층을 광전변환부상에 형성하는 단계: 및 상기 격자형 패턴층상에 투명수지로 된 오버코팅층을 형성하여 그 오버 코팅층을 상기 오목 마이크로렌즈층으로 되게 하는 단계; 를 포함하는 고체촬상장치의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 에칭 단계가 드라이 예칭 단계인 고체촬상장치의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 투명 수지로 된 상기 오버코팅층이 플리스티렌과 동일한 굴절율을 갖는 고체촬상장치의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 오목 마이크로렌즈층보다 굴절율이 낮은 수지로 된 다른 오버코팅층을 추가하는 단계를 더 포함하는 고체촬상장치의 제조 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 오목 마이크로렌즈층의 형성은 상기 격자형 패턴층의 레지스트 패턴의 선폭을 조정함에 의해 제어되는 고체촬상장치의 제조 방법.
  9. 상기 광전변환부상에, 오목 마이크로렌즈층, 지지층 및 볼록 마이크로렌즈를 순차 형성하는 고체촬상장치의 제조 방법에 있어서, 상기 광전변환부상에 오목 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 상기 오목 마이크로렌즈상에 레지스트를 퇴적하는 단계; 상기 광전변환부에 대향하는 구멍 부분을 둘러싸는 격자형 패턴을 형성하도록 포토리소그라피법에 의해 레지스트를 노광하는 단계; 상기 레지스트를 경화시키는 단계; 및 상기 경화 단계후에 상기 레지스트 및 오목 마이크로렌즈를 수지로써 오버코팅하여 오목 렌즈 설치층을 형성하는 단계를 포함하는 고체촬상장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 오목 렌즈 설치층상에 상기 수지보다 굴절율이 큰 다른 오버코팅 수지층을 제공하는 단계를 더 포함하는 고체촬상장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 오버코팅 수지는 폴리스티랜과 동일한 굴절율을 갖는 고체촬상장치의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 수지는 오목 마이크로렌즈보다 낮은 굴절율을 갖는 고체촬상장치의 제조 방법.
KR1019940025246A 1993-09-28 1994-09-28 고체촬상장치 및 그 제조방법 KR0184687B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5241030A JP2950714B2 (ja) 1993-09-28 1993-09-28 固体撮像装置およびその製造方法
JP93-241030 1993-09-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR0184687B1 true KR0184687B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=17068286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940025246A KR0184687B1 (ko) 1993-09-28 1994-09-28 고체촬상장치 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5593913A (ko)
JP (1) JP2950714B2 (ko)
KR (1) KR0184687B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030038838A (ko) * 2001-11-06 2003-05-17 주식회사 하이닉스반도체 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100413404B1 (ko) * 1997-03-27 2004-02-14 가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이 액정표시장치및그제조방법
KR100749251B1 (ko) * 2001-12-29 2007-08-13 매그나칩 반도체 유한회사 감도를 개선시키기 위한 보호막을 갖는 이미지센서

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5933276A (en) * 1994-04-13 1999-08-03 Board Of Trustees, University Of Arkansas, N.A. Aberration-free directional image window sheet
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JP3355874B2 (ja) * 1995-06-26 2002-12-09 ソニー株式会社 オンチップレンズの製造方法
JPH0964325A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Sony Corp 固体撮像素子とその製造方法
US6211916B1 (en) * 1996-03-11 2001-04-03 Eastman Kodak Company Solid state imager with inorganic lens array
US5824236A (en) * 1996-03-11 1998-10-20 Eastman Kodak Company Method for forming inorganic lens array for solid state imager
JP2821421B2 (ja) * 1996-05-21 1998-11-05 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP2917920B2 (ja) * 1996-06-27 1999-07-12 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR100223853B1 (ko) * 1996-08-26 1999-10-15 구본준 고체촬상소자의 구조 및 제조방법
WO1998019105A1 (fr) * 1996-10-25 1998-05-07 Omron Corporation Source lumineuse de surface et affichage a cristaux liquides, telephone portable et terminal d'informations mettant en oeuvre cette source lumineuse de surface
JP3680512B2 (ja) * 1997-01-09 2005-08-10 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP3547280B2 (ja) * 1997-02-25 2004-07-28 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JPH10270672A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sony Corp 固体撮像素子
JPH1168074A (ja) * 1997-08-13 1999-03-09 Sony Corp 固体撮像素子
JP3620237B2 (ja) * 1997-09-29 2005-02-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP3180748B2 (ja) 1997-12-11 2001-06-25 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP3571909B2 (ja) * 1998-03-19 2004-09-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JPH11284158A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Sony Corp 固体撮像素子と固体撮像素子の製造方法
JP4232213B2 (ja) * 1998-04-15 2009-03-04 ソニー株式会社 固体撮像素子
TW396645B (en) * 1998-06-16 2000-07-01 United Microelectronics Corp Manufacturing method of CMOS sensor devices
