JP6682832B2 - 光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 - Google Patents
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Description
図5は、実施形態にかかるCMOSリニアイメージセンサ(光電変換素子)10の構成を示すブロック図である。PIX(R)20、PIX(G)22、及びPIX(B)24は、それぞれ約7000個のPD(フォトダイオード:受光素子)を有し、RGBの色毎に構成されている。PDは、画素に含まれ、受光する光の色毎に一方向に配列されて、受光量に応じて電荷を発生させる。また、PIX(R)20、PIX(G)22、及びPIX(B)24は、それぞれ両端側に遮光画素領域40が設けられている。遮光画素領域40は、複数の遮光画素(OPB:OPtical Black)を備える。遮光画素は、他の画素と同様にPDを含み、遮光されている点が他の画素と異なる。
ライン周期を変調周期のほぼN+0.5倍とする場合:N+0.3〜N+0.7(倍)
20 PIX(R)
21 PIX_BLK(R)
22 PIX(G)
23 PIX_BLK(G)
24 PIX(B)
25 PIX_BLK(B)
26 AMEM部
27 ADC部
28 P/S
29 補正部
30 LVDS
31 制御部(TG)
40 遮光画素領域
50 画像形成装置
60 画像読取装置
70 画像形成部
200 PD
210 画素回路
260 AMEM
270 ADC
311 SSCG
Claims (13)
- 受光する光の色毎に一方向に配列され、光を電気信号に変換する複数の画素と、
予め定められた数の前記画素を画素群として、前記画素がそれぞれ変換した複数の電気信号を周波数拡散クロックに同期して前記画素群毎に並列処理する並列処理部と、
前記並列処理部が並列処理した複数の電気信号それぞれに対し、前記画素群毎に共通の値に基づいてオフセットレベルを補正する補正部と、
を有することを特徴とする光電変換素子。 - 前記画素群は、
受光する光の色が同じである複数の前記画素によって構成されていること
を特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 前記周波数拡散クロックに同期して前記並列処理部が並列処理を行うタイミングを制御する制御部
をさらに有し、
前記制御部は、
前記周波数拡散クロックの変調周期の位相を、前記画素が光を電気信号に変換する周期毎に揃えること
を特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換素子。 - 前記制御部は、
前記画素が光を電気信号に変換する毎に、前記周波数拡散クロックの位相をリセットするように制御すること
を特徴とする請求項3に記載の光電変換素子。 - 前記制御部は、
前記画素が光を電気信号に変換する周期が、前記変調周期又は前記変調周期の半周期に対して、前記変調周期の20%以下の進み又は遅れとなるように制御すること
を特徴とする請求項4に記載の光電変換素子。 - 前記画素群は、
前記画素が受光する光の色毎にそれぞれ1つ構成されていること
を特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記並列処理部は、
前記周波数拡散クロックの周波数が中心周波数となるタイミングで複数の電気信号を前記画素群毎に並列処理すること
を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記補正部は、
前記画素群毎に設けられた遮光画素の出力レベルに基づいてオフセットレベルを補正すること
を特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記遮光画素は、
前記画素群毎に複数の異なる位置に設けられていること
を特徴とする請求項8に記載の光電変換素子。 - 前記補正部は、
前記画素が光を電気信号に複数回変換した場合の前記遮光画素の出力レベルの平均値に基づいてオフセットレベルを補正すること
を特徴とする請求項8又は9に記載の光電変換素子。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換素子
を有することを特徴とする画像読取装置。 - 請求項11に記載の画像読取装置と、
前記画像読取装置の出力に基づいて画像を形成する画像形成部と
を有することを特徴とする画像形成装置。 - 受光する光の色毎に一方向に配列され、光を電気信号に変換する予め定められた数の画素を画素群として、前記画素がそれぞれ変換した複数の電気信号を周波数拡散クロックに同期して前記画素群毎に並列処理する工程と、
並列処理した複数の電気信号それぞれに対し、前記画素群毎に共通の値に基づいてオフセットレベルを補正する工程と、
を含む画像読取方法。
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