JPH05259425A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
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- JPH05259425A JPH05259425A JP4088266A JP8826692A JPH05259425A JP H05259425 A JPH05259425 A JP H05259425A JP 4088266 A JP4088266 A JP 4088266A JP 8826692 A JP8826692 A JP 8826692A JP H05259425 A JPH05259425 A JP H05259425A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工形状がコントロ−ルしやすく、光量の損
失を少なくし、集光が容易なマイクロミラ−レンズを用
いた感度又は分解能の高いイメ−ジセンサを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 受光アレイ上に形成された金属層が、受光部
上に開口部を備え、該開口部の側壁が下方向に凸状のテ
−パ−形状で、更に該側壁面が凹面形状のマイクロミラ
−レンズを有するイメ−ジセンサ。 【効果】 開口部へ入射する光を該マイクロミラ−レン
ズを使って受光部へ集光させ、センサの感度を向上させ
る効果がある。
失を少なくし、集光が容易なマイクロミラ−レンズを用
いた感度又は分解能の高いイメ−ジセンサを提供するこ
とを目的とする。 【構成】 受光アレイ上に形成された金属層が、受光部
上に開口部を備え、該開口部の側壁が下方向に凸状のテ
−パ−形状で、更に該側壁面が凹面形状のマイクロミラ
−レンズを有するイメ−ジセンサ。 【効果】 開口部へ入射する光を該マイクロミラ−レン
ズを使って受光部へ集光させ、センサの感度を向上させ
る効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ等の光セ
ンサとして用いられるイメ−ジセンサに係り、特に感度
向上及び分解能（ＭＴＦ）向上を実現するマイクロミラ
−レンズ付きのイメ−ジセンサに関する。
ンサとして用いられるイメ−ジセンサに係り、特に感度
向上及び分解能（ＭＴＦ）向上を実現するマイクロミラ
−レンズ付きのイメ−ジセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、イメ−ジセンサ或いは固体撮像素
子の感度向上の方法として、透光性樹脂材料等によるマ
イクロレンズが用いられてきた（特公昭６０−５９７５
２号公報、特開平３−１４８１７３号公報参照）。
子の感度向上の方法として、透光性樹脂材料等によるマ
イクロレンズが用いられてきた（特公昭６０−５９７５
２号公報、特開平３−１４８１７３号公報参照）。
【０００３】従来の固体撮像素子のマイクロレンズの構
成について図６を使って説明する。図６は、従来の固体
撮像素子の断面説明図である。図６に示すように、固体
撮像素子は、Ｐ型シリコン基板１にチャンネルストップ
２、転送段の拡散層３、フォトダイオ−ド４が形成さ
れ、この基板上に絶縁膜５、多結晶シリコンゲ−ト６が
積層形成されて、更にフォトダイオ−ド４の上部に半球
状の透光性樹脂材料等から成る集束体７が形成される構
成となっている。そして、透光性の材料から成る半球状
の集束体７は屈折率が１より大きく、この集束体７がマ
イクロレンズの役割を果たしている。また、この固体撮
像素子の受光領域はフォトダイオ−ド４の上面となって
いる。
成について図６を使って説明する。図６は、従来の固体
撮像素子の断面説明図である。図６に示すように、固体
撮像素子は、Ｐ型シリコン基板１にチャンネルストップ
２、転送段の拡散層３、フォトダイオ−ド４が形成さ
れ、この基板上に絶縁膜５、多結晶シリコンゲ−ト６が
積層形成されて、更にフォトダイオ−ド４の上部に半球
状の透光性樹脂材料等から成る集束体７が形成される構
成となっている。そして、透光性の材料から成る半球状
の集束体７は屈折率が１より大きく、この集束体７がマ
イクロレンズの役割を果たしている。また、この固体撮
像素子の受光領域はフォトダイオ−ド４の上面となって
いる。
【０００４】このような固体撮像素子の構成となってい
るので、マイクロレンズである集束体７が入射光を屈折
させて、各受光領域のフォトダイオ−ド４へ集束させて
受光するようになっている。
るので、マイクロレンズである集束体７が入射光を屈折
させて、各受光領域のフォトダイオ−ド４へ集束させて
受光するようになっている。
【０００５】次に、従来の固体撮像素子のマイクロレン
ズの製造方法について図７を使って説明する。図７は、
従来の固体撮像素子のマイクロレンズの製造方法を示す
製造プロセス断面説明図である。
ズの製造方法について図７を使って説明する。図７は、
従来の固体撮像素子のマイクロレンズの製造方法を示す
製造プロセス断面説明図である。
【０００６】Ｐ型シリコン基板１上にチャンネルストッ
プ２、転送段の拡散層３、フォトダイオ−ド４、絶縁膜
５、多結晶シリコンゲ−ト６をそれぞれ形成し、この上
に熱軟化性の材料からなる層、例えば、フォトレジスト
８を一様に塗布する（図７（ａ）参照）。
プ２、転送段の拡散層３、フォトダイオ−ド４、絶縁膜
５、多結晶シリコンゲ−ト６をそれぞれ形成し、この上
に熱軟化性の材料からなる層、例えば、フォトレジスト
８を一様に塗布する（図７（ａ）参照）。
【０００７】次に、フォトエッチング工程により、各受
光領域上面にフォトレジスト８がそれぞれ残るようにエ
ッチングし、（図７（ｂ）参照）、その後、加熱により
フォトレジスト８を軟化させ、エッチングされたフォト
レジスト８の角の部分にだれを生じさせて、集束体（マ
イクロレンズ）７を形成する（図７（ｃ）参照）。但
し、破線形状部分９は加熱する以前の集束体７の形状を
示すものである。このようにして、固体撮像素子のマイ
クロレンズが製造される。
光領域上面にフォトレジスト８がそれぞれ残るようにエ
ッチングし、（図７（ｂ）参照）、その後、加熱により
フォトレジスト８を軟化させ、エッチングされたフォト
レジスト８の角の部分にだれを生じさせて、集束体（マ
イクロレンズ）７を形成する（図７（ｃ）参照）。但
し、破線形状部分９は加熱する以前の集束体７の形状を
示すものである。このようにして、固体撮像素子のマイ
クロレンズが製造される。
【０００８】従来の固体撮像素子のマイクロレンズの構
成をファクシミリ等に用いられるイメ−ジセンサに応用
すると、受光素子の表面に透光性の半球状の集束体７を
形成して、イメ−ジセンサの受光領域に入射する光の大
半を利用できるようにし、イメ−ジセンサの感度や輝度
を向上させることができるようになっていた。
成をファクシミリ等に用いられるイメ−ジセンサに応用
すると、受光素子の表面に透光性の半球状の集束体７を
形成して、イメ−ジセンサの受光領域に入射する光の大
半を利用できるようにし、イメ−ジセンサの感度や輝度
を向上させることができるようになっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のマイクロレンズを用いたイメ−ジセンサでは、加熱
によるフォトレジストの「だれ」を利用してマイクロレ
ンズの球面を形成していたため、製造上の再現性が得ら
れず、加工処理が困難であるという問題点があった。
来のマイクロレンズを用いたイメ−ジセンサでは、加熱
によるフォトレジストの「だれ」を利用してマイクロレ
ンズの球面を形成していたため、製造上の再現性が得ら
れず、加工処理が困難であるという問題点があった。
【００１０】また、フォトレジストとして樹脂が利用さ
れていたため、光の吸収や散乱等による透過率の低下
が、入射光量の低下を招き、レンズとしての性能が十分
に得られず、イメ−ジセンサの感度向上を図ることが困
難であるという問題点があった。
れていたため、光の吸収や散乱等による透過率の低下
が、入射光量の低下を招き、レンズとしての性能が十分
に得られず、イメ−ジセンサの感度向上を図ることが困
難であるという問題点があった。
【００１１】本発明は上記実情に鑑みて成されたもの
で、加工形状がコントロ−ルしやすく、光量の損失を少
なくし、集光が容易なマイクロミラ−レンズを用いた感
度又は分解能の高いイメ−ジセンサを提供することを目
的とする。
で、加工形状がコントロ−ルしやすく、光量の損失を少
なくし、集光が容易なマイクロミラ−レンズを用いた感
度又は分解能の高いイメ−ジセンサを提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、複数の受光部がア
レイ状に配列された受光アレイを有するイメ−ジセンサ
において、前記受光アレイ上に、前記各受光部に対応し
た開口部を有する金属層を設け、前記金属層上面側の開
口部の面積を前記受光部側の開口部の面積より大きくし
たことを特徴としている。
決するための請求項１記載の発明は、複数の受光部がア
レイ状に配列された受光アレイを有するイメ−ジセンサ
において、前記受光アレイ上に、前記各受光部に対応し
た開口部を有する金属層を設け、前記金属層上面側の開
口部の面積を前記受光部側の開口部の面積より大きくし
たことを特徴としている。
【００１３】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、請求項１記載のイメ−ジセンサにお
いて、前記金属層の前記開口部の側壁面が凹面形状を有
することを特徴としている。
項２記載の発明は、請求項１記載のイメ−ジセンサにお
いて、前記金属層の前記開口部の側壁面が凹面形状を有
することを特徴としている。
【００１４】上記従来例の問題点を解決するための請求
項３記載の発明は、請求項１記載のイメ−ジセンサにお
いて、前記金属層の前記開口部の底辺部分が前記受光部
の受光領域の一部を覆うよう形成されたことを特徴とし
ている。
項３記載の発明は、請求項１記載のイメ−ジセンサにお
いて、前記金属層の前記開口部の底辺部分が前記受光部
の受光領域の一部を覆うよう形成されたことを特徴とし
ている。
【００１５】
【作用】請求項１記載の発明によれば、受光アレイ上に
金属層が形成され、該金属層の受光部上に開口部が設け
られ、金属層上面側の開口部の面積を受光部側の開口部
の面積より大きくしたイメージセンサとしているので、
受光部の上方向からの光を集光させることができ、セン
サの感度を向上させることができる。
金属層が形成され、該金属層の受光部上に開口部が設け
られ、金属層上面側の開口部の面積を受光部側の開口部
の面積より大きくしたイメージセンサとしているので、
受光部の上方向からの光を集光させることができ、セン
サの感度を向上させることができる。
【００１６】請求項２記載の発明によれば、金属層の開
口部の側壁面が凹面形状を有する請求項１記載のイメ−
ジセンサとしているので、受光部の上方向からの光を更
に集光させることができ、センサの感度を更に向上させ
ることができる。
口部の側壁面が凹面形状を有する請求項１記載のイメ−
ジセンサとしているので、受光部の上方向からの光を更
に集光させることができ、センサの感度を更に向上させ
ることができる。
【００１７】請求項３記載の発明によれば、金属層の開
口部の底辺部分が受光部の受光領域の一部を覆うよう形
成された請求項１記載のイメ−ジセンサとしているの
で、入射光の漏れを防ぐことができ、分解能を向上させ
ることができる。
口部の底辺部分が受光部の受光領域の一部を覆うよう形
成された請求項１記載のイメ−ジセンサとしているの
で、入射光の漏れを防ぐことができ、分解能を向上させ
ることができる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施例に係るイメ−ジ
センサの平面説明図であり、図２は、図１のＡ−Ａ′部
分の断面説明図である。
ら説明する。図１は、本発明の一実施例に係るイメ−ジ
センサの平面説明図であり、図２は、図１のＡ−Ａ′部
分の断面説明図である。
【００１９】本実施例のイメ−ジセンサの構成について
図１及び図２を使って説明する。図１及び図２に示すよ
うに、ガラス等の透明基板２０上に形成されたアモルフ
ァスシリコンを光電変換層とする受光素子２１と、受光
素子２１を覆うように積層されているポリイミド等から
なる表面保護層２２と、テ−パ−形状の側壁を有するア
ルミニウム（Ａｌ）等から形成されたマイクロミラ−レ
ンズ２３とから形成されている。つまり、マイクロミラ
−レンズ２３は、各受光素子２１に対応してＡｌ等の金
属層に開口部が設けられ、金属層上面側の開口部の面積
が受光素子側の開口部の面積より大きくなるよう形成さ
れている。
図１及び図２を使って説明する。図１及び図２に示すよ
うに、ガラス等の透明基板２０上に形成されたアモルフ
ァスシリコンを光電変換層とする受光素子２１と、受光
素子２１を覆うように積層されているポリイミド等から
なる表面保護層２２と、テ−パ−形状の側壁を有するア
ルミニウム（Ａｌ）等から形成されたマイクロミラ−レ
ンズ２３とから形成されている。つまり、マイクロミラ
−レンズ２３は、各受光素子２１に対応してＡｌ等の金
属層に開口部が設けられ、金属層上面側の開口部の面積
が受光素子側の開口部の面積より大きくなるよう形成さ
れている。
【００２０】そして、本実施例のイメ−ジセンサのマイ
クロミラ−レンズ２３は、表面保護層２２上にある程度
の厚さ（２〜３μｍ程度）を有するＡｌ層を積層し、各
受光素子２１の受光領域を開口するようフォトリソエッ
チング工程でＡｌを取り除いて形成され、各受光素子２
１の受光領域を囲むような側壁を有する構成となってい
る。
クロミラ−レンズ２３は、表面保護層２２上にある程度
の厚さ（２〜３μｍ程度）を有するＡｌ層を積層し、各
受光素子２１の受光領域を開口するようフォトリソエッ
チング工程でＡｌを取り除いて形成され、各受光素子２
１の受光領域を囲むような側壁を有する構成となってい
る。
【００２１】また、本実施例のマイクロミラ−レンズ２
３の側壁は下側に進む程に凸形状となってテ−パ−形状
を形成しており、更に側壁面の形状が凹面形状の湾曲面
となっている。つまり、図２に示すように、このテ−パ
−形状の側壁をもって受光領域への入射光を集光する構
成となっているので、受光領域を囲む側壁面が凹面鏡の
役割を果たしている。
３の側壁は下側に進む程に凸形状となってテ−パ−形状
を形成しており、更に側壁面の形状が凹面形状の湾曲面
となっている。つまり、図２に示すように、このテ−パ
−形状の側壁をもって受光領域への入射光を集光する構
成となっているので、受光領域を囲む側壁面が凹面鏡の
役割を果たしている。
【００２２】次に、本実施例のイメ−ジセンサのマイク
ロミラ−レンズの製造方法について図３を使って説明す
る。図３は本実施例のイメ−ジセンサのマイクロミラ−
レンズの製造方法を示す製造プロセス断面説明図であ
る。
ロミラ−レンズの製造方法について図３を使って説明す
る。図３は本実施例のイメ−ジセンサのマイクロミラ−
レンズの製造方法を示す製造プロセス断面説明図であ
る。
【００２３】まず、ポリイミド等の表面保護層２２に覆
われている、受光素子２１や配線部を有するガラス基板
２０上にマイクロミラ−レンズ２３用の金属層となるア
ルミニウム（Ａｌ）層２３ａをＤＣスパッタリング法に
より２〜３μｍ程度着膜する（図３（ａ）参照）。
われている、受光素子２１や配線部を有するガラス基板
２０上にマイクロミラ−レンズ２３用の金属層となるア
ルミニウム（Ａｌ）層２３ａをＤＣスパッタリング法に
より２〜３μｍ程度着膜する（図３（ａ）参照）。
【００２４】このとき、基板温度を低くすることにより
反射率の高いＡｌ膜が得られることが知られているの
で、マイクロミラ−レンズ２３の側壁における反射率を
高くするためには基板２０の温度を低くしてＡｌ層２３
ａを形成すればよい。
反射率の高いＡｌ膜が得られることが知られているの
で、マイクロミラ−レンズ２３の側壁における反射率を
高くするためには基板２０の温度を低くしてＡｌ層２３
ａを形成すればよい。
【００２５】次に、受光素子２１の受光領域に開口部を
形成するために、つまり、受光素子２１の外周部分を側
壁で囲むようにマイクロミラ−レンズ２３を形成するた
めに、Ａｌ層２３ａ上にレジスト２４を塗布し、フォト
リソエッチングラフィ−法により受光素子２１上部にレ
ジストが形成されないようにレジスト２４のパタ−ニン
グを行う（図３（ｂ）参照）。
形成するために、つまり、受光素子２１の外周部分を側
壁で囲むようにマイクロミラ−レンズ２３を形成するた
めに、Ａｌ層２３ａ上にレジスト２４を塗布し、フォト
リソエッチングラフィ−法により受光素子２１上部にレ
ジストが形成されないようにレジスト２４のパタ−ニン
グを行う（図３（ｂ）参照）。
【００２６】更に、ドライエッチング法によりＡｌ層２
３ａのエッチングを行う。このとき、エッチングガス
（例えば、Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 、ＢＣｌ3 、ＣＨＣｌ3
等）やエッチング条件（例えば、圧力、パワ−、加速電
圧、放電周波数等）を最適化することにより、等方性エ
ッチングや異方性エッチング、更にテ−パ−角度等を自
由に選ぶことができる。
３ａのエッチングを行う。このとき、エッチングガス
（例えば、Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 、ＢＣｌ3 、ＣＨＣｌ3
等）やエッチング条件（例えば、圧力、パワ−、加速電
圧、放電周波数等）を最適化することにより、等方性エ
ッチングや異方性エッチング、更にテ−パ−角度等を自
由に選ぶことができる。
【００２７】上記ドライエッチング法によるＡｌ層のテ
ーパーエッチングについては、広く知られているところ
であり、例えば、「ＩＥＤＭ Technical Digest, ｐ．
５４」等に具体的に記載されている。
ーパーエッチングについては、広く知られているところ
であり、例えば、「ＩＥＤＭ Technical Digest, ｐ．
５４」等に具体的に記載されている。
【００２８】即ち、上記の一定条件のエッチング方法に
よれば、Ａｌ層の側面形状を再現性良くコントロ−ルす
ることができ、これによりＡｌ層２３ｂの側壁形状を下
に凸のテ−パ−形状にすることができる（図３（ｃ）参
照）。
よれば、Ａｌ層の側面形状を再現性良くコントロ−ルす
ることができ、これによりＡｌ層２３ｂの側壁形状を下
に凸のテ−パ−形状にすることができる（図３（ｃ）参
照）。
【００２９】この後、レジスト２４を除去すれば所望の
テ−パ−形状となったＡｌ層のパタ−ニングが得られ、
このＡｌ層２３ｂの側壁を凹面鏡としてみれば、集光性
の優れたマイクロミラ−レンズ２３として用いることが
できる（図３（ｄ）参照）。
テ−パ−形状となったＡｌ層のパタ−ニングが得られ、
このＡｌ層２３ｂの側壁を凹面鏡としてみれば、集光性
の優れたマイクロミラ−レンズ２３として用いることが
できる（図３（ｄ）参照）。
【００３０】本実施例のイメ−ジセンサによれば、従来
のイメ−ジセンサにおける樹脂材料で形成されたマイク
ロレンズと比較して、透過率の低下やレンズ形状の精度
が悪化等による光量の損失がなく、また金属の加工精度
及び再現性が良好であるため、イメ−ジセンサの感度を
向上できる効果がある。
のイメ−ジセンサにおける樹脂材料で形成されたマイク
ロレンズと比較して、透過率の低下やレンズ形状の精度
が悪化等による光量の損失がなく、また金属の加工精度
及び再現性が良好であるため、イメ−ジセンサの感度を
向上できる効果がある。
【００３１】また、本実施例のイメ−ジセンサによれ
ば、マイクロミラ−レンズ２３のテ−パ−形状を下に凸
とすることにより集光性が増すことができるために、よ
り光量の損失を少なくし、イメ−ジセンサの感度を向上
させる効果がある。
ば、マイクロミラ−レンズ２３のテ−パ−形状を下に凸
とすることにより集光性が増すことができるために、よ
り光量の損失を少なくし、イメ−ジセンサの感度を向上
させる効果がある。
【００３２】尚、上記実施例では受光部の周辺を囲むよ
うにマイクロミラ−レンズ２３を形成したが、別の実施
例として、図４の平面説明図及び図４のＢ−Ｂ′部分の
断面説明図である図５に示すように、マイクロミラ−レ
ンズの開口部を受光素子２１の受光領域部分よりも内側
とする構成も考えられる。つまり、受光素子２１の受光
領域の一部（端部）をマイクロミラ−レンズのＡｌ層で
覆う構成とするものである。
うにマイクロミラ−レンズ２３を形成したが、別の実施
例として、図４の平面説明図及び図４のＢ−Ｂ′部分の
断面説明図である図５に示すように、マイクロミラ−レ
ンズの開口部を受光素子２１の受光領域部分よりも内側
とする構成も考えられる。つまり、受光素子２１の受光
領域の一部（端部）をマイクロミラ−レンズのＡｌ層で
覆う構成とするものである。
【００３３】上記別の実施例のような構成とすることに
より、マイクロミラ−レンズ２３′が入射光のもれを防
ぐためのシャドウマスク（遮光層）として用いることが
できるため、感度の向上とともに、分解能（ＭＴＦ）を
増加させることができる効果もある。
より、マイクロミラ−レンズ２３′が入射光のもれを防
ぐためのシャドウマスク（遮光層）として用いることが
できるため、感度の向上とともに、分解能（ＭＴＦ）を
増加させることができる効果もある。
【００３４】また、上記別の実施例のイメ−ジセンサに
よれば、マイクロミラ−レンズ２３′を遮光用のシャド
ウマスクとして兼用することができるため、シャドウマ
スク形成のためのプロセスが省くことができ、イメ−ジ
センサの製造を容易にできる効果がある。
よれば、マイクロミラ−レンズ２３′を遮光用のシャド
ウマスクとして兼用することができるため、シャドウマ
スク形成のためのプロセスが省くことができ、イメ−ジ
センサの製造を容易にできる効果がある。
【００３５】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、受光アレ
イ上に金属層が形成され、該金属層の受光部上に開口部
が設けられ、金属層上面側の開口部の面積を受光部側の
開口部の面積より大きくしたイメージセンサとしている
ので、受光部の上方向からの光を集光させることがで
き、センサの感度を向上させることができる効果があ
る。
イ上に金属層が形成され、該金属層の受光部上に開口部
が設けられ、金属層上面側の開口部の面積を受光部側の
開口部の面積より大きくしたイメージセンサとしている
ので、受光部の上方向からの光を集光させることがで
き、センサの感度を向上させることができる効果があ
る。
【００３６】請求項２記載の発明によれば、金属層の開
口部の側壁面形状が凹面形状を有する請求項１記載のイ
メ−ジセンサとしているので、受光部の上方向からの光
を更に集光させることができ、センサの感度を更に向上
させることができる効果がある。
口部の側壁面形状が凹面形状を有する請求項１記載のイ
メ−ジセンサとしているので、受光部の上方向からの光
を更に集光させることができ、センサの感度を更に向上
させることができる効果がある。
【００３７】請求項３記載の発明によれば、金属層の開
口部の底辺部分が受光部の受光領域の一部を覆うよう形
成された請求項１記載のイメ−ジセンサとしているの
で、入射光の漏れを防ぐことができ、分解能を向上させ
ることができる効果がある。
口部の底辺部分が受光部の受光領域の一部を覆うよう形
成された請求項１記載のイメ−ジセンサとしているの
で、入射光の漏れを防ぐことができ、分解能を向上させ
ることができる効果がある。
【図１】 本発明の一実施例に係るイメ−ジセンサの平
面説明図である。
面説明図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。
【図３】 （ａ）〜（ｄ）は本実施例のイメ−ジセンサ
のマイクロミラーレンズの製造プロセス断面説明図であ
る。
のマイクロミラーレンズの製造プロセス断面説明図であ
る。
【図４】 別の実施例のイメ−ジセンサの平面説明図で
ある。
ある。
【図５】 図４のＢ−Ｂ′部分の断面説明図である。
【図６】 従来のマイクロレンズを用いた固体撮像装置
の断面説明図である。
の断面説明図である。
【図７】 従来の固体撮像装置の製造プロセス断面説明
図である。
図である。
１…シリコン基板、 ２…チャンネルストップ、 ３…
拡散層、 ４…フォトダイオ−ド、 ５…絶縁膜層、
６…多結晶シリコンゲ−ト、 ７…集束体、８…フォト
レジスト、 ９…破線形状部分、 ２０…基板、 ２１
…受光素子、２２…表面保護層、 ２３…マイクロミラ
ーレンズ、 ２４…レジスト
拡散層、 ４…フォトダイオ−ド、 ５…絶縁膜層、
６…多結晶シリコンゲ−ト、 ７…集束体、８…フォト
レジスト、 ９…破線形状部分、 ２０…基板、 ２１
…受光素子、２２…表面保護層、 ２３…マイクロミラ
ーレンズ、 ２４…レジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の受光部がアレイ状に配列された受
光アレイを有するイメ−ジセンサにおいて、前記受光ア
レイ上に、前記各受光部に対応した開口部を有する金属
層を設け、前記金属層上面側の開口部の面積を前記受光
部側の開口部の面積より大きくしたことを特徴とするイ
メ−ジセンサ。 - 【請求項２】 前記金属層の前記開口部の側壁面が凹面
形状を有することを特徴とする請求項１記載のイメ−ジ
センサ。 - 【請求項３】 前記金属層の前記開口部の底辺部分が前
記受光部の受光領域の一部を覆うよう形成されたことを
特徴とする請求項１記載のイメ−ジセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088266A JPH05259425A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088266A JPH05259425A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259425A true JPH05259425A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13938092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4088266A Pending JPH05259425A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410594B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
| JP2008014795A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線センサおよび該赤外線センサの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4088266A patent/JPH05259425A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410594B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
| JP2008014795A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線センサおよび該赤外線センサの製造方法 |
| JP4670757B2 (ja) * | 2006-07-06 | 2011-04-13 | 日産自動車株式会社 | 赤外線センサおよび該赤外線センサの製造方法 |
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