KR100788349B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 임프린트 방식을 이용하여 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈를 제조하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 기판 상에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 기판 상에 소정의 개구부 및 차광부가 정의된 마스크를 대향시킨 후, 상기 마스크를 이용하여, 상기 감광막을 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 과노광하는 단계와, 상기 감광막 패턴 상에 소정의 라운딩된 요부가 정의된 몰드를 대향시키는 단계 및 상기 몰드를 상기 감광막 패턴에 임프린트하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
몰드(mold), 임프린트(imprint), 마이크로 렌즈, 과노광
Description
도 1은 일반적인 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도
도 2a 내지 도 2e는 일반적인 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 3은 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조방법에서 이용하는 임프린트 방법을 나타낸 공정 사시도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 반도체 기판 101 : 감광막
200 : 마스크 201 : 개구부
202 : 차광부 300 : 몰드
120 : 마이크로 렌즈
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 임프린트 방식을 이용하여 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈를 제조하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중에서 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
한편, 씨모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호 처리 회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소 수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CCD(charge coupled device)는 구동 방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 스텝 수가 많아서 공정이 복잡하고 시그날 프로세싱 회로를 CCD 칩내에 구현 할 수 없어 원칩(One Chip)화가 곤란하다는 등의 여러 단점이 있는 바, 최근에 그러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지센서의 개발이 많이 연구되고 있다.
상기 CMOS 이미지센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이 미지를 구현하게 되는데, CMOS 제조기술을 이용하므로 전력 소모도 적고 마스크 수도 20개 정도로 30～40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지센서로 각광을 받고 있으며, DSC(Digital Still Camera), PC 카메라, 모바일 카메라(mobile camera) 등의 많은 응용부분에 사용되고 있다.
한편, CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다.
또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다.
따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
도 1은 일반적인 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이며, 도 2a 내지 도 2e는 일반적인 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 1 내지 도 2e와 같이, 일반적인 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은, 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 다음과 같은 순서로 이루어진다.
도 2a와 같이, 기판(10) 상의 소정 부위에 포토 다이오드(15)를 형성하고, 상기 포토 다이오드(15)를 포함한 상기 기판(10) 상에 층간 절연막(20)을 형성한다.
이어, 상기 층간 절연막(20) 상에 컬러 필터층(25)을 형성한다.
이어, 상기 컬러 필터층(25) 상부에 마이크로 렌즈 형성용 감광막(30)을 도포한다(10S).
도 2b와 같이, 상기 감광막(30)을 소정의 마스크(50)를 이용하여 노광한다(20S). 상기 마스크(50)는 소정 부위에 개구부(53)가 정의되어 있으며, 나머지 부위는 차광부(52)로 정의된다. 여기서, 상기 개구부(53)에 대응되는 부위는 투명층(51)이 형성되며, 상기 차광부(52)에 대응되는 부위는 차광층이 더 형성되다.
도 2c와 같이, 상기 감광막(30)을 현상(30S)하여 감광막 패턴(30a)을 형성한다.
도 2d와 같이, 상기 감광막 패턴(30a)을 과량의 에너지로 과노광(bleaching)한다(40S).
도 2e와 같이, 상기 감광막 패턴(30a)을 리플로우하여 마이크로 렌즈(30c)를 형성한다(50S).
종래의 씨모스 이미지센서(CIS)의 마이크로렌즈 형성방법으로 현재 가장 많이 사용되는 공정은 리플로우(reflow) 방식을 이용한 공정이다. 즉, 과노광(bleach)을 통해 과량의 노광에너지를 마이크로렌즈 형성용 감광막 패턴(30a)에 노출시킨 다음 고온의 열공정을 통해 구면 렌즈를 형성함으로써 이미지 센서를 위한 마이크로렌즈를 형성할 수 있게 되는 것이다.
그러나 상기와 같은 종래의 씨모스 이미지 센서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째 , 마이크로 렌즈용 감광액 자체가 가지는 민감성(sensitivity)로 인해 노광 및 현상 공정 이후 과노광(Bleaching)과 리플로우(reflow) 공정에서 공정을 콘트롤하기가 매우 어렵다.
둘째, 특히 열공정에 매우 민감하여 미세한 온도 조절이 가능한 장비가 필요하며, 리플로우(Reflow)시 온도조절이 제대로 되지 않을 경우 완전한 구면 렌즈를 형성하기가 어렵다.
즉, 종래의 씨모스 이미지 센서에서는 리플로우(reflow)시 온도조절이 제대로 이루어 지지 않을 경우 렌즈와 렌즈가 서로 연결되거나, 또는 너무 멀리 떨어지게 됨으로써 정확한 이미지를 얻을 수 없게 되며, 이러한 구면 렌즈를 정확하게 형성하는 것이 무엇보다도 상보성 산화물 반도체 이미지 센서의 품질을 결정하는 중요한 요소라 할 수 있겠다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 임프린트 방식을 이용하여 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈를 제조하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 기판 상에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 기판 상에 소정의 개구부 및 차광부가 정의된 마스크를 대향시킨 후, 상기 마스크를 이용하여, 상기 감광막을 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 과노광하는 단계와, 상기 과노광된 감광막 패턴 상에 소정의 라운딩된 요부가 정의된 몰드를 대향시키는 단계 및 상기 몰드를 상기 과노광된 감광막 패턴에 임프린트하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
상기 몰드를 상기 과노광된 감광막 패턴에 임프린트시 상기 몰드의 표면상이 상기 감광막 패턴의 표면에 반영되도록 압력을 인가한다.
상기 몰드를 제거하는 단계를 더 포함한다.
상기 몰드에는 상기 마이크로 렌즈의 대응 부위가 요부로 정의된다.
상기 기판에는 일정한 간격을 갖는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터와, 층간 절연막과, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토다이오드와 각각 대응되 도록 제 1 컬러 필터층, 제 2 컬러 필터층 및 제 3 컬러 필터층을 더 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이며, 도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 다음과 같은 순서로 이루어진다.
도 4a와 같이, 기판(100) 상에 감광막(110)을 도포한다(100S).
여기서, 상기 기판(100)에는 도시하지는 않지만, 일정한 간격을 갖는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터와, 층간 절연막과, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토다이오드와 각각 대응되도록 제 1 컬러 필터층, 제 2 컬러 필터층 및 제 3 컬러 필터층을 더 포함하고 있다.
도 4b와 같이, 상기 감광막(110)을 소정의 마스크(200)를 이용하여 노광한다(110S). 상기 마스크(200)는 소정 부위에 개구부(201)가 정의되어 있으며, 나머지 부위는 차광부(202)로 정의된다. 여기서, 상기 개구부(201)에 대응되는 부위는 투명층(210)이 형성되며, 상기 차광부(202)에 대응되는 부위는 차광층이 더 형성되어 있다고 가정한다.
도 4c와 같이, 상기 감광막(110)을 현상하여 감광막 패턴(110a)을 형성한다 (120S).
도 4d와 같이, 상기 감광막 패턴(110a)을 과량의 에너지로 과노광(bleaching)한다(130S).
도 4e와 같이, 상기 형성하고자 하는 마이크로 렌즈의 역상으로 표면이 정의된 몰드(300)를 준비한다. 이 경우, 상기 몰드(300)는 상기 마이크로 렌즈에 대응되는 부위의 표면이 라운딩된 요부(301)로 정의된다. 그리고, 상기 마이크로 렌즈가 형성되지 않는 부위는 평탄한 면(302)으로 정의된다.
도 4f와 같이, 이러한 상기 몰드(300)를 상기 감광막 패턴(110a)에 대응시켜 상기 감광막 패턴(110a)을 임프린트(140S)하여 상기 감광막 패턴(110a)이 형성하고자 하는 마이크로 렌즈(120)의 정확한 형상으로 패터닝되도록 한다. 이러한 임프린트 공정시에는 소정의 압력을 인위적으로 가하여 이루어질 수도 있고, 혹은 상부에 놓인 몰드가 하측 방향으로 갖는 중력에 의해서도 소정 시간 상기 몰드를 상기 감광막 패턴 상에 위치시키면 패터닝이 이루어질 수 있다.
이러한 임프린트 공정에 의해 상기 마이크로 렌즈(120)가 라운딩된 표면을 갖게 된다. 이러한 임프린트 공정에는 소정의 압력으로 소정시간 놓여두면 패터닝이 이루어지는 것으로, 열 공정이 별도로 필요치 않아, 열 공정에서 일어날 수 있는 상기 마이크로 렌즈의 형상 변화를 방지할 수 있다.
도 4g와 같이, 상기 몰드(300)를 상기 마이크로 렌즈(120)로부터 분리한다.
이어, 도면을 참조하여 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조방법에서 이용하는 임프린트 방법을 나타낸 공정 사시도이다.
도 5a와 같이, 기판(600) 상에 패턴 형성층(610)을 전면 형성한다.
그리고, 상기 패턴 형성층 상측에 소정 부위에 돌출부(510)를 구비한 원판(500)으로 이루어진 몰드(A)를 위치시킨다.
도 5b와 같이, 상기 몰드(A)를 상기 패턴 형성층(610) 상측에 놓고, 소정의 압력을 가하여, 상기 몰드(A)에 구비된 돌출부(510)가 요부로 정의되도록 패터닝하는 임프린트 공정을 진행한다.
도 5c는, 이러한 압력에 의한 임프린트 공정 후, 상기 몰드(A)에 구비된 돌출부(510)를 제외한 영역에 패턴 형성층(610a)이 남아있는 모습을 나타내고 있다.
이와 같이, 소정의 패턴을 갖는 상기 패턴 형성층(610a)을 형성하게 되면, 도 5d와 같이, 상기 몰드(A)를 기판(600) 상부로부터 제거하게 된다.
도 5a 내지 도 5d에는 상기 몰드(A)에 형성되는 돌출부(510)가 평탄한 면으로 형성되어 있으나, 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에서는 상기 돌출부(510)를 제외한 면에 요부 형상으로 원판(500)으로부터 제거되도록 한다. 이 때의 요부는 라운딩된 면으로 형성될 것이다.
본 발명은 나노 임프린트(Nanoimprint) 방식을 이용한 상보성 금속산화물 반도체 이미지 센서(CMOS Image Sensor)의 마이크로 렌즈 형성함으로써 종래 리플로우(reflow) 방식을 이용한 제조 방법의 렌즈 형성 문제점 보완하고 있다.
특히, 렌즈 형성 공정 중, 렌즈의 형성에 중요한 역할을 하는 Reflow공정을 임프린트 공정을 응용, 보완함으로써 기존 공정이 가지고 있는 온도만으로 렌즈 형태를 조절하기에 어려운 부분을 보완하여 줌으로써 재작업 및 공정손실을 줄일 수 있게 된다.
이와 같은 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 종래의 공정과 비교하여 볼 때 일반 사진 공정을 통해 일차적으로 렌즈형성을 위한 패턴 형성 및 이후 과노광을 진행하는 부분까지는 동일하다. 종래의 제조 공정에서 렌즈의 형상을 리플로우(reflow) 공정만으로 조절했던 것을 몰드를 이용하여 보다 완벽한 구면렌즈를 쉽게 생성할 수 있게 되는 것이다.
또한, 종래의 제조 공정에서 리플로우(reflow) 방식에서는 과노광 후 고온의 열을 장시간 가하여 줌으로써 감광액이 흘러내리는 효과를 이용, 구면 렌즈를 형상하는 방식이나, 본 발명에서는 고온의 리플로우(reflow) 방식 대신 몰드를 겹친 후 압력을 가하여 줌으로써 열을 가해주는 공정을 대신하게 되는 것이다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조에 있어서는, 마이크로 렌즈 형성시 마 이크로 렌즈 형성용 감광막을 도포 및 노광/현상한 후, 남아있는 감광막 패턴에 마이크로 렌즈의 형상의 역상으로 표면이 정의된 몰드를 구비하여 임프린트 방식으로 상기 감광막 패턴을 패터닝하여 마이크로 렌즈를 형성한다.
이 때, 상기 마이크로 렌즈의 라운딩된 표면 형상을 형성하기 위해, 임프린트 방식을 이용하기 때문에, 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 종래의 열공정과 과노광 공정을 통한 렌즈의 제조 방법은 공정 조건에 따라 렌즈의 모양이 정확하게 형성되지 않을 수 있는 어려움이 있었으나, 상기 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조시에는 임프린트 방식의 특성상 압력을 가하여, 패턴이 형성되는 방식으로 진행하기 때문에, 마이크로 렌즈의 모양이 흐트러지지 않은 채 정확한 렌즈모양을 형성할 수 있는 장점이 있다.
둘째, 종래의 렌즈 형성시에는 열공정에 의해 렌즈 모양이 변하는 단점이 있었으나, 본 발명은 정확하게 설계된 몰드를 겹친 후 고정함으로써 렌즈 모양이 변화하는 요인이 줄어드는 장점이 있다.
셋째, 종래 렌즈 형성방법에서 사용된 고온의 리플로우(reflow) 공정 대신 보다 단순한 몰드를 이용하며, 또한 열대신 압력을 가함으로써 공정시간 단축 및 공정조절이 쉬워지는 장점이 있다.
Claims (5)
- 기판 상에 감광막을 도포하는 단계;상기 기판 상에 소정의 개구부 및 차광부가 정의된 마스크를 대향시킨 후, 상기 마스크를 이용하여, 상기 감광막을 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 감광막 패턴을 과노광하는 단계;상기 과노광된 감광막 패턴 상에 소정의 라운딩된 요부가 정의된 몰드를 대향시키는 단계; 및상기 몰드를 상기 과노광된 감광막 패턴에 임프린트하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 몰드를 상기 과노광된 감광막 패턴에 임프린트시 상기 몰드의 표면상이 상기 감광막 패턴의 표면에 반영되도록 압력을 인가하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 몰드에는 상기 마이크로 렌즈의 대응 부위가 요부로 정의된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판에는 일정한 간격을 갖는 다수개의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터와, 층간 절연막과, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토다이오드와 각각 대응되도록 제 1 컬러 필터층, 제 2 컬러 필터층 및 제 3 컬러 필터층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
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| KR20230141407A (ko) * | 2022-03-31 | 2023-10-10 | 비스에라 테크놀러지스 컴퍼니 리미티드 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000323693A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
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-
2005
- 2005-12-29 KR KR1020050133177A patent/KR100788349B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2000323693A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR20020016113A (ko) * | 2000-08-24 | 2002-03-04 | 강신일 | 마이크로렌즈 제조방법 |
| KR20050010343A (ko) * | 2003-07-19 | 2005-01-27 | 주식회사 옵토메카 | 이미지 센서 및 이미지 센서 제작방법과 이에 이용되는마이크로 광집속 소자 어레이 제작용 몰드 |
Cited By (2)
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