JP3538382B2 - 光電性デバイス用超小型コレクタ - Google Patents
光電性デバイス用超小型コレクタInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に、入射放射線
をその放射線の強度の電気信号表現に変換するために使
用できる超小型電子光電性デバイス（microelectronic
photosensitive devices）に関する。このようなデバイ
スは、デジタルカメラや他のデバイスといったデジタル
結像デバイスの結像配列（array）を形成するために使
用できる。
をその放射線の強度の電気信号表現に変換するために使
用できる超小型電子光電性デバイス（microelectronic
photosensitive devices）に関する。このようなデバイ
スは、デジタルカメラや他のデバイスといったデジタル
結像デバイスの結像配列（array）を形成するために使
用できる。
【０００２】
【従来の技術】光電性デバイスは、集積回路技術を使用
して光電性検出器の配列を生み出すために形成されてよ
い。この配列は入射放射線を表す信号を作り出す。これ
らの信号は目標イメージのデジタル表現を形成するため
にデジタル化されてよい。センサの配列を形成するため
にマイクロエレクトロニクス技術を使用することによっ
て、比較的小さなサイズの検出配列（検出アレイ）が生
成できる。それぞれ検出器は比較的小さな電力を使用
し、入射放射線に対して比較的敏感かもしれない。
して光電性検出器の配列を生み出すために形成されてよ
い。この配列は入射放射線を表す信号を作り出す。これ
らの信号は目標イメージのデジタル表現を形成するため
にデジタル化されてよい。センサの配列を形成するため
にマイクロエレクトロニクス技術を使用することによっ
て、比較的小さなサイズの検出配列（検出アレイ）が生
成できる。それぞれ検出器は比較的小さな電力を使用
し、入射放射線に対して比較的敏感かもしれない。
【０００３】一部の実施態様では、相補型金属酸化物半
導体（ＣＭＯＳ）技術が結像配列（結像アレイ）を形成
するために形成されてよい。これらの配列は、能動ピク
セルセンサ（ＡＰＳ（active pixel sensors））または
受動ピクセルセンサ（ＰＰＳ（passive pixel sensor
s））から形成されてよい。さらに、電荷結合デバイス
（ＣＣＤ（charge coupled device））技術が結像配列
を形成するために使用されてよい。
導体（ＣＭＯＳ）技術が結像配列（結像アレイ）を形成
するために形成されてよい。これらの配列は、能動ピク
セルセンサ（ＡＰＳ（active pixel sensors））または
受動ピクセルセンサ（ＰＰＳ（passive pixel sensor
s））から形成されてよい。さらに、電荷結合デバイス
（ＣＣＤ（charge coupled device））技術が結像配列
を形成するために使用されてよい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光電性デバイスはサイ
ズがより小さくなると、それらが集める光量であるフィ
ルファクタは、他の補正処置がなければ結果的に減少す
る。従って、一部の実施態様では、超小型レンズが、特
定の光検出器よりも大きな領域から光を集めて、その光
検出器にその入射光を集中（フォーカス）させるために
使用されてよい。一般に、その超小型レンズは入射光を
回折させ、それ故に光電性デバイスに当たる光に逆影響
を与えるかも知れない。
ズがより小さくなると、それらが集める光量であるフィ
ルファクタは、他の補正処置がなければ結果的に減少す
る。従って、一部の実施態様では、超小型レンズが、特
定の光検出器よりも大きな領域から光を集めて、その光
検出器にその入射光を集中（フォーカス）させるために
使用されてよい。一般に、その超小型レンズは入射光を
回折させ、それ故に光電性デバイスに当たる光に逆影響
を与えるかも知れない。
【０００５】それ故に、入射光を集めて、結像配列を形
成する光検出器に可能な限りの量の光を集中（フォーカ
ス）させるための改良された方法が継続的に必要とされ
ている。
成する光検出器に可能な限りの量の光を集中（フォーカ
ス）させるための改良された方法が継続的に必要とされ
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明が提供する超小型
電子光電性デバイスは半導体構造（semiconductor stru
cture）を含む。光電性素子はその半導体構造上に形成
される。反射面が、入射光を前記光電性素子に向けて反
射するように前記半導体構造上に形成される。
電子光電性デバイスは半導体構造（semiconductor stru
cture）を含む。光電性素子はその半導体構造上に形成
される。反射面が、入射光を前記光電性素子に向けて反
射するように前記半導体構造上に形成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１を参照して説明すると、超小
型電子光電性デバイス１０は従来の半導体製造技術を使
用して製造されてよい。デバイス１０は、例えば、ＣＭ
ＯＳ集積回路素子あるいはＣＣＤデバイスであってよ
い。デバイス１０は、カラーフィルタ配列（アレイ）１
６、二酸化シリコン層１８及び光電性デバイス２０を含
む半導体構造１４上に形成されてよい。半導体構造１４
の最上部には、三角形状またはくさび形状であるとして
図示されている反射面のパタン１２が形成されてよい。
型電子光電性デバイス１０は従来の半導体製造技術を使
用して製造されてよい。デバイス１０は、例えば、ＣＭ
ＯＳ集積回路素子あるいはＣＣＤデバイスであってよ
い。デバイス１０は、カラーフィルタ配列（アレイ）１
６、二酸化シリコン層１８及び光電性デバイス２０を含
む半導体構造１４上に形成されてよい。半導体構造１４
の最上部には、三角形状またはくさび形状であるとして
図示されている反射面のパタン１２が形成されてよい。
【０００８】反射面１２は、矢印「Ｒ」で示されるよう
に入射光「Ｌ」を光電性デバイス２０に向けて反射する
ように構成される。反射面を光電性デバイス２０の少な
くとも一つのサイドに配置させることによって、そうで
なければ光電性デバイスに向かわなかったであろう入射
光は反射されて光電性デバイス２０によって受け取ら
れ、その結果、フィルファクタが増大する。
に入射光「Ｌ」を光電性デバイス２０に向けて反射する
ように構成される。反射面を光電性デバイス２０の少な
くとも一つのサイドに配置させることによって、そうで
なければ光電性デバイスに向かわなかったであろう入射
光は反射されて光電性デバイス２０によって受け取ら
れ、その結果、フィルファクタが増大する。
【０００９】反射面１２の正確な角度は、反射面１２に
関する光電性デバイスの特定の構成による反射特性を最
大化するように決定されてよい。しかしながら、一般に
は、反射面１２の縦横比は約２：１になるようにすると
有利であろう。このようにして、反射面１２は、光電性
デバイスの光応答不均一性（ＰＲＮＵ（photo response
non-uniformity））に逆影響を与える必要はない。
関する光電性デバイスの特定の構成による反射特性を最
大化するように決定されてよい。しかしながら、一般に
は、反射面１２の縦横比は約２：１になるようにすると
有利であろう。このようにして、反射面１２は、光電性
デバイスの光応答不均一性（ＰＲＮＵ（photo response
non-uniformity））に逆影響を与える必要はない。
【００１０】図２を参照して説明すると、反射面１２
は、光電性デバイス２０を含む活性領域（active are
a）２２を全体的に取り囲むくさび形状の行列のパタン
に配置されてよい。このようにして、活性領域２２は各
光電性デバイスに対して確定されてよい。図２には反射
面１２の直交パタンが示されているが、反射面１２は、
比較的円形の配置が各光電性デバイス２０の周囲に与え
られるように湾曲されてよい。
は、光電性デバイス２０を含む活性領域（active are
a）２２を全体的に取り囲むくさび形状の行列のパタン
に配置されてよい。このようにして、活性領域２２は各
光電性デバイスに対して確定されてよい。図２には反射
面１２の直交パタンが示されているが、反射面１２は、
比較的円形の配置が各光電性デバイス２０の周囲に与え
られるように湾曲されてよい。
【００１１】代わりに、図６に示されているように、一
つ以上の分離した反射面１２ａが活性領域２２ａに隣接
して配置されてよい。反射面１２ａは半導体構造１４の
非光電性部分に重なるように配置されてよい。例えば、
これらの非光電性領域は光電性デバイスの配列のための
読出し回路２３を含んでよい。
つ以上の分離した反射面１２ａが活性領域２２ａに隣接
して配置されてよい。反射面１２ａは半導体構造１４の
非光電性部分に重なるように配置されてよい。例えば、
これらの非光電性領域は光電性デバイスの配列のための
読出し回路２３を含んでよい。
【００１２】次に図３を参照して説明すると、そこに示
された実施態様は図１の実施態様に類似しており、半導
体構造１４上に反射面１２と、そして光電性デバイス２
０を含む。しかしながら、図３では、超小型レンズ２４
が半導体構造１４上に形成されている。結果として、反
射面１２から反射された光は次いで図に示されているよ
うに光電性デバイス２０に向けて超小型レンズ２４によ
って回折されてよい。このようにして、反射面１２と超
小型レンズ２４は協働して光電性デバイス２０のフィル
ファクタを改善する。ピクセルのサイズがより小さくな
ると、この反射性超小型構造はその集光効率の増大にお
いてより有効になる。
された実施態様は図１の実施態様に類似しており、半導
体構造１４上に反射面１２と、そして光電性デバイス２
０を含む。しかしながら、図３では、超小型レンズ２４
が半導体構造１４上に形成されている。結果として、反
射面１２から反射された光は次いで図に示されているよ
うに光電性デバイス２０に向けて超小型レンズ２４によ
って回折されてよい。このようにして、反射面１２と超
小型レンズ２４は協働して光電性デバイス２０のフィル
ファクタを改善する。ピクセルのサイズがより小さくな
ると、この反射性超小型構造はその集光効率の増大にお
いてより有効になる。
【００１３】有利には、反射面１２は混成ゾル・ゲルガ
ラスによって形成されてよい。混成ゾル・ゲルガラスは
