JPH05288928A - カラーフィルタの製造方法 - Google Patents
カラーフィルタの製造方法Info
- Publication number
- JPH05288928A JPH05288928A JP3219893A JP3219893A JPH05288928A JP H05288928 A JPH05288928 A JP H05288928A JP 3219893 A JP3219893 A JP 3219893A JP 3219893 A JP3219893 A JP 3219893A JP H05288928 A JPH05288928 A JP H05288928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- color filter
- layers
- intermediate layer
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 15
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 3
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-dioxoanthracen-1-yl)-4-[4-[[4-[4-[(9,10-dioxoanthracen-1-yl)carbamoyl]phenyl]phenyl]diazenyl]phenyl]benzamide Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2NC(=O)C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1N=NC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000001043 yellow dye Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 分光特性及び感度に優れた色分解フィルタ層
を形成可能なカラーフィルタの製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 この発明は、電荷結合装置ＣＣＤなどを含む
イメージセンサ上に平坦化のための平坦化層を形成する
段階と、前記平坦化層上に第１の色フィルタ層を形成し
防染膜である第１の中間層を形成する第２の色フィルタ
層及び第２中間層、並びに第３の色フィルタ層及び第３
の中間層を形成する段階とを含むカラーフィルタの製造
方法において、前記第１，第２，第３の中間層を熱収縮
が相対的に小さなネガディブポリイミドで形成すること
により色フィルタ層と中間層との間の係面において作用
する応力が減少されることを特徴とする。
を形成可能なカラーフィルタの製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 この発明は、電荷結合装置ＣＣＤなどを含む
イメージセンサ上に平坦化のための平坦化層を形成する
段階と、前記平坦化層上に第１の色フィルタ層を形成し
防染膜である第１の中間層を形成する第２の色フィルタ
層及び第２中間層、並びに第３の色フィルタ層及び第３
の中間層を形成する段階とを含むカラーフィルタの製造
方法において、前記第１，第２，第３の中間層を熱収縮
が相対的に小さなネガディブポリイミドで形成すること
により色フィルタ層と中間層との間の係面において作用
する応力が減少されることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電荷結合装置ＣＣＤな
どを含む固体撮像装置，接触形イメージセンサなどに使
用されるカラーフィルタの製造方法に関する。
どを含む固体撮像装置，接触形イメージセンサなどに使
用されるカラーフィルタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子の場合、特定の波長の光を
選択的にＣＣＤ(Charge coupled device) のようなイメ
ージセンサの表面に放射してカラー情報を得ることがで
きるようにするために、集光部の全面部に赤，緑，青ま
たはイエロー，シアン，マゼンタなどの色相で分けられ
る色分解用のカラーフィルタを設けることが行なわれて
いる。
選択的にＣＣＤ(Charge coupled device) のようなイメ
ージセンサの表面に放射してカラー情報を得ることがで
きるようにするために、集光部の全面部に赤，緑，青ま
たはイエロー，シアン，マゼンタなどの色相で分けられ
る色分解用のカラーフィルタを設けることが行なわれて
いる。
【０００３】以上の場合には液晶表示装置ＬＣＤのよう
な表示素子では光の入収関係が変わるのみ同様である。
現在カラーフィルタとしては染色され易い感光性樹脂を
フォトエッチング技術によりパターン化してこのパター
ンを染料として染色して所望の分光特性を得る、いわゆ
る有機染色形（またはオンチップ形）のものが広く採用
されている。
な表示素子では光の入収関係が変わるのみ同様である。
現在カラーフィルタとしては染色され易い感光性樹脂を
フォトエッチング技術によりパターン化してこのパター
ンを染料として染色して所望の分光特性を得る、いわゆ
る有機染色形（またはオンチップ形）のものが広く採用
されている。
【０００４】このようなカラーフィルタが電荷結合素子
（以下、ＣＣＤという）上に形成されるカラーフィルタ
の一般的の製造方法を説明する。従来のカラーフィルタ
の製造方法を説明することにあって、図１に示すインタ
ーライントランスファ電荷結合素子(Interline transfe
r-CCD;以下、IT-CCDという）上にカラーフィルタが形成
されたイメージング装置の断面図を例として説明する。
（以下、ＣＣＤという）上に形成されるカラーフィルタ
の一般的の製造方法を説明する。従来のカラーフィルタ
の製造方法を説明することにあって、図１に示すインタ
ーライントランスファ電荷結合素子(Interline transfe
r-CCD;以下、IT-CCDという）上にカラーフィルタが形成
されたイメージング装置の断面図を例として説明する。
【０００５】図１に示す従来の技術はマツシタ技術報告
書(90.6 VOL.36 No.3)とＮｉｋｅマイクロデバイス（８
９年１２月号）に開示されている。図１を参照するに、
先ず、前記ＩＴ−ＣＣＤの構成を見ると、Ｐ型半導体基
板３０の表面上に入射される光を光電変換するフォトダ
イオード部３２〜３８が形成されており、電荷を伝送す
る電荷伝送部５０が反復配列され前記フォトダイオード
部３２〜３８に隣接したアクティブ領域が形成されてお
り、外部へ信号を伝達するパッド部５２が形成されたパ
ッド領域が形成されている。該パッド領域は、上記アク
ティブ領域に隣接して取り巻かれている。
書(90.6 VOL.36 No.3)とＮｉｋｅマイクロデバイス（８
９年１２月号）に開示されている。図１を参照するに、
先ず、前記ＩＴ−ＣＣＤの構成を見ると、Ｐ型半導体基
板３０の表面上に入射される光を光電変換するフォトダ
イオード部３２〜３８が形成されており、電荷を伝送す
る電荷伝送部５０が反復配列され前記フォトダイオード
部３２〜３８に隣接したアクティブ領域が形成されてお
り、外部へ信号を伝達するパッド部５２が形成されたパ
ッド領域が形成されている。該パッド領域は、上記アク
ティブ領域に隣接して取り巻かれている。
【０００６】前記フォトダイオード部３２〜３８の詳細
については省略するが、前記Ｐ型半導体基板３０の上に
形成され、ＰＮＰ構造で形成したり、暗電流を無くすた
めにＰＮＰＮ構造で形成することもできる。前記電荷伝
送部５０は、電荷を伝送させる多結晶シリコン製の第１
導電膜４２を絶縁するために、酸化シリコンＳｉＯ2な
どの絶縁膜４４が形成されると共に、前記絶縁膜４４上
には多結晶シリコンの第２導電膜４６が形成され、第２
導電膜４６上には金属アルミニウムＡｌとタングステン
シリサイドＳｉＷx の二重膜で形成された光遮断膜４８
が設けられている。
については省略するが、前記Ｐ型半導体基板３０の上に
形成され、ＰＮＰ構造で形成したり、暗電流を無くすた
めにＰＮＰＮ構造で形成することもできる。前記電荷伝
送部５０は、電荷を伝送させる多結晶シリコン製の第１
導電膜４２を絶縁するために、酸化シリコンＳｉＯ2な
どの絶縁膜４４が形成されると共に、前記絶縁膜４４上
には多結晶シリコンの第２導電膜４６が形成され、第２
導電膜４６上には金属アルミニウムＡｌとタングステン
シリサイドＳｉＷx の二重膜で形成された光遮断膜４８
が設けられている。
【０００７】前記構成のＩＴ−ＣＣＤ上にカラーフィル
タが形成される。先ず、ＩＴ−ＣＣＤ上の全表面にカラ
ーパターンアレイ（以下、色フィルタ層という）を染色
するときに感光材内の酸性基によって金属層である前記
光遮断膜４８及び金属パッド部５２が腐食されないよう
に保護し均一な色フィルタ層を形成するように平坦化層
４０を形成する。このとき、前記平坦化層４０は硬化温
度において感光性があり光透過性が優秀なもの、例え
ば、ポジティプポリイミドなどで形成される。
タが形成される。先ず、ＩＴ−ＣＣＤ上の全表面にカラ
ーパターンアレイ（以下、色フィルタ層という）を染色
するときに感光材内の酸性基によって金属層である前記
光遮断膜４８及び金属パッド部５２が腐食されないよう
に保護し均一な色フィルタ層を形成するように平坦化層
４０を形成する。このとき、前記平坦化層４０は硬化温
度において感光性があり光透過性が優秀なもの、例え
ば、ポジティプポリイミドなどで形成される。
【０００８】その後、通常の色フィルタ層の製造工程に
従って、前記平坦化層４０上にポリビニール，アルコー
ル，カゼインまたはゼラチンなどの親水性高分子材料に
重クロム酸アンモニウムなどで感光性を付興した感光膜
を均一に塗布し、これを乾燥した後にマスク露光法で第
１の色パターン部分のみを露光，現像させて所望のパタ
ーンを形成する。
従って、前記平坦化層４０上にポリビニール，アルコー
ル，カゼインまたはゼラチンなどの親水性高分子材料に
重クロム酸アンモニウムなどで感光性を付興した感光膜
を均一に塗布し、これを乾燥した後にマスク露光法で第
１の色パターン部分のみを露光，現像させて所望のパタ
ーンを形成する。
【０００９】そして、これらのパターンを所定の分光特
性を持つ染料で染色して第１フォトダイオード部３２と
対応する位置にマゼンタ層、すなわち、第１色フィルタ
層５４を形成する。
性を持つ染料で染色して第１フォトダイオード部３２と
対応する位置にマゼンタ層、すなわち、第１色フィルタ
層５４を形成する。
【００１０】その次、同様の方法で第２及び第３色フィ
ルタ層を形成する。この際、前記第１色フィルタ層５４
及び平坦化層４０上の全表面に、前記第１色フィルタ層
５４がイエロー染料に染色されることを防止する防炎膜
として第１中間層５６を形成する。前記第１中間層５６
はポジティブポリイミドなどで形成する。
ルタ層を形成する。この際、前記第１色フィルタ層５４
及び平坦化層４０上の全表面に、前記第１色フィルタ層
５４がイエロー染料に染色されることを防止する防炎膜
として第１中間層５６を形成する。前記第１中間層５６
はポジティブポリイミドなどで形成する。
【００１１】第１中間層５６を形成した後、第２及び第
３フォトダイオード３４，３６と対応する位置の前記第
１中間層５６上にイエロー層、すなわち、第２フィルタ
層５８を形成する。
３フォトダイオード３４，３６と対応する位置の前記第
１中間層５６上にイエロー層、すなわち、第２フィルタ
層５８を形成する。
【００１２】前記第２色フィルタ層５８及び第１中間層
５６上の全表面に、前記第２色フィルタ層５８がシアン
染料に染色されることを防止するためのポジティブポリ
イミドの第２中間層６０が形成される。前記第２中間層
６０上の前記第３フォトダイオード部３６と対応する位
置にシアン層，すなわち、第３色フィルタ層６２を形成
する。このとき、前記第２色フィルタ層５８と第３色フ
ィルタ層６２の重畳部６６は縁味がさすことになる。
５６上の全表面に、前記第２色フィルタ層５８がシアン
染料に染色されることを防止するためのポジティブポリ
イミドの第２中間層６０が形成される。前記第２中間層
６０上の前記第３フォトダイオード部３６と対応する位
置にシアン層，すなわち、第３色フィルタ層６２を形成
する。このとき、前記第２色フィルタ層５８と第３色フ
ィルタ層６２の重畳部６６は縁味がさすことになる。
【００１３】第３色フィルタ層６２及び第２中間層６０
の全表面上に、第３色フィルタ層６２を外部の衝撃から
保護するためにポジティブポリイミドの第３中間層６４
を形成する。その後、ワイヤボンディングのために、フ
ォトエッチング工程で前記パッド部５２が露出されるよ
うに、上述した工程過程で形成された平坦化層、第１，
第２，第３の中間層５６，６０，６４を一度に除去す
る。
の全表面上に、第３色フィルタ層６２を外部の衝撃から
保護するためにポジティブポリイミドの第３中間層６４
を形成する。その後、ワイヤボンディングのために、フ
ォトエッチング工程で前記パッド部５２が露出されるよ
うに、上述した工程過程で形成された平坦化層、第１，
第２，第３の中間層５６，６０，６４を一度に除去す
る。
【００１４】今まで紹介したＩＴ−ＣＣＤ上にカラーフ
ィルタを形成する製造方法において、色感度が良い補色
形においては前述の如くシアン層とイエロー層を相互に
重畳させてグリーン層を形成する。すなわち、前記第
１，第２，第３の色フィルタ層５４，５８，６２がＩＴ
−ＣＣＤ上に形成され、これらの色フィルタ層の混色防
止のための透明な防炎膜として中間層５６，６０，６４
を形成する。
ィルタを形成する製造方法において、色感度が良い補色
形においては前述の如くシアン層とイエロー層を相互に
重畳させてグリーン層を形成する。すなわち、前記第
１，第２，第３の色フィルタ層５４，５８，６２がＩＴ
−ＣＣＤ上に形成され、これらの色フィルタ層の混色防
止のための透明な防炎膜として中間層５６，６０，６４
を形成する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、現在ＩＴ−
ＣＣＤの高性能化にともなって収光部の大きさをさらに
小さくすることによって単位画素当りの面積も減少の起
勢にある。これに従って色フィルタ層の整列度及び中間
層の欠陥に対する許容値も小さくなる。
ＣＣＤの高性能化にともなって収光部の大きさをさらに
小さくすることによって単位画素当りの面積も減少の起
勢にある。これに従って色フィルタ層の整列度及び中間
層の欠陥に対する許容値も小さくなる。
【００１６】この結果、熱硬化処理の際に、中間層の欠
陥が多く発生する。すなわち、それぞれの色フィルタ層
の形成後に毎回実施される熱硬化処理のときに前記中間
層が熱収縮により変形することによって色フィルタ層が
移動したり、あるいは中間層に亀裂が生じる場合もあ
る。これを防止するために、相異なる性質の中間層の物
質を交互に積層する工程を採用しているが、それでも色
フィルタ層上の硬化処理による熱収縮は大きい。特に、
この中間層は、光透過性に優れていることを理由として
広く用いられるポジティブポリイミドなどで形成される
が、この物質は熱収縮が非常に大きい性質を有している
ため色フィルタ層と中間層の間の係面において応力が作
用するため、色フィルタ層の移動、中間層の亀裂に因っ
て白点または波形などの画像欠陥を誘発し、イメージン
グ装置の特性が低下する。
陥が多く発生する。すなわち、それぞれの色フィルタ層
の形成後に毎回実施される熱硬化処理のときに前記中間
層が熱収縮により変形することによって色フィルタ層が
移動したり、あるいは中間層に亀裂が生じる場合もあ
る。これを防止するために、相異なる性質の中間層の物
質を交互に積層する工程を採用しているが、それでも色
フィルタ層上の硬化処理による熱収縮は大きい。特に、
この中間層は、光透過性に優れていることを理由として
広く用いられるポジティブポリイミドなどで形成される
が、この物質は熱収縮が非常に大きい性質を有している
ため色フィルタ層と中間層の間の係面において応力が作
用するため、色フィルタ層の移動、中間層の亀裂に因っ
て白点または波形などの画像欠陥を誘発し、イメージン
グ装置の特性が低下する。
【００１７】従って本発明は上記課題を解決するために
なされたもので、中間層の熱収縮による分光特性及び感
度の低下を防止可能なカラーフィルタの製造方法を提供
することを目的とする。
なされたもので、中間層の熱収縮による分光特性及び感
度の低下を防止可能なカラーフィルタの製造方法を提供
することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、電荷結合装置ＣＣＤなどを含むイ
メージセンサ上に平坦化のための平坦化層を形成する段
階と、前記平坦化層上に第１色フィルタ層を形成し防炎
膜である第１中間層を形成する段階と、前記段階のよう
な方法で色フィルタ層及び中間層を交互に形成して第２
色フィルタ層及び第２中間層、第３色フィルタ層及び第
３中間層を形成する段階とを含むカラーフィルタの製造
方法において、前記第１乃至第３中間層は熱収縮が相対
的に小さなネガティブポリイミドで形成されることを特
徴とするカラーフィルタの製造方法を提供することにあ
る。
るために、本発明は、電荷結合装置ＣＣＤなどを含むイ
メージセンサ上に平坦化のための平坦化層を形成する段
階と、前記平坦化層上に第１色フィルタ層を形成し防炎
膜である第１中間層を形成する段階と、前記段階のよう
な方法で色フィルタ層及び中間層を交互に形成して第２
色フィルタ層及び第２中間層、第３色フィルタ層及び第
３中間層を形成する段階とを含むカラーフィルタの製造
方法において、前記第１乃至第３中間層は熱収縮が相対
的に小さなネガティブポリイミドで形成されることを特
徴とするカラーフィルタの製造方法を提供することにあ
る。
【００１９】
【作用】熱収縮が小さく染料に染色されない透明の樹脂
で中間層を形成することにより、色フィルタ層の移動ま
たは中間層の亀裂などが防止される。
で中間層を形成することにより、色フィルタ層の移動ま
たは中間層の亀裂などが防止される。
【００２０】
【実施例】以下、添付した図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）の
製造工程図を参照して本発明の実施例に係るカラーフィ
ルタの製造方法を詳細に説明する。
製造工程図を参照して本発明の実施例に係るカラーフィ
ルタの製造方法を詳細に説明する。
【００２１】カラーフィルタ層は、ＣＣＤなどを含むイ
メージセンサ上にモザイクまたはストライプの像で形成
される。この実施例ではフォトダイオード及び光遮断膜
が備えられた従来イメージセンサに関して説明した図１
と同一構造のＩＴ−ＣＣＤのイメージセンサ像を形成す
る場合を例として説明する。
メージセンサ上にモザイクまたはストライプの像で形成
される。この実施例ではフォトダイオード及び光遮断膜
が備えられた従来イメージセンサに関して説明した図１
と同一構造のＩＴ−ＣＣＤのイメージセンサ像を形成す
る場合を例として説明する。
【００２２】先ず、図２（Ａ）に示すように、硬化温度
において感光性が変化せず光透過性が優れた、例えばポ
ジティブポリイミドなどを、３．５μｍの厚さでＩＴ−
ＣＣＤ上に塗布する。そして、ホットプレートを用いて
１７０℃で５分間加熱して平坦化層４０を形成する。好
ましいポジティブポリイミドの例としては GFGR-2010(T
okyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)があり、現像液およびリン
ス液については、GFGR-Developer,Rinse(Tokyo Ohka Ko
gyo Co,. Ltd.)が挙げられる。
において感光性が変化せず光透過性が優れた、例えばポ
ジティブポリイミドなどを、３．５μｍの厚さでＩＴ−
ＣＣＤ上に塗布する。そして、ホットプレートを用いて
１７０℃で５分間加熱して平坦化層４０を形成する。好
ましいポジティブポリイミドの例としては GFGR-2010(T
okyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)があり、現像液およびリン
ス液については、GFGR-Developer,Rinse(Tokyo Ohka Ko
gyo Co,. Ltd.)が挙げられる。
【００２３】次に、図２（Ｂ）に示すように、通常の色
フィルタ層の製造方法により前記平坦化層４０上の第１
フォトダイオード３２と対応する位置に、マゼンタ層，
すなわち、第１色フィルタ層５４を形成する。その後、
前記第１色フィルタ層５４及び平坦化層４０上の全表面
に、硬化温度において感光性は変化するが熱収縮膨張率
が小さなネガティブポリイミドなどを用いて０．８μｍ
の厚さで層を形成し、ホットプレートを用いて９０℃で
７０秒間ソフト乾燥した後Ｄｅｅｐ ＵＶ（２４０〜２
７０ｎｍ）で露光現像した後、再びホットプレートを用
いて１５０℃で５分間加熱してパッド部５２のみ露出さ
せて第１中間層５６とする。
フィルタ層の製造方法により前記平坦化層４０上の第１
フォトダイオード３２と対応する位置に、マゼンタ層，
すなわち、第１色フィルタ層５４を形成する。その後、
前記第１色フィルタ層５４及び平坦化層４０上の全表面
に、硬化温度において感光性は変化するが熱収縮膨張率
が小さなネガティブポリイミドなどを用いて０．８μｍ
の厚さで層を形成し、ホットプレートを用いて９０℃で
７０秒間ソフト乾燥した後Ｄｅｅｐ ＵＶ（２４０〜２
７０ｎｍ）で露光現像した後、再びホットプレートを用
いて１５０℃で５分間加熱してパッド部５２のみ露出さ
せて第１中間層５６とする。
【００２４】好ましいポリイミドの例としてはFVR-7,FV
R-10(Fuji Chemical Co,. Ltd.) があり、現像液及びリ
ンス液についてはFVR-Developer, Rinse(Fuji Chemical
Co., Ltd.) が挙げられる。
R-10(Fuji Chemical Co,. Ltd.) があり、現像液及びリ
ンス液についてはFVR-Developer, Rinse(Fuji Chemical
Co., Ltd.) が挙げられる。
【００２５】前記第１中間層５６を形成した後、図２
（Ｃ）に示すように、第１中間層５６上の第２及び第３
のフォトダイオード３４，３６と対応する位置に、イエ
ロー層、すなわち、第２の色フィルタ層５８を形成す
る。上記の結果得られる構造上に、前記第２の色フィル
タ層５８がシアン染料に染色されるのを防止するため
に、先に説明した方法と同様の方法で、パッド部５２の
み露出されるように、ネガティブポリイミドを塗布し、
防炎膜である第２の中間層６０を形成する。
（Ｃ）に示すように、第１中間層５６上の第２及び第３
のフォトダイオード３４，３６と対応する位置に、イエ
ロー層、すなわち、第２の色フィルタ層５８を形成す
る。上記の結果得られる構造上に、前記第２の色フィル
タ層５８がシアン染料に染色されるのを防止するため
に、先に説明した方法と同様の方法で、パッド部５２の
み露出されるように、ネガティブポリイミドを塗布し、
防炎膜である第２の中間層６０を形成する。
【００２６】続いて、図２（Ｄ）に示すように、前記第
２の中間層６０の上に、第３フォトダイオード３６の上
部にある第２の色フィルタ層５８に重畳させて、前記第
４のフォトダイオード３８の対応位置にシアン層，すな
わち、第３の色フィルタ層６２を形成する。その後、前
記第３の色フィルタ層６２を外部の衝撃から保護するた
めに、前記第３の色フィルタ層６２の表面上に第３の中
間層６４を形成する。
２の中間層６０の上に、第３フォトダイオード３６の上
部にある第２の色フィルタ層５８に重畳させて、前記第
４のフォトダイオード３８の対応位置にシアン層，すな
わち、第３の色フィルタ層６２を形成する。その後、前
記第３の色フィルタ層６２を外部の衝撃から保護するた
めに、前記第３の色フィルタ層６２の表面上に第３の中
間層６４を形成する。
【００２７】このとき、第３の中間層６４は前記パッド
部５２のみ露出されるように形成する。
部５２のみ露出されるように形成する。
【００２８】上述の工程によって、第１，第２，第３の
中間層が前記パッド部５２上に形成され、これら中間層
の厚さとは４．１μｍ程度にネガティブポリイミドで形
成することができ、また、連続的に０．６〜１．０厚さ
のネガティブポリイミドと２．０〜４．０μｍ厚さのポ
ジティブポリイミドとの混合層とに形成することもでき
る。この混合層の厚さは、ネガティブポリイミドが０．
８μｍ、ポジティブポリイミドが３．３μｍであると好
ましい。
中間層が前記パッド部５２上に形成され、これら中間層
の厚さとは４．１μｍ程度にネガティブポリイミドで形
成することができ、また、連続的に０．６〜１．０厚さ
のネガティブポリイミドと２．０〜４．０μｍ厚さのポ
ジティブポリイミドとの混合層とに形成することもでき
る。この混合層の厚さは、ネガティブポリイミドが０．
８μｍ、ポジティブポリイミドが３．３μｍであると好
ましい。
【００２９】また、前記第１，第２，第３の中間層３
６，６０，６４は、熱収縮膨長率が小さく硬化温度にお
いて感光性が維持されるポジティブポリイミドを使用し
て形成することもできる。
６，６０，６４は、熱収縮膨長率が小さく硬化温度にお
いて感光性が維持されるポジティブポリイミドを使用し
て形成することもできる。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明に従っ
て、熱収縮率が比較的大きく熱硬化のとき問題になって
いた中間層の形成材料を熱収縮が相対的に小さなネガテ
ィブポリイミドで形成することにより、色フィルタ層と
中間層との間の係面において作用する応力を最小化で
き、これにより色フィルタ層の移動、中間層の亀裂が防
止され、分光特性及び感度に優れたイメージング装置を
提供することが可能となる。
て、熱収縮率が比較的大きく熱硬化のとき問題になって
いた中間層の形成材料を熱収縮が相対的に小さなネガテ
ィブポリイミドで形成することにより、色フィルタ層と
中間層との間の係面において作用する応力を最小化で
き、これにより色フィルタ層の移動、中間層の亀裂が防
止され、分光特性及び感度に優れたイメージング装置を
提供することが可能となる。
【図１】従来のカラーフィルタの製造方法を説明するた
めのＣＣＤ形のイメージング装置の垂直断面図
めのＣＣＤ形のイメージング装置の垂直断面図
【図２】本発明の実施例に係るカラーフィルタの製造工
程を示す図
程を示す図
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】その次、同様の方法で第２及び第３色フィ
ルタ層を形成する。この際、前記第１色フィルタ層５４
及び平坦化層４０上の全表面に、前記第１色フィルタ層
５４がイエロー染料に染色されることを防止する防染膜
として第１中間層５６を形成する。前記第１中間層５６
はポジティブポリイミドなどで形成する。
ルタ層を形成する。この際、前記第１色フィルタ層５４
及び平坦化層４０上の全表面に、前記第１色フィルタ層
５４がイエロー染料に染色されることを防止する防染膜
として第１中間層５６を形成する。前記第１中間層５６
はポジティブポリイミドなどで形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】今まで紹介したＩＴ−ＣＣＤ上にカラーフ
ィルタを形成する製造方法において、色感度が良い補色
形においては前述の如くシアン層とイエロー層を相互に
重畳させてグリーン層を形成する。すなわち、前記第
１，第２，第３の色フィルタ層５４，５８，６２がＩＴ
−ＣＣＤ上に形成され、これらの色フィルタ層の混色防
止のための透明な防染膜として中間層５６，６０，６４
を形成する。
ィルタを形成する製造方法において、色感度が良い補色
形においては前述の如くシアン層とイエロー層を相互に
重畳させてグリーン層を形成する。すなわち、前記第
１，第２，第３の色フィルタ層５４，５８，６２がＩＴ
−ＣＣＤ上に形成され、これらの色フィルタ層の混色防
止のための透明な防染膜として中間層５６，６０，６４
を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、電荷結合装置ＣＣＤなどを含むイ
メージセンサ上に平坦化のための平坦化層を形成する段
階と、前記平坦化層上に第１色フィルタ層を形成し防染
膜である第１中間層を形成する段階と、前記段階のよう
な方法で色フィルタ層及び中間層を交互に形成して第２
色フィルタ層及び第２中間層、第３色フィルタ層及び第
３中間層を形成する段階とを含むカラーフィルタの製造
方法において、前記第１乃至第３中間層は熱収縮が相対
的に小さなネガティブポリイミドで形成されることを特
徴とするカラーフィルタの製造方法を提供することにあ
る。
るために、本発明は、電荷結合装置ＣＣＤなどを含むイ
メージセンサ上に平坦化のための平坦化層を形成する段
階と、前記平坦化層上に第１色フィルタ層を形成し防染
膜である第１中間層を形成する段階と、前記段階のよう
な方法で色フィルタ層及び中間層を交互に形成して第２
色フィルタ層及び第２中間層、第３色フィルタ層及び第
３中間層を形成する段階とを含むカラーフィルタの製造
方法において、前記第１乃至第３中間層は熱収縮が相対
的に小さなネガティブポリイミドで形成されることを特
徴とするカラーフィルタの製造方法を提供することにあ
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】先ず、図２（Ａ）に示すように、硬化温度
において感光性が変化せず光透過性が優れた、例えばポ
ジティブポリイミドなどを、３．５μｍの厚さでＩＴ−
ＣＣＤ上に塗布する。そして、ホットプレートを用いて
１７０℃で５分間加熱して平坦化層４０を形成する。好
ましいポジティブポリイミドの例としては CFGR-2010(T
okyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)があり、現像液およびリン
ス液については、 CFGR-Developer,Rinse(Tokyo Ohka K
ogyo Co,. Ltd.) が挙げられる。
において感光性が変化せず光透過性が優れた、例えばポ
ジティブポリイミドなどを、３．５μｍの厚さでＩＴ−
ＣＣＤ上に塗布する。そして、ホットプレートを用いて
１７０℃で５分間加熱して平坦化層４０を形成する。好
ましいポジティブポリイミドの例としては CFGR-2010(T
okyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)があり、現像液およびリン
ス液については、 CFGR-Developer,Rinse(Tokyo Ohka K
ogyo Co,. Ltd.) が挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】前記第１中間層５６を形成した後、図２
（Ｃ）に示すように、第１中間層５６上の第２及び第３
のフォトダイオード３４，３６と対応する位置に、イエ
ロー層、すなわち、第２の色フィルタ層５８を形成す
る。上記の結果得られる構造上に、前記第２の色フィル
タ層５８がシアン染料に染色されるのを防止するため
に、先に説明した方法と同様の方法で、パッド部５２の
み露出されるように、ネガティブポリイミドを塗布し、
防染膜である第２の中間層６０を形成する。
（Ｃ）に示すように、第１中間層５６上の第２及び第３
のフォトダイオード３４，３６と対応する位置に、イエ
ロー層、すなわち、第２の色フィルタ層５８を形成す
る。上記の結果得られる構造上に、前記第２の色フィル
タ層５８がシアン染料に染色されるのを防止するため
に、先に説明した方法と同様の方法で、パッド部５２の
み露出されるように、ネガティブポリイミドを塗布し、
防染膜である第２の中間層６０を形成する。
Claims (7)
- 【請求項１】 電荷結合装置ＣＣＤなどを含むイメージ
センサ上に平坦化のための平坦化層を形成する段階と、
前記平坦化層上に第１色フィルタ層を形成し防炎膜の第
１中間層を形成する段階と、前記段階のような方法で色
フィルタ層及び中間層を交互に形成して第２色フィルタ
層及び第２中間層、第３色フィルタ層及び第３中間層を
形成する段階とを含むカラーフィルタ製造方法におい
て、前記第１乃至第３中間層は熱収縮が相対的に小さな
ネガティブポリイミドで形成されることを特徴とするカ
ラーフィルタの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１，第２，第３の中間層は、相対
的に熱収縮が小さなポジティブポリイミドで形成される
ことを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタの製造
方法。 - 【請求項３】 前記第１，第２，第３の中間層を成すポ
ジティブポリイミドの厚さは、０．６〜１．０μｍであ
ることを特徴とする請求項２記載のカラーフィルタの製
造方法。 - 【請求項４】 前記第１，第２，第３の中間層は、相対
的に熱収縮が小さなネガディブポリイミドとポジティブ
ポリイミドとの混合層で形成されることを特徴とする請
求項１記載のカラーフィルタの製造方法。 - 【請求項５】 前記ネガディブポリイミドは、０．６〜
１．０μｍの厚さであり、前記ポジティブポリイミドは
２．０〜４．０μｍの厚さで形成することを特徴とする
請求項３記載のカラーフィルタの製造方法。 - 【請求項６】 前記平坦化層は、相対的に熱収縮が小さ
なネガディブポリイミドで形成することを特徴とする請
求項１記載のカラーフィルタの製造方法。 - 【請求項７】 更に、前記第１，第２，第３の中間層を
形成する各段階の後にパッド部の中間層をエッチングす
る段階を含むことを特徴とする請求項１記載のカラーフ
ィルタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1992-2667 | 1992-02-21 | ||
| KR1019920002667A KR950011567B1 (ko) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 칼라필터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05288928A true JPH05288928A (ja) | 1993-11-05 |
| JPH0762724B2 JPH0762724B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=19329319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219893A Expired - Lifetime JPH0762724B2 (ja) | 1992-02-21 | 1993-02-22 | カラーフィルタの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5350490A (ja) |
| EP (1) | EP0557135B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0762724B2 (ja) |
| KR (1) | KR950011567B1 (ja) |
| DE (1) | DE69325728T2 (ja) |
| TW (1) | TW295729B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0151258B1 (ko) * | 1995-06-22 | 1998-10-01 | 문정환 | 씨씨디 영상센서 및 그 제조방법 |
| US5555464A (en) * | 1995-07-28 | 1996-09-10 | Lockheed Martin Corporation | Red/near-infrared filtering for CCD cameras |
| KR0186183B1 (ko) * | 1995-12-19 | 1999-03-20 | 문정환 | 컬러 고체촬상소자 |
| US6031250A (en) * | 1995-12-20 | 2000-02-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated circuit devices and methods employing amorphous silicon carbide resistor materials |
| US6680489B1 (en) | 1995-12-20 | 2004-01-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Amorphous silicon carbide thin film coating |
| US6133954A (en) * | 1996-03-14 | 2000-10-17 | Tritech Microelectronics, Ltd. | Integrated circuit color chip with cells with integral color filters including triplets of photodiodes with each having integrated therewith transistors for reading from and writing to the photodiode and methods of manufacture and operation thereof |
| EP0959505A3 (en) * | 1998-05-18 | 2000-01-26 | Eastman Kodak Company | Method for planarising the device topography on solid state imagers |
| US6200712B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Color filter image array optoelectronic microelectronic fabrication with three dimensional color filter layer and method for fabrication thereof |
| US20020084407A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-04 | Xerox Corporation | Systems and methods for fabricating an electro-optical device used for image sensing |
| KR100455656B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-11-12 | 동부전자 주식회사 | 컬러 필터 제조 방법 |
| US7250591B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Photonic crystal-based filter for use in an image sensor |
| CN106449689A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-02-22 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光ccd |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4357415A (en) * | 1980-03-06 | 1982-11-02 | Eastman Kodak Company | Method of making a solid-state color imaging device having a color filter array using a photocrosslinkable barrier |
| KR920005444B1 (ko) * | 1989-12-02 | 1992-07-04 | 삼성전자 주식회사 | 칼라필터 및 그 제조방법 |
| JP2808480B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-21 KR KR1019920002667A patent/KR950011567B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-02-22 DE DE69325728T patent/DE69325728T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-22 JP JP3219893A patent/JPH0762724B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-22 US US08/024,205 patent/US5350490A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-22 EP EP93301260A patent/EP0557135B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-19 TW TW082102977A patent/TW295729B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930018734A (ko) | 1993-09-22 |
