JP2000208864A - 半導体レ―ザ駆動装置 - Google Patents
半導体レ―ザ駆動装置Info
- Publication number
- JP2000208864A JP2000208864A JP11005304A JP530499A JP2000208864A JP 2000208864 A JP2000208864 A JP 2000208864A JP 11005304 A JP11005304 A JP 11005304A JP 530499 A JP530499 A JP 530499A JP 2000208864 A JP2000208864 A JP 2000208864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- output terminal
- current
- current output
- snubber circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光波形のリンギング，波形なまりのそれぞ
れに対し個別に設定が可能な半導体レーザ駆動装置を提
供する。 【解決手段】 レーザダイオード１に駆動電流を出力す
る第１の電流出力端３−１と、前記駆動電流と差動の関
係にある電流を出力する第２の電流出力端３−２との間
に、コンデンサＣｄと抵抗Ｒｄを直列接続して第２のス
ナバ回路を構成し、前記レーザダイオード１のアノー
ド，カソード間に、コンデンサＣｖと抵抗Ｒｖを直列接
続して第１のスナバ回路を構成する。第２のスナバ回路
により、発光波形のリンギングの度合いを設定し、第１
のスナバ回路により発光波形なまりを設定する。
れに対し個別に設定が可能な半導体レーザ駆動装置を提
供する。 【解決手段】 レーザダイオード１に駆動電流を出力す
る第１の電流出力端３−１と、前記駆動電流と差動の関
係にある電流を出力する第２の電流出力端３−２との間
に、コンデンサＣｄと抵抗Ｒｄを直列接続して第２のス
ナバ回路を構成し、前記レーザダイオード１のアノー
ド，カソード間に、コンデンサＣｖと抵抗Ｒｖを直列接
続して第１のスナバ回路を構成する。第２のスナバ回路
により、発光波形のリンギングの度合いを設定し、第１
のスナバ回路により発光波形なまりを設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像信号で変調さ
れた静電潜像を感光体上に形成する半導体レーザを駆動
する駆動装置に関するものである。
れた静電潜像を感光体上に形成する半導体レーザを駆動
する駆動装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は静電潜像を形成する例えばデジタ
ル複写機の要部構成を示すブロック図である。
ル複写機の要部構成を示すブロック図である。
【０００３】図２において、フォトダイオード１１は、
レーザ光源としての半導体レーザ１０が出力するレーザ
光のモニタリングを行う。光量制御部１２はモニタされ
た光量にもとづいて半導体レーザ１０への印加電流を制
御し、フォトダイオード１１からの出力が所定値となる
ように制御する。
レーザ光源としての半導体レーザ１０が出力するレーザ
光のモニタリングを行う。光量制御部１２はモニタされ
た光量にもとづいて半導体レーザ１０への印加電流を制
御し、フォトダイオード１１からの出力が所定値となる
ように制御する。
【０００４】ポリゴンミラー１９は、半導体レーザ１０
から照射されたレーザビームＩを偏向するためのもので
あり、モータ軸に固定されて図中矢印方向への回転を行
い、感光ドラム２２上にビームＩを走査する。ｆ−θレ
ンズ２０は偏向されたレーザビームＩを感光ドラム２２
上に集光するものである。
から照射されたレーザビームＩを偏向するためのもので
あり、モータ軸に固定されて図中矢印方向への回転を行
い、感光ドラム２２上にビームＩを走査する。ｆ−θレ
ンズ２０は偏向されたレーザビームＩを感光ドラム２２
上に集光するものである。
【０００５】受光ダイオードからなるビームディテクタ
２１は、レーザビームＩにより感光ドラム２２上の情報
書き込み開始位置を検出し、水平同期信号発生回路１８
はビームディテクタ２１の出力にもとづいて水平同期信
号Ｈｓｙｎｃを発生する。
２１は、レーザビームＩにより感光ドラム２２上の情報
書き込み開始位置を検出し、水平同期信号発生回路１８
はビームディテクタ２１の出力にもとづいて水平同期信
号Ｈｓｙｎｃを発生する。
【０００６】ブランキング回路１７は、水平同期信号に
もとづいて、次にビームディテクタ２１がレーザビーム
Ｉを検出すべきタイミングで半導体レーザ１０をオンさ
せるアンブランキング信号ＵＮＢＬを発生し、これをオ
ア回路１４に供給する。
もとづいて、次にビームディテクタ２１がレーザビーム
Ｉを検出すべきタイミングで半導体レーザ１０をオンさ
せるアンブランキング信号ＵＮＢＬを発生し、これをオ
ア回路１４に供給する。
【０００７】画素変調回路１５は、画素変調データ発生
源１６より発生する画素変調データにもとづいて、水平
