JP6127712B2 - 光源駆動回路、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、光源を駆動させる光源駆動回路、この光源駆動回路を有する光走査装置及び画像形成装置に関する。

従来の画像形成装置では、ＬＤ（Laser Diode）等の光源から所定の光出力を得て感光体を露光し、画像の濃度を表現する。

ところで従来では、光源から所定の光出力を得るまでに、光源の応答特性に依存した発光遅延時間が発生することが知られている。また従来では、例えば光源に所定電流を供給してから所定の光出力を検出するまでに、光源が実装された回路等の寄生容量に依存した発光遅延時間が発生することが知られている。

そのため従来の画像形成装置において、例えば光出力させる時間を数ns以下の短時間とした場合等には、上述の発光遅延時間等に影響により光出力波形の立ち上がりがなまり、所定の光量を得ることが困難となる虞がある。また光出力波形は、光源に対する所定電流の供給が停止したときの立ち下がりにおいても立ち上がりと同様に、波形のなまりが生じることが知られている。光出力波形における立ち下がりのなまりは、光源の電位が光源の点灯状態の電位から消灯状態の電位へ遷移するまでにかかる時間により生じる。

そこで従来では、この問題を解決すべく各種の工夫がなされている。例えば特許文献１には、所定電流に立ち上がり時にオーバーシュートをもたせ、立ち下がり時にアンダーシュートを持たせることが記載されている。また特許文献２には、バイアス電流およびスイッチング電流に応じてオーバーシュート電流、アンダーシュート電流を調整することが記載されている。

例えば所定電流の供給が停止されている時間が短い場合、光源が点灯状態から消灯状態に遷移する時間は短時間となる。この場合、光源の電位が消灯状態の電位となる前に再度光源に所定電流が供給されることとなり、所望の光出力波形を得ることが困難となる。

本発明は、上記事情を鑑みて、これを解決すべく成されたものであり、所定電流の供給／停止のタイミングに関わらず、所望の光出力波形を得ることが可能な光源駆動回路、光走査装置及び画像形成装置を提供することを目的としている。

本発明は、上記目的を達成すべく、以下の如き構成を採用した。

本発明は、光源を駆動させる光源駆動回路であって、前記光源から所定光量を得る所定電流と、前記所定電流と同期して印加される第一の補助駆動電流と、前記所定電流の立ち下がりと同期して印加される第二の補助駆動電流とを含む駆動電流を生成する駆動電流生成部と、前記光源に対する前記所定電流の供給／停止を制御する点灯パターン信号を用いて前記第一及び前記第二の補助駆動電流の値を設定する制御部と、を有し、前記制御部は、前記第一の補助駆動電流の値の設定後に、前記第一の補助駆動電流の値の設定の際に用いた点灯パターン信号よりも、前記所定電流の供給が停止される時間を短くする点灯パターン信号を用いて前記第二の補助駆動電流の値を設定する。

本発明によれば、所定電流の供給／停止のタイミングに関わらず、所望の光出力波形を得ることができる。

光源の発光遅延時間を説明する図である。 光源の寄生容量を説明する図である。 所定電流にオーバーシュート電流を印加した場合の駆動電流波形と光出力波形の例を示す図である。 所定電流にアンダーシュート電流を印加した場合の駆動電流波形と光出力波形の例を示す図である。 第一の実施形態の画像形成装置の構成の概略を説明する図である。 第一の実施形態の光源駆動回路を説明する図である。 ＣＰＵの機能構成及びメモリに格納された値を説明する図である。 オーバーシュート生成信号及びアンダーシュート生成信号の生成について説明する第一の図である。 オーバーシュート生成信号及びアンダーシュート生成信号の生成について説明する第二の図である。 第一の実施形態の光源駆動回路のＣＰＵの動作を説明するフローチャートである。 積分光量の判定について説明する図である。 点灯パターン信号を説明する第一の図である。 点灯パターン信号を説明する第二の図である。 第一の実施形態における駆動電流と光源の電位と光出力波形の例を示す図である。 第二の実施形態のＣＰＵの動作を説明するフローチャートである。

以下に図面を参照して本発明の概要について説明する。

図１は、光源の発光遅延時間を説明する図である。図１では、光源に供給される駆動電流の波形と、駆動電流が供給された光源の光出力波形を示している。尚図１では、光源の出力は光量で示されるものとした。

図１に示す発光遅延時間ｔは、光源に対する駆動電流の供給が開始されてから、光源が所定光量Ｐｏを出力するまでの時間を示す。所定光量Ｐｏは、予め設定された目標光量である。発光遅延時間ｔは、寄生遅延時間ｔａと応答遅延時間ｔｂの和である。寄生遅延時間ｔａは光源と回路を接続する配線や光源のパッケージ内配線などに存在する光源に並列に生じる寄生容量への充電時間である。寄生遅延時間ｔａは、寄生容量が大きくなる程充電量および充電時間が増大するため、これに応じて増大する傾向にある。寄生遅延時間ｔａの詳細は後述する。

応答遅延時間ｔｂは、光源に所定電流Ｉｏｐが供給されて光源が発光を開始してから所定光量Ｐｏを出力するまでの応答時間である。所定電流Ｉｏｐは、所定光量Ｐｏを得るために予め設定された電流値である。応答遅延時間ｔｂは、光源の特性によるものであり、例えば微分抵抗による影響がある。応答遅延時間ｔｂは、微分抵抗が大きくなるほど光源への電流が流れにくくなるため、これに応じて増大する傾向にある。

尚駆動電流が光源に供給されるまでの発光遅延時間には、実際には寄生遅延時間と応答遅延時間以外の回路基板上の配線遅延時間等含まれるが、本明細書の説明では配線遅延時間等は無視し、発光遅延時間を寄生遅延時間と応答遅延時間の和とした。また本明細書の説明では、駆動電流波形と光出力波形のそれぞれの立下がりを揃えた状態で示す。

以下に図２を参照して寄生容量について説明する。図２は、光源の寄生容量を説明する図である。

本実施形態では、光源を例えばＬＤ（Laser Diode）とした。図２に示すＬＤは、所定電流Ｉｏｐが供給されると所定光量Ｐｏを出力する。図２に示すＣは、寄生容量である。寄生容量Ｃは、例えばＬＤがＬＤドライバ等の回路と共に回路基板等に実装された際に、ＬＤとＬＤドライバ等の回路とを接続する配線に発生する寄生容量を含む。また寄生容量Ｃは、ＬＤやＬＤドライバ等の回路がパッケージ化されている場合には、パッケージ等の寄生容量も含む。

ＬＤに所定電流Ｉｏｐが供給されると、所定電流Ｉｏｐの一部の電流Ｉｃは、寄生容量Ｃに供給されて寄生容量Ｃの充電を行う。寄生容量Ｃが所定電流Ｉｏｐにより充電されている間、ＬＤには所定電流Ｉｏｐの一部である電流（Ｉｏｐ−Ｉｃ）が供給される。そして寄生容量Ｃの充電が完了すると、所定電流ＩｏｐがＬＤに対して供給される。すなわち電流Ｉｃによる寄生容量Ｃの充電時間は、ＬＤには所定電流Ｉｏｐの一部の電流（Ｉｏｐ−Ｉｃ）しか供給されないため、光出力を得られない時間となる。この光出力が得られない時間が寄生遅延時間とである。

この発光遅延時間ｔは、所定電流Ｉｏｐの立ち上がりと同期したオーバーシュート電流Ｉｏｖを印加することで、短縮することができる。オーバーシュート電流Ｉｏｖは、光源の特性から得られる応答遅延時間と、寄生容量Ｃとに基づき設定される。オーバーシュート電流Ｉｏｖの設定の詳細は後述する。

図３は、所定電流にオーバーシュート電流を印加した場合の駆動電流波形と光出力波形の例を示す図である。図３（Ａ）は、光源に所定電流Ｉｏｐが供給される所定電流Ｉｏｐのオン時間と、光源に対する所定電流Ｉｏｐの供給が停止する所定電流Ｉｏｐのオフ時間とが同程度である駆動電流Ｉｋの例を示している。図３（Ｂ）は光源に供給される所定電流Ｉｏｐのオン時間がオフ時間より短い場合の例を示している。また図３に示す駆動電流Ｉｋは、所定電流Ｉｏｐに加算されたバイアス電流Ｉｂｉを含む。本実施形態では、所定電流Ｉｏｐがバイアス電流Ｉｂｉに重畳されている時間を所定電流Ｉｏｐのオン時間とし、駆動電流Ｉｋの値がバイアス電流Ｉｂｉの値となってから、次に所定電流Ｉｏｐが立ち上がるまでの時間を所定電流Ｉｏｐのオフ時間とした。

また図３の例では、光源の電位が点灯状態のときの電位からバイアス電位Ｖｂｉまで下がったとき、光源が消灯したものと見なす。バイアス電位Ｖｂｉとは、光源にバイアス電流Ｉｂｉを供給したときの光源の電位である。

図３（Ａ）では、オフ時間Ｔ１の間に光源の電位がバイアス電位Ｖｂｉまで下がっていることがわかる。よって光源に次に所定電流Ｉｏｐが供給されたときの光出力波形の立ち上がりは、１つ目の波形と同じになる。

これに対して図３（Ｂ）では、オフ時間Ｔ２の間に光源の電位がバイアス電位Ｖｂｉまで下がらない。よってこの場合、光源の電位がバイアス電位Ｖｉｂより大きい状態のときに所定電流Ｉｏｐが供給されることになり、光源が過発光の状態となり、光出力波形が所望の波形とならない。

以上の問題を解決する方法として、所定電流Ｉｏｐの立ち下がりと同期してアンダーシュート電流Ｉｕｄを所定電流Ｉｏｐに重畳し、光源の電位の立ち下がりにかかる時間を短縮することで、光出力波形を整える技術がある。

図４は、所定電流にアンダーシュート電流を印加した場合の駆動電流波形と光出力波形の例を示す図である。図４（Ａ）は、所定電流Ｉｏｐのオン時間がオフ時間より長い場合の例を示しており、図４（Ｂ）は所定電流Ｉｏｐのオン時間がオフ時間と同程度の場合の例を示している。

図４（Ａ），（Ｂ）では、所定電流Ｉｏｐの立ち下がりのタイミングで印加するアンダーシュート電流Ｉｕｄの電荷量が異なる２つ場合を示している。図４（Ａ），（Ｂ）に示す実線は、アンダーシュート電荷量が最適値より不足した場合を示しており、点線はアンダーシュート電荷量が最適値より過剰な場合を示している。

尚アンダーシュート電荷量の最適値とは、アンダーシュート電荷量が印加されたときの印加後の光源の電位が最短時間でバイアス電位Ｖｂｉに安定する値とした。またアンダーシュート電荷量とアンダーシュート電流の値とは、同義である。

図４（Ａ）では、アンダーシュート電荷量が最適値より不足した場合と過剰な場合のいずれにおいても、オフ時間Ｔ３の間に光源の電位がバイアス電位Ｖｂｉまで下がっていることがわかる。よって図４（Ａ）の例では、アンダーシュート電荷量が最適値でなくても、光源に次に所定電流Ｉｏｐが供給されたときの光出力波形の立ち上がりは、１つ目の波形と同じになる。

これに対してオフ時間Ｔ３が短い図４（Ｂ）では、アンダーシュート電荷量が最適値より不足した場合、アンダーシュート電流Ｉｕｄ２を印加し終わった直後の光源の電位がバイアス電位Ｖｂｉまで下がりきらない。よって光源の電位がバイアス電位Ｖｂｉまで下がる前に次の所定電流Ｉｏｐが光源に供給され、光源が過発光の状態となり、光出力波形の立ち上がりの応答特性が１つ目の波形と同じにならない。

また図４（Ｂ）では、アンダーシュート電荷量が最適値より過剰である場合、アンダーシュート電流Ｉｕｄ１を印加し終わった直後の光源の電位はバイアス電位Ｖｂｉより低くなり、次の所定電流Ｉｏｐが光源に供給されたときに光源が所定光量を出力するまでに遅延時間が発生し、光出力波形の立ち上がりの応答特性が１つ目の波形と同じにならない。

以下に、例えばアンダーシュート電荷量が最適値より不足した場合について考える。

ここで光源が点灯状態にあるときの光量を積分した値を、図４（Ａ）ではＰ１ａとし、図４（Ｂ）ではＰ１ｂすると、Ｐ１ａとＰ１ｂの関係は、Ｐ１ａ＜Ｐ１ｂとなる。すなわちアンダーシュート電荷量が最適値より不足した場合には、光量を積分した値は、所定電流Ｉｏｐのオン時間が同じあるにも関わらず、所定電流Ｉｏｐのオフ時間が短い方が総発光量は大きくなる。

次にアンダーシュート電荷量が最適値よりも過剰な場合について考える。この場合、アンダーシュート電流Ｉｕｄを印加し終わった直後の光源の電位はバイアス電位Ｖｂｉより下がるため、光出力波形の立ち上がりになまりが生じる場合がある。

この場合、光源が点灯状態にあるときの光量を積分した値を、図４（Ａ）ではＰ２ａとし、図４（Ｂ）ではＰ２ｂとすると、Ｐ２ａとＰ２ｂの関係は、Ｐ２ａ＞Ｐ２ｂとなる。すなわちアンダーシュート電荷量が最適値よりも過剰な場合には、光量を積分した値は、所定電流Ｉｏｐのオン時間が同じあるにも関わらず、所定電流Ｉｏｐのオフ時間が長い方が総発光量は大きくなる。

所定電流Ｉｏｐのオフ時間によって総発光量の差が生じる原因は、光源の電位がアンダーシュート電流Ｉｕｄの印加後の電位からバイアス電位Ｖｂｉへ遷移するまでの間に次のオン時間が始まることにより、光出力波形の立ち上がりの応答特性が変化することである。

そこで発明者は、アンダーシュート電流Ｉｕｄの印加後の光源の電位がバイアス電位と同等のレベルとなる最適なアンダーシュート電流Ｉｕｄを印加することにより、所定電流Ｉｏｐのオフ時間によらず安定した光出力波形を実現できると考えた。

このときアンダーシュート電流Ｉｕｄを印加するアンダーシュート時間Ｔｕｄは、所定電流Ｉｏｐのオフ時間より短く設定する必要がある。オフ時間よりアンダーシュート時間Ｔｕｄが長い場合、次の所定電流Ｉｏｐの立ち上がりにもアンダーシュート電流Ｉｕｄが重畳され、光出力波形の立ち上がりになまりを生じてしまうためである。

またアンダーシュート電流Ｉｕｄの値は、光源及び光源駆動回路の寄生容量等により変化する光源の電位変化の応答時間に注意する必要がある。

例えば図４（Ａ）の場合、アンダーシュート電流Ｉｕｄの印加後に所定電流Ｉｏｐが供給されたときの光源の電位は、アンダーシュート電流Ｉｕｄの値によらずバイアス電位Ｖｂｉとなる。よって図４（Ａ）に示すように消灯時間が長い状態でアンダーシュート電流Ｉｕｄを変化させても、光出力波形の立ち上がりの応答には影響せず、立ち上がり応答を安定させる最適なアンダーシュート電流Ｉｕｄの調整を行うことができない。

そこでアンダーシュート電流Ｉｕｄの値が最適値になるように調整する場合は、図４（Ｂ）に示すように、所定電流Ｉｏｐのオフ時間が短く、アンダーシュート電流Ｉｕｄによる光源の電位の変化が光出力波形の立ち上がりの応答に影響する状態で行う必要がある。

また、オーバーシュート電流Ｉｏｖで光出力波形の立ち上がりの応答を改善する方法と、アンダーシュート電流Ｉｕｄで所定電流Ｉｏｐのオフ時間によらず安定した立ち上がりの応答を実現する方法とを両立させるためには、目標とする光出力波形に対して、それぞれの電流を調整する必要がある。

本発明は、オーバーシュート電流Ｉｏｖ及びアンダーシュート電流Ｉｕｄの両者を用いて安定した光出力波形の立ち上がりの応答を実現することで、所定電流Ｉｏｐのオン時間やオフ時間によらず、所望の光出力波形を得るものである。

（第一の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第一の実施形態について説明する。図５は、第一の実施形態の画像形成装置の構成の概略を説明する図である。

本実施形態の画像形成装置１０は、光走査装置２０、感光体３０、書込制御部４０、クロック生成回路５０を有する。

本実施形態の光走査装置２０は、ポリゴンミラー２１、走査レンズ２２、光源駆動回路１００、発光素子（光源）であるＬＤ（Laser Diode；半導体レーザ）、受光素子となるＰＤ（フォトディテクタ）を有する。尚本実施形態では光源をＬＤとしたが、これに限定されない。光源は、半導体レーザアレー(LDA；Laser Diode Array)、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser;垂直共振器面発光レーザ）等であっても良い。

ＬＤから発光されたレーザ光は、回転するポリゴンミラー２１によりスキャンされ、走査レンズ２２を介して被走査媒体である感光体３０上に照射される。照射されたレーザ光は感光体３０上で光スポットとなり、これにより感光体３０上に静電潜像が形成される。またポリゴンミラー２１は、１ラインの走査が終わる毎にレーザ光をＰＤに照射する。ＰＤはレーザ光が照射されると、これを電気信号に変換し、この電気信号を書込制御部４０の有する位相同期回路４１に入力する。位相同期回路４１は、電気信号が入力されると次の１ライン分の画素クロックを生成する。また位相同期回路４１には、クロック生成回路５０から高周波クロック信号が入力されており、これにより画素クロックの位相同期が図られている。

書込制御部４０は、生成された画素クロックに従って基準パルス信号を光源駆動回路１００へ供給する。また書込制御部４０は、目標光量設定信号を光源駆動回路１００に供給し、ＬＤを駆動する。これにより、画像データの静電潜像が感光体３０上に形成される。

以下に図６を参照して本実施形態の光源駆動回路１００を説明する。図６は、第一の実施形態の光源駆動回路を説明する図である。

本実施形態の光源駆動回路１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１０、メモリ１２０、ＤＡＣ（Digital to Analog Converter）１３０、ＬＰＦ（Low-pass Filter）１４０、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）１５０、ＬＤドライバ２００、抵抗Ｒ１を有する。尚抵抗Ｒ１は、光源駆動回路１００に含まれなくても良い。この場合抵抗Ｒ１は、光源駆動回路１００の外部に設けられる。

本実施形態の光源駆動回路１００は、ＬＤとＰＤとに接続されており、ＬＤの光量に応じてＰＤから出力される電気信号に基づきＬＤの駆動を制御する。

ＣＰＵ１１０は、光源駆動回路１００の各種動作を制御する。メモリ１２０は、光源駆動回路１００の動作に用いられる各種の値等を格納する。ＣＰＵ１１０の機能及びメモリ１２０に格納される値の詳細は後述する。

ＤＡＣ１３０は、ＣＰＵ１１０から出力される信号をアナログ値に変換する。ＬＰＦ１４０は、ＰＤから出力された電気信号のうち所定帯域の信号を通過させる。ＡＤＣ１５０は、ＬＰＦ１４０から出力された電気信号をデジタル値に変換する。

ＬＤドライバ２００は、基準パルス信号と目標光量設定信号とに基づきＬＤへ駆動電流を供給し、ＬＤの発光タイミングを制御する。

また、本実施形態のＬＤドライバ２００は、ＬＤを駆動するために通常印加する所定電流の立ち上がりと同期したオーバーシュート電流Ｉｏｖと、所定電流の立ち下がりと同期したアンダーシュート電流ＩｕｄとをＬＤへ印加する。

以下に本実施形態のＬＤドライバ２００について説明する。本実施形態のＬＤドライバ２００は、スイッチング電流源２１０、バイアス電流源２２０、オーバーシュート電流源２３０、アンダーシュート電流源２４０、スイッチ２１１、２２１、２３１、２４１を有する。

スイッチング電流源２１０、バイアス電流源２２０、オーバーシュート電流源２３０及びアンダーシュート電流源２４０は、ＬＤの駆動電流Ｉｋを生成する。本実施形態の駆動電流Ｉｋは、各電流源から出力される電流値を加算した電流である。

スイッチング電流源２１０は、ＣＰＵ１１０からの点灯制御信号に基づき、所定電流Ｉｏｐを生成する。スイッチング電流源２１０は、スイッチ２１１を介してＬＤと接続されている。スイッチ２１１は、例えばトランジスタ等により構成され、ＣＰＵ１１０から供給される点灯制御信号に基づきオン／オフが制御される。また所定電流Ｉｏｐの値は、ＣＰＵ１１０からの指示により設定される。

バイアス電流源２２０は、ＣＰＵ１１０からのバイアス生成信号に基づき所定のバイアス電流Ｉｂｉを生成する。バイアス電流源２２０は、スイッチ２２１を介してＬＤと接続されている。スイッチ２２１は、例えばトランジスタ等により構成され、ＣＰＵ１１０から供給されるバイアス生成信号に基づきオン／オフが制御される。またバイアス電流Ｉｂｉの値は、ＣＰＵ１１０からの指示により設定される。

オーバーシュート電流源２３０は、パルス信号Ｓ１の立ち上がりに、所定電流Ｉｏｐを補助する第二の補助駆動電流としてのオーバーシュート電流Ｉｏｖを生成する。オーバーシュート電流源２３０は、スイッチ２３１を介してＬＤと接続されている。スイッチ２３１は、例えばトランジスタ等により構成され、ＣＰＵ１１０から供給されるオーバーシュート生成信号に基づきオン／オフが制御される。本実施形態では、オーバーシュート生成信号がオンの期間がオーバーシュート期間Ｔｏｖである。具体的には本実施形態のスイッチ２３１は、スイッチング信号の立ち上がりからオーバーシュート時間Ｔｏｖの間オンとされる。

アンダーシュート電流源２４０は、スイッチ２４１のオン／オフにより、ＬＤとの接続が制御される。アンダーシュート電流源２４０は、スイッチ２４１がオンされると、所定電流Ｉｏｐの立ち下がりと同期してアンダーシュート電流ＩｕｄをＬＤに供給する。スイッチ２４１は、ＣＰＵ１１０から供給されるアンダーシュート生成信号によりオン／オフが制御される。具体的にはスイッチ２４１は、アンダーシュート生成信号がハイレベルの期間（以下、アンダーシュート時間Ｔｕｄ）オンされる。

本実施形態では、オーバーシュート時間Ｔｏｖとアンダーシュート時間Ｔｕｄは、予め設定されている。

本実施形態のアンダーシュート時間Ｔｕｄは、画素クロック及び所定電流Ｉｏｐの最大オン時間を決定するパルス信号により決められる。例えば１画素におけるオン時間を決定するパルス信号のデューティの最大値が７５％の場合、所定電流Ｉｏｐの最大オン時間は、ＬＤがレーザ光により１画素分を走査するのに係る時間の３／４となる。よって所定電流Ｉｏｐの最短オフ時間は、ＬＤがレーザ光により１画素分を走査するのに係る時間の１／４に設定する必要がある。例えばＬＤがレーザ光により１画素分を走査するのに係る時間を１０ｎｓｅｃとした場合、所定電流Ｉｏｐの最大オン時間は７．５ｎｓｅｃとなり、最短オフ時間は２．５ｎｓｅｃとなる。よって本実施形態のアンダーシュート時間Ｔｕｄは、この所定電流Ｉｏｐの最短オフ時間より短く設定されることが好ましい。

また実施形態のオーバーシュート電流Ｉｏｖの値とアンダーシュート電流Ｉｕｄの値とは、動的に調整される。

以下に図７を参照して本実施形態のＣＰＵ１１０の機能とメモリ１２０に格納された値について説明する。図７は、ＣＰＵの機能構成及びメモリに格納された値を説明する図である。

本実施形態のＣＰＵ１１０は、電流制御部１１１、パルス生成部１１２、Ｉｏｖ値設定部１１３、Ｉｕｄ値設定部１１７を有する。

メモリ１２０は、電流値記憶部１２１、遅延時間記憶部１２２、点灯パターン記憶部１２３を有する。電流値記憶部１２１には、光源駆動回路１００の有する各種電流源における設定値が記憶されている。具体的には電流値記憶部１２１には、所定電流Ｉｏｐ、バイアス電流Ｉｂの電流値と、オーバーシュート電流Ｉｏｖ及びアンダーシュート電流Ｉｕｄそれぞれの初期値が設定されている。

遅延時間記憶部１２２は、オーバーシュート時間Ｔｏｖとアンダーシュート時間Ｔｕｄを決めるための遅延時間が格納されている。点灯パターン記憶部１２３には、後述するＩｏｖ値設定部１１３及びＩｕｄ値設定部１１７によるオーバーシュート電流Ｉｏｖの値の調整及びアンダーシュート電流Ｉｕｄの値の調整の際に使用されるＬＤの点灯パターン信号が格納されている。

ＣＰＵ１１０において、電流制御部１１１は、電流値記憶部１２２に格納された各種電流源の設定値を取得し、各種電流源に対してＤＡＣ１３０を介して設定値に対応する電流を出力させる。

パルス生成部１１２は、遅延時間記憶部１２２に格納された遅延時間と、基準パルス信号とに基づき、オーバーシュート生成信号とアンダーシュート生成信号を生成する信号生成部である。またパルス生成部１１２は、バイアス生成信号と点灯パターン信号を生成しても良い。尚本実施形態の点灯パターン信号は、Ｉｏｖ値設定部１１３によるオーバーシュート電流Ｉｏｖの値の調整の際と、Ｉｕｄ値設定部１１７によるアンダーシュート電流Ｉｕｄの値の調整の際において、スイッチ２１１に供給される信号である。スイッチ２１１は、画像形成装置１０が画像形成動作を行っている場合には、書込制御部４０から供給される画像データに基づいた点灯制御信号により、オン／オフが制御される。

Ｉｏｖ値設定部１１３は、ＰＤの出力に基づきオーバーシュート電流Ｉｏｖを算出し設定する。本実施形態のＩｏｖ値設定部１１３は、電流値選択部１１４、積分光量算出部１１５、判定部１１６を有する。Ｉｏｖ値設定部１１３の処理の詳細は後述する。

Ｉｕｄ値設定部１１７は、ＰＤの出力に基づきアンダーシュート電流Ｉｕｄを算出し設定する。本実施形態のＩｕｄ値設定部１１７は、電流値選択部１２４、積分光量算出部１２５、判定部１２６を有する。Ｉｕｄ値設定部１１７の処理の詳細は後述する。

次に図８を参照して本実施形態のパルス生成部１１２によるオーバーシュート生成信号及びアンダーシュート生成信号の生成について説明する。図８は、オーバーシュート生成信号及びアンダーシュート生成信号の生成について説明する第一の図である。

本実施形態のパルス生成部１１２には、例えば遅延時間記憶部１２２から遅延時間ｔ１を取得する。遅延時間ｔ１は、オーバーシュート時間Ｔｏｖ及びアンダーシュート時間Ｔｕｄと一致する時間である。パルス生成部１１２は、基準パルス信号を遅延時間ｔ１分遅延させたパルス信号Ｓ１を生成する。パルス生成部１１２は、例えば基準パルス信号がハイレベルであり、且つパルス信号Ｓ１がローレベルのときオーバーシュート時間Ｔｏｖがオン（ハイレベル）となるオーバーシュート生成信号を生成する。

尚本実施形態では、遅延時間ｔ１がメモリ１２０に格納されたものとしたが、これに限定されない。本実施形態の遅延時間ｔ１は、上記以外の方法で取得されても良い。本実施形態のパルス生成部１１２は、例えばインバータ列やバッファ列によりパルス信号Ｓ１を生成しても良い。また本実施形態では、抵抗とコンデンサ等からなるローパスフィルタで基準パルス信号を遅延させた後、波形整形した信号をパルス信号Ｓ１として用いても良い。どちらの場合も、遅延量を変更する事は段数やフィルタ定数の変更により容易に実施する事が出来る。

このときオーバーシュート電流Ｉｏｖが印加されるオーバーシュート時間Ｔｏｖ（遅延時間ｔ１）は、例えば０．４〜０．５ｎｓｅｃの間とすることが好ましい。オーバーシュート時間Ｔｏｖは、ＬＤの特性や感光体の感度特性等を考慮し、階調再現性がもっとも良好となる時間に設定されれば良い。

図９は、オーバーシュート生成信号及びアンダーシュート生成信号の生成について説明する第二の図である。

図９は、パルス生成部１１２が２つの遅延時間ｔ１，ｔ２を用いてオーバーシュート電流Ｉｏｖとアンダーシュート電流Ｉｕｄの印加時間を異ならせる場合の例を示す。

図９の例ではパルス生成部１１２には、例えば遅延時間記憶部１２２から遅延時間ｔ１ｔ２を取得する。遅延時間ｔ１は、オーバーシュート時間Ｔｏｖと一致する時間であり、遅延時間ｔ２はアンダーシュート時間Ｔｕｄと一致する時間である。パルス生成部１１２は、基準パルス信号を遅延時間ｔ１分遅延させたパルス信号Ｓ１と、基準パルス信号を遅延時間ｔ２遅延させたパルス信号Ｓ２と、を生成する。パルス生成部１１２は、例えば基準パルス信号がローレベルであり、且つパルス信号Ｓ２がハイレベルのときアンダーシュート時間Ｔｕｄがオン（ハイレベル）となるアンダーシュート生成信号を生成する。

本実施例では、以上のように複数の遅延時間記憶部１２２に複数の遅延時間を設定することで、オーバーシュート時間Ｔｏｖ、アンダーシュート時間Ｔｕｄのそれぞれを必要に応じて変更することができる。

次に図１０を参照して本実施形態のＣＰＵ１１０の動作を説明する。図１０は、第一の実施形態の光源駆動回路のＣＰＵの動作を説明するフローチャートである。

本実施形態のＣＰＵ１１０は、オーバーシュート電流Ｉｏｖの値及びアンダーシュート電流Ｉｕｄの値の設定指示を受けると、各電流値の設定対象となるＬＤを設定する（ステップＳ１００１）。本実施形態では、具体的には例えば、画像形成装置１０がスリープモードから起動するときや、画像形成装置１０の筐体に設けられたドアが開かれた後に閉じられたとき等に設定指示を受け付ける。

続いてＣＰＵ１１０は、Ｉｏｖ値設定部１１３によりオーバーシュート電流Ｉｏｖの値を調整する処理を行う。まず本実施形態のＩｏｖ値設定部１１３は、メモリ１２０の電流値記憶部１２１から所定電流Ｉｏｐの値と、オーバーシュート電流Ｉｏｖの初期値とを読み出し、さらに遅延時間記憶部１２２からオーバーシュート時間Ｔｏｖを読み出す（ステップＳ１００２）。

続いてＩｏｖ値設定部１１３は、メモリ１２０の点灯パターン記憶部１２３から、点灯パターン信号を読み出す（ステップＳ１００３）。点灯パターン信号は、スイッチ２１１へ供給される。本実施形態の点灯パターン信号は、例えば複数画素分ＬＤに供給される駆動電流Ｉｋのオン／オフを制御するように予め生成された信号である。具体的には点灯パターン信号がハイレベル（以下、Ｈレベル）のときＬＤに所定電流Ｉｏｐが印加され、点灯パターン信号がローレベル（以下、Ｌレベル）のときＬＤに対する所定電流Ｉｏｐの印加が停止される。すなわち点灯パターン信号は、ＬＤに印加される所定電流Ｉｏｐのオン時間とオフ時間を決める信号である。さらにオーバーシュート電流Ｉｏｖの値を設定した際の所定電流Ｉｏｐのオフ時間をＴａとした。

続いてＩｏｖ値設定部１１３は、電流値選択部１１４により、電流値を選択する電流値選択信号をＤＡＣ１３０へ出力する（ステップＳ１００４）。電流値選択部１１４は、ＤＡＣ１３０において出力可能な電流値のうち、値の小さい電流値から順に選択する。

ＤＡＣ１３０は、ＣＰＵ１１０から電流値選択信号を受けると、選択された電流値をアナログ値に変換してオーバーシュート電流源２３０へ出力する。オーバーシュート電流源２３０は、選択された電流値をＬＤへ供給する。このときスイッチ２３１には、点灯パターン信号の立ち上がりと同期して、オーバーシュート生成信号が供給される。このオーバーシュート生成信号は、予め設定さたれオーバーシュート時間Ｔｏｖだけ、スイッチ２３１をオンとする。

続いてＩｏｖ値設定部１１３は、積分光量算出部１１５により、ＰＤの出力波形の積分光量比を算出する（ステップＳ１００５）。

続いてＩｏｖ値設定部１１３は、判定部１１６により、ＰＤの出力波形の積分光量が所定範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ１００６）。判定部１１６による積分光量の判定の詳細は後述する。ステップＳ１００６において、積分光量が所定範囲内にあるとき、Ｉｏｖ値設定部１１３はこのとき選択した電流値をオーバーシュート電流Ｉｏｖとして設定する（ステップＳ１００７）。ステップＳ１００６において、積分光量が所定範囲外であるとき、Ｉｏｖ値設定部１１３はステップＳ１００４へ戻り、次に大きい電流値を選択する。

ここまでがオーバーシュート電流Ｉｏｖの調整の処理である。本実施形態では、オーバーシュート電流Ｉｏｖが設定された後に、オーバーシュート電流Ｉｏｖを設定したときの点灯パターン信号よりもＬＤの消灯時間が短くなる点灯パターン信号を用いてアンダーシュート電流Ｉｕｄの値を調整する。

本実施形態のＣＰＵ１１０は、Ｉｕｄ値設定部１１７によりアンダーシュート電流Ｉｕｄの値を調整する処理を行う。本実施形態のＩｕｄ値設定部１１７は、メモリ１２０の電流値記憶部１２１からアンダーシュート時間Ｔｕｄとアンダーシュート電流Ｉｕｄの初期値とを読み出す（ステップＳ１００８）。

続いてＩｕｄ値設定部１１７は、メモリ１２０の点灯パターン記憶部１２３から、点灯パターン信号を読み出す（ステップＳ１００９）。本実施形態のＩｕｄ値設定部１１７は、ここで読み出される点灯パターン信号によりＬＤが消灯される消灯時間をＴｂとしたとき、Ｔａ＞Ｔｂとなるように点灯パターン信号を選択し、読み出す。本実施形態の点灯パターン信号の詳細は後述する。

続いてＩｕｄ値設定部１１７は、電流値選択部１２４により、電流値を選択する電流値選択信号をＤＡＣ１３０へ出力する（ステップＳ１０１０）。電流値選択部１２４は、ＤＡＣ１３０において出力可能な電流値のうち、値の大きい電流値から順に選択する。尚値の大きい電流とは、絶対値が大きい電流を示している。

ＤＡＣ１３０は、ＣＰＵ１１０から電流値選択信号を受けると、選択された電流値をアナログ値に変換してアンダーシュート電流源２４０へ出力する。アンダーシュート電流源２４０は、選択された電流値をＬＤへ供給する。このときスイッチ２４１には、点灯パターン信号の立ち上がりと同期して、アンダーシュート生成信号が供給される。このアンダーシュート生成信号は、予め設定さたれアンダーシュート時間Ｔｕｄだけ、スイッチ２４１をオンとする。

続いてＩｕｄ値設定部１１７は、積分光量算出部１２５により、ＰＤの出力波形の積分光量比を算出する（ステップＳ１０１１）。

続いてＩｕｄ値設定部１１７は、判定部１２６により、ＰＤの出力波形の積分光量が所定範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ１０１２）。ステップＳ１０１２において、積分光量が所定範囲内にあるとき、Ｉｕｄ値設定部１１７はこのとき選択した電流値をオーバーシュート電流Ｉｕｄとして設定する（ステップＳ１０１３）。ステップＳ１０１２において、積分光量が所定範囲外であるとき、Ｉｕｄ値設定部１１７はステップＳ１０１０へ戻り、次に大きい電流値を選択する。

続いて本実施形態のＣＰＵ１１０は、全てのＬＤについて、オーバーシュート電流Ｉｏｖの値とアンダーシュート電流Ｉｕｄの値とを設定したか否かを判断する（ステップＳ１０１４）。ステップＳ１０１４において全てのＬＤの各電流の値が設定されていない場合、ＣＰＵ１１０はステップＳ１００１へ戻る。ステップＳ１０１４において全てのＬＤの各電流の値が設定されていた場合、ＣＰＵ１１０は処理を終了する。

次に本実施形態の積分光量の判定について説明する。図１１は、積分光量の判定について説明する図である。

図１１では、ＰＤの出力波形を発光遅延のない理想的な波形に近づけるために、積分光量の所定範囲を例えば４８％以上５２％未満とした場合を示している。また図１１は、オーバーシュート電流Ｉｏｖの値を設定する際の積分光量の判定の例である。

図１１の（１）は、電流値選択部１１４によりオーバーシュート電流Ｉｏｖの値が選択されておらず、駆動電流Ｉｋが点灯パターン信号に同期した所定電流Ｉｏｐとなる場合のＰＤの出力波形を示す。この場合、点灯パターン信号の１周期分の期間ＨにおけるＰＤの出力波形の積分光量は、４８％未満となる。

図１１の（２）は、電流値選択部１１４により、オーバーシュート電流Ｉｏｖの初期値である電流値Ｉｏｖ′が印加された場合のＰＤの出力波形を示す。このとき駆動電流Ｉｋは、立ち上がりからオーバーシュート時間Ｔｏｖの間、電流値Ｉｏｖ′分オーバーシュートされる。このときも、点灯パターン信号の１周期分の期間ＨにおけるＰＤの出力波形の積分光量は４８％未満である。

続いて図１１の（３）は、電流値選択部１１４により、電流値Ｉｏｖ′よりも大きい電流値Ｉｏｖが選択された場合のＰＤの出力波形を示す。このとき駆動電流Ｉｋは、立ち上がりからオーバーシュート時間Ｔｏｖの間、電流値Ｉｏｖ分オーバーシュートされる。この場合、点灯パターン信号の１周期分の期間ＨにおけるＰＤの出力波形の積分光量は５０％となる。したがってＩｏｖ値設定部１１３は、電流値Ｉｏｖをオーバーシュート電流として設定する。

本実施形態のＣＰＵ１１０は、アンダーシュート電流Ｉｕｄの値の設定の際にも、同様に積分光量を判断する。アンダーシュート電流Ｉｕｄの値を設定する際は、オーバーシュート電流Ｉｏｖの値は設定済みである。よって積分光量算出部１２５は、始めにオーバーシュート電流Ｉｏｖを含む駆動電流Ｉｋにアンダーシュート電流Ｉｕｄの初期値である電流値Ｉｕｄ′が印加された場合のＰＤの出力波形において、積分光量を算出する。

次に電流値選択部１２４は、電流値Ｉｕｄ′よりも大きい電流値Ｉｕｄが選択され、駆動電流Ｉｋは、立ち下がりからアンダーシュート時間Ｔｕｄの間、電流値Ｉｕｄ分アンダーシュートされる。判定部１２６は、このときのＰＤの出力波形を積分した結果が所定範囲内であるか否かを判断すれば良い。尚所定範囲の設定は、ＬＤを用いる装置の特性等により任意に設定されて良い。

次に本実施形態の点灯パターン信号について説明する。図１２は、点灯パターン信号を説明する第一の図である。

図１２に示す点灯パターン信号ＳＰ１は、１画素分所定電流Ｉｏｐをオンさせ、１画素分所定電流Ｉｏｐをオフさせるように予め生成された信号である。すなわち点灯パターン信号ＳＰ１がＬレベルとなる時間Ｔ１１が点灯パターン信号ＳＰ１による所定電流Ｉｏｐのオフ時間となる。以下の説明では、ｎ画素分所定電流Ｉｏｐをオンさせてｍ画素分駆動電流Ｉｋをオフさせる点灯パターン信号を、ｎｂｙｍの信号と呼ぶ。

点灯パターン信号ＳＰ２は、２ｂｙ２の信号である。点灯パターン信号ＳＰ２によりオーバーシュート電流Ｉｏｖの調整を行う場合、点灯パターン信号ＳＰ２がＬレベルとなる時間Ｔ１２が点灯パターン信号ＳＰ２による所定電流Ｉｏｐのオフ時間となる。同様に点灯パターン信号ＳＰ３がＬレベルとなる時間Ｔ１３が点灯パターン信号ＳＰ３による所定電流Ｉｏｐのオフ時間となり、点灯パターン信号ＳＰ４がＬレベルとなる時間Ｔ１４が点灯パターン信号ＳＰ４による所定電流Ｉｏｐのオフ時間となる。

点灯パターン信号ＳＰ３は、４ｂｙ４の信号であり、点灯パターン信号ＳＰ４は、８ｂｙ８の信号である。すなわち点灯パターン信号の周期は、点灯パターン信号ＳＰ１が最も短く、点灯パターン信号ＳＰ４が最も長い。

本実施形態では、アンダーシュート電流Ｉｕｄの値を調整する際の所定電流Ｉｏｐのオフ時間を、オーバーシュート電流Ｉｏｖの値を設定したときの所定電流Ｉｏｐのオフ時間よりも短くする。すなわち本実施形態では、オーバーシュート電流Ｉｏｖの値を設定したときの点灯パターン信号よりも周期の短い点灯パターン信号を用いてアンダーシュート電流Ｉｕｄの値を設定する。

例えば点灯パターン信号ＳＰ４でオーバーシュート電流Ｉｏｖの値を設定した場合には、アンダーシュート電流Ｉｕｄの値の調整において点灯パターン信号ＳＰ４より周期の短い点灯パターン信号ＳＰ１〜ＳＰ３の何れかを選択すればよい。

図１２に示す点灯パターン信号ＳＰ１〜ＳＰ４は、所定電流Ｉｏｐのオン時間とオフ時間の時間幅を同等とする信号である。よって理想的に矩形波での光出力波形が得られた場合の積分光量は５０％となる。この場合には、判定部１１６及び１２６による判定で用いられる所定範囲は、５０％を中心値とする範囲に設定すれば良い。

図１３は、点灯パターン信号を説明する第二の図である。図１３に示す点灯パターン信号ＳＰ５、ＳＰ６は、所定電流Ｉｏｐのオン時間に対してオフ時間を長くし、且つオン時間をＬＤが１画素分を走査する時間とする信号である。点灯パターン信号ＳＰ５は１ｂｙ３の信号であり、点灯パターン信号ＳＰ６は、１ｂｙ７の信号である。

本実施形態では、例えばオーバーシュート電流Ｉｏｖの値の設定において点灯パターン信号ＳＰ５又は点灯パターン信号ＳＰ６を使用し、アンダーシュート電流Ｉｕｄの値の設定において点灯パターン信号ＳＰ１を使用しても良い。

図１３に示す点灯パターン信号ＳＰ５、ＳＰ６は、１周期に対して所定電流Ｉｏｐをオンさせる時間が短い。よって、例えば１ｂｙ３の信号において理想的な積分光量は、ＰＤが目標光量を出力しているときの積分光量を１００％とした場合２５％となる。また１ｂｙ７の信号において理想的な積分光量は１２．５％と小さくなる。

本実施形態では、オーバーシュート電流Ｉｏｖ及びアンダーシュート電流Ｉｕｄの値の調整に、図１３に示す点灯パターン信号も用いることができる。

しかしながら、図１２に示すｎｂｙｍ（ｎ＝ｍ）の信号では、所定電流Ｉｏｐのオフ時間が長くなるにつれてオーバーシュート電流Ｉｏｖが積分光量に対して寄与する割合が小さくなり、調整精度が低くなる。これに対して図１３に示す１ｂｙｍの信号では、１画素に対するオーバーシュート電流Ｉｏｖの寄与率は変わらず、検出されるレベルが低くなるだけであるため、オーバーシュート電流Ｉｏｖの調整精度が高くなる。オーバーシュート電流Ｉｏｖ及びアンダーシュート電流Ｉｕｄの値にどちらの点灯パターン信号を用いるか否かは、例えばＰＤの検出精度等に基づき検討されても良い。

図１４は、第一の実施形態における駆動電流と光源の電位と光出力波形の例を示す図である。

図１４では、オフ時間をＴ２１とした場合の駆動電流Ｉｋと、ＬＤの電位と、ＰＤからの光出力波形と、オフ時間をＴ２２とした場合の駆動電流Ｉｋと、ＬＤの電位と、ＰＤからの光出力波形とを示している。オフ時間Ｔ２２は、オフ時間Ｔ２１よりも短い時間である。

図１４では、ＬＤの電位は、オフ時間Ｔ２１及びＴ２２の何れにおいても、ＬＤの電位はアンダーシュート時間Ｔｕｄが経過してアンダーシュート電流Ｉｕｄの印加が終わるタイミングでバイアス電位Ｖｂｉとなり、ＬＤが消灯状態となる。

したがって光出力波形は、オフ時間Ｔ２１及びＴ２２の何れにおいても立ち上がり及び立ち下がり共に同様の応答特性を得ることができ、所定電流Ｉｏｐのオフ時間に関わらず安定した光出力波形を得ることができる。

（第二の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第二の実施形態について説明する。本発明の第二の実施形態は、全てのＬＤに対して先にオーバーシュート電流Ｉｏｖの値を設定する点のみ第一の実施形態と相違する。よって以下の第二の実施形態の説明では、第一の実施形態との相違点についてのみ説明し、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。

図１５は、第二の実施形態のＣＰＵの動作を説明するフローチャートである。

図１５のステップＳ１５０１からステップＳ１５０７までの処理は、図１０のステップＳ１００１からステップＳ１００７と同様であるから説明を省略する。ステップＳ１５０７においてオーバーシュート電流Ｉｏｖの値が設定されると、ＣＰＵ１１０は、光源駆動回路１００が有する全てのＬＤに対してオーバーシュート電流Ｉｏｖの値が設定が設定されたか否かを判断する（ステップＳ１５０８）。

ステップＳ１５０８において全てのＬＤにオーバーシュート電流Ｉｏｖの値が設定されていない場合、ＣＰＵ１１０はステップＳ１５０１へ戻る。ステップＳ１５０８においてオーバーシュート電流Ｉｏｖの値が設定された場合、ＣＰＵ１１０は後述するステップＳ１５０９へ進む。

図１５のステップＳ１５０９からステップＳ１５１５の処理は、図１０のステップＳ１００８からステップＳ１０１３の処理と同様であるから説明を省略する。

ステップＳ１５１５においてアンダーシュート電流Ｉｕｄの値が設定されると、ＣＰＵ１１０は全てのＬＤに対してアンダーシュート電流Ｉｕｄの値が設定されたか否かを判断する（ステップＳ１５１６）。ステップＳ１５１６において全てのＬＤにアンダーシュート電流Ｉｕｄの値が設定されていない場合、ＣＰＵ１１０はステップＳ１５０９へ戻る。ステップＳ１５１６において全てのＬＤにアンダーシュート電流Ｉｕｄの値が設定された場合、ＣＰＵ１１０は処理を終了する。

以上のように本実施形態では、全てのＬＤに対して先にオーバーシュート電流Ｉｏｖの値を設定してからアンダーシュート電流Ｉｕｄの値を調整しても良い。

以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。

１０ 画像形成装置
２０ 光走査装置
１００ 光源駆動回路
１１０ ＣＰＵ
１２０ メモリ
１３０ ＤＡＣ
２００ ＬＤドライバ

特開２０１１−１９８８７７号公報 特許第４４７６５６８号公報

Claims (9)

1. 光源を駆動させる光源駆動回路であって、
   前記光源から所定光量を得る所定電流と、前記所定電流と同期して印加される第一の補助駆動電流と、前記所定電流の立ち下がりと同期して印加される第二の補助駆動電流とを含む駆動電流を生成する駆動電流生成部と、
   前記光源に対する前記所定電流の供給／停止を制御する点灯パターン信号を用いて前記第一及び前記第二の補助駆動電流の値を設定する制御部と、を有し、
   前記制御部は、
   前記第一の補助駆動電流の値の設定後に、前記第一の補助駆動電流の値の設定の際に用いた点灯パターン信号よりも、前記所定電流の供給が停止される時間を短くする点灯パターン信号を用いて前記第二の補助駆動電流の値を設定する光源駆動回路。
2. 前記駆動電流生成部は、
   前記所定電流、前記第一の補助駆動電流及び前記第二の補助駆動電流に重畳されるバイアス電流を含む駆動電流を生成する請求項１記載の光源駆動回路。
3. 前記光源から発光された光を受光し、受光した光量に対応する大きさの信号を出力する受光素子と、
   前記受光素子から出力された信号波形を積分する積分部と、
   前記第一の補助駆動電流の値を設定する第一の電流値設定部と、
   前記第二の補助駆動電流の値を設定する第二の電流値設定部と、
   前記点灯パターン信号が格納された点灯パターン記憶部と、を有し、
   前記第一の電流値設定部は、
   前記所定電流の立ち上がりと同期して印加される第一電流値を選択する第一の電流値選択部と、
   前記所定電流に前記第一電流値を印加した電流が前記光源に供給されたときの前記受光素子の前記信号波形の第一積分値が、予め設定された所定範囲内であるか否かを判定する第一の判定手段と、を有し、前記第一積分値が前記所定範囲内となったとき、前記第一電流値を前記第一の補助駆動電流の値に設定し
   前記第二の電流値設定部は、
   前記所定電流の立ち下がりに印加される第二電流値を選択する第二の電流値選択部と、
   前記所定電流に前記第一の補助駆動電流と前記第二電流値を印加した電流が前記光源に供給されたときの前記受光素子の前記信号波形の第二積分値が、前記所定範囲内であるか否かを判定する第二の判定手段と、を有し、
   前記第二積分値が前記所定範囲内となったとき、前記第二電流値を前記第二の補助駆動電流の値に設定する請求項１又は２記載の光源駆動回路。
4. 前記第二の電流値設定部は、
   前記第二の補助駆動電流が印加された後の前記光源の電位が、前記所定電流の供給が停止されたときの前記光源の電位と等しくなるように、第二の補助駆動電流の値に設定する請求項３記載の光源駆動回路。
5. 光源と、前記光源から照射される光を走査させる反射鏡と、前記光源を駆動させる光源駆動回路とを含む光走査装置であって、
   前記光源駆動回路は、
   前記光源から所定光量を得る所定電流と、前記所定電流と同期して印加される第一の補助駆動電流と、前記所定電流の立ち下がりと同期して印加される第二の補助駆動電流とを含む駆動電流を生成する駆動電流生成部と、
   前記光源に対する前記所定電流の供給／停止を制御する点灯パターン信号を用いて前記第一及び前記第二の補助駆動電流の値を設定する制御部と、を有し、
   前記制御部は、
   前記第一の補助駆動電流の値の設定後に、前記第一の補助駆動電流の値の設定の際に用いた点灯パターン信号よりも、前記所定電流の供給が停止される時間を短くする点灯パターン信号を用いて前記第二の補助駆動電流の値を設定する光走査装置。
6. 前記点灯パターン信号は、
   前記所定電流が供給される時間と、前記所定電流の供給が停止される時間とを同じにするパターンを繰り返す信号であって、
   前記時間は、前記光源から照射される光が１画素分の幅を走査する時間である請求項５記載の光走査装置。
7. 前記点灯パターン信号は、
   前記所定電流が供給される時間と、前記所定電流の供給が停止される時間とを同じにするパターンを繰り返す信号であって、
   前記所定電流が供給される時間は、前記光源から照射される光が１画素分の幅を走査する時間であり、
   前記前記所定電流の供給が停止される時間は、前記光源から照射される光が複数画素分の幅を走査する時間である請求項５記載の光走査装置。
8. 前記光源は、ＶＣＳＥＬである請求項５乃至７の何れか一項に記載の光走査装置。
9. 光源と、前記光源から照射される光を反射させる反射鏡と、前記反射鏡により反射された反射光により走査される感光体と、前記光源を駆動させる光源駆動回路とを含む画像形成装置であって、
   前記光源駆動回路は、
   前記光源から所定光量を得る所定電流と、前記所定電流と同期して印加される第一の補助駆動電流と、前記所定電流の立ち下がりと同期して印加される第二の補助駆動電流とを含む駆動電流を生成する駆動電流生成部と、
   前記光源に対する前記所定電流の供給／停止を制御する点灯パターン信号を用いて前記第一及び前記第二の補助駆動電流の値を設定する制御部と、を有し、
   前記制御部は、
   前記第一の補助駆動電流の値の設定後に、前記第一の補助駆動電流の値の設定の際に用いた点灯パターン信号よりも、前記所定電流の供給が停止される時間を短くする点灯パターン信号を用いて前記第二の補助駆動電流の値を設定する画像形成装置。

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