| TW295729B (ja) | 1997-01-11 |
| KR950011567B1 (ko) | 1995-10-06 |
| DE69325728T2 (de) | 2000-03-16 |
| EP0557135A1 (en) | 1993-08-25 |
| JPH0762724B2 (ja) | 1995-07-05 |
| DE69325728D1 (de) | 1999-09-02 |
| US5350490A (en) | 1994-09-27 |
| EP0557135B1 (en) | 1999-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7791659B2 (en) | Solid state imaging device and method for producing the same | |
| JP3789365B2 (ja) | 層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法 | |
| US7358110B2 (en) | Image sensor having inner lens | |
| JP4480740B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 | |
| KR100303774B1 (ko) | 개선된 광감도를 갖는 씨모스이미지센서 제조방법 | |
| JPH05288928A (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| US7611922B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR20000041461A (ko) | 개선된 이미지센서 제조방법 | |
| US5238856A (en) | Method of manufacturing solid-state image pick-up device | |
| US20070102716A1 (en) | Image sensor and fabricating method thereof | |
| US20060125020A1 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| JPH0624232B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| CN101615595A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
| JPH069229B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR100449951B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| JPS61203663A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2000156485A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| TWI275188B (en) | Image sensor having reduced stress color filters and method of making | |
| JP2017216396A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2951942B1 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR100410590B1 (ko) | 이미지센서 및 이미지센서 제조방법 | |
| JPH05226624A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2000012814A (ja) | オンチップレンズ付カラー固体撮像素子とその製造方法 | |
| KR20010061341A (ko) | 이미지센서의 제조 방법 | |
| JPH1127588A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070705 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100705 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130705 Year of fee payment: 18 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130705 Year of fee payment: 18 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130705 Year of fee payment: 18 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |