JP6287058B2 - 縮小光学系用の光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 - Google Patents
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Description
次に、光電変換素子の実施形態を詳細に説明する。図9は、実施形態にかかる光電変換素子16の構成の概要を例示する図である。図10は、図9に示した光電変換素子16の列単位の画素構成を例示する図である。光電変換素子16は、例えばオンチップレンズを具備しないCMOSリニアカラーイメージセンサである。光電変換素子16は、図示しないフィルタを介して受光するR/G/Bの光の色毎にそれぞれ一方向にn個の画素26が配列されている。
30 非画素領域
40 分離帯
50 画像形成装置
60 画像読取装置
70 画像形成部
300 画素回路
302 MEM、Cm(アナログメモリ)
PD フォトダイオード(受光素子)
FD フローティングディフュージョン(電荷電圧変換部)
SF ソースフォロワ(伝達部)
Tr1 リセット部
Tr2 転送部
Tr3 画素選択部
Claims (14)
- 受光量に応じて画素毎に電荷を発生させる複数の受光素子と、
前記複数の受光素子が発生させた電荷を、前記複数の受光素子から画素毎にそれぞれ導き出すように動作する複数の画素回路と
を有し、
前記複数の受光素子は、
外部からの光を受光する受光領域に配列され、
前記複数の画素回路は、
外部からの光を受光しない非受光領域に設けられていること
を特徴とする縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記画素回路それぞれは、
前記受光素子が発生させた電荷を画素毎に転送する転送部と、
前記転送部が転送した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、
前記電荷電圧変換部の電位をリセットするリセット部と、
前記電荷電圧変換部が変換した電圧を他の回路へ伝達する伝達部と
を有すること
を特徴とする請求項1に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記複数の受光素子は、
受光する光の色毎に一方向に配列されて1つ以上の画素列を形成し、
前記非受光領域は、
前記画素列に隣接して沿うように、前記画素列毎に設けられていること
を特徴とする請求項1又は2に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記画素回路を制御する制御信号を伝える制御信号線は、前記画素列内の前記受光素子間で共通であること
を特徴とする請求項3に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記制御信号線は、前記画素列間で共通であること
を特徴とする請求項4に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記制御信号線は、前記非受光領域に形成されていること
を特徴とする請求項4又は5に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記画素回路が出力する信号を他の回路へ伝える出力信号線は、前記画素列内で前記受光素子間の分離を行う分離帯が配置されていない配線層に形成され、且つ前記分離帯に重なる範囲内に配置されていること
を特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記出力信号線は、前記画素列毎に異なる配線層に形成されていること
を特徴とする請求項7に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記出力信号線は、
前記画素回路毎に独立させて形成されていること
を特徴とする請求項7又は8に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 前記画素回路は、
アナログメモリを介して信号を出力すること
を特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の縮小光学系用の光電変換素子。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の縮小光学系用の光電変換素子と、
受光量に応じて電荷を発生させることを前記複数の受光素子が略同時に開始するよう制御する制御部と
を有することを特徴とする画像読取装置。 - 請求項11に記載の画像読取装置と、
前記画像読取装置の出力に基づいて画像を形成する画像形成部と
を有することを特徴とする画像形成装置。 - 縮小光学系用の光電変換素子において、
外部からの光を受光する受光領域に配列された複数の受光素子それぞれにより、受光量に応じて画素毎に電荷を発生させる工程と、
外部からの光を受光しない非受光領域に設けられた複数の画素回路それぞれにより、前記複数の受光素子それぞれが発生させた電荷を、前記複数の受光素子から画素毎にそれぞれ導き出す工程と、
を含む画像読取方法。 - 前記画素回路毎に独立させて形成された出力信号線によって前記画素回路それぞれが出力する信号を他の回路へ伝える工程、又は、前記画素回路それぞれがアナログメモリを介して信号を出力する工程をさらに含む請求項13に記載の画像読取方法。
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