JP4508891B2 - 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 - Google Patents
光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4508891B2 JP4508891B2 JP2005021448A JP2005021448A JP4508891B2 JP 4508891 B2 JP4508891 B2 JP 4508891B2 JP 2005021448 A JP2005021448 A JP 2005021448A JP 2005021448 A JP2005021448 A JP 2005021448A JP 4508891 B2 JP4508891 B2 JP 4508891B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- photoelectric conversion
- readout
- image sensor
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 67
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 46
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- 238000003491 array Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 101100294112 Caenorhabditis elegans nhr-47 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100222704 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) csr-1 gene Proteins 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/617—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise for reducing electromagnetic interference, e.g. clocking noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
- H04N3/1568—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for disturbance correction or prevention within the image-sensor, e.g. biasing, blooming, smearing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
[第1の実施形態]
図1は本発明の光電変換装置の第1の実施形態の構成を示す図であり、図6における読み出し回路ブロック3と受光素子アレイ4(2画素×3列分の受光素子(3列の画素列)のみを示す)との等価回路である。本実施形態におけるカラーイメージセンサの等価回路は図6の等価回路図と同じであり、その構成及び動作は既に説明したので記載を省略する。また図8の構成部材と同一構成部材については同一符号を付する。
MOSソースフォロワの定電流負荷(電流源)(CSb1,CSr1,・・・,CSg2)は画素領域外に列状に配置することで、定電流の値を決める基準値を一律に設定しやすい。また定電流負荷(CSb1,CSr1,・・・,CSg2)と信号転送スイッチ(M2b1,M2r1,・・・,M2g2)との間の配線長を一定にすることができる。蓄積容量(CAPb1,CAPr1,・・・,CAPg2)への信号書き込みは信号転送スイッチ(M2b1,M2r1,・・・,M2g2)を介して、信号の大小に応じてMOSソースフォロワの定電流負荷(電流源)(CSb1,CSr1,・・・,CSg2)若しくはMOSソースフォロワの入力トランジスタからの充放電で行われるので、定電流負荷(CSb1,CSr1,・・・,CSg2)と信号転送スイッチ(M2b1,M2r1,・・・,M2g2)との間の配線長を一定にすることで、配線長のばらつきによる蓄積容量への信号のバラツキを抑制することができる。
なお、別の見方をすると、本実施形態の構成は、MOSソースフォロワの入力トランジスタとリセットスイッチとが各フォトダイオードの読み出しブロック3側に隣接してそれぞれ設けられた構成ととらえることができる。
ここで本実施形態では、MOSソースフォロワの入力トランジスタ、リセットスイッチは図2において対応するフォトダイオードの上側(読み出し回路ブロック3配置側)に隣接して設けられているが、フォトダイオードの下側(読み出し回路ブロック3配置側と反対側)に隣接して設けられてもよい。
図3は本発明の光電変換装置の第2の実施形態の構成を示す図であり、図6における読み出し回路ブロック3と受光素子アレイ4(2画素×3列分の受光素子のみを示す)との等価回路である。本実施形態におけるカラーイメージセンサの等価回路は図6の等価回路図と同じであり、その構成及び動作は既に説明したので記載を省略する。また図8の構成部材と同一構成部材については同一符号を付して説明を省略する。
ここで本実施形態では、第2の信号転送スイッチ、MOSソースフォロワの入力トランジスタ、リセットスイッチは図4において対応するフォトダイオードの上側(読み出し回路ブロック3配置側)に隣接して設けられているが、フォトダイオードの下側(読み出し回路ブロック3配置側と反対側)に隣接して設けられてもよい。
図5は本発明の光電変換装置の第3の実施形態を示す図であり、6列の受光素子を3列づつに分けて上下に振り分けて出力するように構成したものである。1101は受光素子、3−1,3−2は読み出し回路ブロック、6は信号出力アンプである。実施形態1,2では受光素子列が3列の場合を例にとって説明したが、図5に示したように画素列数が増えていくと受光素子の間に敷設される読み出し配線16の数が増えていきフォトダイオードの開口面積を縮小して配線領域を確保する必要が生じ、感度が低下することになる。しかし本実施形態のように読み出し配線を上下に振り分けることで、実施形態1,2の2倍の受光素子列数でも本発明の効果をそこなうことなく実施形態1,2と同等のフォトダイオードの開口面積を確保し同等の感度を得ることができるものである。
図10、図11に基づいて、本発明の光電変換装置を用いたマルチチップ型イメージセンサをシートフィード式の原稿画像記録装置に適用した場合の一実施例について詳述する。
図11において、301は密着型イメージセンサ(図10のCIS201)であり、光源である各色R,G,BのLED302も一体化されており、図10に示したCIS201のコンタクトガラス205上を原稿を搬送させながら、LED制御(ドライブ)回路303にて1ライン毎に各色R,G,BのLED302を切り替えて点灯させることにより、R,G,B線順次のカラー画像を読み取ることが可能である。
2、2’ プレシフトレジスタ
3、3’ 読み出し回路ブロック
4、4’ 受光素子アレイ
5、5’ タイミング発生回路
6、6’ 信号出力アンプ
7、7’、 8、8’ 駆動線
φ1、φ2 シフトレジスタ駆動パルス
SD、SD’ 次チップスタート信号線
11,11’ シフトレジスタ
r1〜b2 受光素子
PDr1〜PDb2 フォトダイオード
M1r1〜M1b2 読み出しスイッチ
M2r1〜M2b2 信号転送スイッチ
M3r1〜M3b2 MOSソースフォロワ
M4r1〜M4b2 リセットスイッチ
M6r1〜M6b2 第2の信号転送スイッチ
CAPr1〜CAPb2 蓄積容量
CSr1〜CSb2 ソースフォロワ回路の定電流負荷
14 共通出力線
15 共通出力線リセットスイッチ
16 読み出し配線
RED、GREEN、BLUE カラーフィルタ
Claims (9)
- 光電変換素子と、該光電変換素子をリセットするリセットトランジスタと、該光電変換素子からの信号を受けるソースフォロワの入力トランジスタとを備えた画素の複数を一方向に列状に配置した画素列を、該一方向と異なる他方向に複数配置し、
一の画素列内の光電変換素子列と、該一の画素列に隣接して配置される他の画素列内の光電変換素子列との間に、前記一の画素列の各画素又は前記他の画素列の各画素に備えられる、前記リセットトランジスタと前記ソースフォロワの入力トランジスタとを配置し、
各画素に対しておのおの独立した読み出し配線を設け、異なる画素列にそれぞれ対応する複数の前記読み出し配線が同一画素列の隣接する画素に含まれる隣接する光電変換素子の間に配され、且つ前記読み出し配線の少なくとも二つが互いに隣接して配置され、
前記ソースフォロワの入力トランジスタのソースに前記読み出し配線が接続されて、前記異なる画素列にそれぞれ対応する複数の前記読み出し配線からの信号が同時に読み出されることにより、各画素からそれぞれの前記読み出し配線にほぼ同時に信号が読み出されることを特徴とする光電変換装置。 - 光電変換素子と、該光電変換素子からの信号を転送する転送トランジスタと、該転送トランジスタからの該信号を受けるフローティングディフュージョン部と、該フローティングディフュージョン部と接続されるソースフォロワの入力トランジスタと、少なくとも該フローティングディフュージョン部をリセットするリセットトランジスタとを備えた画素の複数を一方向に列状に配置した画素列を、該一方向と異なる他方向に複数配置し、
一の画素列内の光電変換素子列と、該一の画素列に隣接して配置される他の画素列内の光電変換素子列との間に、前記一の画素列の画素又は前記他の画素列の画素に備えられる、前記転送トランジスタと前記フローティングディフュージョン部と前記リセットトランジスタと前記ソースフォロワの入力トランジスタとを配置し、
各画素に対しておのおの独立した読み出し配線を設け、異なる画素列にそれぞれ対応する複数の前記読み出し配線が同一画素列の隣接する画素に含まれる隣接する光電変換素子の間に配され、且つ前記読み出し配線の少なくとも二つが互いに隣接して配置され、
前記ソースフォロワの入力トランジスタのソースに前記読み出し配線が接続されて、前記異なる画素列にそれぞれ対応する複数の前記読み出し配線からの信号が同時に読み出されることにより、各画素からそれぞれの前記読み出し配線にほぼ同時に信号が読み出されることを特徴とする光電変換装置。 - 光電変換素子と、該光電変換素子からの信号を受けるソースフォロワの入力トランジスタとを備えた画素の複数を一方向に列状に配置した画素列を、該一方向と異なる他方向に複数配置した画素領域と、
各画素に対しておのおの独立して設けられた読み出し配線と、
前記読み出し配線に接続された信号転送用トランジスタと、
前記信号転送用トランジスタと前記画素領域との間で前記読み出し配線に接続された前記ソースフォロワの電流源と、を有し、
異なる画素列にそれぞれ対応する複数の前記読み出し配線が同一画素列の隣接する画素に含まれる隣接する光電変換素子の間に配され、且つ前記読み出し配線の少なくとも二つが互いに隣接して配置され、
前記ソースフォロワの入力トランジスタのソースに前記読み出し配線が接続されて、前記異なる画素列にそれぞれ対応する複数の前記読み出し配線からの信号が同時に読み出されることにより、各画素からそれぞれの前記読み出し配線にほぼ同時に信号が読み出されることを特徴とする光電変換装置。 - 前記読み出し配線が前記入力トランジスタの主電極と接続されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記画素列は3列である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 各画素列がそれぞれ異なる波長の光を受光する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置の端部どうしが隣接するように複数列状に配置したマルチチップ型イメージセンサ。
- 請求項7に記載のマルチチップ型イメージセンサと、被読取体に光を照射する光源と、該被読取体からの光を前記マルチチップ型イメージセンサへ導く光学系とを備えた密着型イメージセンサ。
- 請求項8に記載の密着型イメージセンサと、前記密着型イメージセンサに前記被読取体となる原稿を搬送するローラと、を備えた画像読取装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005021448A JP4508891B2 (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 |
US11/275,675 US7592575B2 (en) | 2005-01-28 | 2006-01-24 | Photoelectric conversion device having plural pixel columns and independent readout wiring, multichip image sensor, contact image sensor, and image scanner |
US12/548,778 US8026469B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-08-27 | Photoelectric conversion device with plural columns of pixels and conductive patterns for connecting to a source follower MOS transistor of a pixel of a column |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005021448A JP4508891B2 (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006211363A JP2006211363A (ja) | 2006-08-10 |
JP4508891B2 true JP4508891B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=36755509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005021448A Expired - Fee Related JP4508891B2 (ja) | 2005-01-28 | 2005-01-28 | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7592575B2 (ja) |
JP (1) | JP4508891B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7423790B2 (en) * | 2004-03-18 | 2008-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and contact-type image sensor |
JP4434991B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | イメージセンサ |
US8929360B2 (en) | 2006-12-07 | 2015-01-06 | Cisco Technology, Inc. | Systems, methods, media, and means for hiding network topology |
JP5020735B2 (ja) | 2007-08-03 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5180537B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びマルチチップイメージセンサ |
JP4981623B2 (ja) | 2007-11-01 | 2012-07-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法、カメラ及び複写機 |
JP5004775B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP5311954B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
JP5225145B2 (ja) | 2009-02-23 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5495701B2 (ja) | 2009-10-07 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US20120127120A1 (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-24 | Himax Technologies Limited | Touch device and touch position locating method thereof |
JP6045136B2 (ja) | 2011-01-31 | 2016-12-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP6188281B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2017-08-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP5474220B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びマルチチップイメージセンサ |
JP6287058B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2018-03-07 | 株式会社リコー | 縮小光学系用の光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP6324184B2 (ja) * | 2014-04-18 | 2018-05-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法 |
JP6549366B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2019-07-24 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6612492B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2019-11-27 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6806553B2 (ja) | 2016-12-15 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法及び撮像システム |
JP6489247B2 (ja) * | 2018-02-06 | 2019-03-27 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP2020078020A (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP6699772B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-05-27 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP7090581B2 (ja) * | 2019-06-26 | 2022-06-24 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP7447591B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2024-03-12 | 株式会社リコー | 光電変換装置、画像読取装置、画像形成装置、及び撮像システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001320630A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2004241498A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子とその動作方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2741703B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1998-04-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JPS6480161A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-27 | Sharp Kk | Close-contact type image sensor |
JPH03149955A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-26 | Hitachi Ltd | ラインセンサ |
JPH09205518A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Rohm Co Ltd | イメージセンサおよびイメージセンサチップ |
JPH10190946A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Canon Inc | 密着型イメージセンサとこれを用いた画像読み取り装置 |
JPH11103418A (ja) | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Canon Inc | 光電変換装置 |
TW421962B (en) | 1997-09-29 | 2001-02-11 | Canon Kk | Image sensing device using mos type image sensing elements |
TW443064B (en) | 1998-02-19 | 2001-06-23 | Canon Kk | Image sensor |
JP3581554B2 (ja) | 1998-02-19 | 2004-10-27 | キヤノン株式会社 | イメージセンサ及び画像読取装置 |
JPH11261046A (ja) | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JPH11274454A (ja) | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
JP3571909B2 (ja) | 1998-03-19 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP3467013B2 (ja) | 1999-12-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US6717151B2 (en) * | 2000-07-10 | 2004-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
US6800836B2 (en) | 2000-07-10 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system |
JP3944829B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-07-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP3792628B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2006-07-05 | 富士通株式会社 | 固体撮像装置及び画像読み出し方法 |
JP4109944B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP3977285B2 (ja) | 2003-05-15 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP4274533B2 (ja) | 2003-07-16 | 2009-06-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
US7091466B2 (en) * | 2003-12-19 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for pixel binning in an image sensor |
US7423790B2 (en) | 2004-03-18 | 2008-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and contact-type image sensor |
JP4434991B2 (ja) | 2005-03-01 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | イメージセンサ |
-
2005
- 2005-01-28 JP JP2005021448A patent/JP4508891B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-24 US US11/275,675 patent/US7592575B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-27 US US12/548,778 patent/US8026469B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001320630A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2004241498A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子とその動作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7592575B2 (en) | 2009-09-22 |
US8026469B2 (en) | 2011-09-27 |
US20060169871A1 (en) | 2006-08-03 |
US20100006744A1 (en) | 2010-01-14 |
JP2006211363A (ja) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4508891B2 (ja) | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 | |
US10506188B2 (en) | Solid-state imaging device | |
US7916195B2 (en) | Solid-state imaging device, imaging apparatus and camera | |
US8582009B2 (en) | Solid-state image sensor and image sensing apparatus | |
US9438840B2 (en) | Solid-state image capturing apparatus, driving method thereof and electronic apparatus | |
US9253425B2 (en) | Photo-electric conversion device for current fluctuation suppression | |
JP4971586B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US8174603B2 (en) | Image sensors and methods with antiblooming channels and two side driving of control signals | |
JP4858281B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US9402038B2 (en) | Solid-state imaging device and method of driving comprising a first and second accumulation sections for transferring charges exceeding the saturation amount | |
US7656449B2 (en) | Solid-state imaging apparatus having gate potential that is negtive with respect to a well region | |
US20110221941A1 (en) | Solid-state imaging device applied to cmos image sensor | |
US8068158B2 (en) | Solid state imaging device capable of parallel reading of data from a plurality of pixel cells | |
JP6351423B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP4967489B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5219555B2 (ja) | 撮像装置及び撮像装置を用いた撮像システム | |
US20070045669A1 (en) | Image sensor | |
KR20210044793A (ko) | 고체 촬상 소자 | |
JP6485158B2 (ja) | 撮像回路装置及び電子機器 | |
JP5116209B2 (ja) | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ、密着型イメージセンサおよび画像読取装置 | |
JP2007312047A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006032866A (ja) | Ccd固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080124 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080207 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090326 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090427 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100423 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100427 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |