JP6451104B2 - 光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び信号制御方法 - Google Patents

光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び信号制御方法 Download PDF

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Description

本発明は、光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び信号制御方法に関する。
スキャナなどの画像読取装置は、原稿からの反射光を光電変換し、光電変換したアナログ画像信号に対して増幅やA/D変換等の処理を行う。光電変換素子は、従来CCDが主に使われていたが、近年の低電力化要求により、CMOSリニアセンサが注目されている。CMOSリニアセンサは、入射光をフォトダイオード(PD)で光電変換する点がCCDと同じだが、CCDが電荷をシフトレジスタで転送した後に電荷検出部で電荷−電圧変換するのに対し、画素付近で電荷−電圧変換して後段に出力する点が異なる。また、CMOSリニアセンサは、CMOSプロセスで製造できるためロジック回路を内蔵でき、PGA(Programmable Gain Amplifier)やADC(Analog−to−Digital Converter)を内蔵することも可能である。
また、近年では、複数画素(例えばRed,Green,Blueの3画素)を1つの画素群(カラム)として、カラム毎にPGAやADC等のアナログ処理回路を構成して並列処理を行い、各アナログ処理回路はカラム内の複数の画素から読み出されたアナログ画像信号に順次(例えばRed,Green,Blueの順に)アナログ処理を行うことにより、駆動高速化を図るカラム方式が既に知られている。
また、特許文献1には、単位画素の列(カラム)を備え、ノイズ成分を用いて検出された画素信号を行毎に補正するノイズ補正回路を備えた固体撮像装置が開示されている。
しかし、従来のカラム方式のCMOSリニアセンサでは、カラム内の最初にアナログ信号処理を行う先頭画素(例えばRed画素)と、それ以外の後続画素(例えばGreen及びBlue画素)とでは、直前の動作状態が異なるため、画素間(色間)に特性差が生じて画質の劣化(色付き/偽色)を引き起こすという問題があった。
また、PGAやADCには、電源/GND/基準電圧の供給がなされ、動作を行うとこれらに負荷変動やスイッチングノイズが発生する。このとき先頭画素と後続画素で直前の動作状態が異なるため、この負荷変動やスイッチングノイズも異なるものとなり、PGAでは画素間(色間)でのゲイン誤差、ADCでは画素間(色間)での変換誤差となる。これらの特性差に線形性があれば後段で画像信号を補正することも比較的容易であり問題とはならないが、特性差が画素信号レベルによって異なる、カラムによって異なる、といった複合的な特性となると後段での補正は容易ではない。そのため画質が劣化する(色間で特性が揃わず、色付き/偽色が発生する)、又は専用の補正回路を設けることによってチップサイズやコストの増大を招くという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、複数の画素からなる画素群が出力するアナログ信号を画素毎に順次に処理するアナログ処理部による画質の劣化を、専用の補正回路などを設けることなく、容易に抑制することができる光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び信号制御方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、色毎に一方向に配列された複数の画素を有し、前記各画素で蓄積された電荷を前記各画素で電圧に変換する光電変換部と、前記各画素で変換された前記各電圧のアナログ信号出力を、前記一方向の各位置にある前記各色の画素からなる画素群毎に色毎に並列に順次に処理する複数のアナログ処理部と、前記各画素群のアナログ信号出力に対して前記アナログ処理部が処理を開始する前の予備動作に必要な信号を前記アナログ処理部に供給する信号供給部と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、複数の画素からなる画素群が出力するアナログ信号を画素毎に順次に処理するアナログ処理部による画質の劣化を、専用の補正回路などを設けることなく、容易に抑制することができるという効果を奏する。
図1は、実施形態にかかる光電変換素子及びその周辺を示す図である。 図2は、光電変換素子における光電変換部及びアナログ処理部の詳細を示す図である。 図3は、PGAの詳細を示す図である。 図4は、光電変換素子の第1動作を示す図である。 図5は、光電変換素子の第1変形例における光電変換部、アナログ処理部及びその周辺の詳細を示す図である。 図6は、光電変換素子の第1変形例の第1動作を示す図である。 図7は、光電変換素子の第1変形例の第2動作を示す図である。 図8は、光電変換素子の第2変形例における光電変換部、アナログ処理部及びその周辺の詳細を示す図である。 図9は、光電変換素子の第2変形例の第1動作を示す図である。 図10は、光電変換素子の第2変形例の第2動作を示す図である。 図11は、光電変換素子の第3変形例の動作を示す図である。 図12は、光電変換素子を有する画像読取装置を備えた画像形成装置の概要を示す図である。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる光電変換素子について説明する。図1は、実施形態にかかる光電変換素子10及びその周辺を示す図である。光電変換素子10は、例えば光電変換部12、信号処理部14、制御部(タイミング制御部)16及びパラレルシリアル変換部(PS)18を有するCMOSリニアセンサであり、CPU11の制御に応じて動作する。
光電変換部12は、R,G,Bの色毎にそれぞれ一方向に配列されたn個の画素(フォトダイオードを含む)120,122,124を有する。また、光電変換素子10は、R,G,Bの3つの色の光をそれぞれ受光する画素120,122,124が1つのカラム(画素群)に含まれ、カラム毎に光電変換した信号を出力するように構成されている。各画素120,122,124は、それぞれ原稿からの反射光を光電変換し、画素毎のアナログ画像信号として出力する。
信号処理部14は、n個のPGA(Programmable Gain Amplifier:増幅部)140、n個のA/D変換部(ADC)142、及びn個のCDS部(D−CDS:デジタルCDS)144を有し、光電変換部12がカラム毎に出力するアナログ信号を増幅して、デジタル信号に変換し、相関二重サンプリング(CDS)による補正を行って出力する。
ここで、PGA140は、カラム毎に設けられ、A/D変換部142のダイナミックレンジに合わせてアナログ画像信号を増幅する。A/D変換部142は、PGA140が出力したアナログ信号をデジタル信号に変換し、CDS部144に対して出力する。以下、画素群が出力するアナログ信号を画素毎に順次に処理するPGA140及びA/D変換部142をアナログ処理部と記すことがある。アナログ処理部は、後述する予備動作を行った後に、画素群が出力するアナログ信号を画素毎に順次に処理する。
CDS部144は、A/D変換部142から入力されたデジタル信号が示す光電変換部12のリセットレベル(光によらず出力される基準レベル)と、各画素(画素120,122,124)に蓄積された信号レベルとの差分を算出して出力するCDS処理を行う。パラレルシリアル変換部18は、複数のカラムで並列に処理され出力されたデジタル信号をシリアライズして後段に出力する。また、制御部16は、光電変換素子10を構成する各部を駆動するために必要な各信号を生成し、出力する。また、制御部16は、例えば光電変換素子10が一括露光を行うように動作タイミングを制御する。
なお、図1に示した例では、複数の信号を並列に処理するカラム構成のCMOSリニアセンサを例としてあげているが、処理系統は1系統でもよい。また、R,G,Bの3画素に対し、1つのPGA140、A/D変換部142及びCDS部144を設けた3画素1カラムの構成を例として示しているが、この限りではなく、奇数画素及び偶数画素のR,G,Bを含む6画素1カラム等でもよい。さらに、光電変換素子10は、A/D変換されたデジタルデータに対して、CDSを行う構成を例としているが、PGA140が増幅させたリセットレベルのアナログ信号及び信号レベルのアナログ信号を用いて、画素毎に相関二重サンプリングを行ってもよい。
図2は、光電変換素子10における光電変換部12及びアナログ処理部(PGA140及びA/D変換部142)の詳細を示す図である。図2に示すように、光電変換素子10は、主走査方向にn個の画素が配列され、副走査方向にはRed,Green,Blueの色毎に計3ラインが配列されている。ここでは、簡略化のために、制御信号線等は省略されている。
光電変換素子10は、全ての画素が共通の露光時間で電荷を蓄積して電圧に変換し、スイッチ素子を介してアナログメモリ(コンデンサ)に画素信号を保持する。複数の画素(Red,Green,Blueの3画素)は、1つのカラムを構成し、スイッチ素子を介して共通のPGA140に接続され、読み出された信号が時分割でRed,Green,Blueの順にPGA140に入力される。PGA140に入力された信号は、基準電圧Vrefaを基準にして増幅され、後段でPGA140と同じくカラム毎に設けられたA/D変換部142によって上側基準電圧Vrefp及び下側基準電圧Vrefnを基準にしてデジタル信号に変換される。
図3は、PGA140の詳細を示す図である。CMOSセンサ等のMOS集積回路では、精度の高い抵抗器を構成することが難しいため、MOS−FETを使用したスイッチによってコンデンサの接続を切替えることにより抵抗器と等価な動作をするスイッチトキャパシタ回路が多く用いられる。
図3(a)は、PGA140の基本構成を示している。PGA140は、図3(a)に示すように、オペアンプ、2つのコンデンサ、3つのスイッチを有する。PGA140は、入力電圧Vinが画素信号、基準電圧Vrefaが増幅の基準となる電圧であり、VinとVrefaの差をコンデンサの容量比で増幅して、出力電圧Voutに出力する。なお、ここでは簡略化のために、オペアンプの電源やスイッチの制御信号線は省略している。
以下、図3(b),(c)を用いて、PGA140の詳細な増幅動作を説明する。PGA140は、まずSW1とSW3がonにされ、SW2がoffにされる。このときのPGA140の等価回路が図3(b)である。オペアンプのイマージナリーショートによりC1の右端の電圧はVrefaであるため、C1の両端に印加される電圧はVin−Vrefaとなる。充電される電荷はC1×(Vin−Vrefa)である。なお、C2(図示せず)は両端の電圧がゼロであるため電荷もゼロである。
次に、PGA140は、SW1とSW3がoffにされ、SW2がonにされる。このときのPGA140の等価回路が図3(c)である。C1の左端の電圧がVrefaとなり両端に印加される電圧はゼロとなるため、C1に充電されていた電荷C1×(Vin−Vrefa)は放電される。オペアンプの入力インピーダンスは無限大と近似できるので、C1から放電された電荷はC1と直列に接続されたC2に充電される。オペアンプのイマージナリーショートによりC2の左端の電圧はVrefaであるため、C2の電荷はC2×(Vout−Vrefa)である。C1から放電された電荷C1×(Vin−Vrefa)とC2に充電される電荷C2×(Vout−Vrefa)が等しいため、出力電圧はVout=C1/C2×(Vin−Vrefa)+Vrefaとなる。すなわち、画素信号Vinと基準電圧Vrefaの差を容量比C1/C2で増幅し、オフセットVrefaが加算されて出力される。
ここで、負荷変動やスイッチングノイズによりVrefaが変動した場合は、PGA140のゲインが変動することになる。特に画素間(色間)でVrefaの変動が異なる場合、線形性があれば後段で画像信号を補正することも比較的容易であり問題とはならないが、画素信号レベルが異なればVrefaからコンデンサに供給される電流も異なり負荷変動も異なる他、カラムによっても特性差が異なるといった複合的な特性となるため後段での補正は容易ではない。そのためVrefaの画素間(色間)の特性差は極力抑えることが重要である。
A/D変換部142についても、オペアンプとスイッチトキャパシタ回路で構成できる点はPGAと同様であり、負荷変動やスイッチングノイズの影響を受ける点も同様である。A/D変換部142の上側基準電圧Vrefpや下側基準電圧Vrefnの変動は、変換誤差に直結するため、PGA140と同様に後段での補正が困難なVrefp及びVrefnの画素間(色間)の特性差は極力抑えることが重要である。
図4は、光電変換素子10の第1動作を示す図である。なお、図4では、ある1つのカラムについて、アナログ処理部(PGA140及びA/D変換部142)の動作タイミングが示されている。Vrefa/p/nは、上述したPGA140の基準電圧Vrefaと、A/D変換部142の上側基準電圧Vrefp及び下側基準電圧Vrefnを、まとめて表している。
光電変換素子10は、まず画素から出力された画素信号がPGA140に順次入力される。光電変換素子10は、上述したようにR,G,Bの3つの画素が1つのカラムを構成しており、R,G,Bの順に処理を行う。PGA140は、非増幅期間には動作を停止しており、増幅期間になると動作を開始する。PGA140が動作を開始するとき、Vrefaから供給する電流が急激に増加することになり、負荷変動としてVrefaの電圧降下が発生する。これは、PGA140のゲインが変動することを意味する。
つまり、光電変換素子10は、図4に示した第1動作を行う場合、最初にPGA140に入力されるRed画像信号では、電流が急激に流れ始めるためこのVrefa低下の影響を大きく受け、その後のGreenやBlue画像信号では影響が小さい。そのため色間に特性差が生じることとなり、画質の劣化につながる。
さらに、光電変換素子10は、第1動作では図3に示したスイッチの切替動作によって発生するスイッチングノイズもVrefa変動の要因となる。つまり、Red画像信号を増幅・A/D変換する場合のスイッチングノイズがVrefaを変動させ、次のGreen画像信号を増幅・A/D変換するタイミングまで影響する。Green画像信号を増幅・A/D変換する場合のスイッチングノイズも同様にBlue画像信号を増幅・A/D変換するタイミングまでVrefaの変動を引き起こす。
しかし、最初のRed画像信号を増幅・A/D変換する場合はその前段タイミングでスイッチングノイズが発生していないため、スイッチングノイズによる影響が比較的少ない。スイッチングノイズによるVrefa変動が少ないこと自体は好ましいことであるが、それによってRedとそれ以外の色とでVrefa変動が異なることにより、これも色間の特性差として画質の劣化につながる。
図5は、光電変換素子10の第1変形例における光電変換部12、アナログ処理部(PGA140及びA/D変換部142)及びその周辺の詳細を示す図である。光電変換素子10の第1変形例は、VrefaとGND間にダミー負荷抵抗20(Rdmya)がスイッチ21を介して接続されている。ダミー負荷抵抗の抵抗値Rdmyaは、Vrefaが全PGA140に供給する電流と、ダミー負荷抵抗に流れる電流とが等しくなるように設定されている。具体的には、Vrefaが全PGA140に供給する電流をIaとすれば、Rdmya=Vrefa/Iaと設定されている。
同様に、A/D変換部142の基準電圧VrefpとVrefnについても、それぞれダミー負荷抵抗22(Rdmyp)及びダミー負荷抵抗24(Rdmyn)が、それぞれスイッチ23,25を介して設けられている。抵抗値の設定方法もPGAと同様である。
図6は、光電変換素子10の第1変形例の第1動作を示す図である。 光電変換素子10の第1変形例は、第1動作では、増幅期間前の非増幅期間(PGA140が動作していない期間)には、スイッチ21がonにされてダミー負荷がVrefaに接続され、ダミー負荷電流を流す。 また、光電変換素子10の第1変形例は、増幅期間(PGA140が動作している期間)には、スイッチ21がoffにされる。
光電変換素子10の第1変形例は、A/D変換部142に関しても同様に、A/D期間前の非A/D期間(A/D変換部142が動作していない期間)にはスイッチ23,25がonにされ、A/D期間(A/D変換部142が動作している期間)にはスイッチ23,25がoffにされる。 その結果、光電変換素子10の第1変形例の第1動作では、PGA140やA/D変換部142の動作の有無によらず、Vrefa/p/nに流れる電流値は一定となりVrefa/p/nの負荷変動が低減され、色間の特性差が軽減されて画質劣化を抑制できる。一方で、光電変換素子10の第1変形例の第1動作では、増幅期間後、又は、A/D期間後の期間もダミー負荷電流が流れるため、消費電力が増大するという副作用がある。また、スイッチングノイズの影響が色間で異なるという課題は残る。
なお、光電変換素子10の第1変形例の第1動作では、ダミー負荷電流を流す動作が予備動作となっている。また、光電変換素子10の第1変形例では、例えばダミー負荷抵抗20,22,24、スイッチ21,23,25及び制御部16などが、アナログ処理部に対して予備動作に必要な信号を供給する信号供給部となっている。また、光電変換素子10の第1変形例は、予備動作に必要な信号が外部から供給されてもよい。
図7は、光電変換素子10の第1変形例の第2動作を示す図である。光電変換素子10の第1変形例は、第2動作では、Red画素信号が入力される直前(増幅期間が始まる直前)の一定期間、スイッチ21がonにされてダミー負荷20がVrefaに接続され、ダミー負荷電流を流す。PGA140には、スイッチ21がoffにされるタイミングでRed画素信号が入力される。ダミー負荷電流が流れ始める瞬間は負荷変動としてVrefaの電圧降下が発生するが画素信号への影響はない。このように、光電変換素子10の第1変形例は、第2動作では、Red画素信号が入力される直前の負荷状態を他の画素に近づけることができ、負荷変動を抑制して色間の特性差を軽減できる。さらに、光電変換素子10の第1変形例は、第2動作では、消費電力を第1動作に比べて抑えることができる。一方で、スイッチングノイズの影響が色間で異なるという課題は残る。
図8は、光電変換素子10の第2変形例における光電変換部12、アナログ処理部(PGA140及びA/D変換部142)及びその周辺の詳細を示す図である。光電変換素子10の第2変形例は、1つのPGA140に対してR,G,Bの各画素からのアナログ信号の他に、ダミー信号(Vdmy)が入力可能にされている。ダミー信号(Vdmy)は、例えば制御部16が出力する。光電変換素子10の第2変形例は、ダミー信号をPGA140に対して入力するために、R,G,Bの各画素と同様に、PGA140との接続切替用のスイッチ26がカラム毎に設けられている。
光電変換素子10の第2変形例は、全カラムに共通のダミー信号が供給されるように構成されているが、複数のダミー信号が供給されるように構成されてもよい。また、ダミー信号は、画素出力同等の信号をPGA140に入力できることが望ましいが、PGA140や後段の処理に支障がない範囲であればよく、信号電圧が可変であっても一定であってもよい。
図9は、光電変換素子10の第2変形例の第1動作を示す図である。光電変換素子10の第2変形例は、第1動作において、スイッチングノイズによるVrefa変動が最初の画素(Red)とそれ以外の画素(Green,Blue)とで異なるという問題を解決するため、非増幅期間・非A/D期間には常にダミー画素信号をPGA140に入力し、アナログ処理部の動作(スイッチング動作を含む)を常に実行する。
これにより、光電変換素子10の第2変形例は、第1動作において、アナログ処理部でのスイッチングノイズが常に発生するため、R,G,Bでスイッチングノイズの影響が異なることが解消され、Vrefa/p/n変動が同等となって色間の特性差は軽減される。また、光電変換素子10の第2変形例は、第1動作において、アナログ処理部が動作を開始するときの負荷変動によるVrefa/p/n変動についても、アナログ処理部が常に増幅・A/D動作を実行するために負荷変動が発生せず、色間の特性差を軽減できる。一方で、アナログ処理部が常に動作するため、消費電力が増大するという副作用がある。
図10は、光電変換素子10の第2変形例の第2動作を示す図である。光電変換素子10の第2変形例は、第2動作において、スイッチングノイズによるVrefa変動が最初の画素(Red)とそれ以外の画素(Green,Blue)とで異なるという問題を解決するため、Red画素信号が入力される直前(増幅期間が始まる直前)にダミー画素信号をPGA140に入力し、増幅・A/D変換動作(スイッチング動作を含む)を実行する。これにより、光電変換素子10の第2変形例は、第2動作において、スイッチングノイズについても負荷変動についても、R,G,Bで画素信号が入力される直前の状態が共通化され、Vrefa/p/n変動の条件が等しくなるので、色間の特性差を軽減できる。さらに、光電変換素子10の第2変形例は、第2動作において、消費電力についても第1動作に比べて抑えることができる。
図11は、光電変換素子10の第3変形例の動作を示す図である。光電変換素子10の第3変形例は、RGBの各画素と同様に構成されたn個のダミー画素(図示せず)が出力するアナログ信号(ダミー画像データ)を、RGBの各画素がアナログ信号を出力する前に、アナログ処理部が処理を行う。すなわち、光電変換素子10の第3変形例は、増幅期間の直前にRGBの各画素のアナログメモリが有効な画素信号を保持している状態で、アナログ処理部が無効な画素信号を増幅・A/D変換し、その後にRGBの各画素のアナログ信号の増幅・A/D変換を行う。
光電変換素子10の第3変形例では、ダミー画像データをアナログ処理部が処理する動作が予備動作となっている。ここでは、例えばn個のダミー画素(図示せず)及び制御部16などが、アナログ処理部に対して予備動作に必要な信号を供給する信号供給部となっている。
なお、ダミー画像データは、ダミー画素が出力するアナログ信号に限定されず、カラム内の適当な1画素(図11ではRed画素)がアナログメモリに画素信号を保持する前の無効な画素信号であってもよいし、制御部16が出力する代用の信号(画素が出力するアナログ信号に相当するダミー信号)であってもよい。
また、光電変換素子10は、制御部16がアナログ処理部に所定の動作を行わせる制御信号を、アナログ処理部に対して供給する信号供給部として構成され、アナログ処理部が制御信号に応じて予備動作を実行するように構成されてもよい。つまり、ダミー画素を備えない光電変換素子10(図1等参照)であっても、色間の特性差を軽減することができる。また、上述した予備動作は、例えば、1つの画素が出力するアナログ信号をアナログ処理部が処理する1画素相当の処理動作、1画素相当の処理動作の一部の動作、又は1画素相当の処理動作を1画素相当の処理動作よりも短時間で行う動作のいずれかに対応する。また、1画素相当の処理動作の一部の動作は、例えば、1画素相当の処理動作の開始時の動作、1画素相当の処理動作における負荷変動が飽和するまでの動作、及び動作状態を切替えるスイッチを切替える動作の少なくともいずれかを含む。つまり、光電変換素子10は、スイッチングノイズを予備動作で生じさせるように構成されてもよい。
次に、実施形態にかかる光電変換素子10(変形例であってもよい)を備えた画像読取装置及び画像形成装置について説明する。図12は、光電変換素子10を有する画像読取装置60を備えた画像形成装置50の概要を示す図である。画像形成装置50は、画像読取装置60と画像形成部70とを有する例えば複写機やMFP(Multifunction Peripheral)などである。
画像読取装置60は、例えば光電変換素子10、LEDドライバ(LED_DRV)600及びLED602を有する。LEDドライバ600は、例えば制御部16が出力するライン同期信号などに同期して、LED602を駆動する。LED602は、原稿に対して光を照射する。光電変換素子10は、ライン同期信号などに同期して、原稿からの反射光を受光して図示しない複数の受光素子(PD)が電荷を発生させて蓄積を開始する。そして、光電変換素子10は、パラレルシリアル変換等を行った後に、画像データを画像形成部70に対して出力する。
画像形成部70は、処理部80とプリンタエンジン82とを有し、処理部80とプリンタエンジン82とがインターフェイス(I/F)84を介して接続されている。
処理部80は、LVDS800、画像処理部802及びCPU11を有する。CPU11は、図示しないメモリなどに記憶されたプログラムを実行し、光電変換素子10などの画像形成装置50を構成する各部を制御する。また、CPU11又は制御部16などは、各PDが受光量に応じて電荷を発生させることを略同時に開始するよう制御する。
光電変換素子10は、LVDS800に対して例えば画像読取装置60が読取った画像の画像データ、ライン同期信号及び伝送クロックなどを出力する。LVDS800は、受入れた画像データ、ライン同期信号及び伝送クロックなどをパラレル10ビットデータに変換する。画像処理部802は、変換された10ビットデータを用いて画像処理を行い、画像データなどをプリンタエンジン82に対して出力する。プリンタエンジン82は、受入れた画像データを用いて印刷を行う。
以上、実施形態について説明したが、それらの各部の具体的な構成、処理の内容等は、実施形態で説明したものに限るものではない。また、以上説明した実施形態の構成は、相互に矛盾しない限り任意に組み合わせて実施可能であることは勿論である。
10 光電変換素子
11 CPU
12 光電変換部
14 信号処理部
16 制御部
18 パラレルシリアル変換部
20,22,24 ダミー負荷抵抗
21,23,25,26 スイッチ
50 画像形成装置
60 画像読取装置
70 画像形成部
120,122,124 画素
140 PGA
142 A/D変換部
144 CDS部
特開2011−029793号公報

Claims (12)

  1. 色毎に一方向に配列された複数の画素を有し、前記各画素で蓄積された電荷を前記各画素で電圧に変換する光電変換部と、
    前記各画素で変換された前記各電圧のアナログ信号出力を、前記一方向の各位置にある前記各色の画素からなる画素群毎に色毎に並列に順次に処理する複数のアナログ処理部と、
    前記各画素群のアナログ信号出力に対して前記アナログ処理部が処理を開始する前の予備動作に必要な信号を前記アナログ処理部に供給する信号供給部と、
    を有することを特徴とする光電変換素子。
  2. 前記信号供給部は、
    前記画素と同様に構成されたダミー画素を備え、
    前記アナログ処理部は、
    前記予備動作に必要な信号である前記ダミー画素が出力するアナログ信号を処理することにより前記予備動作を実行すること
    を特徴とする請求項に記載の光電変換素子。
  3. 前記信号供給部は、
    前記予備動作に必要な信号として前記画素が出力するアナログ信号に相当するダミー信号を前記アナログ処理部に対して供給し、
    前記アナログ処理部は、
    前記ダミー信号を処理することにより前記予備動作を実行すること
    を特徴とする請求項に記載の光電変換素子。
  4. 前記信号供給部は、
    前記アナログ処理部に前記予備動作に必要な信号として制御信号を前記アナログ処理部に対して供給し、
    前記アナログ処理部は、
    前記制御信号に基づく前記予備動作を実行すること
    を特徴とする請求項に記載の光電変換素子。
  5. 前記信号供給部は、
    前記アナログ処理部にダミー負荷電流を流すダミー負荷を備え、
    前記アナログ処理部は、
    前記信号供給部により前記ダミー負荷電流が流されることにより前記予備動作を実行すること
    を特徴とする請求項に記載の光電変換素子。
  6. 前記アナログ処理部は、
    アナログ信号を増幅させる増幅部、及びアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換部の少なくともいずれかを有すること
    を特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の光電変換素子。
  7. 前記予備動作は、
    1つの前記画素が出力するアナログ信号を前記アナログ処理部が処理する1画素相当の処理動作に対応すること
    を特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の光電変換素子。
  8. 前記アナログ処理部は、
    前記画素群が出力するアナログ信号に対して処理を開始する直前に、前記予備動作を実行すること
    を特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の光電変換素子。
  9. 前記アナログ処理部は、
    前記画素群が出力するアナログ信号に対して処理を行う期間以外の期間には、前記予備動作を継続すること
    を特徴とする請求項1、3、4および5のいずれか1項に記載の光電変換素子。
  10. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の光電変換素子を有すること
    を特徴とする画像読取装置。
  11. 請求項10に記載の画像読取装置と、
    前記画像読取装置が読取った画像データに基づく画像を形成する画像形成部と
    を有することを特徴とする画像形成装置。
  12. 色毎に一方向に配列された複数の画素を有し、前記各画素で蓄積された電荷を前記各画素で電圧に変換する工程と、
    複数のアナログ処理部に対して予備動作に必要な信号を供給する工程と、
    前記複数のアナログ処理部の前記予備動作後に、前記複数のアナログ処理部において、前記各画素で変換された前記各電圧のアナログ信号出力を前記一方向の各位置にある前記各色の画素からなる画素群毎に色毎に並列に順次に処理する工程と、
    を含む信号制御方法。
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