低温形成プロセスを使用して形成されてよい。このよう
に、このガラスはフォトレジストの形成と関連して利用
される技術と両立し得る技術を使用して形成されてよ
い。すなわち、ＵＶ光がゾル・ゲル材料の一部を照射し
て、残りの部分が取り除かれるようにその材料を現像す
るために使用されてよい。
ラスによって形成されてよい。混成ゾル・ゲルガラスは
低温形成プロセスを使用して形成されてよい。このよう
に、このガラスはフォトレジストの形成と関連して利用
される技術と両立し得る技術を使用して形成されてよ
い。すなわち、ＵＶ光がゾル・ゲル材料の一部を照射し
て、残りの部分が取り除かれるようにその材料を現像す
るために使用されてよい。
【００１４】ゾル・ゲルガラスは、例えば、エチル基を
持つオルトシリケート（ＴＥＯＳ（tetraethylorthosil
icate））及び／又はテトラメチルオルトシリケート
（ＴＭＯＳ（tetramethylorthosilicate））の加水分解
によって形成されてよい。加水分解の後、これらの材料
は重縮合（polycondensation）におけるオキソレーショ
ン（oxolation）または酸素架橋（oxygen bridge forma
tion）を受けさせられてよい。結果として生じる物質
は、膨張して重合化したネットワークを形成した溶剤で
あるシリコン酸化物の合成物である。もし光開始剤（ph
otoinitiator）がその合成物に含まれるならば、材料は
従来のフォトレジストパタニング技術を使用して形作ら
れてよい。
持つオルトシリケート（ＴＥＯＳ（tetraethylorthosil
icate））及び／又はテトラメチルオルトシリケート
（ＴＭＯＳ（tetramethylorthosilicate））の加水分解
によって形成されてよい。加水分解の後、これらの材料
は重縮合（polycondensation）におけるオキソレーショ
ン（oxolation）または酸素架橋（oxygen bridge forma
tion）を受けさせられてよい。結果として生じる物質
は、膨張して重合化したネットワークを形成した溶剤で
あるシリコン酸化物の合成物である。もし光開始剤（ph
otoinitiator）がその合成物に含まれるならば、材料は
従来のフォトレジストパタニング技術を使用して形作ら
れてよい。
【００１５】一実施態様によれば、ゾル・ゲル混成ガラ
スは、水が存在する中でメタクリル酸塩グループ置換シ
ラン（methacrylate group substituted silane）の加
水分解重縮合によって用意できる。メチルアルキルオキ
シプロピルトリメソキシラン（methylacryloxypropyl t
rimethoxysilane）あるいはグリサイドオキシプロピル
トリメチルシラン（glysidoxypropyltrimethylsilane）
の前駆物質材料が希釈酸性溶液（diluted acid solutio
n）または基礎水溶液（base water solution）と、例え
ばそれぞれ１：２のモル比で、数時間、反応することが
許されるゲル合成が起きる。
スは、水が存在する中でメタクリル酸塩グループ置換シ
ラン（methacrylate group substituted silane）の加
水分解重縮合によって用意できる。メチルアルキルオキ
シプロピルトリメソキシラン（methylacryloxypropyl t
rimethoxysilane）あるいはグリサイドオキシプロピル
トリメチルシラン（glysidoxypropyltrimethylsilane）
の前駆物質材料が希釈酸性溶液（diluted acid solutio
n）または基礎水溶液（base water solution）と、例え
ばそれぞれ１：２のモル比で、数時間、反応することが
許されるゲル合成が起きる。
【００１６】スピン被覆の前に、適切量の１ヒドロキシ
キクロヘキシルフェニルケトン（1hydroxycyclohexyl p
henyl ketone）が、不飽和ガラス混成重合体の重合を開
始するために光開始剤として加えられてよい。
キクロヘキシルフェニルケトン（1hydroxycyclohexyl p
henyl ketone）が、不飽和ガラス混成重合体の重合を開
始するために光開始剤として加えられてよい。
【００１７】ゲルは、集まった重合体粒子を取り去っ
て、良い表面品質のフィルムを形成するために、０．１
ミリのフィルタによって濾過されてよい。次いでフィル
ムは、ＣＦＡを形成するために使用される先に製造され
たカラーフィルタ重合体の最上部または他の基板上に堆
積され、１５分の間だけ６０℃で事前焼きされてよい。
結果として生まれるフィルムの層厚は、スピニング速度
を変化させること、そしてメタノール（methanol）、エ
タノール（ethanol）あるいはキシレン（xylene）とい
った溶剤を使用することによって調整可能である。
て、良い表面品質のフィルムを形成するために、０．１
ミリのフィルタによって濾過されてよい。次いでフィル
ムは、ＣＦＡを形成するために使用される先に製造され
たカラーフィルタ重合体の最上部または他の基板上に堆
積され、１５分の間だけ６０℃で事前焼きされてよい。
結果として生まれるフィルムの層厚は、スピニング速度
を変化させること、そしてメタノール（methanol）、エ
タノール（ethanol）あるいはキシレン（xylene）とい
った溶剤を使用することによって調整可能である。
【００１８】次に図４を参照して説明すると、反射面１
２はフォトリソグラフィ型技術を使用して形成されてよ
い。図４で文字「Ｕ」によって示されたＵＶ光を通すた
めの透過領域を持つ石英あるいはガラスのマスク２６が
形成されてよい。光は下に横たわるゾル・ゲル層２８内
の領域３０を照射する。層２８は半導体構造２５上に置
かれる。領域３０を紫外光に過度露出させることによっ
て、三角形が結果として生じる。パタン化されたガラス
は、ゾル・ゲルの照射されていない部分を取り除くため
にイソプロパノール内でそのゾル・ゲルを現像すること
により得られる。これにより図５に示されているような
頂上が鋭くない反射面１２が形成できる。パターニング
の後、ゾル・ゲルは、ガラスを固くするために１０分か
ら６０分の間、１００℃から２００℃で事後焼きされて
よい。
２はフォトリソグラフィ型技術を使用して形成されてよ
い。図４で文字「Ｕ」によって示されたＵＶ光を通すた
めの透過領域を持つ石英あるいはガラスのマスク２６が
形成されてよい。光は下に横たわるゾル・ゲル層２８内
の領域３０を照射する。層２８は半導体構造２５上に置
かれる。領域３０を紫外光に過度露出させることによっ
て、三角形が結果として生じる。パタン化されたガラス
は、ゾル・ゲルの照射されていない部分を取り除くため
にイソプロパノール内でそのゾル・ゲルを現像すること
により得られる。これにより図５に示されているような
頂上が鋭くない反射面１２が形成できる。パターニング
の後、ゾル・ゲルは、ガラスを固くするために１０分か
ら６０分の間、１００℃から２００℃で事後焼きされて
よい。
【００１９】代わりに、くさび形状は集束されないフォ
トリソグラフィを使用して形成されてよい。マスク、光
学器械、そして露光面の間隔を変化させることによっ
て、マスクパタンは露光面の集束しない状態に形成でき
る。これによって三角形の断面形状を作ることができ
る。
トリソグラフィを使用して形成されてよい。マスク、光
学器械、そして露光面の間隔を変化させることによっ
て、マスクパタンは露光面の集束しない状態に形成でき
る。これによって三角形の断面形状を作ることができ
る。
【００２０】もし特定の材料特性が必要ならば、チタ
ン、シリコンあるいはジルコニウム（zirconium）、あ
るいはこれらの材料の事前に加水分解されたアルコキシ
ド（prehydrolysed alkoksides）がメタクリル酸塩グル
ープ置換シラン（methacrylategroup substituted sila
ne）の溶液に加えることができる。例えば、チタン（Ｉ
Ｖ）−プロポキシド（propoxide）とジルコニウム（Ｉ
Ｖ）−プロポキシド（propoxide）が使用されてよい。
メタクリル酸がジルコニウムプロポキシド（propoxid
e）の析出を妨げるために使用されてよい。
ン、シリコンあるいはジルコニウム（zirconium）、あ
るいはこれらの材料の事前に加水分解されたアルコキシ
ド（prehydrolysed alkoksides）がメタクリル酸塩グル
ープ置換シラン（methacrylategroup substituted sila
ne）の溶液に加えることができる。例えば、チタン（Ｉ
Ｖ）−プロポキシド（propoxide）とジルコニウム（Ｉ
Ｖ）−プロポキシド（propoxide）が使用されてよい。
メタクリル酸がジルコニウムプロポキシド（propoxid
e）の析出を妨げるために使用されてよい。
【００２１】ゾル・ゲル混成ガラスに反射性を持たせる
ために、硝酸銀をゾル・ゲル溶液に加えて、結果として
生じる材料が反射性を有するようにしてよい。代わり
に、ゾル・ゲル材料は硝酸銀で覆われてよい。
ために、硝酸銀をゾル・ゲル溶液に加えて、結果として
生じる材料が反射性を有するようにしてよい。代わり
に、ゾル・ゲル材料は硝酸銀で覆われてよい。
【００２２】反射面と超小型レンズを使用する一部の実
施態様では、最初に超小型レンズを、例えば従来の超小
型レンズ材料を使用して形成することが望ましい。従来
の超小型レンズは、例えば、３０秒間９０℃で適切な材
料を堆積させ、９０秒間１４０℃で青事後焼き及び還流
することによって形成されてよい。次いで、反射面１２
は超小型レンズを形成するために使用されたのと同じ熱
供給（thermal budget）にさらされることなく形成され
てよい。
施態様では、最初に超小型レンズを、例えば従来の超小
型レンズ材料を使用して形成することが望ましい。従来
の超小型レンズは、例えば、３０秒間９０℃で適切な材
料を堆積させ、９０秒間１４０℃で青事後焼き及び還流
することによって形成されてよい。次いで、反射面１２
は超小型レンズを形成するために使用されたのと同じ熱
供給（thermal budget）にさらされることなく形成され
てよい。
【００２３】くさび形状の反射面１２の下の領域は、配
列のための読出し回路といった非光感知回路を含んでよ
い。さもなければ使用されないであろうこれらの領域に
落ちる光は反射面１２によって集められてよい。これに
よって利用可能な光の量が改善されて、フィルファクタ
が増大し、光電性デバイスは室内照明といった低い照明
条件の下でも使用可能となる。フィルファクタを増大さ
せることによって、信号対ノイズ比は増大される可能性
がある。一部のケースでは、反射面１２は、さもなけれ
ば露光によってその性能に逆影響が与えられかねない下
に横たわる回路のための有効な光シールドして作用す
る。さらに、反射面１２は、その縦横比のために、有利
な熱放散を実現できる。混成ゾル・ゲルガラスの反射面
１２を作ることによって、標準的な半導体リソグラフィ
技術を使用してそれらは形成できる。
列のための読出し回路といった非光感知回路を含んでよ
い。さもなければ使用されないであろうこれらの領域に
落ちる光は反射面１２によって集められてよい。これに
よって利用可能な光の量が改善されて、フィルファクタ
が増大し、光電性デバイスは室内照明といった低い照明
条件の下でも使用可能となる。フィルファクタを増大さ
せることによって、信号対ノイズ比は増大される可能性
がある。一部のケースでは、反射面１２は、さもなけれ
ば露光によってその性能に逆影響が与えられかねない下
に横たわる回路のための有効な光シールドして作用す
る。さらに、反射面１２は、その縦横比のために、有利
な熱放散を実現できる。混成ゾル・ゲルガラスの反射面
１２を作ることによって、標準的な半導体リソグラフィ
技術を使用してそれらは形成できる。
【００２４】本発明は限定数の実施態様に関して説明さ
れてきたが、当業者であればそれから多数の修正及び変
更を考え付くであろう。例えば、ゾル・ゲル技術を使う
代わりに、反射面は他の材料を使って作ることができよ
う。特許請求の範囲では、本発明の思想及び各請求項内
にあるそうした全ての修正及び変更をカバーすることが
意図されている。 ［図面の簡単な説明］
れてきたが、当業者であればそれから多数の修正及び変
更を考え付くであろう。例えば、ゾル・ゲル技術を使う
代わりに、反射面は他の材料を使って作ることができよ
う。特許請求の範囲では、本発明の思想及び各請求項内
にあるそうした全ての修正及び変更をカバーすることが
意図されている。 ［図面の簡単な説明］
【図１】本発明の一実施態様における拡大部分断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の実施態様の部分的拡大平面図である。
【図３】本発明による他の実施態様の部分的拡大側面図
である。
である。
【図４】図１〜図３に示されたデバイスを形成するプロ
セスの一工程を示した拡大部分的側面図である。
セスの一工程を示した拡大部分的側面図である。
【図５】図４に示された工程の結果として作られたデバ
イスの部分的拡大側面図である。
イスの部分的拡大側面図である。
【図６】別の実施態様の部分的斜視図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−90551（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−154283（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−6988（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−317701（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−73703（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−174914（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−97402（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−134103（ＪＰ，Ａ)
国際公開98／9336（ＷＯ，Ａ１)
Ｐ．Ｃｏｕｄｒａｙ ｅｔ ａｌ，"
Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｇｈｔ
ｉｍｐｒｉｎｔｅｄ ｓｏｌｇｅｌ ｓ
ｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ ｗａｖｅｇｕ
ｉｄｅ ｄｅｖｉｃｅｓ ｏｎ ｓｉｌ
ｉｃｏｎ”Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕ
ｎｉｃａｔｉｏｎｓ， ｖｏｌ．128,
ｎｏ．１， Ｊｕｌｙ 1996，ｐ．19
−22
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/02 - 31/0392
H01L 27/14 - 27/148
Claims (19)
- 【請求項１】 半導体構造と、 前記半導体構造上に形成された光電性素子と、 入射光を前記光電性素子に向けて反射するために前記半
導体構造上に形成された反射面と、を含み、 前記反射面は、反射性を有すると共にゾル・ゲルから形
成されていることを特徴とする超小型電子光電性デバイ
ス。 - 【請求項２】 前記反射面は、くさび形状の反射器の一
部であることを特徴とする請求項１に記載の超小型電子
光電性デバイス。 - 【請求項３】 前記ゾル・ゲルは、硝酸銀を含むことを
特徴とする請求項１に記載の超小型電子光電性デバイ
ス。 - 【請求項４】 ２つの隣接する反射面と、該２つの隣接
する反射面の間に配置されたマイクロレンズと、を更に
備えたことを特徴とする請求項１に記載の超小型電子光
電性デバイス。 - 【請求項５】 一対の反射面が前記光電性素子の少なく
とも２つのサイド周辺に与えられていることを特徴とす
る請求項１に記載の超小型電子光電性デバイス。 - 【請求項６】 前記反射面が前記光電性素子の４つのサ
イド周辺に与えられていることを特徴とする請求項５に
記載の超小型電子光電性デバイス。 - 【請求項７】 前記ゾル・ゲルは、光開始剤を含むこと
を特徴とする請求項１に記載の超小型電子光電性デバイ
ス。 - 【請求項８】 ２つの隣接する光電性素子を含むと共
に、前記反射面はくさび形状素子上に形成され、該くさ
び形状素子は前記２つの隣接する光電性素子の間に位置
することを特徴とする請求項１に記載の超小型電子光電
性デバイス。 - 【請求項９】 前記反射面は約２：１の縦横比を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の超小型電子光電性デ
バイス。 - 【請求項１０】 光電性デバイスを製造する方法であっ
て、 半導体構造上にゾル・ゲル材料を堆積させる工程と、入射 光を隣の光電性デバイス上に向けて反射する反射面
を形成するために、フォトリソグラフィ技術を使用して
前記ゾル・ゲル材料をパタン化する工程と、 を含むことを特徴とする光電性デバイスの製造方法。 - 【請求項１１】 前記ゾル・ゲル材料に硝酸銀を取り込
む工程を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の
光電性デバイスの製造方法。 - 【請求項１２】 前記フォトリソグラフィ技術を使用す
る工程は、前記ゾル・ゲル材料を露光して、その露光さ
れた材料内に三角形状部分を作り出すために前記材料を
露光過度にするのに十分な時間の間だけ該露光を実行す
ることを含むことを特徴とする請求項１０に記載の光電
性デバイスの製造方法。 - 【請求項１３】 前記フォトリソグラフィ技術を使用す
る工程は、前記ゾル・ゲル材料を露光して、その露光に
基づいて材料を現像して差別的に取り除くことを含むこ
とを特徴とする請求項１０に記載の光電性デバイスの製
造方法。 - 【請求項１４】 半導体構造と、 前記半導体構造上に形成された光電性素子と、 前記半導体構造上に混成ゾル・ゲルガラスから形成され
ており、入射光を前記光電性素子に向けて反射する反射
面を有して構成された、くさび形状の反射器と、 を備えたことを特徴とする超小型電子光電性デバイス。 - 【請求項１５】 前記混成ゾル・ゲルガラスは光開始剤
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の超小型電子
光電性デバイス。 - 【請求項１６】 前記くさび形状の反射器は、前記光電
性素子の周囲に完全に拡がっていることを特徴とする請
求項１５に記載の超小型電子光電性デバイス。 - 【請求項１７】 前記くさび形状の反射器は、約２：１
の縦横比を有することを特徴とする請求項１４に記載の
超小型電子光電性デバイス。 - 【請求項１８】 前記混成ゾル・ゲルガラスは硝酸銀を
含むことを特徴とする請求項１４に記載の超小型電子光
電性デバイス。 - 【請求項１９】 読出し回路を備え、前記くさび形状の
反射器は該読出し回路上に形成されていることを特徴と
する請求項１４に記載の超小型電子光電性デバイス。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/200,517 US6166369A (en) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | Microcollector for photosensitive devices using sol-gel |
| US09/200,517 | 1998-11-25 | ||
| PCT/US1999/021368 WO2000031805A1 (en) | 1998-11-25 | 1999-09-17 | Reflecting structures for photosensitive devices |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002530896A JP2002530896A (ja) | 2002-09-17 |
| JP3538382B2 true JP3538382B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=22742052
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP1142030B1 (ja) |
| JP (1) | JP3538382B2 (ja) |
| KR (1) | KR100424530B1 (ja) |
| AU (1) | AU6390999A (ja) |
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| WO2007037294A1 (en) | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and fabrication method therefor |
| JP5272426B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2013-08-28 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
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| CN102903725B (zh) * | 2012-09-18 | 2017-11-10 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像传感器及其制造方法 |
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| CN103066085B (zh) * | 2012-12-17 | 2017-06-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 像素单元、像素阵列、图像传感器以及电子产品 |
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| US5204520A (en) * | 1991-12-23 | 1993-04-20 | Mcdonnell Douglas Corporation | Avalanche photodiode array integrated with etched silicon divider |
| KR940008355A (ko) * | 1992-09-26 | 1994-04-29 | 정용문 | 사설교환기의 착신변경방법 |
| US5952645A (en) * | 1996-08-27 | 1999-09-14 | California Institute Of Technology | Light-sensing array with wedge-like reflective optical concentrators |
| US5798557A (en) * | 1996-08-29 | 1998-08-25 | Harris Corporation | Lid wafer bond packaging and micromachining |
| US7956770B2 (en) * | 2007-06-28 | 2011-06-07 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Data input device and portable electronic device |
-
1998
- 1998-11-25 US US09/200,517 patent/US6166369A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-27 TW TW088114744A patent/TW461102B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-09-17 EP EP99951474.8A patent/EP1142030B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-17 AU AU63909/99A patent/AU6390999A/en not_active Abandoned
- 1999-09-17 WO PCT/US1999/021368 patent/WO2000031805A1/en active IP Right Grant
- 1999-09-17 JP JP2000584537A patent/JP3538382B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-17 KR KR10-2001-7006505A patent/KR100424530B1/ko not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ｐ．Ｃｏｕｄｒａｙ ｅｔ ａｌ，"Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｇｈｔ ｉｍｐｒｉｎｔｅｄ ｓｏｌｇｅｌ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｄｅｖｉｃｅｓ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ"Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ， ｖｏｌ．１２８， ｎｏ．１， Ｊｕｌｙ １９９６，ｐ．１９−２２ |
Also Published As
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