同期信号に同期して発生された画素クロックに同期して
変調された信号を発生する。
源１６より発生する画素変調データにもとづいて、水平
同期信号に同期して発生された画素クロックに同期して
変調された信号を発生する。
【０００８】オア回路１４には画素変調回路１５から供
給されるパルス幅変調された画信号も入力される。オア
回路１４からの出力がレーザ駆動回路１３に与えられ、
これにより前記光量制御部１２によって設定された印加
電流が半導体レーザ１０に供給される。
給されるパルス幅変調された画信号も入力される。オア
回路１４からの出力がレーザ駆動回路１３に与えられ、
これにより前記光量制御部１２によって設定された印加
電流が半導体レーザ１０に供給される。
【０００９】なお、画素変調データ発生源１６からは、
水平同期信号Ｈｓｙｎｃに同期して発生された画素クロ
ックに同期して例えば８ビットで画素階調を表す画素変
調データが出力される。
水平同期信号Ｈｓｙｎｃに同期して発生された画素クロ
ックに同期して例えば８ビットで画素階調を表す画素変
調データが出力される。
【００１０】感光ドラム２２上はレーザ照射前に、帯電
器（図示せず）により例えば正に帯電されており、レー
ザ照射部分の感光体表面電位が低下し、静電潜像を形成
する。静電潜像形成部に帯電したトナーが付着し、紙に
転写定着することにより紙出力を得ている。
器（図示せず）により例えば正に帯電されており、レー
ザ照射部分の感光体表面電位が低下し、静電潜像を形成
する。静電潜像形成部に帯電したトナーが付着し、紙に
転写定着することにより紙出力を得ている。
【００１１】図５は半導体レーザ（以下ＬＤとも記す）
を駆動する従来の半導体駆動回路の構成例である。ＬＤ
１を発光させる制御信号ＳＷＰにＨレベルが入力される
とスイッチ３は第１の電流出力端子３−１側に接続さ
れ、ＬＤ１に定電流源４の電流を供給する。ＳＷＰにＬ
レベルが入力されるとスイッチ３は第２の電流出力端子
３−２側に接続され、抵抗６に定電流源４の電流を供給
する。ＬＤ１は供給された電流値に応じ発光し、その発
光量に応じた電流をフォトディテクタ（以下ＰＤと記
す）２が検出し、オートパワーコントロール部（以下Ａ
ＰＣと記す）５に伝える。ＡＰＣ５はサンプリング／ホ
ールド機能を有し、サンプリング時にはＬＤ１は定常的
にＯＮさせ、ＰＤ出力をサンプリングし目標光量になる
ように定電流源４を制御し、ホールド時には定電流源制
御値を目標値に保持する。図５において、ＩｏはＬＤ駆
動電流、ＰｏはＬＤ光出力である。
を駆動する従来の半導体駆動回路の構成例である。ＬＤ
１を発光させる制御信号ＳＷＰにＨレベルが入力される
とスイッチ３は第１の電流出力端子３−１側に接続さ
れ、ＬＤ１に定電流源４の電流を供給する。ＳＷＰにＬ
レベルが入力されるとスイッチ３は第２の電流出力端子
３−２側に接続され、抵抗６に定電流源４の電流を供給
する。ＬＤ１は供給された電流値に応じ発光し、その発
光量に応じた電流をフォトディテクタ（以下ＰＤと記
す）２が検出し、オートパワーコントロール部（以下Ａ
ＰＣと記す）５に伝える。ＡＰＣ５はサンプリング／ホ
ールド機能を有し、サンプリング時にはＬＤ１は定常的
にＯＮさせ、ＰＤ出力をサンプリングし目標光量になる
ように定電流源４を制御し、ホールド時には定電流源制
御値を目標値に保持する。図５において、ＩｏはＬＤ駆
動電流、ＰｏはＬＤ光出力である。
【００１２】デジタル複写機等の電子写真装置は高い階
調性を得るために例えば１画素または複数画素単位で半
導体レーザのＯＮ時間をＰＷＭ制御している。ＰＷＭ制
御されたＬＤ出力はＬＤ波高値とＯＮ時間の積分値が画
像出力濃度と一義的に決定されている。したがって、パ
ルス幅にリニアな光量を得ようとすると図５に示すよう
な波高値のフラットな特性が要求される。
調性を得るために例えば１画素または複数画素単位で半
導体レーザのＯＮ時間をＰＷＭ制御している。ＰＷＭ制
御されたＬＤ出力はＬＤ波高値とＯＮ時間の積分値が画
像出力濃度と一義的に決定されている。したがって、パ
ルス幅にリニアな光量を得ようとすると図５に示すよう
な波高値のフラットな特性が要求される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は図６に示すように、各素子のリードインダクタンス、
基板の配線インダクタンス等によりＬＤ出力光にはリン
ギングを伴う。図６においてＩｏはＬＤ駆動電流、Ｐｏ
はＬＤ光出力である。リンギングを伴ったＬＤ光により
ＰＷＭを行うと図７に示すように入力パルス幅対出力光
量（ＬＤ出力積分値）の直線性を崩す。図７において横
軸は例えばパルス幅を８ビット制御した場合のデータ
値、縦軸は消灯を０％、フル点灯を１００％とした場合
のＬＤをＰＷＭ制御した場合の出力積分値である。電子
写真では、低濃度部における階調性が画質上目立ちやす
く、ＬＤ波形のリンギングによる階調の直線性の悪化は
画質劣化を引き起こす。
は図６に示すように、各素子のリードインダクタンス、
基板の配線インダクタンス等によりＬＤ出力光にはリン
ギングを伴う。図６においてＩｏはＬＤ駆動電流、Ｐｏ
はＬＤ光出力である。リンギングを伴ったＬＤ光により
ＰＷＭを行うと図７に示すように入力パルス幅対出力光
量（ＬＤ出力積分値）の直線性を崩す。図７において横
軸は例えばパルス幅を８ビット制御した場合のデータ
値、縦軸は消灯を０％、フル点灯を１００％とした場合
のＬＤをＰＷＭ制御した場合の出力積分値である。電子
写真では、低濃度部における階調性が画質上目立ちやす
く、ＬＤ波形のリンギングによる階調の直線性の悪化は
画質劣化を引き起こす。
【００１４】さらに、電子写真の低濃度部においては図
８（Ｂ）に示すようななだらかな下凸特性が有効であ
る。図８（Ｂ）の特性をデジタル的に画像処理を施し得
ようとすると、量子化誤差により本来の階調は得られな
い。
８（Ｂ）に示すようななだらかな下凸特性が有効であ
る。図８（Ｂ）の特性をデジタル的に画像処理を施し得
ようとすると、量子化誤差により本来の階調は得られな
い。
【００１５】このＬＤ波形のリンギングを抑制する手法
としては、図３，図４に示すようにスナバ回路を付加す
る手法が考えられる。図３はＬＤのアノード−カソード
間にスナバ回路（Ｒｖ，Ｃｖ）を付加したものである。
図４はＬＤ駆動電流出力端子およびＬＤ駆動電流と差動
関係にある電流出力端子にスナバ回路（Ｒｄ，Ｃｄ）を
付加したものである。図３，図４ともに抵抗Ｒの値によ
りスナバ電流の最大値が決定されており、抵抗Ｒの値が
小さい方がリンギング抑制効果は大きいが、コンデンサ
Ｃの値により例えば光立上がり波形のなまりを得ようと
する場合の図７（Ｂ）に示す下凸特性も強くなり、リン
ギング抑制と光立上がり波形なまりを独立に設定できな
い。
としては、図３，図４に示すようにスナバ回路を付加す
る手法が考えられる。図３はＬＤのアノード−カソード
間にスナバ回路（Ｒｖ，Ｃｖ）を付加したものである。
図４はＬＤ駆動電流出力端子およびＬＤ駆動電流と差動
関係にある電流出力端子にスナバ回路（Ｒｄ，Ｃｄ）を
付加したものである。図３，図４ともに抵抗Ｒの値によ
りスナバ電流の最大値が決定されており、抵抗Ｒの値が
小さい方がリンギング抑制効果は大きいが、コンデンサ
Ｃの値により例えば光立上がり波形のなまりを得ようと
する場合の図７（Ｂ）に示す下凸特性も強くなり、リン
ギング抑制と光立上がり波形なまりを独立に設定できな
い。
【００１６】本発明は、このような状況のもとでなされ
たもので、発光波形のリンギング，波形なまりのそれぞ
れに対し個別に設定が可能な半導体レーザ駆動装置を提
供することを目的とするものである。
たもので、発光波形のリンギング，波形なまりのそれぞ
れに対し個別に設定が可能な半導体レーザ駆動装置を提
供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、半導体レーザ駆動装置を次の（１）〜
（４）のとおりに構成する。
め、本発明では、半導体レーザ駆動装置を次の（１）〜
（４）のとおりに構成する。
【００１８】（１）半導体レーザをオン，オフするため
の駆動電流を供給する第１の電流出力端と、前記駆動電
流と差動の関係にある電流を出力する第２の電流出力端
とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記半導体
レーザの発光波形の立上がり特性になまりを持たせる第
１の光波形整形手段と、前記発光波形のリンギングを抑
制する第２の光波形整形手段とを備えた半導体レーザ駆
動装置。
の駆動電流を供給する第１の電流出力端と、前記駆動電
流と差動の関係にある電流を出力する第２の電流出力端
とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記半導体
レーザの発光波形の立上がり特性になまりを持たせる第
１の光波形整形手段と、前記発光波形のリンギングを抑
制する第２の光波形整形手段とを備えた半導体レーザ駆
動装置。
【００１９】（２）前記（１）記載の半導体レーザ駆動
装置において、前記第１の電流出力端は、前記半導体レ
ーザの一端に接続され、前記半導体レーザの他端は電源
に接続され、前記第２の電流出力端と前記半導体レーザ
の他端間に負荷が接続され、前記第１の光波形整形手段
は、前記半導体レーザのアノード，カソード間に第１の
抵抗と第１のコンデンサを直列接続した第１のスナバ回
路であり、前記第２の光波形整形手段は、前記第１の電
流出力端と前記第２の電流出力端間に第２の抵抗と第２
のコンデンサが直列接続された第２のスナバ回路である
半導体レーザ駆動装置。
装置において、前記第１の電流出力端は、前記半導体レ
ーザの一端に接続され、前記半導体レーザの他端は電源
に接続され、前記第２の電流出力端と前記半導体レーザ
の他端間に負荷が接続され、前記第１の光波形整形手段
は、前記半導体レーザのアノード，カソード間に第１の
抵抗と第１のコンデンサを直列接続した第１のスナバ回
路であり、前記第２の光波形整形手段は、前記第１の電
流出力端と前記第２の電流出力端間に第２の抵抗と第２
のコンデンサが直列接続された第２のスナバ回路である
半導体レーザ駆動装置。
【００２０】（３）前記（１）記載の半導体レーザ駆動
装置において、前記第２の電流出力端と前記半導体レー
ザの他端間に接続された負荷が抵抗である半導体レーザ
駆動装置。
装置において、前記第２の電流出力端と前記半導体レー
ザの他端間に接続された負荷が抵抗である半導体レーザ
駆動装置。
【００２１】（４）前記（１）記載の半導体レーザ駆動
装置において、前記第２の出力端と前記半導体レーザの
他端間に接続された負荷がダイオードである半導体レー
ザ駆動装置。
装置において、前記第２の出力端と前記半導体レーザの
他端間に接続された負荷がダイオードである半導体レー
ザ駆動装置。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を半導体
レーザ駆動装置の実施例により詳しく説明する。
レーザ駆動装置の実施例により詳しく説明する。
【００２３】
【実施例】図１は、実施例である“半導体レーザ駆動装
置”の構成，動作を示す図である。図１において、図５
と同番号部は同一動作をする。図１は図５に対し、ＬＤ
１の両端に抵抗ＲｖおよびコンデンサＣｖを直列接続し
た第１のスナバ回路を接続し、ＬＤ駆動電流を出力する
第１の電流出力端子３−１と、ＬＤ駆動電流と差動関係
にある電流を出力する第２の電流出力端子３−２との間
に抵抗ＲｄおよびコンデンサＣｄを直列接続した第２の
スナバ回路を接続したものである。
置”の構成，動作を示す図である。図１において、図５
と同番号部は同一動作をする。図１は図５に対し、ＬＤ
１の両端に抵抗ＲｖおよびコンデンサＣｖを直列接続し
た第１のスナバ回路を接続し、ＬＤ駆動電流を出力する
第１の電流出力端子３−１と、ＬＤ駆動電流と差動関係
にある電流を出力する第２の電流出力端子３−２との間
に抵抗ＲｄおよびコンデンサＣｄを直列接続した第２の
スナバ回路を接続したものである。
【００２４】第２のスナバ回路は差動で動作する第１，
第２の電流出力を交流的にカップリングしたものであ
り、第１，第２の電流出力の電圧変化をお互い打ち消し
あう方向に作用しリンギングを抑制する。
第２の電流出力を交流的にカップリングしたものであ
り、第１，第２の電流出力の電圧変化をお互い打ち消し
あう方向に作用しリンギングを抑制する。
【００２５】第２のスナバ回路について述べる。第２の
スナバ回路は、１次の時定数回路であるが、先に述べた
ように、各素子，配線にインダクタンス成分が存在する
ためスナバ電流は振動する。しかしここでは、１次の時
定数で近似して説明する。第２のスナバ回路の目的はＬ
Ｄ駆動電流がＯＦＦ→ＯＮするタイミングで発生する駆
動電流のリンギングを抑制することである。１次の時定
数回路のステップ応答は、時定数τ＝Ｒｄ・Ｃｄのと
き、時間τ後に０．６３、２τ後に０．８６、３τ後に
０．９５、４τ後に０．９８、５τ後に０．９９と変化
する。第１ピークにスナバ電流の大部分が存在するよう
に、τ〜２τ程度に第１ピーク幅を設定する。したがっ
て第２のスナバ回路時定数Ｔｄ（＝Ｒｄ・Ｃｄ）はＴｄ
＝Ｔ２〜Ｔ２／２に設定する。抵抗Ｒｄの値を小さくす
るとスナバ電流が大きくなりリンギング抑制効果が大き
くなる。しかし、時定数を決めているので、抵抗Ｒｄの
値を小さくするとコンデンサＣｄの値が大きくなる。コ
ンデンサＣｄの値を大きくしすぎるとＬＤの発光遅延が
大きくなることに注意する。
スナバ回路は、１次の時定数回路であるが、先に述べた
ように、各素子，配線にインダクタンス成分が存在する
ためスナバ電流は振動する。しかしここでは、１次の時
定数で近似して説明する。第２のスナバ回路の目的はＬ
Ｄ駆動電流がＯＦＦ→ＯＮするタイミングで発生する駆
動電流のリンギングを抑制することである。１次の時定
数回路のステップ応答は、時定数τ＝Ｒｄ・Ｃｄのと
き、時間τ後に０．６３、２τ後に０．８６、３τ後に
０．９５、４τ後に０．９８、５τ後に０．９９と変化
する。第１ピークにスナバ電流の大部分が存在するよう
に、τ〜２τ程度に第１ピーク幅を設定する。したがっ
て第２のスナバ回路時定数Ｔｄ（＝Ｒｄ・Ｃｄ）はＴｄ
＝Ｔ２〜Ｔ２／２に設定する。抵抗Ｒｄの値を小さくす
るとスナバ電流が大きくなりリンギング抑制効果が大き
くなる。しかし、時定数を決めているので、抵抗Ｒｄの
値を小さくするとコンデンサＣｄの値が大きくなる。コ
ンデンサＣｄの値を大きくしすぎるとＬＤの発光遅延が
大きくなることに注意する。
【００２６】第１のスナバ回路の目的は、ＬＤの発光波
形の立上がり波形なまり特性を設定することである。第
１のスナバ回路の時定数は第２のスナバ回路時定数とは
異なり、波形なまりの終了を定義するものである。この
終了点は発光周期の１／３〜１／２程度にすることで低
濃度領域での階調性の向上が得られる。ＬＤが発光を開
始して波形なまりが終了させるまでの時間をＴ１とする
と前述の１次時定数回路のステップ応答の過渡応答で１
％を目標値にすると５τ後ということになる。したがっ
て、第１のスナバ回路時定数Ｔｖ（＝Ｒｖ・Ｃｖ）はＴ
ｖ＝Ｔ１／５に設定する。抵抗Ｒｖの値を小さくすると
第１のスナバ電流が大きくなるので波形なまりが大きく
なり、決定した時定数による波形なまり終了までのなま
りが大きくなる。これは入力パルス幅に対するＬＤ光出
力の積分値の特性の下凸が強くなる方向である。
形の立上がり波形なまり特性を設定することである。第
１のスナバ回路の時定数は第２のスナバ回路時定数とは
異なり、波形なまりの終了を定義するものである。この
終了点は発光周期の１／３〜１／２程度にすることで低
濃度領域での階調性の向上が得られる。ＬＤが発光を開
始して波形なまりが終了させるまでの時間をＴ１とする
と前述の１次時定数回路のステップ応答の過渡応答で１
％を目標値にすると５τ後ということになる。したがっ
て、第１のスナバ回路時定数Ｔｖ（＝Ｒｖ・Ｃｖ）はＴ
ｖ＝Ｔ１／５に設定する。抵抗Ｒｖの値を小さくすると
第１のスナバ電流が大きくなるので波形なまりが大きく
なり、決定した時定数による波形なまり終了までのなま
りが大きくなる。これは入力パルス幅に対するＬＤ光出
力の積分値の特性の下凸が強くなる方向である。
【００２７】以上説明したように本実施例によれば、第
２のスナバ回路で半導体レーザの出力光波形のリンギン
グを抑制し、第１のスナバ回路で半導体レーザ出力光の
立上がり波形のなまりを設定する。こうすることによ
り、発光波形のリンギング，波形なまりのそれぞれに対
し個別に設定が可能になり、電子写真に適したリンギン
グの抑制された光波形であり、尚且つ入力パルス幅に対
する半導体光出力の積分値特性が所望の下凸特性になる
ように半導体レーザ出力光波形を設定することができ
る。
２のスナバ回路で半導体レーザの出力光波形のリンギン
グを抑制し、第１のスナバ回路で半導体レーザ出力光の
立上がり波形のなまりを設定する。こうすることによ
り、発光波形のリンギング，波形なまりのそれぞれに対
し個別に設定が可能になり、電子写真に適したリンギン
グの抑制された光波形であり、尚且つ入力パルス幅に対
する半導体光出力の積分値特性が所望の下凸特性になる
ように半導体レーザ出力光波形を設定することができ
る。
【００２８】なお、抵抗Ｒｏ（第２の電流出力の負荷）
のかわりにダイオードを用いても同様の効果が得られ
る。
のかわりにダイオードを用いても同様の効果が得られ
る。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、発光波形のリンギン
グ，波形なまりのそれぞれに対し個別に設定が可能にな
り、電子写真に適したリンギングの抑制された光波形で
あり、尚且つ入力パルス幅に対する半導体光出力の積分
値特性が所望の下凸特性になるように半導体レーザ出力
光波形を設定することができる。これにより電子写真プ
ロセスに適したＬＤ発光波形を得ることができる。
グ，波形なまりのそれぞれに対し個別に設定が可能にな
り、電子写真に適したリンギングの抑制された光波形で
あり、尚且つ入力パルス幅に対する半導体光出力の積分
値特性が所望の下凸特性になるように半導体レーザ出力
光波形を設定することができる。これにより電子写真プ
ロセスに適したＬＤ発光波形を得ることができる。
【図１】 実施例の構成，動作を示す図
【図２】 デジタル複写機の要部構成を示す図
【図３】 スナバ回路の説明図
【図４】 スナバ回路の説明図
【図５】 従来例の構成，動作を示す図
【図６】 従来例の動作説明図
【図７】 従来例の動作説明図
【図８】 従来例の動作説明図
１ レーザダイオード ３ スイッチ Ｃｄ，Ｃｖ コンデンサ Ｒｄ，Ｒｖ 抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザをオン，オフするための駆
動電流を供給する第１の電流出力端と、前記駆動電流と
差動の関係にある電流を出力する第２の電流出力端とを
備えた半導体レーザ駆動装置において、前記半導体レー
ザの発光波形の立上がり特性になまりを持たせる第１の
光波形整形手段と、前記発光波形のリンギングを抑制す
る第２の光波形整形手段とを備えたことを特徴とする半
導体レーザ駆動装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ駆動装置に
おいて、前記第１の電流出力端は、前記半導体レーザの
一端に接続され、前記半導体レーザの他端は電源に接続
され、前記第２の電流出力端と前記半導体レーザの他端
間に負荷が接続され、前記第１の光波形整形手段は、前
記半導体レーザのアノード，カソード間に第１の抵抗と
第１のコンデンサを直列接続した第１のスナバ回路であ
り、前記第２の光波形整形手段は、前記第１の電流出力
端と前記第２の電流出力端間に第２の抵抗と第２のコン
デンサが直列接続された第２のスナバ回路であることを
特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザ駆動装置に
おいて、前記第２の電流出力端と前記半導体レーザの他
端間に接続された負荷が抵抗であることを特徴とする半
導体レーザ駆動装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体レーザ駆動装置に
おいて、前記第２の出力端と前記半導体レーザの他端間
に接続された負荷がダイオードであることを特徴とする
半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005304A JP2000208864A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 半導体レ―ザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005304A JP2000208864A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 半導体レ―ザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208864A true JP2000208864A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11607540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11005304A Withdrawn JP2000208864A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 半導体レ―ザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095664A1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Elantec Semiconductor Inc. | Programmable damping resistance for laser drivers |
| JP2005340774A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | レーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置 |
| US7372882B2 (en) | 2004-04-28 | 2008-05-13 | Renesas Technology Corp. | Driving circuit for and semiconductor device for driving laser diode |
| JP2011003939A (ja) * | 2004-04-28 | 2011-01-06 | Renesas Electronics Corp | レーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置 |
| CN102035134A (zh) * | 2009-09-25 | 2011-04-27 | 索尼公司 | 校正电路、驱动电路、发光设备和校正电流脉冲波形的方法 |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP11005304A patent/JP2000208864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095664A1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Elantec Semiconductor Inc. | Programmable damping resistance for laser drivers |
| JP2005340774A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | レーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置 |
| US7372882B2 (en) | 2004-04-28 | 2008-05-13 | Renesas Technology Corp. | Driving circuit for and semiconductor device for driving laser diode |
| US7791288B2 (en) | 2004-04-28 | 2010-09-07 | Renesas Technology Corp. | Driving circuit for and semiconductor device for driving laser diode |
| JP2011003939A (ja) * | 2004-04-28 | 2011-01-06 | Renesas Electronics Corp | レーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置 |
| JP4683964B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2011-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | レーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置 |
| US8098023B2 (en) | 2004-04-28 | 2012-01-17 | Renesas Electronics Corporation | Driving circuit for and semiconductor device for driving laser diode |
| US8344654B2 (en) | 2004-04-28 | 2013-01-01 | Renesas Electronics Corporation | Driving circuit for and semiconductor device for driving laser diode |
| CN102035134A (zh) * | 2009-09-25 | 2011-04-27 | 索尼公司 | 校正电路、驱动电路、发光设备和校正电流脉冲波形的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8896648B2 (en) | Laser driving unit and image forming apparatus | |
| JP2006069205A (ja) | 光ビーム走査装置及び画像形成装置 | |
| JP2005198006A (ja) | 画素クロック及びパルス変調信号生成装置、光走査装置並びに画像形成装置 | |
| US6549265B1 (en) | Image formation apparatus and method of stabilizing the emission level of semiconductor laser source used therein | |
| JP2015147404A (ja) | 画像形成装置及び画像形成方法 | |
| JP2012209380A (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| US9091956B2 (en) | Image forming apparatus for performing exposure a plurality of times | |
| US5966159A (en) | Method and apparatus for adjusting an apparatus using light source and recording apparatus adjusted thereby | |
| JP6953808B2 (ja) | 光源制御装置及び画像形成装置 | |
| JP4508478B2 (ja) | 画像記録装置 | |
| JP3245205B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2000208864A (ja) | 半導体レ―ザ駆動装置 | |
| JP2000203080A (ja) | 画像形成装置 | |
| JP5717402B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2004347844A (ja) | 画像形成装置における露光手段制御装置 | |
| JP4541910B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2000307356A (ja) | 負帰還制御回路、発光手段駆動回路、半導体レーザ駆動回路および電子写真装置 | |
| US11415908B2 (en) | Multi-beam light source driving device and image forming apparatus including same, and multi-beam light source driving method | |
| JP6602123B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| US10915037B2 (en) | Image forming apparatus that controls light intensity for exposure | |
| JP2000187374A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH06334248A (ja) | レーザダイオードの駆動回路 | |
| JP2000164973A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| US20030169464A1 (en) | Image reading apparatus | |
| JP2005262475A (ja) | 光ビーム発光制御装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060404 |