KR20000003501A (ko) * 1998-06-29 2000-01-15 김영환 마이크로 오목렌즈를 갖는 이미지센서 및 그 제조방법
KR100670093B1 (ko) 1998-07-02 2007-01-17 가부시키가이샤 사기노미야세이사쿠쇼 유로전환밸브와 그 전환구동방법，유로전환밸브부착압축기 및 냉동사이클 제어장치
KR100303774B1 (ko) * 1998-12-30 2001-11-15 박종섭 개선된 광감도를 갖는 씨모스이미지센서 제조방법
US6583438B1 (en) 1999-04-12 2003-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
US6307243B1 (en) * 1999-07-19 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Microlens array with improved fill factor
US6541749B1 (en) * 1999-10-29 2003-04-01 United Microelectronics Corp. Photodetector pixel cell
FR2803395A1 (fr) * 1999-12-30 2001-07-06 Commissariat Energie Atomique Microsysteme optique solide a face plane et procede de realisation d'un tel microsysteme
JP2002064193A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Sony Corp 固体撮像装置および製造方法
KR100477784B1 (ko) * 2000-08-31 2005-03-22 매그나칩 반도체 유한회사 트렌치 내부의 공기로 이루어지는 집광층을 구비하는이미지 센서 및 그 제조 방법
JP4686864B2 (ja) * 2001-01-30 2011-05-25 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US6482669B1 (en) 2001-05-30 2002-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Colors only process to reduce package yield loss
US6950242B2 (en) * 2001-07-20 2005-09-27 Michel Sayag Design and fabrication process for a lens system optically coupled to an image-capture device
JP4312596B2 (ja) * 2001-07-20 2009-08-12 ミシェル・サヤグ 画像キャプチャデバイスに光学的に結合されたレンズシステム
KR100399971B1 (ko) * 2001-11-06 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2003197897A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Fuji Film Microdevices Co Ltd 半導体光電変換装置
JP3789365B2 (ja) * 2002-01-31 2006-06-21 シャープ株式会社 層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法
JP2003264284A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
US6737719B1 (en) * 2002-10-25 2004-05-18 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having combination color filter and concave-shaped micro-lenses
US20040192876A1 (en) * 2002-11-18 2004-09-30 Nigel Hacker Novolac polymer planarization films with high temparature stability
JP2004200965A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュール及びその製造方法
JP2004253573A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
US6803250B1 (en) * 2003-04-24 2004-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Image sensor with complementary concave and convex lens layers and method for fabrication thereof
KR101020164B1 (ko) * 2003-07-17 2011-03-08 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 진보된 마이크로전자적 응용을 위한 평탄화 막, 및 이를제조하기 위한 장치 및 방법
JP4499385B2 (ja) * 2003-07-29 2010-07-07 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型光検出素子及び裏面入射型光検出素子の製造方法
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
FR2862426B1 (fr) * 2003-11-17 2006-03-03 St Microelectronics Sa Capteur d'image
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7535649B2 (en) * 2004-03-09 2009-05-19 Tang Yin S Motionless lens systems and methods
US20050224694A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. High efficiency microlens array
CN1300857C (zh) * 2004-04-14 2007-02-14 中华电信股份有限公司 一种微光学透镜的制造方法
US8092734B2 (en) * 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
US7280278B2 (en) * 2004-06-02 2007-10-09 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for manufacturing positive or negative microlenses
US20050275750A1 (en) 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US7498647B2 (en) * 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7232754B2 (en) * 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
JP4609985B2 (ja) * 2004-06-30 2011-01-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体チップおよびその製造方法ならびに半導体装置
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060023107A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Bolken Todd O Microelectronic imagers with optics supports having threadless interfaces and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7364934B2 (en) 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7429494B2 (en) * 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7425499B2 (en) * 2004-08-24 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7276393B2 (en) * 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20070148807A1 (en) * 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
JP4761740B2 (ja) * 2004-08-31 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 マイクロレンズの形成方法
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) * 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
KR100577430B1 (ko) 2004-09-03 2006-05-08 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR100642764B1 (ko) * 2004-09-08 2006-11-10 삼성전자주식회사 이미지 소자 및 그 제조 방법
US20060057765A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor including multiple lenses and method of manufacture thereof
US7029944B1 (en) * 2004-09-30 2006-04-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of forming a microlens array over a substrate employing a CMP stop
JP4822683B2 (ja) * 2004-10-08 2011-11-24 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US7592645B2 (en) 2004-12-08 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method for producing photoelectric conversion device
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
KR100640958B1 (ko) * 2004-12-30 2006-11-02 동부일렉트로닉스 주식회사 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP4843951B2 (ja) * 2005-01-27 2011-12-21 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置およびカメラ
US20060169870A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-03 Silsby Christopher D Image sensor with embedded optical element
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060177999A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7264976B2 (en) * 2005-02-23 2007-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Advance ridge structure for microlens gapless approach
US20060198008A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Micron Technology, Inc. Formation of micro lens by using flowable oxide deposition
US20060290001A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Interconnect vias and associated methods of formation
US7795134B2 (en) * 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
JP4469781B2 (ja) * 2005-07-20 2010-05-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US7262134B2 (en) * 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7622377B2 (en) * 2005-09-01 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
US7999291B2 (en) * 2005-09-05 2011-08-16 Sony Corporation Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device
US20070139792A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Michel Sayag Adjustable apodized lens aperture
JP2007180157A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Fujifilm Corp 固体撮像素子
JP2007208059A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujifilm Corp マイクロレンズ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子およびその製造方法
JP4705499B2 (ja) * 2006-03-27 2011-06-22 パナソニック株式会社 オンチップレンズの形成方法および固体撮像装置の製造方法
KR100826452B1 (ko) * 2006-12-18 2008-04-29 삼성전기주식회사 광학 부품 및 그 제조방법
US8395686B2 (en) * 2007-12-06 2013-03-12 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera
US8003428B2 (en) * 2008-03-27 2011-08-23 International Business Machines Corporation Method of forming an inverted lens in a semiconductor structure
JP5086877B2 (ja) * 2008-04-11 2012-11-28 シャープ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
US7710667B2 (en) * 2008-06-25 2010-05-04 Aptina Imaging Corp. Imaging module with symmetrical lens system and method of manufacture
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
CN101872033B (zh) * 2009-04-24 2014-04-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 遮光片阵列、遮光片阵列制造方法及镜头模组阵列
JP5568934B2 (ja) * 2009-09-29 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器、レンズアレイ
JP2012204354A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
US8716823B2 (en) * 2011-11-08 2014-05-06 Aptina Imaging Corporation Backside image sensor pixel with silicon microlenses and metal reflector
JP2013149758A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Canon Inc 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ
JP2014207253A (ja) * 2012-04-17 2014-10-30 キヤノン株式会社 イメージセンサおよび撮像装置
JP2014011304A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2014093482A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置
US8921964B1 (en) 2013-08-22 2014-12-30 Arecont Vision, Llc. Dual layer pixel lens for low light cameras
WO2016009693A1 (ja) * 2014-07-17 2016-01-21 ソニー株式会社 光電変換素子、撮像装置、光センサ及び光電変換素子の製造方法
WO2016185902A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 ソニー株式会社 撮像装置、撮像方法、並びにプログラム
WO2016194405A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 シチズン電子株式会社 発光装置およびその製造方法
CN106601765B (zh) * 2016-12-16 2018-05-08 深圳市华海技术有限公司 黑白cmos图像传感器及提高其感光度的制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4667092A (en) * 1982-12-28 1987-05-19 Nec Corporation Solid-state image device with resin lens and resin contact layer
US4694185A (en) * 1986-04-18 1987-09-15 Eastman Kodak Company Light sensing devices with lenticular pixels
JPH02103962A (ja) * 1988-10-13 1990-04-17 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JPH02280376A (ja) * 1989-04-20 1990-11-16 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置
WO1991004505A1 (fr) * 1989-09-18 1991-04-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Procede de production d'un filtre de couleur et reserve pour film d'ecran antilumiere utilise par ce procede
US5239412A (en) * 1990-02-05 1993-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Solid image pickup device having microlenses
US5118924A (en) * 1990-10-01 1992-06-02 Eastman Kodak Company Static control overlayers on opto-electronic devices
KR960000223B1 (ko) * 1990-11-16 1996-01-03 가부시키가이샤 도시바 고체촬상장치 및 그 제조방법
JP2558389B2 (ja) * 1990-11-29 1996-11-27 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
KR920013734A (ko) * 1990-12-31 1992-07-29 김광호 칼라필터의 제조방법
JP3200856B2 (ja) * 1991-02-12 2001-08-20 ソニー株式会社 固体撮像装置
JPH04278582A (ja) * 1991-03-06 1992-10-05 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JPH04334056A (ja) * 1991-05-09 1992-11-20 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH0521768A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Sharp Corp 固体撮像素子
JPH05134111A (ja) * 1991-11-15 1993-05-28 Sharp Corp 固体撮像装置
JP2833941B2 (ja) * 1992-10-09 1998-12-09 三菱電機株式会社 固体撮像装置とその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413404B1 (ko) * 1997-03-27 2004-02-14 가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이 액정표시장치및그제조방법
KR20030038838A (ko) * 2001-11-06 2003-05-17 주식회사 하이닉스반도체 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100749251B1 (ko) * 2001-12-29 2007-08-13 매그나칩 반도체 유한회사 감도를 개선시키기 위한 보호막을 갖는 이미지센서

Also Published As

Publication number Publication date
JP2950714B2 (ja) 1999-09-20
JPH0799296A (ja) 1995-04-11
US5691548A (en) 1997-11-25
US5593913A (en) 1997-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0184687B1 (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
KR100590124B1 (ko) 고체촬상소자
JP2833941B2 (ja) 固体撮像装置とその製造方法
KR960000223B1 (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
JP5095100B2 (ja) イメージセンサのマイクロレンズ及びその形成方法
US5514888A (en) On-chip screen type solid state image sensor and manufacturing method thereof
US7777260B2 (en) Solid-state imaging device
US6940654B1 (en) Lens array and method of making same
KR970002120B1 (ko) 고체영상픽업장치
US5734190A (en) Imager having a plurality of cylindrical lenses
US5711890A (en) Method for forming cylindrical lens arrays for solid state imager
US20050139750A1 (en) Internal structure of image sensing element
KR20100057695A (ko) 광전 변환 장치 및 촬상 시스템
JPH0964325A (ja) 固体撮像素子とその製造方法
US7884397B2 (en) Solid-state image sensor and method for producing the same
JP2742185B2 (ja) 固体撮像装置
JP3693162B2 (ja) 固体撮像装置
JPH1093060A (ja) 固体撮像素子の構造及び製造方法
JP2002359363A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JPH0750401A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP3538382B2 (ja) 光電性デバイス用超小型コレクタ
JP2000357786A (ja) 固体撮像装置
JPH05283661A (ja) 固体撮像装置
JP2001044401A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JPH0945884A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
B90T Transfer of trial file for re-examination
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111202

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee