JPH0799296A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度かつ光の利用率の高い固体撮像装置お
よびその製造方法を提供する。 【構成】 (Ａ)光電変換部４１の上に、絶縁膜４２，転
送電極４３，遮光膜４４,保護膜４５,平坦化層５１を形
成し、平坦化層５１上に凹レンズ層５２を格子状パター
ンに形成する。(Ｂ)格子状の凹レンズ層５２を熱溶融し
て、凹型マイクロレンズ５２にする。(Ｃ)凹型レンズ５
２の上に、凹型レンズ５２よりも屈折率が小さな樹脂層
５３とバッファー層５４と凸型マイクロレンズ５７を順
に形成する。 【効果】 凸型マイクロレンズ５７が集光した光を、凹
型マイクロレンズ５２が、光電変換部４１に対する垂直
入射光に近づける。
よびその製造方法を提供する。 【構成】 (Ａ)光電変換部４１の上に、絶縁膜４２，転
送電極４３，遮光膜４４,保護膜４５,平坦化層５１を形
成し、平坦化層５１上に凹レンズ層５２を格子状パター
ンに形成する。(Ｂ)格子状の凹レンズ層５２を熱溶融し
て、凹型マイクロレンズ５２にする。(Ｃ)凹型レンズ５
２の上に、凹型レンズ５２よりも屈折率が小さな樹脂層
５３とバッファー層５４と凸型マイクロレンズ５７を順
に形成する。 【効果】 凸型マイクロレンズ５７が集光した光を、凹
型マイクロレンズ５２が、光電変換部４１に対する垂直
入射光に近づける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置および
その製造方法に関し、より詳しくは、マイクロレンズが
光電変換部上に形成された固体撮像装置およびその製造
方法に関する。
その製造方法に関し、より詳しくは、マイクロレンズが
光電変換部上に形成された固体撮像装置およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】昨今の固体撮像装置は、マイクロレンズ
の恩恵により飛躍的な感度の向上を果たした。
の恩恵により飛躍的な感度の向上を果たした。
【０００３】従来、マイクロレンズを有する固体撮像装
置としては、図８(Ａ)に示すものがある。図８(Ａ)は、
上記固体撮像装置の単位画素における光学系を示す。図
８(Ａ)において、１８１は光電変換部、１８２は層間絶
縁膜、１８３は信号電荷の転送電極、１８４は転送電極
上部の遮光部、１８５は保護膜、１８６はマイクロレン
ズ支持層である透明樹脂層、１８７はマイクロレンズ、
１８８はレンズ端部での垂直入射光、１８９は斜入射光
である。
置としては、図８(Ａ)に示すものがある。図８(Ａ)は、
上記固体撮像装置の単位画素における光学系を示す。図
８(Ａ)において、１８１は光電変換部、１８２は層間絶
縁膜、１８３は信号電荷の転送電極、１８４は転送電極
上部の遮光部、１８５は保護膜、１８６はマイクロレン
ズ支持層である透明樹脂層、１８７はマイクロレンズ、
１８８はレンズ端部での垂直入射光、１８９は斜入射光
である。
【０００４】図８(Ａ)に示すように、上記固体撮像装置
は、上記マイクロレンズ１８７によって、上記垂直入射
光１８８を光電変換部１８１に導き、感度を向上させる
ようにしている。
は、上記マイクロレンズ１８７によって、上記垂直入射
光１８８を光電変換部１８１に導き、感度を向上させる
ようにしている。
【０００５】また、図８(Ｂ)に、上記従来の固体撮像装
置の光電変換部への光の入射状況を示す。図８(Ｂ)にお
いて、１９０は通常絞りでの入射光束、１９１は実効光
電変換領域、１９２は実際に光電変換が行われている領
域、１９３は絞りを開いたときに信号電荷転送領域付近
へ侵入する斜入射状態の長波長光を示す。１９４は遮光
膜等からなる実質上の開口絞りである。
置の光電変換部への光の入射状況を示す。図８(Ｂ)にお
いて、１９０は通常絞りでの入射光束、１９１は実効光
電変換領域、１９２は実際に光電変換が行われている領
域、１９３は絞りを開いたときに信号電荷転送領域付近
へ侵入する斜入射状態の長波長光を示す。１９４は遮光
膜等からなる実質上の開口絞りである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、固体撮像装
置の用途は、ビデオムービーから監視用カメラ等にまで
用いられ、用途が多様であるので、あらゆる光学系への
対応を迫られているのが現状である。
置の用途は、ビデオムービーから監視用カメラ等にまで
用いられ、用途が多様であるので、あらゆる光学系への
対応を迫られているのが現状である。
【０００７】そして、それぞれの用途において、例え
ば、光学系の絞りを変えるという従来ではあまり問題に
しなかった系内での光学的変化が、画質や画面の明るさ
等に重大な影響を及ぼすことがわかってきた。このこと
に関連して、上記従来の固体撮像装置には、以下に説明
する欠点がある。
ば、光学系の絞りを変えるという従来ではあまり問題に
しなかった系内での光学的変化が、画質や画面の明るさ
等に重大な影響を及ぼすことがわかってきた。このこと
に関連して、上記従来の固体撮像装置には、以下に説明
する欠点がある。
【０００８】上記従来の固体撮像装置においては、マイ
クロレンズ光学系の設計はレンズの絞りの小さい状態に
対して最適になるように行われていることが多い。つま
り、図８(Ａ)に示したレンズ端部への垂直入射光１８８
が、蹴られることなく光電変換部１８１に入射するよう
にする設計を最適と見なしていた。
クロレンズ光学系の設計はレンズの絞りの小さい状態に
対して最適になるように行われていることが多い。つま
り、図８(Ａ)に示したレンズ端部への垂直入射光１８８
が、蹴られることなく光電変換部１８１に入射するよう
にする設計を最適と見なしていた。
【０００９】しかしながら、暗い部屋での撮像の様に、
レンズを解放に近い状態で使用する場合には、図８(Ａ)
に参照番号１８９で示したような斜入射光が全入射光に
占める割合が著しく増加する。すると、上記斜入射光１
８９のように、開口周辺の構造物により蹴られて光電変
換部１８１に入射しない光の割合が高くなるので、実質
上感度が低下するという問題がある。
レンズを解放に近い状態で使用する場合には、図８(Ａ)
に参照番号１８９で示したような斜入射光が全入射光に
占める割合が著しく増加する。すると、上記斜入射光１
８９のように、開口周辺の構造物により蹴られて光電変
換部１８１に入射しない光の割合が高くなるので、実質
上感度が低下するという問題がある。
【００１０】また、上記固体撮像装置が、カラー撮像装
置である場合には、ホワイトバランスがずれるといった
症状を併発する問題もある。
置である場合には、ホワイトバランスがずれるといった
症状を併発する問題もある。
【００１１】このように、上記従来の固体撮像装置に
は、撮像条件の変化に伴う画質劣化が有るという欠点が
ある。
は、撮像条件の変化に伴う画質劣化が有るという欠点が
ある。
【００１２】また、上記従来の固体撮像装置のマイクロ
レンズ構造では、図８(Ｂ)に示すように、入射光束が光
電変換部１９１を通過する領域１９２が中心付近に限定
される。したがって、発生キャリアが光電変換部１９１
の中心部で局所的に過飽和に近い状態に陥り、その部分
での電子の遷移確率が、キャリアの拡散時間のオーダー
で低下する恐れがある。なぜならば、基本的には完全に
空乏状態である部分が最高の電子遷移確率を有すると考
えられるからである。
レンズ構造では、図８(Ｂ)に示すように、入射光束が光
電変換部１９１を通過する領域１９２が中心付近に限定
される。したがって、発生キャリアが光電変換部１９１
の中心部で局所的に過飽和に近い状態に陥り、その部分
での電子の遷移確率が、キャリアの拡散時間のオーダー
で低下する恐れがある。なぜならば、基本的には完全に
空乏状態である部分が最高の電子遷移確率を有すると考
えられるからである。
【００１３】また、通常、光電変換部１９１自体はＮ型
層であり、光電変換部１９１の端部周辺はＰ型層に囲ま
れている。このため、光電変換部１９１の端部周辺は、
電位勾配が大きく、電子の遷移確率が高い。ところが、
上記従来の固体撮像装置は、上述したように上記端部周
辺の部分を光電変換に使用できないので、素子感度の面
からみて効率的であるとは言えない。
層であり、光電変換部１９１の端部周辺はＰ型層に囲ま
れている。このため、光電変換部１９１の端部周辺は、
電位勾配が大きく、電子の遷移確率が高い。ところが、
上記従来の固体撮像装置は、上述したように上記端部周
辺の部分を光電変換に使用できないので、素子感度の面
からみて効率的であるとは言えない。
【００１４】また、マイクロレンズを通過した入射光
は、基本的に光電変換部に対して斜入射となる。したが
って、可視領域の長波長光が光電変換部を含む基板に侵
入する深さ(５〜１０μm)を考えると、光電変換部に隣
接する信号電荷転送部の内部もしくは信号電荷転送部の
極く近傍で上記入射光に関する光電変換が行われる確率
が少なくない。このことは、スミア抑制の立場からする
と、必ずしも良好であるとは言えない。
は、基本的に光電変換部に対して斜入射となる。したが
って、可視領域の長波長光が光電変換部を含む基板に侵
入する深さ(５〜１０μm)を考えると、光電変換部に隣
接する信号電荷転送部の内部もしくは信号電荷転送部の
極く近傍で上記入射光に関する光電変換が行われる確率
が少なくない。このことは、スミア抑制の立場からする
と、必ずしも良好であるとは言えない。
【００１５】したがって、撮像条件の最適化を図るた
め、光電変換領域とマイクロレンズ光学系双方のマッチ
ングをとる必要がある。
め、光電変換領域とマイクロレンズ光学系双方のマッチ
ングをとる必要がある。
【００１６】また、レンズ単体を考えた場合、レンズの
直径(この直径は入射瞳の直径と考えて良い。)が同一で
あれば焦点距離が短いほど明るいレンズ、すなわち像面
の照度が高いレンズであるといわれている。分かりやす
く言い換えれば、マイクロレンズの曲率が大きい程、素
子感度が高くなる。したがって、従来例では、かなり曲
率が大きなマイクロレンズを備えている。
直径(この直径は入射瞳の直径と考えて良い。)が同一で
あれば焦点距離が短いほど明るいレンズ、すなわち像面
の照度が高いレンズであるといわれている。分かりやす
く言い換えれば、マイクロレンズの曲率が大きい程、素
子感度が高くなる。したがって、従来例では、かなり曲
率が大きなマイクロレンズを備えている。
【００１７】しかし、マイクロレンズの曲率を大きくす
ると、個々のマイクロレンズ周辺のエッヂ部分では、レ
ンズに入射光が入射する点での上記レンズの接平面に対
する上記入射光の入射角度が大きくなる。すると、屈折
率１．６の物質に対するｓ成分の反射率Ｒｓ及びｐ成分
の反射率Ｒｐを示す図１０に示すように、通常、入射角
θが６０°程度以上になると反射率が無視できなくなり
(たとえばこの場合、Ｒｓ＝約２１％)、マイクロレンズ
表面での光の反射が無視できなくなって、感度の低下を
招く。
ると、個々のマイクロレンズ周辺のエッヂ部分では、レ
ンズに入射光が入射する点での上記レンズの接平面に対
する上記入射光の入射角度が大きくなる。すると、屈折
率１．６の物質に対するｓ成分の反射率Ｒｓ及びｐ成分
の反射率Ｒｐを示す図１０に示すように、通常、入射角
θが６０°程度以上になると反射率が無視できなくなり
(たとえばこの場合、Ｒｓ＝約２１％)、マイクロレンズ
表面での光の反射が無視できなくなって、感度の低下を
招く。
【００１８】つまり、従来例では、上記のような光の利
用率に関する解決すべき課題も含んでいる。
用率に関する解決すべき課題も含んでいる。
【００１９】そこで、この発明の目的は、高感度かつ光
の利用率の高い固体撮像装置およびその製造方法を提供
することにある。
の利用率の高い固体撮像装置およびその製造方法を提供
することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明の固体撮像装置は、光電変換
部を含む複数の画素を有し、上記光電変換部の上に凸型
マイクロレンズが設けられた固体撮像装置において、上
記光電変換部と上記凸型マイクロレンズとの間に形成さ
れ、上記凸型マイクロレンズを支持する支持層と、上記
支持層の直下に連なり、少なくとも上記支持層を構成す
る材料よりも屈折率の高い材料で作製した凹型マイクロ
レンズ層とを備えたことを特徴としている。
に、請求項１に記載の発明の固体撮像装置は、光電変換
部を含む複数の画素を有し、上記光電変換部の上に凸型
マイクロレンズが設けられた固体撮像装置において、上
記光電変換部と上記凸型マイクロレンズとの間に形成さ
れ、上記凸型マイクロレンズを支持する支持層と、上記
支持層の直下に連なり、少なくとも上記支持層を構成す
る材料よりも屈折率の高い材料で作製した凹型マイクロ
レンズ層とを備えたことを特徴としている。
【００２１】また、請求項２に記載の発明の固体撮像装
置の製造方法は、光電変換部の上に、凹型マイクロレン
ズと、支持層と、凸型マイクロレンズ層とを順次形成す
る固体撮像装置の製造方法であって、上記光電変換部の
上に、透明で、上記凸型マイクロレンズを構成する材料
および上記支持層を構成する材料のいずれよりも屈折率
の高い材料を平坦に形成することによって平坦層を形成
し、上記平坦層の表面に、上記光電変換部に対向する領
域が貫通した格子状パターンに形成された感光性樹脂か
らなる格子状パターン層を形成し、上記格子状パターン
層を熱溶融することによって、上記格子状パターン層
を、複数の凹型マイクロレンズ形状の凹部を有する凹型
マイクロレンズパターン層にし、上記凹型マイクロレン
ズパターン層をエッチングすることによって、上記凹型
マイクロレンズパターン層の凹型マイクロレンズ形状
を、上記凹型マイクロレンズパターン層の下の上記平坦
層に転写して、上記平坦層を上記凹型マイクロレンズ層
にすることを特徴としている。
置の製造方法は、光電変換部の上に、凹型マイクロレン
ズと、支持層と、凸型マイクロレンズ層とを順次形成す
る固体撮像装置の製造方法であって、上記光電変換部の
上に、透明で、上記凸型マイクロレンズを構成する材料
および上記支持層を構成する材料のいずれよりも屈折率
の高い材料を平坦に形成することによって平坦層を形成
し、上記平坦層の表面に、上記光電変換部に対向する領
域が貫通した格子状パターンに形成された感光性樹脂か
らなる格子状パターン層を形成し、上記格子状パターン
層を熱溶融することによって、上記格子状パターン層
を、複数の凹型マイクロレンズ形状の凹部を有する凹型
マイクロレンズパターン層にし、上記凹型マイクロレン
ズパターン層をエッチングすることによって、上記凹型
マイクロレンズパターン層の凹型マイクロレンズ形状
を、上記凹型マイクロレンズパターン層の下の上記平坦
層に転写して、上記平坦層を上記凹型マイクロレンズ層
にすることを特徴としている。
【００２２】また、請求項３に記載の発明は、光電変換
部を含む複数の画素を有し、上記光電変換部の上に凸型
マイクロレンズが設けられた固体撮像装置において、上
記凸型マイクロレンズを支持する支持層と、上記光電変
換部と上記支持層との間に形成され、上記凸型マイクロ
レンズ及び支持層を支持するレンズ台座層と、上記レン
ズ台座層の直下に連なる凹型マイクロレンズ層とを備
え、上記凸型マイクロレンズを構成する材料の屈折率と
上記支持層を構成する材料の屈折率と上記凹型マイクロ
レンズ層を構成する材料の屈折率が、上記レンズ台座層
を構成する材料の屈折率よりも高く設定されていること
を特徴としている。
部を含む複数の画素を有し、上記光電変換部の上に凸型
マイクロレンズが設けられた固体撮像装置において、上
記凸型マイクロレンズを支持する支持層と、上記光電変
換部と上記支持層との間に形成され、上記凸型マイクロ
レンズ及び支持層を支持するレンズ台座層と、上記レン
ズ台座層の直下に連なる凹型マイクロレンズ層とを備
え、上記凸型マイクロレンズを構成する材料の屈折率と
上記支持層を構成する材料の屈折率と上記凹型マイクロ
レンズ層を構成する材料の屈折率が、上記レンズ台座層
を構成する材料の屈折率よりも高く設定されていること
を特徴としている。
【００２３】また、請求項４に記載の発明は、光電変換
部の上に、凹型マイクロレンズ層と、レンズ台座層と、
凸型マイクロレンズとを順次形成する固体撮像装置の製
造方法であって、上記光電変換部の上に、レンズを構成
できるように光透過率が高く、上記レンズ台座層を構成
する材料よりも屈折率の大きな材料で作製された感光性
樹脂からなり、上記光電変換部に対向する領域が貫通し
た格子状パターン層を形成し、上記格子状パターン層を
熱溶融し、上記熱溶融と上記熱溶融に続く熱硬化とによ
って、上記格子状パターン層を上記凹型マイクロレンズ
層にすることを特徴としている。
部の上に、凹型マイクロレンズ層と、レンズ台座層と、
凸型マイクロレンズとを順次形成する固体撮像装置の製
造方法であって、上記光電変換部の上に、レンズを構成
できるように光透過率が高く、上記レンズ台座層を構成
する材料よりも屈折率の大きな材料で作製された感光性
樹脂からなり、上記光電変換部に対向する領域が貫通し
た格子状パターン層を形成し、上記格子状パターン層を
熱溶融し、上記熱溶融と上記熱溶融に続く熱硬化とによ
って、上記格子状パターン層を上記凹型マイクロレンズ
層にすることを特徴としている。
【００２４】また、請求項５に記載の発明は、光電変換
部の上に、凹型マイクロレンズと、レンズ台座層と、凸
型マイクロレンズとを順次形成する固体撮像装置の製造
方法であって、上記光電変換部の上に、感光性を有する
樹脂を格子状にパターニングし硬化させて、上記光電変
換部に対向する領域が貫通した格子状パターン層を形成
し、上記格子状パターン層の上に、透明樹脂からなるオ
ーバーコート層を形成することによって、上記オーバー
コート層を上記凹型マイクロレンズ層にすることを特徴
としている。
部の上に、凹型マイクロレンズと、レンズ台座層と、凸
型マイクロレンズとを順次形成する固体撮像装置の製造
方法であって、上記光電変換部の上に、感光性を有する
樹脂を格子状にパターニングし硬化させて、上記光電変
換部に対向する領域が貫通した格子状パターン層を形成
し、上記格子状パターン層の上に、透明樹脂からなるオ
ーバーコート層を形成することによって、上記オーバー
コート層を上記凹型マイクロレンズ層にすることを特徴
としている。
【００２５】
【作用】請求項１に記載の発明の固体撮像装置は、上記
凹型マイクロレンズが、上記凸型マイクロレンズで集光
した光を、上記光電変換部に対する垂直入射光に近づけ
るように平行化する。
凹型マイクロレンズが、上記凸型マイクロレンズで集光
した光を、上記光電変換部に対する垂直入射光に近づけ
るように平行化する。
【００２６】上記集光光を平行化することによって、上
記集光光が上記光電変換部上に対向する空間の周囲に存
在する絞り部に衝突することが防がれる。したがって、
感度が向上する。
記集光光が上記光電変換部上に対向する空間の周囲に存
在する絞り部に衝突することが防がれる。したがって、
感度が向上する。
【００２７】また、上記集光光を平行化することによっ
て、上記集光光が成す光束が上記光電変換部に入射する
面積が増大させられる。したがって、光電変換部の有効
利用面積が増大し、感度が向上する。
て、上記集光光が成す光束が上記光電変換部に入射する
面積が増大させられる。したがって、光電変換部の有効
利用面積が増大し、感度が向上する。
【００２８】また、請求項２に記載の発明の固体撮像装
置の製造方法によれば、格子状パターン層を熱溶融して
凹型マイクロレンズパターン層にし、上記凹型マイクロ
レンズパターン層をエッチングして、平坦層に凹型マイ
クロレンズ形状を転写して凹型マイクロレンズ層を作成
して、請求項１に記載の発明の固体撮像装置が作製され
る。
置の製造方法によれば、格子状パターン層を熱溶融して
凹型マイクロレンズパターン層にし、上記凹型マイクロ
レンズパターン層をエッチングして、平坦層に凹型マイ
クロレンズ形状を転写して凹型マイクロレンズ層を作成
して、請求項１に記載の発明の固体撮像装置が作製され
る。
【００２９】また、請求項３の発明の固体撮像装置によ
れば、請求項１の発明と同様に、凹型マイクロレンズ
が、凸型マイクロレンズで集光した光を、光電変換部に
対する垂直入射光に近づけるように平行化する。
れば、請求項１の発明と同様に、凹型マイクロレンズ
が、凸型マイクロレンズで集光した光を、光電変換部に
対する垂直入射光に近づけるように平行化する。
【００３０】また、上記凸型マイクロレンズを構成する
材料の屈折率が上記レンズ台座層を構成する材料の屈折
率よりも高く設定されているので、上記凸型マイクロレ
ンズが収束させた光束が、上記レンズ台座層によって広
げられることがない。したがって、集光特性の向上が図
れる。
材料の屈折率が上記レンズ台座層を構成する材料の屈折
率よりも高く設定されているので、上記凸型マイクロレ
ンズが収束させた光束が、上記レンズ台座層によって広
げられることがない。したがって、集光特性の向上が図
れる。
【００３１】また、請求項４の発明によれば、格子状パ
ターン層を熱溶融して、上記格子状パターン層を凹型マ
イクロレンズ層にし、請求項１の発明の固体撮像装置が
作製される。
ターン層を熱溶融して、上記格子状パターン層を凹型マ
イクロレンズ層にし、請求項１の発明の固体撮像装置が
作製される。
【００３２】また、請求項５の発明によれば、格子状パ
ターン層を熱溶融することなく、凹型マイクロレンズ層
が作成されるので、凹型マイクロレンズ層を再現性良く
形成できる。
ターン層を熱溶融することなく、凹型マイクロレンズ層
が作成されるので、凹型マイクロレンズ層を再現性良く
形成できる。
【００３３】ここで、従来例と本発明とを比較するため
に、図９(Ａ)に従来の単位画素の断面モデルを示し、図
９(Ｂ)に本発明の代表的な断面モデルを示す。図９(Ａ)
に示した従来モデルと、図９(Ｂ)に示した本発明モデル
とは、実質上の絞りと、開口と、凸型マイクロレンズと
を、それぞれ同一の形成寸法にした。そして、図９(Ｂ)
に示すように、本発明モデルは凸型マイクロレンズ１９
７の直下に凹型マイクロレンズ１９５を備えている点
が、従来モデルとの唯一の相異点である。
に、図９(Ａ)に従来の単位画素の断面モデルを示し、図
９(Ｂ)に本発明の代表的な断面モデルを示す。図９(Ａ)
に示した従来モデルと、図９(Ｂ)に示した本発明モデル
とは、実質上の絞りと、開口と、凸型マイクロレンズと
を、それぞれ同一の形成寸法にした。そして、図９(Ｂ)
に示すように、本発明モデルは凸型マイクロレンズ１９
７の直下に凹型マイクロレンズ１９５を備えている点
が、従来モデルとの唯一の相異点である。
【００３４】図９において、１９８,１９９はそれぞれ
マイクロレンズ端部での垂直入射光,斜入射光である。
垂直入射光１９８は、図９(Ａ)に示す従来モデルでは、
光電変換領域ｄの表面の中心部で焦点を結ぶように設計
されている。これに対し、図９(Ｂ)に示す本発明モデル
では、凹型マイクロレンズ１９５によって垂直入射光１
９８が屈折させられて光電変換領域いっぱいに広範囲に
光束が拡がる。
マイクロレンズ端部での垂直入射光,斜入射光である。
垂直入射光１９８は、図９(Ａ)に示す従来モデルでは、
光電変換領域ｄの表面の中心部で焦点を結ぶように設計
されている。これに対し、図９(Ｂ)に示す本発明モデル
では、凹型マイクロレンズ１９５によって垂直入射光１
９８が屈折させられて光電変換領域いっぱいに広範囲に
光束が拡がる。
【００３５】また、斜入射光１９９は、図９(Ａ)の従来
モデルでは、絞り２０４で蹴られて光電変換部２０７に
入射しないのに対して、図９(Ｂ)の本発明モデルでは、
斜入射光１９９は、凹型マイクロレンズ１９５によって
屈折させられて光電変換部２０７に入射する。
モデルでは、絞り２０４で蹴られて光電変換部２０７に
入射しないのに対して、図９(Ｂ)の本発明モデルでは、
斜入射光１９９は、凹型マイクロレンズ１９５によって
屈折させられて光電変換部２０７に入射する。
【００３６】次に、図８に基づいて、従来例と本発明と
を比較する。図８（Ａ)に示すように、固体撮像素子の
単位画素の幾何学的構造は、遮光膜や電極で構成される
実効的な絞りが複雑に配置されている。図８(Ｂ)は、従
来例に対応し、図８(Ａ)に対応している。また、図８
(Ｃ)は、本発明に対応している。
を比較する。図８（Ａ)に示すように、固体撮像素子の
単位画素の幾何学的構造は、遮光膜や電極で構成される
実効的な絞りが複雑に配置されている。図８(Ｂ)は、従
来例に対応し、図８(Ａ)に対応している。また、図８
(Ｃ)は、本発明に対応している。
【００３７】図８(Ｃ)に示すように実効光電変換領域２
０１を含む光電変換部の直上に、高屈折率の凹型マイク
ロレンズ２０５を形成した本発明によれば、上記凹型マ
イクロレンズ２０５の上方に設けられている凸型マイク
ロレンズによって屈折されて凸型マイクロレンズの焦点
に向かって収束しつつある光束２１０が、上記凹型マイ
クロレンズ２０５によって屈折されて、上記光束２１０
は垂直方向に対して平行に近づけられる。したがって、
本発明によれば、上記凸型マイクロレンズによって屈折
させられて収束過程にある入射光束を、上記凹型マイク
ロレンズによって進行方向を平行に近づけて、光電変換
部と同程度の断面積を有する略平行な光線束に変換す
る。したがって、本発明によれば、実効光電変換領域２
０１に光束通過領域２０２が占める割合が、従来例に比
べて増大させられる。つまり、実効光電変換領域の利用
効率が向上し、感度が向上する。
０１を含む光電変換部の直上に、高屈折率の凹型マイク
ロレンズ２０５を形成した本発明によれば、上記凹型マ
イクロレンズ２０５の上方に設けられている凸型マイク
ロレンズによって屈折されて凸型マイクロレンズの焦点
に向かって収束しつつある光束２１０が、上記凹型マイ
クロレンズ２０５によって屈折されて、上記光束２１０
は垂直方向に対して平行に近づけられる。したがって、
本発明によれば、上記凸型マイクロレンズによって屈折
させられて収束過程にある入射光束を、上記凹型マイク
ロレンズによって進行方向を平行に近づけて、光電変換
部と同程度の断面積を有する略平行な光線束に変換す
る。したがって、本発明によれば、実効光電変換領域２
０１に光束通過領域２０２が占める割合が、従来例に比
べて増大させられる。つまり、実効光電変換領域の利用
効率が向上し、感度が向上する。
【００３８】この発明の固体撮像装置は、凸型マイクロ
レンズとその支持層の直下に、上記凸型マイクロレンズ
および支持層に比較して高屈折率の透明樹脂を用いて凹
型マイクロレンズが形成されているから、上記凸型マイ
クロレンズを通過して収束状態にある光束を、光電変換
部上方で平行光線にコリメートすることができる。
レンズとその支持層の直下に、上記凸型マイクロレンズ
および支持層に比較して高屈折率の透明樹脂を用いて凹
型マイクロレンズが形成されているから、上記凸型マイ
クロレンズを通過して収束状態にある光束を、光電変換
部上方で平行光線にコリメートすることができる。
【００３９】また、本発明は、上記構造において、上記
凸型マイクロレンズの支持層を上記凸型マイクロレンズ
および支持層に比較して屈折率の低い透明樹脂で作製し
た。したがって、上記コリメート効果が一層顕著なもの
になる。尚、上記支持層直下に中間層として、凸型マイ
クロレンズおよび支持層に比較して屈折率の低い透明樹
脂をもちいた平坦層を形成してもよい。
凸型マイクロレンズの支持層を上記凸型マイクロレンズ
および支持層に比較して屈折率の低い透明樹脂で作製し
た。したがって、上記コリメート効果が一層顕著なもの
になる。尚、上記支持層直下に中間層として、凸型マイ
クロレンズおよび支持層に比較して屈折率の低い透明樹
脂をもちいた平坦層を形成してもよい。
【００４０】また、請求項３の発明により、凸型マイク
ロレンズの直下に、上記凸型マイクロレンズに比較して
屈折率が小さい材料で作製した凹型マイクロレンズを形
成した場合には、上記凹型マイクロレンズを形成しない
場合に比べて、焦点距離の増大を招くことなく、凸型マ
イクロレンズの曲率を小さくできる。したがって、上記
凸型マイクロレンズの表面での入射光の反射が抑制され
る。
ロレンズの直下に、上記凸型マイクロレンズに比較して
屈折率が小さい材料で作製した凹型マイクロレンズを形
成した場合には、上記凹型マイクロレンズを形成しない
場合に比べて、焦点距離の増大を招くことなく、凸型マ
イクロレンズの曲率を小さくできる。したがって、上記
凸型マイクロレンズの表面での入射光の反射が抑制され
る。
【００４１】
【実施例】以下、本発明の固体撮像装置およびその製造
方法を図示の実施例により詳細に説明する。
方法を図示の実施例により詳細に説明する。
【００４２】（第１実施例）図１に、本発明の固体撮像
装置の製造方法の実施例を示す。図１には、上記固体撮
像装置の単位画素セルを示している。
装置の製造方法の実施例を示す。図１には、上記固体撮
像装置の単位画素セルを示している。
【００４３】この実施例は、まず、図１(Ａ)に示すよう
に、光電変換部１を含む基板上に、上記光電変換部１の
非対向領域に、層間絶縁膜２を介して転送電極３を設
け、この転送電極３を覆う遮光膜４を設け、この遮光膜
４及び上記光電変換部１を覆う保護膜５を設ける。この
保護膜５は、下地白黒デバイスを保護するものである。
上記保護膜５を形成した直後に、水素雰囲気中でアニー
ルを行う。このアニールは、上記光電変換部１の活性領
域と酸化膜との界面での格子不整合による界面準位のリ
ラクゼーション(緩和)の１つである。そして、上記保護
膜５の上に平坦化層１６を形成する。この平坦化層１６
は、熱熔融性低融点ガラスもしくはＳＯＧ(スピンオン
グラス)膜で構成されており、電極３等によって発生し
た段差を緩和するために形成されるものである。そし
て、上記平坦化層１６の上に、化学気相法等により、窒
化シリコンからなる膜厚１．５μm程度の窒化シリコン
層１７を形成する。上記窒化シリコン層１７の膜厚は、
上記段差の程度に依存するが、通常は１．５〜２．０μ
mに設定される。上記窒化シリコン層１７の屈折率は、
上記窒化シリコン層１７の成長条件により異なるが、通
常は、２．０以上である。この窒化シリコン層１７は、
この後の工程を経て、高屈折率の凹型マイクロレンズに
なされる。
に、光電変換部１を含む基板上に、上記光電変換部１の
非対向領域に、層間絶縁膜２を介して転送電極３を設
け、この転送電極３を覆う遮光膜４を設け、この遮光膜
４及び上記光電変換部１を覆う保護膜５を設ける。この
保護膜５は、下地白黒デバイスを保護するものである。
上記保護膜５を形成した直後に、水素雰囲気中でアニー
ルを行う。このアニールは、上記光電変換部１の活性領
域と酸化膜との界面での格子不整合による界面準位のリ
ラクゼーション(緩和)の１つである。そして、上記保護
膜５の上に平坦化層１６を形成する。この平坦化層１６
は、熱熔融性低融点ガラスもしくはＳＯＧ(スピンオン
グラス)膜で構成されており、電極３等によって発生し
た段差を緩和するために形成されるものである。そし
て、上記平坦化層１６の上に、化学気相法等により、窒
化シリコンからなる膜厚１．５μm程度の窒化シリコン
層１７を形成する。上記窒化シリコン層１７の膜厚は、
上記段差の程度に依存するが、通常は１．５〜２．０μ
mに設定される。上記窒化シリコン層１７の屈折率は、
上記窒化シリコン層１７の成長条件により異なるが、通
常は、２．０以上である。この窒化シリコン層１７は、
この後の工程を経て、高屈折率の凹型マイクロレンズに
なされる。
【００４４】次に、図１(Ｂ)に示すように、フォトリソ
グラフィーによって、上記層１７の上に、上記光電変換
部１に対向する画素部分が貫通した格子状にパターニン
グされた感光性レジスト１８を形成する。このレジスト
１８を、上方斜めから見た様子を図２に示す。上記レジ
スト１８は、ノボラック樹脂に代表される熱可塑性樹脂
からなる。上記レジスト１８を、１８０℃程度のベーキ
ングにより熱溶融させて、図１(Ｂ)に破線で示す凹型マ
イクロレンズ形状のレジスト層１９にする。この熱溶融
後のレジスト層１９を、上方斜めから見た様子を図３に
示す次に、図１(Ｃ)に示すように、上記レジスト層１９
をフッ素系(ＣＦ4＋Ｏ2、ＳＦ6、ＣＨＦ3＋Ｏ2など)の
ガス２０によって、ドライエッチングする。このドライ
エッチングによって、上記レジスト層１９の凹型マイク
ロレンズ形状を、層１９の下の窒化シリコン層１７に転
写する。具体的には、例えば、出力約２００ＷでのＳＦ
6をもちいてのプラズマエッチングの場合、選択比はお
よそ２:１以上であるので、上記窒化シリコン層１７が
最終的に得る形状は、概ねレジスト層１９の凹型マイク
ロレンズ形状を縦方向に２倍拡張した形状になる。
グラフィーによって、上記層１７の上に、上記光電変換
部１に対向する画素部分が貫通した格子状にパターニン
グされた感光性レジスト１８を形成する。このレジスト
１８を、上方斜めから見た様子を図２に示す。上記レジ
スト１８は、ノボラック樹脂に代表される熱可塑性樹脂
からなる。上記レジスト１８を、１８０℃程度のベーキ
ングにより熱溶融させて、図１(Ｂ)に破線で示す凹型マ
イクロレンズ形状のレジスト層１９にする。この熱溶融
後のレジスト層１９を、上方斜めから見た様子を図３に
示す次に、図１(Ｃ)に示すように、上記レジスト層１９
をフッ素系(ＣＦ4＋Ｏ2、ＳＦ6、ＣＨＦ3＋Ｏ2など)の
ガス２０によって、ドライエッチングする。このドライ
エッチングによって、上記レジスト層１９の凹型マイク
ロレンズ形状を、層１９の下の窒化シリコン層１７に転
写する。具体的には、例えば、出力約２００ＷでのＳＦ
6をもちいてのプラズマエッチングの場合、選択比はお
よそ２:１以上であるので、上記窒化シリコン層１７が
最終的に得る形状は、概ねレジスト層１９の凹型マイク
ロレンズ形状を縦方向に２倍拡張した形状になる。
【００４５】図１(Ｄ)に、凹型マイクロレンズになった
上記窒化シリコン層１７の最終形状を示す。
上記窒化シリコン層１７の最終形状を示す。
【００４６】上述の図１(Ａ)〜(Ｄ)に示した製造方法
は、再現性が高く、安定している。しかし、凹型マイク
ロレンズ１７の直下と光電変換部１との間に、比較的低
屈折率(通常約１．５)のガラスで作製された平坦化層１
６を挟み込んでいるので、この平坦化層１６が凹型マイ
クロレンズ１７のコリメート能力を低下させてしまう可
能性がある。
は、再現性が高く、安定している。しかし、凹型マイク
ロレンズ１７の直下と光電変換部１との間に、比較的低
屈折率(通常約１．５)のガラスで作製された平坦化層１
６を挟み込んでいるので、この平坦化層１６が凹型マイ
クロレンズ１７のコリメート能力を低下させてしまう可
能性がある。
【００４７】そこで、気相成長における窒化シリコンの
ステップカバーレッジの良さを利用して、上記保護膜５
上に直接に、窒化シリコン層１７を形成した場合には、
図１(Ｅ)に示すように、２．０μm程度の膜厚の疑似的
な凹型マイクロレンズ１７０が得られる。そして、この
凹型マイクロレンズ１７０を、図１(Ｂ)〜(Ｃ)に示した
格子形状のレジスト１８を熱溶融しエッチングする転写
方法を使用して、凹型形状を強調し、上記凹型マイクロ
レンズ１７０を、図１(Ｄ)に示したような良好な形状の
凹型マイクロレンズ１７と同様の形状にする。これによ
り、上記レンズ１７０をコリメート能力の高い凹型マイ
クロレンズに形成することができる。そして、上記凹型
マイクロレンズ１７０の表面をＰＭＭＡ等の透明平坦化
樹脂で平坦にオーバーコートし、上記平坦化樹脂の表面
上に凸型マイクロレンズを、従来と同様に形成すること
により本発明の固体撮像装置が作製される。上記凹型マ
イクロレンズ１７０は、上記透明平坦化樹脂および上記
凸型マイクロレンズのどちらよりも屈折率の高い材料で
作製されている。
ステップカバーレッジの良さを利用して、上記保護膜５
上に直接に、窒化シリコン層１７を形成した場合には、
図１(Ｅ)に示すように、２．０μm程度の膜厚の疑似的
な凹型マイクロレンズ１７０が得られる。そして、この
凹型マイクロレンズ１７０を、図１(Ｂ)〜(Ｃ)に示した
格子形状のレジスト１８を熱溶融しエッチングする転写
方法を使用して、凹型形状を強調し、上記凹型マイクロ
レンズ１７０を、図１(Ｄ)に示したような良好な形状の
凹型マイクロレンズ１７と同様の形状にする。これによ
り、上記レンズ１７０をコリメート能力の高い凹型マイ
クロレンズに形成することができる。そして、上記凹型
マイクロレンズ１７０の表面をＰＭＭＡ等の透明平坦化
樹脂で平坦にオーバーコートし、上記平坦化樹脂の表面
上に凸型マイクロレンズを、従来と同様に形成すること
により本発明の固体撮像装置が作製される。上記凹型マ
イクロレンズ１７０は、上記透明平坦化樹脂および上記
凸型マイクロレンズのどちらよりも屈折率の高い材料で
作製されている。
【００４８】上記固体撮像装置は、図９(Ｂ)に示す斜入
射光１９９を、電極を含む実質上の絞り２０４の上で、
凹型マイクロレンズ１７０によってコリメートすること
ができるので、上記斜入射光１９９を光電変換部に入射
させることができる。したがって、上記固体撮像装置
は、従来例では絞り２０４で蹴られて光電変換部に入射
しなかった斜入射光１９９を、光電変換部に入射させる
ことができる。したがって、上記固体撮像装置によれ
ば、感度が向上する。
射光１９９を、電極を含む実質上の絞り２０４の上で、
凹型マイクロレンズ１７０によってコリメートすること
ができるので、上記斜入射光１９９を光電変換部に入射
させることができる。したがって、上記固体撮像装置
は、従来例では絞り２０４で蹴られて光電変換部に入射
しなかった斜入射光１９９を、光電変換部に入射させる
ことができる。したがって、上記固体撮像装置によれ
ば、感度が向上する。
【００４９】上記凹型マイクロレンズ１７０は、固体撮
像装置のマイクロレンズのような特殊な光学系において
は、固体撮像装置の受光部開口に相当する像面絞りを実
質的に拡大する役目をしている。
像装置のマイクロレンズのような特殊な光学系において
は、固体撮像装置の受光部開口に相当する像面絞りを実
質的に拡大する役目をしている。
【００５０】また、上記固体撮像装置は、従来例では光
電変換部の表面で焦点を結んでいた光束を、図９(Ｂ)や
図８(Ｃ)に示すように、光電変換部への入射断面積の大
きな平行光束に変換することができる。
電変換部の表面で焦点を結んでいた光束を、図９(Ｂ)や
図８(Ｃ)に示すように、光電変換部への入射断面積の大
きな平行光束に変換することができる。
【００５１】従って、上記固体撮像装置は、図８(Ｂ)に
示す従来例の光束通過領域１９２を図９(Ｃ)に示す光束
通過領域２０２に拡大させることができる。したがっ
て、光束通過領域２０２における単位体積当たりのフォ
トン密度を低減することができる。したがって、発生信
号電子の局所的な過飽和(ＮSAT)が発生することを防ぐ
ことができ、光電変換率の一時的な低下を防止できる。
示す従来例の光束通過領域１９２を図９(Ｃ)に示す光束
通過領域２０２に拡大させることができる。したがっ
て、光束通過領域２０２における単位体積当たりのフォ
トン密度を低減することができる。したがって、発生信
号電子の局所的な過飽和(ＮSAT)が発生することを防ぐ
ことができ、光電変換率の一時的な低下を防止できる。
【００５２】また、上記固体撮像装置は、図８（Ｃ)に
示すように、従来例に比べて、入射光束２１０を光電変
換領域２０１の表面に平行な横方向に拡げることができ
るから、光電交換部の周辺端部の電位勾配の大きい部分
すなわち遷移確率が高い完全空乏化領域で光電変換を行
うことができる。したがって、光電変換効率を向上でき
る。
示すように、従来例に比べて、入射光束２１０を光電変
換領域２０１の表面に平行な横方向に拡げることができ
るから、光電交換部の周辺端部の電位勾配の大きい部分
すなわち遷移確率が高い完全空乏化領域で光電変換を行
うことができる。したがって、光電変換効率を向上でき
る。
【００５３】さらに、上記実施例の固体撮像装置によれ
ば、図８(Ｂ)に示したスミアーの原因となる小角度の斜
入射光１９３を、上記凹型マイクロレンズ１７０によっ
てコリメートすることができるから、スミアーの低減を
図ることができる。
ば、図８(Ｂ)に示したスミアーの原因となる小角度の斜
入射光１９３を、上記凹型マイクロレンズ１７０によっ
てコリメートすることができるから、スミアーの低減を
図ることができる。
【００５４】（第２実施例）図４に、本発明の固体撮像
装置の製造方法の第２実施例を説明する単位画素セルの
凹型マイクロレンズ形成プロセスを示す。
装置の製造方法の第２実施例を説明する単位画素セルの
凹型マイクロレンズ形成プロセスを示す。
【００５５】この実施例は、まず、図４（Ａ)に示すよ
うに、光電変換部４１を含む基板上に、上記光電変換部
４１に対して非対向の領域に、層間絶縁膜４２を介して
転送電極４３を設け、この転送電極４３を覆う遮光膜４
４を設け、この遮光膜４４及び上記光電変換部４１を覆
う保護膜４５を設ける。次に、上記転送電極４３等によ
る段差を軽減するために、上記保護膜４５の上に、例え
ばポリスチレンのような高屈折率の樹脂よりなる平坦化
層５１を形成し、この平坦化層５１によって、凹凸表面
のプレイナライゼイションを行う。次に、凹レンズ層５
２を形成する。上記凹レンズ層５２は、例えばノボラッ
ク樹脂やポリスチレン等のような熱可塑性樹脂(臨界温
度:１２０〜１８０℃、屈折率:１．６以上）をベースと
する感光性樹脂をスピンコート等の方法によって、上記
平坦化層５１上に塗布し、その後フォトリソグラフィー
によってパターニングすることにより格子形状に形成さ
れる。
うに、光電変換部４１を含む基板上に、上記光電変換部
４１に対して非対向の領域に、層間絶縁膜４２を介して
転送電極４３を設け、この転送電極４３を覆う遮光膜４
４を設け、この遮光膜４４及び上記光電変換部４１を覆
う保護膜４５を設ける。次に、上記転送電極４３等によ
る段差を軽減するために、上記保護膜４５の上に、例え
ばポリスチレンのような高屈折率の樹脂よりなる平坦化
層５１を形成し、この平坦化層５１によって、凹凸表面
のプレイナライゼイションを行う。次に、凹レンズ層５
２を形成する。上記凹レンズ層５２は、例えばノボラッ
ク樹脂やポリスチレン等のような熱可塑性樹脂(臨界温
度:１２０〜１８０℃、屈折率:１．６以上）をベースと
する感光性樹脂をスピンコート等の方法によって、上記
平坦化層５１上に塗布し、その後フォトリソグラフィー
によってパターニングすることにより格子形状に形成さ
れる。
【００５６】上記凹レンズ層５２は、図２に示すように
格子状にするのが一般的であるが、例えば抜き部分を矩
形ではなく楕円形にすると、抜き部分のピッチが細かく
ても解像が容易になり、かつ、図４(Ｂ)に示すように、
熱溶融によって、理想的な凹レンズ形状を得ることが容
易になる。
格子状にするのが一般的であるが、例えば抜き部分を矩
形ではなく楕円形にすると、抜き部分のピッチが細かく
ても解像が容易になり、かつ、図４(Ｂ)に示すように、
熱溶融によって、理想的な凹レンズ形状を得ることが容
易になる。
【００５７】上記凹レンズ層５２の膜厚は、光学系の幾
何学的構成に大きく依存し、最終的にはそれらを踏まえ
て決定されるが、コリメート能力等を考えると最低１μ
m以上にすることが望ましい。
何学的構成に大きく依存し、最終的にはそれらを踏まえ
て決定されるが、コリメート能力等を考えると最低１μ
m以上にすることが望ましい。
【００５８】図４(Ｂ)に示すように、上記凹レンズ層５
２を、熱溶融によって、凹レンズ形状にした後に、図４
(Ｃ)に示すように、上記凹レンズ層５２の上に、凹レン
ズ層５２よりも屈折率が小さな透明な低屈折率樹脂層５
３を形成する。
２を、熱溶融によって、凹レンズ形状にした後に、図４
(Ｃ)に示すように、上記凹レンズ層５２の上に、凹レン
ズ層５２よりも屈折率が小さな透明な低屈折率樹脂層５
３を形成する。
【００５９】上記低屈折率樹脂層５３の材料は、低屈折
率である必要性によって、大きな制約を受ける。屈折率
は構成分子の分極率および分子量に大きく依存し、上記
両者が小さいほうが、低屈折率にするためには良い。現
在では旭硝子(株)製のサイトップ(登録商標)などの透明
フッ素樹脂が約１．３４程度の低屈折率を有するものと
して知られている。しかし、上記フッ素樹脂は、その撥
水撥油性から分かるように、表面エネルギーがかなり低
いので、極めて密着性が低い。したがって、密着度を強
化するために、界面活性剤などで構成した密着強化薄膜
を、上記低屈折率樹脂層５３に隣接し密着させて挿入す
ることが望ましい。
率である必要性によって、大きな制約を受ける。屈折率
は構成分子の分極率および分子量に大きく依存し、上記
両者が小さいほうが、低屈折率にするためには良い。現
在では旭硝子(株)製のサイトップ(登録商標)などの透明
フッ素樹脂が約１．３４程度の低屈折率を有するものと
して知られている。しかし、上記フッ素樹脂は、その撥
水撥油性から分かるように、表面エネルギーがかなり低
いので、極めて密着性が低い。したがって、密着度を強
化するために、界面活性剤などで構成した密着強化薄膜
を、上記低屈折率樹脂層５３に隣接し密着させて挿入す
ることが望ましい。
【００６０】上記低屈折率樹脂層５３の上に、バッファ
ー層５４を形成する。このバッファー層５４は、その上
下両側の層との密着性およびその他の物理化学的なマッ
チングをとる役割を果たす非常に重要な層である。上記
バッファー層５４は、アクリル系樹脂で作製することが
望ましい。
ー層５４を形成する。このバッファー層５４は、その上
下両側の層との密着性およびその他の物理化学的なマッ
チングをとる役割を果たす非常に重要な層である。上記
バッファー層５４は、アクリル系樹脂で作製することが
望ましい。
【００６１】最後に、上記バッファー層５４の上に凸型
マイクロレンズ５７を形成する。
マイクロレンズ５７を形成する。
【００６２】この第２実施例によって作製された図４
(Ｃ)に示す固体撮像装置は、上記低屈折率樹脂層５３の
存在によって、凹レンズ層５２のコリメート効果を高め
ることができる。
(Ｃ)に示す固体撮像装置は、上記低屈折率樹脂層５３の
存在によって、凹レンズ層５２のコリメート効果を高め
ることができる。
【００６３】（第３実施例）次に、図５に、本発明の固
体撮像装置の製造方法の第３実施例である単位画素セル
の凹型マイクロレンズの形成プロセスを示す。この実施
例は、高屈折率の平坦化層７１の形成までの工程は、上
述の第２実施例と同じであるので、説明を省略する。
体撮像装置の製造方法の第３実施例である単位画素セル
の凹型マイクロレンズの形成プロセスを示す。この実施
例は、高屈折率の平坦化層７１の形成までの工程は、上
述の第２実施例と同じであるので、説明を省略する。
【００６４】この実施例は、図５(Ａ)に示すように、上
記平坦化層７１の上に、凹型マイクロレンズ層の土台と
なる格子状パターンのレジスト層７５を形成する。この
レジスト層７５は、基本的に感光性をもつレジストによ
り光電変換部６１に対向する受光領域を取り囲むように
パターン形成される。
記平坦化層７１の上に、凹型マイクロレンズ層の土台と
なる格子状パターンのレジスト層７５を形成する。この
レジスト層７５は、基本的に感光性をもつレジストによ
り光電変換部６１に対向する受光領域を取り囲むように
パターン形成される。
【００６５】上記レジスト層７５を、g 線ないし i 線
を吸収する染料を含有させた材料で作製した場合には、
マイクロレンズ形成工程のリソグラフィー処理におい
て、高反射率の遮光膜５４による反射を防止でき、ハレ
ーションを防止する効果を期待できる。また、上記レジ
スト層７５を、ノボラック樹脂で作製した場合にも、g,
ｉ線吸収の効果がある。
を吸収する染料を含有させた材料で作製した場合には、
マイクロレンズ形成工程のリソグラフィー処理におい
て、高反射率の遮光膜５４による反射を防止でき、ハレ
ーションを防止する効果を期待できる。また、上記レジ
スト層７５を、ノボラック樹脂で作製した場合にも、g,
ｉ線吸収の効果がある。
【００６６】つぎに、図５(Ｂ)に示すように、上記レジ
スト層７５および平坦化層７１の上に、高屈折率の樹脂
(例えばポリスチレン)をスピンコート等により塗布し、
凹型マイクロレンズ層７６を形成する。上記凹型マイク
ロレンズ層７６は、上記レジスト層７５のレジストパタ
ーンの線幅および上記高屈折樹脂の粘度とのみによって
制御可能であるので、比較的再現性良く形成できるとい
う利点がある。
スト層７５および平坦化層７１の上に、高屈折率の樹脂
(例えばポリスチレン)をスピンコート等により塗布し、
凹型マイクロレンズ層７６を形成する。上記凹型マイク
ロレンズ層７６は、上記レジスト層７５のレジストパタ
ーンの線幅および上記高屈折樹脂の粘度とのみによって
制御可能であるので、比較的再現性良く形成できるとい
う利点がある。
【００６７】次に、上述の第２実施例と同様に、図４
(Ｃ)に示したように、上記凹型マイクロレンズ層７６よ
りも屈折率が小さな樹脂からなる低屈折率樹脂層とバッ
ファー層と凸型マイクロレンズとを順に形成して、固体
撮像装置の作製を完了する。
(Ｃ)に示したように、上記凹型マイクロレンズ層７６よ
りも屈折率が小さな樹脂からなる低屈折率樹脂層とバッ
ファー層と凸型マイクロレンズとを順に形成して、固体
撮像装置の作製を完了する。
【００６８】（第４実施例）図７に、本発明の固体撮像
装置の製造方法の第４実施例による凹型マイクロレンズ
の形成プロセスを示す。
装置の製造方法の第４実施例による凹型マイクロレンズ
の形成プロセスを示す。
【００６９】まず、図７(Ａ)に示すように、光電変換部
８１，転送電極８３，層間絶縁膜８２，遮光膜８４の上
に形成された保護膜８５の上に、高屈折率の凹型マイク
ロレンズ８６を形成する。そして、この凹型マイクロレ
ンズ８６の上に、第３実施例のレジスト層７５と同じ樹
脂で作製されたレジスト９５を塗布し、このレジスト９
５を、フォトリソグラフィー技術により、露光し、図７
(Ｂ)に示すように、上記光電変換部８１に対向する領域
である開口部分を囲む格子状のパターンに形成する。
８１，転送電極８３，層間絶縁膜８２，遮光膜８４の上
に形成された保護膜８５の上に、高屈折率の凹型マイク
ロレンズ８６を形成する。そして、この凹型マイクロレ
ンズ８６の上に、第３実施例のレジスト層７５と同じ樹
脂で作製されたレジスト９５を塗布し、このレジスト９
５を、フォトリソグラフィー技術により、露光し、図７
(Ｂ)に示すように、上記光電変換部８１に対向する領域
である開口部分を囲む格子状のパターンに形成する。
【００７０】次に、図７(Ｂ)に示すように、上記格子状
のパターンに形成したレジスト９５を、熱処理等によっ
て十分に硬化させる。
のパターンに形成したレジスト９５を、熱処理等によっ
て十分に硬化させる。
【００７１】次に、図７(Ｃ)に示すように、上記レジス
ト９５の表面および上記凹型マイクロレンズ８６の表面
上に、レンズ８６の材質よりも屈折率の小さな低屈折率
樹脂(例えば上記サイトップ)をオーバーコートして、凹
型台座１００を形成する。
ト９５の表面および上記凹型マイクロレンズ８６の表面
上に、レンズ８６の材質よりも屈折率の小さな低屈折率
樹脂(例えば上記サイトップ)をオーバーコートして、凹
型台座１００を形成する。
【００７２】次に、図７（Ｄ）に示すように、上記凹型
台座１００の表面を、第３実施例でオーバーコート材と
して使用した高屈折率の樹脂(例えばポリスチレン)１０
１でオーバーコートし、凹型台座１００の段差を平坦化
する。そして、上記樹脂１０１の上に曲率の小さい凸型
マイクロレンズ９７を形成する。
台座１００の表面を、第３実施例でオーバーコート材と
して使用した高屈折率の樹脂(例えばポリスチレン)１０
１でオーバーコートし、凹型台座１００の段差を平坦化
する。そして、上記樹脂１０１の上に曲率の小さい凸型
マイクロレンズ９７を形成する。
【００７３】上記凹型レンズ台座１００は、上記凸型マ
イクロレンズ９７を構成する材料よりも屈折率の小さな
材料で作製されている。
イクロレンズ９７を構成する材料よりも屈折率の小さな
材料で作製されている。
【００７４】この第４実施例によって作製された固体撮
像装置の集光動作概念を、図６を参照して説明する。図
６(Ａ)は従来例の集光動作概念を示し、図６(Ｂ)は本発
明の第１〜第３実施例の集光動作概念を示し、図６(Ｃ)
は本発明の第４実施例の集光動作概念を示す。
像装置の集光動作概念を、図６を参照して説明する。図
６(Ａ)は従来例の集光動作概念を示し、図６(Ｂ)は本発
明の第１〜第３実施例の集光動作概念を示し、図６(Ｃ)
は本発明の第４実施例の集光動作概念を示す。
【００７５】図６(Ａ)に示すように、上記従来例は、エ
ッジ部仰角が６０°未満であることで定義される比較的
曲率の小さい凸型マイクロレンズを有している。この凸
型マイクロレンズの曲率及び実効焦点距離ＯＦ１（点Ｏ
と点Ｆ１との間の距離）は、ケースバイケースで様々な
値を取り得る。
ッジ部仰角が６０°未満であることで定義される比較的
曲率の小さい凸型マイクロレンズを有している。この凸
型マイクロレンズの曲率及び実効焦点距離ＯＦ１（点Ｏ
と点Ｆ１との間の距離）は、ケースバイケースで様々な
値を取り得る。
【００７６】電極の側壁を含む実質的な絞り１７４によ
る入射光の蹴られを改善することが本発明の課題のポイ
ントの１つである。そして、上記入射光の蹴られの改善
の基本コンセプトは、図６(Ａ)に示す“絞り位置"より
も光進行方向手前で入射光を集光することと、上記入射
光の光束を上記“絞り位置”から“像面"までコリメー
トさせることとにある。
る入射光の蹴られを改善することが本発明の課題のポイ
ントの１つである。そして、上記入射光の蹴られの改善
の基本コンセプトは、図６(Ａ)に示す“絞り位置"より
も光進行方向手前で入射光を集光することと、上記入射
光の光束を上記“絞り位置”から“像面"までコリメー
トさせることとにある。
【００７７】ところで、固体撮像装置のマイクロレンズ
は、いわゆる結像光学系の範疇には属していない。つま
り、固体撮像装置のマイクロレンズは、マイクロレンズ
表面に入射する放射束(この放射束の物理量はエネルギ
ーである)を損失無く光電交換領域に導くために設けら
れた特殊な光学系である。
は、いわゆる結像光学系の範疇には属していない。つま
り、固体撮像装置のマイクロレンズは、マイクロレンズ
表面に入射する放射束(この放射束の物理量はエネルギ
ーである)を損失無く光電交換領域に導くために設けら
れた特殊な光学系である。
【００７８】入射光を光電変換部に導く過程の損失を低
減させるという観点から見て、図６(Ａ)の従来例では、
次の(ｉ)〜(ｉｉｉ)の３つの欠点を含んでいる。すなわ
ち、(i) 光の導波設備が確立されていないので、斜め入
射光は絞り７４によって確実に損失を受ける。(ii) 焦
点距離と密接な関係にある像の横倍率が長焦点レンズ系
では大きいので、イメージが像面絞りより大きくなって
しまう。すなわちマイクロレンズの大きな役割の１つで
ある集光という意味では非効率的である。(iii)レンズ
の曲率が大きく(レンズのエッジの仰角が６０°以上と
定義)した場合には、レンズの表面での入射光の反射が
無視できなくなる。
減させるという観点から見て、図６(Ａ)の従来例では、
次の(ｉ)〜(ｉｉｉ)の３つの欠点を含んでいる。すなわ
ち、(i) 光の導波設備が確立されていないので、斜め入
射光は絞り７４によって確実に損失を受ける。(ii) 焦
点距離と密接な関係にある像の横倍率が長焦点レンズ系
では大きいので、イメージが像面絞りより大きくなって
しまう。すなわちマイクロレンズの大きな役割の１つで
ある集光という意味では非効率的である。(iii)レンズ
の曲率が大きく(レンズのエッジの仰角が６０°以上と
定義)した場合には、レンズの表面での入射光の反射が
無視できなくなる。
【００７９】上記欠点の(ｉ)は、主として本発明の上記
第１実施例及び第２実施例によって改善することが可能
である。また、上記欠点の(ii)は、図６(Ｂ)に示すよう
に、凸型マイクロレンズの曲率を大きくすることによっ
て克服できる。
第１実施例及び第２実施例によって改善することが可能
である。また、上記欠点の(ii)は、図６(Ｂ)に示すよう
に、凸型マイクロレンズの曲率を大きくすることによっ
て克服できる。
【００８０】しかし、図６(Ｂ)に示すように、凸型マイ
クロレンズの曲率を大きくすると、レンズ表面での反射
光により大きなロスが発生し、上記欠点(iii)を克服で
きない。
クロレンズの曲率を大きくすると、レンズ表面での反射
光により大きなロスが発生し、上記欠点(iii)を克服で
きない。
【００８１】そこで、図６(Ｃ)に示す上記第４実施例に
よる固体撮像装置は、低屈折率(約１．３)の材料で作製
された凹型レンズ台座１００を、高屈折率(約１．６)の
材料で作製された曲率の小さい凸型マイクロレンズ９７
の直下に設けた。
よる固体撮像装置は、低屈折率(約１．３)の材料で作製
された凹型レンズ台座１００を、高屈折率(約１．６)の
材料で作製された曲率の小さい凸型マイクロレンズ９７
の直下に設けた。
【００８２】図６(Ｃ)において、図６(Ｂ)と同等の放射
束が、凹型レンズ台座１００の表面で屈折されて、凹型
マイクロレンズ８６がない場合の仮想焦点Ｆで焦点を結
ぶような光学系となる。すなわち、図６(Ｃ)の構造は、
凸型マイクロレンズの最表面の曲率が、図６(Ｂ)の構造
に比べて小さいにもかかわらず、図６(Ｂ)の構造と光学
的に同等の集光特性を持つことができる。なぜならば、
図６(Ｃ)の周縁光線が仮想焦点Ｆに対して成す角度ψ
は、図６(Ｂ)の周縁光線が仮想焦点Ｆに対して成す角度
ψと同じであるからである。
束が、凹型レンズ台座１００の表面で屈折されて、凹型
マイクロレンズ８６がない場合の仮想焦点Ｆで焦点を結
ぶような光学系となる。すなわち、図６(Ｃ)の構造は、
凸型マイクロレンズの最表面の曲率が、図６(Ｂ)の構造
に比べて小さいにもかかわらず、図６(Ｂ)の構造と光学
的に同等の集光特性を持つことができる。なぜならば、
図６(Ｃ)の周縁光線が仮想焦点Ｆに対して成す角度ψ
は、図６(Ｂ)の周縁光線が仮想焦点Ｆに対して成す角度
ψと同じであるからである。
【００８３】このように、図６(Ｃ)の構造によれば、図
６(Ｂ)の構造に比べて、凸型マイクロレンズの表面での
反射を低減でき、かつ、図６(Ｂ)の構造と同等の集光特
性を実現できる。
６(Ｂ)の構造に比べて、凸型マイクロレンズの表面での
反射を低減でき、かつ、図６(Ｂ)の構造と同等の集光特
性を実現できる。
【００８４】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の固体撮像装置は、光電変換部と凸型マイクロレンズ
との間に形成され、上記凸型マイクロレンズを支持する
支持層と、上記支持層の直下に連なり、上記凸型マイク
ロレンズおよび上記支持層のいずれよりも屈折率の高い
材料で作製された凹型マイクロレンズ層を備えたもので
ある。
明の固体撮像装置は、光電変換部と凸型マイクロレンズ
との間に形成され、上記凸型マイクロレンズを支持する
支持層と、上記支持層の直下に連なり、上記凸型マイク
ロレンズおよび上記支持層のいずれよりも屈折率の高い
材料で作製された凹型マイクロレンズ層を備えたもので
ある。
【００８５】したがって、請求項１の発明の固体撮像装
置は、上記凹型マイクロレンズが、上記凸型マイクロレ
ンズで集光した光を、上記光電変換部に対する垂直入射
光に近づけるように平行化する。
置は、上記凹型マイクロレンズが、上記凸型マイクロレ
ンズで集光した光を、上記光電変換部に対する垂直入射
光に近づけるように平行化する。
【００８６】上記集光光を平行化することによって、上
記集光光が上記光電変換部上に対向する空間の周囲に存
在する絞り部に衝突することを防止できる。したがっ
て、感度が向上する。
記集光光が上記光電変換部上に対向する空間の周囲に存
在する絞り部に衝突することを防止できる。したがっ
て、感度が向上する。
【００８７】また、上記集光光を平行化することによっ
て、上記集光光が成す光束が上記光電変換部に入射する
面積を増大させることができる。したがって、光電変換
部の有効利用面積が増大し、感度が向上する。
て、上記集光光が成す光束が上記光電変換部に入射する
面積を増大させることができる。したがって、光電変換
部の有効利用面積が増大し、感度が向上する。
【００８８】また、請求項２に記載の発明の固体撮像装
置の製造方法によれば、格子状パターン層を熱溶融して
凹型マイクロレンズパターン層にし、上記凹型マイクロ
レンズパターン層をエッチングして、平坦層に凹型マイ
クロレンズ形状を転写して凹型マイクロレンズ層を作成
して、請求項１に記載の発明の固体撮像装置を作製でき
る。
置の製造方法によれば、格子状パターン層を熱溶融して
凹型マイクロレンズパターン層にし、上記凹型マイクロ
レンズパターン層をエッチングして、平坦層に凹型マイ
クロレンズ形状を転写して凹型マイクロレンズ層を作成
して、請求項１に記載の発明の固体撮像装置を作製でき
る。
【００８９】また、請求項３の発明の固体撮像装置によ
れば、請求項１の発明と同様に、凹型マイクロレンズ
が、凸型マイクロレンズで集光した光を、光電変換部に
対する垂直入射光に近づくように平行化できる。
れば、請求項１の発明と同様に、凹型マイクロレンズ
が、凸型マイクロレンズで集光した光を、光電変換部に
対する垂直入射光に近づくように平行化できる。
【００９０】また、上記凸型マイクロレンズを構成する
材料の屈折率が上記レンズ台座層を構成する材料の屈折
率よりも高く設定されているので、上記凸型マイクロレ
ンズが収束させた光束が、上記レンズ台座層によって広
げられることがない。したがって、集光特性の向上を図
ることができる。
材料の屈折率が上記レンズ台座層を構成する材料の屈折
率よりも高く設定されているので、上記凸型マイクロレ
ンズが収束させた光束が、上記レンズ台座層によって広
げられることがない。したがって、集光特性の向上を図
ることができる。
【００９１】また、請求項４の発明の固体撮像装置の製
造方法は、格子状パターン層を熱溶融して、上記格子状
パターン層を凹型マイクロレンズ層にし、請求項１の発
明の固体撮像装置を作製できる。
造方法は、格子状パターン層を熱溶融して、上記格子状
パターン層を凹型マイクロレンズ層にし、請求項１の発
明の固体撮像装置を作製できる。
【００９２】また、請求項５の発明の固体撮像装置の製
造方法は、格子状パターン層の上に、透明樹脂からなる
オーバーコート層を形成し、このオーバーコート層を凹
型マイクロレンズ層にする。したがって、格子状パター
ン層を熱溶融することなく、凹型マイクロレンズ層を作
成できるので、凹型マイクロレンズ層を再現性良く形成
できる。
造方法は、格子状パターン層の上に、透明樹脂からなる
オーバーコート層を形成し、このオーバーコート層を凹
型マイクロレンズ層にする。したがって、格子状パター
ン層を熱溶融することなく、凹型マイクロレンズ層を作
成できるので、凹型マイクロレンズ層を再現性良く形成
できる。
【００９３】以上から明らかなように、この発明の固体
撮像装置は、光電変換直上にコリメーターを装備させる
ことにより、図８(Ｃ)に示すように、入射光束を効率良
く光電変換させ、スミア因子となる光電変換部への斜入
射光を抑えることができる。また、図９に示すように、
斜入射光の蹴られを防止するにより総合的な感度の向上
と、スミアの抑制を同時に実現できる。
撮像装置は、光電変換直上にコリメーターを装備させる
ことにより、図８(Ｃ)に示すように、入射光束を効率良
く光電変換させ、スミア因子となる光電変換部への斜入
射光を抑えることができる。また、図９に示すように、
斜入射光の蹴られを防止するにより総合的な感度の向上
と、スミアの抑制を同時に実現できる。
【００９４】さらに、最表面凸型マイクロレンズの曲率
を小さくすることと低屈折率の凹型台座を組み合わせる
ことによって、集光率を損なうことなく表面の反射を抑
制することができる。
を小さくすることと低屈折率の凹型台座を組み合わせる
ことによって、集光率を損なうことなく表面の反射を抑
制することができる。
【図１】 本発明の固体撮像装置の製造方法の第１実施
例を説明する工程図である。
例を説明する工程図である。
【図２】 画素領域が貫通した格子状パターンのレジス
トの斜視図である。
トの斜視図である。
【図３】 上記レジストを熱溶融した状態を示す斜視図
である。
である。
【図４】 この発明の固体撮像装置の製造方法の第２実
施例の工程図である。
施例の工程図である。
【図５】 この発明の固体撮像装置の製造方法の第３実
施例の工程図である。
施例の工程図である。
【図６】 従来例の概念図と本発明の概念図とを含む図
である。
である。
【図７】 この発明の固体撮像装置の製造方法の第４実
施例の工程図である。
施例の工程図である。
【図８】 従来例の集光動作と本発明の集光動作とを比
較する図である。
較する図である。
【図９】 従来例の集光動作と本発明の集光動作とを比
較する図である。
較する図である。
【図１０】 屈折率１．６の物質に入射する光の反射率
の入射角度依存性を示す特性図である。
の入射角度依存性を示す特性図である。
１，４１，６１，８１…光電変換部、２，４２，８２…
層間絶縁膜、３，４３，８３…転送電極、４，４４，６
４，８４…遮光膜、５，４５，８５…保護膜、１６，５
１，７１…平坦化層、１７…窒化シリコン層（凹型マイ
クロレンズ）、１８…感光性レジスト、１９，７５…レ
ジスト層、５２…凹レンズ層、５３…低屈折率樹脂層、
５４…バッファー層、５７…凸型マイクロレンズ、７６
…凹型マイクロレンズ層、８６，１７０…凹型マイクロ
レンズ、９５…レジスト、９７…凸型マイクロレンズ、
１００…凹型レンズ台座、１０１…樹脂。
層間絶縁膜、３，４３，８３…転送電極、４，４４，６
４，８４…遮光膜、５，４５，８５…保護膜、１６，５
１，７１…平坦化層、１７…窒化シリコン層（凹型マイ
クロレンズ）、１８…感光性レジスト、１９，７５…レ
ジスト層、５２…凹レンズ層、５３…低屈折率樹脂層、
５４…バッファー層、５７…凸型マイクロレンズ、７６
…凹型マイクロレンズ層、８６，１７０…凹型マイクロ
レンズ、９５…レジスト、９７…凸型マイクロレンズ、
１００…凹型レンズ台座、１０１…樹脂。
Claims (5)
- 【請求項１】 光電変換部を含む複数の画素を有し、上
記光電変換部の上に凸型マイクロレンズが設けられた固
体撮像装置において、 上記光電変換部と上記凸型マイクロレンズとの間に形成
され、上記凸型マイクロレンズを支持する支持層と、 上記支持層の直下に連なり、少なくとも上記支持層を構
成する材料よりも屈折率の高い材料で作製した凹型マイ
クロレンズ層とを備えたことを特徴とする固体撮像装
置。 - 【請求項２】 光電変換部の上に、凹型マイクロレンズ
層と、支持層と、凸型マイクロレンズとを順次形成する
固体撮像装置の製造方法であって、 上記光電変換部の上に、透明で、上記凸型マイクロレン
ズを構成する材料および上記支持層を構成する材料のい
ずれよりも屈折率の高い材料を平坦に形成することによ
って平坦層を形成し、 上記平坦層の表面に、上記光電変換部に対向する領域が
貫通した格子状パターンに形成された感光性樹脂からな
る格子状パターン層を形成し、 上記格子状パターン層を熱溶融することによって、上記
格子状パターン層を、複数の凹型マイクロレンズ形状の
凹部を有する凹型マイクロレンズパターン層にし、 上記凹型マイクロレンズパターン層をエッチングするこ
とによって、上記凹型マイクロレンズパターン層の凹型
マイクロレンズ形状を、上記凹型マイクロレンズパター
ン層の下の上記平坦層に転写して、上記平坦層を上記凹
型マイクロレンズ層にすることを特徴とする固体撮像装
置の製造方法。 - 【請求項３】 光電変換部を含む複数の画素を有し、上
記光電変換部の上に凸型マイクロレンズが設けられた固
体撮像装置において、 上記凸型マイクロレンズを支持する支持層と、 上記光電変換部と上記支持層との間に形成され、上記凸
型マイクロレンズ及び支持層を支持するレンズ台座層
と、 上記レンズ台座層の直下に連なる凹型マイクロレンズ層
とを備え、 上記凸型マイクロレンズを構成する材料の屈折率と上記
支持層を構成する材料の屈折率と上記凹型マイクロレン
ズ層を構成する材料の屈折率が、上記レンズ台座層を構
成する材料の屈折率よりも高く設定されていることを特
徴とする固体撮像装置。 - 【請求項４】 光電変換部の上に、凹型マイクロレンズ
層と、レンズ台座層と、凸型マイクロレンズとを順次形
成する固体撮像装置の製造方法であって、 上記光電変換部の上に、レンズを構成できるように光透
過率が高く、上記レンズ台座層を構成する材料よりも屈
折率の大きな材料で作製された感光性樹脂からなり、上
記光電変換部に対向する領域が貫通した格子状パターン
層を形成し、 上記格子状パターン層を熱溶融し、上記熱溶融と上記熱
溶融に続く熱硬化とによって、上記格子状パターン層を
上記凹型マイクロレンズ層にすることを特徴とする固体
撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 光電変換部の上に、凹型マイクロレンズ
層と、レンズ台座層と、凸型マイクロレンズとを順次形
成する固体撮像装置の製造方法であって、 上記光電変換部の上に、感光性を有する樹脂を格子状に
パターニングし硬化させて、上記光電変換部に対向する
領域が貫通した格子状パターン層を形成し、 上記格子状パターン層の上に、透明樹脂からなるオーバ
ーコート層を形成することによって、上記オーバーコー
ト層を上記凹型マイクロレンズ層にすることを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP5241030A JP2950714B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241030A JP2950714B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JPH0799296A true JPH0799296A (ja) | 1995-04-11 |
| JP2950714B2 JP2950714B2 (ja) | 1999-09-20 |
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