JP2011040926A - 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単位画素20がフォトダイオード21とFD部27の間に電荷蓄積部22を有するCMOSイメージセンサ10において、電荷蓄積部22を利用して1つの単位画素20から感度の異なる複数の信号、即ち高感度の信号と低感度の信号を得る。そして、高感度の信号と低感度の信号を合成処理することによってダイナミックレンジを拡大する。静止画撮像時の画面内の露光期間の同時性についてはメカニカルシャッタによるシャッタ動作によって実現する。
【選択図】図2
Description
光電変換で生成した電荷を蓄積する光電変換部と
前記光電変換部の電荷を第1の蓄積部に転送する第1の転送機構と、
前記第1の蓄積部の電荷を第2の蓄積部に転送する第2の転送機構と、
前記第2の蓄積部の電荷に応じた信号を信号線に読み出す読出し機構と、
前記第2の蓄積部をリセットするリセット機構と
を有する単位画素が行列状に2次元配置された固体撮像装置において、
前記光電変換部をリセットし、
その後前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を前記第1の蓄積部に転送し、
その後前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の蓄積部の電荷に応じた第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記光電変換部の電荷に応じた第2の信号を前記信号線に読み出すように画素を駆動する
構成を採っている。
前記光電変換部にはメカニカルシャッタを通して光を入射させ、
前記メカニカルシャッタの開状態において前記光電変換部を全画素同時にリセットし、次いで前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を全画素同時に前記第1の蓄積部に転送し、
しかる後、前記メカニカルシャッタの閉状態において前記画素アレイ部の各画素を行単位で順に選択し、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第2の信号を前記信号線に読み出しつつ走査する。
このとき、第1の信号の露光期間は前記全画素同時のリセットから前記全画素同時の前記第1の蓄積部への転送までの期間となる。また、第2の信号の露光期間は、引き続いて前記メカニカルシャッタを閉じるまでの期間となる。
これにより、1つの単位画素から露光期間が異なる、即ち感度が異なる第1,第2の信号が得られる。また、全画素の露光期間の同時性が確保されている。
1.本発明が適用される固体撮像装置(CMOSイメージセンサの例)
1−1.システム構成
1−2.画素構成
2.本発明(実施形態)の特徴部分
3.本発明による電子機器(撮像装置の例)
3−1.システム構成
3−2.動画モード
3−3.静止画モード
3−4.本実施形態の作用効果
[1−1.システム構成]
図1は、本発明が適用される固体撮像装置、例えばX−Yアドレス型固体撮像装置の一種であるCMOSイメージセンサのシステム構成の概略を示すシステム構成図である。ここで、CMOSイメージセンサとは、CMOSプロセスを応用して、または部分的に使用して作成されたイメージセンサである。
(回路構成)
図2は、単位画素の構成の一例を示す回路図である。図2に示すように、本構成例に係る単位画素20は、光電変換部である例えばフォトダイオード21に加えて、例えば電荷蓄積部22、転送トランジスタ23、リセットトランジスタ24、選択トランジスタ25および増幅トランジスタ26を有する構成となっている。
図3は、フォトダイオード21からFD部27にかけての断面構造の概略を示す断面図である。図3において、図2と同等部分(対応する部分)には同一符号を付して示している。
上記構成の単位画素20は、フォトダイオード21とFD部27の間に一時的に信号電荷を蓄積(保持)する電荷蓄積部22を有することを特徴としている。単位画素20に電荷蓄積部22を設ける技術は、周知の技術である(例えば、特開平11−177076号公報参照)。
電荷蓄積部22を有する単位画素20では、フォトダイオード21の信号電荷を電荷蓄積部22に読み出した後、フォトダイオード21から電荷蓄積部22に電荷が溢れ、あらかじめ保持している電荷蓄積部22の電荷量を変えてしまうという不具合がある。
本発明の一実施形態に係る固体撮像装置、例えばCMOSイメージセンサは、単位画素20が電荷蓄積部22を有し、当該CMOSイメージセンサの撮像面にはメカニカルシャッタを通して入射光が取り込まれることを前提とする。そして、メカニカルシャッタによってグローバルシャッタを実現する一方、電荷蓄積部22を用いることによってダイナミックレンジの拡大を図る。
[3−1.システム構成]
次に、本実施形態に係る固体撮像装置をメカニカルシャッタとの組合せで用いる本発明による電子機器について説明する。ここでは、電子機器として撮像装置、例えばデジタルスチルカメラの場合を例に挙げて説明するものとする。
次に、上記構成の撮像装置、即ちデジタルスチルカメラにおけるモニタリングモードなどの動画モード時の動作について、図2の画素回路を基に説明する。
ここで、広ダイナミックレンジ化のための合成処理の一例について説明する。図8に、広ダイナミックレンジ化のための合成処理を行う合成処理部60の構成の一例を示す。
合成信号=FD信号×β+PD信号×α×(1−β)
なる式で表わされる。
(1)FD信号≦aのときは、
合成信号=FD信号
(2)b≦FD信号
合成信号=PD信号×感度比α
(3)a<FD信号<b
合成信号=FD信号×β+PD信号×α×(1−β)
次に、静止画モード時の動作について図2の画素回路を基に説明する。静止画の場合、動く物体について歪みが発生することが大きな問題となる。したがって、各画素の露光時間に関して同時性を確保する必要がある。本実施形態では、露光時間の同時性の確保についてはメカニカルシャッタによるシャッタ動作を用いる。そして、電荷蓄積部22については、グローバルシャッタ動作を実現するためではなく、ダイナミックレンジを拡大する目的で用いることを特徴としている。
上述したように、単位画素20がフォトダイオード21とFD部27の間に電荷蓄積部22を有するCMOSイメージセンサ10において、電荷蓄積部22を用いることによってダイナミックレンジを拡大することができる。具体的には、電荷蓄積部22を利用して感度の異なる複数の信号を得て、これら複数の信号を合成処理することによって広ダイナミックレンジ化を図ることができる。静止画撮像時の画面内の露光期間の同時性についてはメカニカルシャッタ513によるシャッタ動作によって確保できる。
Claims (15)
- 光電変換で生成した電荷を蓄積する光電変換部と
前記光電変換部の電荷を第1の蓄積部に転送する第1の転送機構と、
前記第1の蓄積部の電荷を第2の蓄積部に転送する第2の転送機構と、
前記第2の蓄積部の電荷に応じた信号を信号線に読み出す読出し機構と、
前記第2の蓄積部をリセットするリセット機構と
を有する単位画素が行列状に2次元配置された画素アレイ部と、
前記光電変換部をリセットし、
その後前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を前記第1の蓄積部に転送し、
その後前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の蓄積部の電荷に応じた第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記光電変換部の電荷に応じた第2の信号を前記信号線に読み出すように画素を駆動する行走査部と
を備える固体撮像装置。 - 前記行走査部は、
前記光電変換部をリセットする第1シャッタ行と、
前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を前記第1の蓄積部に転送する第2シャッタ行と、
前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第2の信号を前記信号線に読み出す読出し行と
を、前記第1シャッタ行に対する走査タイミングから前記第2シャッタ行に対する走査タイミングまでの期間と前記第2シャッタ行に対する走査タイミングから前記読出し行に対する走査タイミングまでの期間を異ならせて順に走査する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1シャッタ行に対する走査タイミングから前記第2シャッタ行に対する走査タイミングまでの期間は、前記第2シャッタ行に対する走査タイミングから前記読出し行に対する走査タイミングまでの期間よりも長い
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記第1の転送機構は、前記光電変換部と前記第1の蓄積部の間に設けられたチャネルと、当該チャネルおよび前記第1の蓄積部の上に設けられたゲート電極とを有する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1の蓄積部に電荷を保持する期間に前記ゲート電極に印加される電圧は、前記ゲート電極下に、前記第1の蓄積部の電荷とは反対極性の電荷を生じさせる電圧である
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部にはメカニカルシャッタを通して光が入射し、
前記行走査部は、
前記メカニカルシャッタの開状態において前記光電変換部を全画素同時にリセットし、次いで前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を全画素同時に前記第1の蓄積部に転送し、
しかる後、前記メカニカルシャッタの閉状態において前記画素アレイ部の各画素を行単位で順に選択し、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第2の信号を前記信号線に読み出しつつ走査する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記全画素同時のリセットから前記全画素同時の前記第1の蓄積部への転送までの期間は、引き続いて前記メカニカルシャッタを閉じるまでの期間よりも長い
請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記信号線を通して出力される前記第1の信号と前記第2の信号を合成処理する合成処理部を有する
請求項2または請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記合成処理部は、前記第1の信号と前記第2の信号との感度比をαとするとき、前記第1の信号が飽和レベルまたはそれに近い基準値以上のときは前記第2の信号×αを採用し、前記第1の信号が前記基準値よりも小さいときは当該第1の信号を採用する
請求項8記載の固体撮像装置。 - 前記合成処理部は、前記第1の信号が飽和レベルまたはそれに近い第1の基準値よりも小さく、当該第1の基準値よりも小さい第2の基準値よりも大きいときに前記第1の信号と前記第2の信号×αの信号に対して加重平均処理を行う
請求項8記載の固体撮像装置。 - 前記合成処理部は、係数をβとするとき、前記第1の信号×β+前記第2の信号×α×(1−β)なる演算によって加重平均処理を行う
請求項10記載の固体撮像装置。 - 光電変換で生成した電荷を蓄積する光電変換部と
前記光電変換部の電荷を第1の蓄積部に転送する第1の転送機構と、
前記第1の蓄積部の電荷を第2の蓄積部に転送する第2の転送機構と、
前記第2の蓄積部の電荷に応じた信号を信号線に読み出す読出し機構と、
前記第2の蓄積部をリセットするリセット機構と
を有する単位画素が行列状に2次元配置された固体撮像装置の駆動に当たって、
前記光電変換部をリセットする第1シャッタ行と、
前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を前記第1の蓄積部に転送する第2シャッタ行と、
前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の蓄積部の電荷に応じた第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記光電変換部の電荷に応じた第2の信号を前記信号線に読み出す読出し行と
を、前記第1シャッタ行に対する走査タイミングから前記第2シャッタ行に対する走査タイミングまでの期間と前記第2シャッタ行に対する走査タイミングから前記読出し行に対する走査タイミングまでの期間を異ならせて順に走査する
固体撮像装置の駆動方法。 - 光電変換で生成した電荷を蓄積する光電変換部と
前記光電変換部の電荷を第1の蓄積部に転送する第1の転送機構と、
前記第1の蓄積部の電荷を第2の蓄積部に転送する第2の転送機構と、
前記第2の蓄積部の電荷に応じた信号を信号線に読み出す読出し機構と、
前記第2の蓄積部をリセットするリセット機構と
を有する単位画素が行列状に2次元配置された固体撮像装置の駆動に当たって、
前記光電変換部にはメカニカルシャッタを通して光が入射し、
前記メカニカルシャッタの開状態において前記光電変換部を全画素同時にリセットし、次いで前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を全画素同時に前記第1の蓄積部に転送し、
しかる後、前記メカニカルシャッタの閉状態において前記画素アレイ部の各画素を行単位で順に走査しつつ、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の蓄積部の電荷に応じた第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記光電変換部の電荷に応じた第2の信号を前記信号線に読み出す
固体撮像装置の駆動方法。 - 光電変換で生成した電荷を蓄積する光電変換部と
前記光電変換部の電荷を第1の蓄積部に転送する第1の転送機構と、
前記第1の蓄積部の電荷を第2の蓄積部に転送する第2の転送機構と、
前記第2の蓄積部の電荷に応じた信号を信号線に読み出す読出し機構と、
前記第2の蓄積部をリセットするリセット機構と
を有する単位画素が行列状に2次元配置された画素アレイ部と、
前記光電変換部をリセットする第1シャッタ行と、
前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を前記第1の蓄積部に転送する第2シャッタ行と、
前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の蓄積部の電荷に応じた第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記光電変換部の電荷に応じた第2の信号を前記信号線に読み出す読出し行と
を、前記第1シャッタ行に対する走査タイミングから前記第2シャッタ行に対する走査タイミングまでの期間と前記第2シャッタ行に対する走査タイミングから前記読出し行に対する走査タイミングまでの期間を異ならせて順に走査する行走査部と
を備える固体撮像装置を有する電子機器。 - 光電変換で生成した電荷を蓄積する光電変換部と
前記光電変換部の電荷を第1の蓄積部に転送する第1の転送機構と、
前記第1の蓄積部の電荷を第2の蓄積部に転送する第2の転送機構と、
前記第2の蓄積部の電荷に応じた信号を信号線に読み出す読出し機構と、
前記第2の蓄積部をリセットするリセット機構と
を有する単位画素が行列状に2次元配置された画素アレイ部を持つ固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の撮像面に対して入射光を選択的に取り込むメカニカルシャッタと
を備え、
前記固体撮像装置の行走査部は、
前記メカニカルシャッタの開状態において前記光電変換部を全画素同時にリセットし、次いで前記第1の転送機構によって前記光電変換部の電荷を全画素同時に前記第1の蓄積部に転送し、
しかる後、前記メカニカルシャッタの閉状態において前記画素アレイ部の各画素を行単位で順に走査しつつ、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記第1の蓄積部の電荷に応じた第1の信号を前記信号線に読み出し、次いで前記第1の転送機構、前記第2の転送機構および前記読出し機構によって前記光電変換部の電荷に応じた第2の信号を前記信号線に読み出す
請求項14記載の電子機器。
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216692A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Honda Motor Co Ltd | 単位画素及び固体撮像装置並びに単位画素の信号加算方法 |
JP2015095772A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
US9083898B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and camera module |
US9237282B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and camera module including AD converting units for respective pixels |
JP2016066843A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社Jvcケンウッド | 固体撮像装置 |
JP2016516294A (ja) * | 2013-03-06 | 2016-06-02 | アップル インコーポレイテッド | 画像センサにおける電荷転送 |
WO2016136486A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US9497359B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-11-15 | Olympus Corporation | Solid-state imaging apparatus and endoscope apparatus |
US9894297B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-02-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US9912883B1 (en) | 2016-05-10 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters |
JP2018088717A (ja) * | 2018-02-28 | 2018-06-07 | 株式会社Jvcケンウッド | 固体撮像装置 |
US10263032B2 (en) | 2013-03-04 | 2019-04-16 | Apple, Inc. | Photodiode with different electric potential regions for image sensors |
US10285626B1 (en) | 2014-02-14 | 2019-05-14 | Apple Inc. | Activity identification using an optical heart rate monitor |
US10438987B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Stacked backside illuminated SPAD array |
US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
JP2019212920A (ja) * | 2011-07-15 | 2019-12-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
US10609348B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-03-31 | Apple Inc. | Pixel binning in an image sensor |
US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
US10656251B1 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Signal acquisition in a SPAD detector |
US10801886B2 (en) | 2017-01-25 | 2020-10-13 | Apple Inc. | SPAD detector having modulated sensitivity |
US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
US10962628B1 (en) | 2017-01-26 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Spatial temporal weighting in a SPAD detector |
US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5738080B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2015-06-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
JP5821315B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2015-11-24 | ソニー株式会社 | 電子機器、電子機器の駆動方法 |
KR101273197B1 (ko) * | 2011-08-16 | 2013-06-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 픽셀, 픽셀 어레이, 이를 포함하는 이미지센서 및 그 구동방법 |
TWI467751B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-01-01 | Sony Corp | A solid-state imaging device, a driving method of a solid-state imaging device, and an electronic device |
JP2013168713A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法及びカメラシステム |
CN104160295B (zh) * | 2012-03-09 | 2017-09-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的驱动方法 |
JP2013211615A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、および電子機器 |
US9478574B2 (en) * | 2012-09-19 | 2016-10-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels with light guides and light shield structures |
JP2015228388A (ja) * | 2012-09-25 | 2015-12-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
JP2014143498A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP6287058B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2018-03-07 | 株式会社リコー | 縮小光学系用の光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP6376785B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-08-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
US9426395B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of calibrating knee-point and logarithmic slope in linear-logarithmic image sensors |
KR102273656B1 (ko) * | 2014-11-24 | 2021-07-05 | 삼성전자주식회사 | 광역 역광 보정 영상의 노이즈 레벨 제어 장치, 및 이를 포함하는 영상 처리 시스템 |
US9912886B2 (en) * | 2014-12-17 | 2018-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus and driving method of image sensor |
US10264197B2 (en) * | 2015-02-13 | 2019-04-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device, driving method, and electronic apparatus |
CN108040494B (zh) * | 2015-06-23 | 2022-01-21 | 傲迪司威生物识别公司 | 双面指纹传感器 |
US10484623B2 (en) * | 2016-12-20 | 2019-11-19 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Sensor with alternating visible and infrared sensitive pixels |
WO2018198691A1 (ja) | 2017-04-25 | 2018-11-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 |
JP2018186478A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 |
CN109286763B (zh) * | 2017-07-19 | 2020-10-27 | 恒景科技股份有限公司 | 图像传感器及其操作方法 |
CN109561264B (zh) * | 2017-09-26 | 2020-12-22 | 普里露尼库斯股份有限公司 | 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备 |
JP7114833B2 (ja) * | 2018-01-22 | 2022-08-09 | ブリルニクスジャパン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器 |
US11451729B2 (en) * | 2018-10-24 | 2022-09-20 | Ningbo ABAX Sensing Electronic Technology Co., Ltd. | Reset method, reset device, and reset system and pixel array using the same |
US11233966B1 (en) | 2018-11-29 | 2022-01-25 | Apple Inc. | Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes |
EP3664439A1 (en) * | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | An optoelectronic, a reading-out method, and a uses of the optoelectronic apparatus |
CN110610157B (zh) * | 2019-09-12 | 2022-05-27 | 北京集创北方科技股份有限公司 | 信号处理方法、装置和终端设备 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0775026A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-03-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 撮像装置 |
JPH09200617A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Nikon Corp | 撮像装置 |
JP2002010143A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
JP2002064751A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP2002077737A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Nec Corp | イメージセンサ |
JP2004111590A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動制御方法 |
JP2006033453A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Sony Corp | データ処理方法並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器 |
JP2008252195A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Yamaha Corp | Cmos固体撮像装置 |
JP2009059852A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
JP2009147049A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3874135B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2007-01-31 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
GB0020280D0 (en) * | 2000-08-18 | 2000-10-04 | Vlsi Vision Ltd | Modification of column fixed pattern column noise in solid image sensors |
JP4135360B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2008-08-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3944829B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-07-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
TW552803B (en) * | 2002-01-18 | 2003-09-11 | Nucam Corp | Image pickup apparatus and exposure control method therefor |
JP2003234961A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
US6919551B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-07-19 | Micron Technology Inc. | Differential column readout scheme for CMOS APS pixels |
JP2004304331A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
US20040212723A1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-28 | Malcolm Lin | Image pickup apparatus and operating method |
JP2005065082A (ja) | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 付属装置、撮像装置、通信装置および撮像システム |
US7332786B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Anti-blooming storage pixel |
JP3814609B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、及び撮像装置の駆動方法 |
US7045754B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-05-16 | Omnivision Technologies, Inc. | Hybrid charge coupled CMOS image sensor having an amplification transistor controlled by a sense node |
US7061413B2 (en) * | 2004-08-25 | 2006-06-13 | Micron Technology, Inc. | Analog to digital conversion with offset cancellation |
US7554066B2 (en) * | 2005-04-13 | 2009-06-30 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus employing dynamic element matching for reduction of column-wise fixed pattern noise in a solid state imaging sensor |
US7851798B2 (en) * | 2005-05-04 | 2010-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for dark current and blooming suppression in 4T CMOS imager pixel |
JP2007180654A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
US20090040351A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for reducing noise in a pixel array |
US7952635B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-05-31 | Teledyne Licensing, Llc | Low noise readout apparatus and method with snapshot shutter and correlated double sampling |
JP5053869B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2012-10-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、及び固体撮像装置の駆動方法 |
CN102017150B (zh) * | 2008-05-02 | 2016-08-03 | 佳能株式会社 | 固态成像装置 |
JP2009278241A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Canon Inc | 固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置 |
JP5371330B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5219724B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
-
2009
- 2009-08-10 JP JP2009185534A patent/JP5625284B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-03 KR KR1020100074904A patent/KR101679863B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-03 TW TW99125792A patent/TWI424744B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-08-03 EP EP10008105.8A patent/EP2285098B1/en not_active Not-in-force
- 2010-08-03 US US12/849,071 patent/US8619170B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-09 CN CN201010248428XA patent/CN101998066B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-09-12 US US14/025,172 patent/US9124837B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0775026A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-03-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 撮像装置 |
JPH09200617A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Nikon Corp | 撮像装置 |
JP2002077737A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Nec Corp | イメージセンサ |
JP2002010143A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
JP2002064751A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
JP2004111590A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動制御方法 |
JP2006033453A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Sony Corp | データ処理方法並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器 |
JP2008252195A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Yamaha Corp | Cmos固体撮像装置 |
JP2009059852A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
JP2009147049A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216692A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Honda Motor Co Ltd | 単位画素及び固体撮像装置並びに単位画素の信号加算方法 |
JP2021002673A (ja) * | 2011-07-15 | 2021-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
JP2019212920A (ja) * | 2011-07-15 | 2019-12-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
US9237282B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and camera module including AD converting units for respective pixels |
US9083898B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and camera module |
US10263032B2 (en) | 2013-03-04 | 2019-04-16 | Apple, Inc. | Photodiode with different electric potential regions for image sensors |
US10943935B2 (en) | 2013-03-06 | 2021-03-09 | Apple Inc. | Methods for transferring charge in an image sensor |
JP2016516294A (ja) * | 2013-03-06 | 2016-06-02 | アップル インコーポレイテッド | 画像センサにおける電荷転送 |
JP2015095772A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
US10285626B1 (en) | 2014-02-14 | 2019-05-14 | Apple Inc. | Activity identification using an optical heart rate monitor |
US9497359B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-11-15 | Olympus Corporation | Solid-state imaging apparatus and endoscope apparatus |
US10609348B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-03-31 | Apple Inc. | Pixel binning in an image sensor |
JP2016066843A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社Jvcケンウッド | 固体撮像装置 |
WO2016136486A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US20220093655A1 (en) * | 2015-02-27 | 2022-03-24 | Sony Group Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
US11217612B2 (en) | 2015-02-27 | 2022-01-04 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
US11637135B2 (en) | 2015-02-27 | 2023-04-25 | Sony Group Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
JPWO2016136486A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2017-12-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US10515988B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-12-24 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device and electronic device |
US9894297B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-02-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US9912883B1 (en) | 2016-05-10 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters |
US10658419B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Stacked backside illuminated SPAD array |
US10438987B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Stacked backside illuminated SPAD array |
US10801886B2 (en) | 2017-01-25 | 2020-10-13 | Apple Inc. | SPAD detector having modulated sensitivity |
US10656251B1 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Signal acquisition in a SPAD detector |
US10962628B1 (en) | 2017-01-26 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Spatial temporal weighting in a SPAD detector |
US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
JP2018088717A (ja) * | 2018-02-28 | 2018-06-07 | 株式会社Jvcケンウッド | 固体撮像装置 |
US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
US11659298B2 (en) | 2018-07-18 | 2023-05-23 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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TWI424744B (zh) | 2014-01-21 |
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EP2285098A2 (en) | 2011-02-16 |
US9124837B2 (en) | 2015-09-01 |
CN101998066A (zh) | 2011-03-30 |
EP2285098A3 (en) | 2013-02-13 |
EP2285098B1 (en) | 2016-07-13 |
KR101679863B1 (ko) | 2016-11-25 |
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---|---|---|
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