JP5534081B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
(2)配線によって跳ねられた光の一部が隣接する画素のフォトダイオードに入り、混色が起きる。
(3)フォトダイオード102の上に配線を置けない、太い配線を通せないなどの配線の制約によって特性が低下するとともに、画素の微細化が困難である。
(4)周辺部の画素では光が斜め入射になって跳ねられる割合が多くなるので、周辺の画素ほど暗いシェーディングが起こる。
(5)配線層がさらに増加した、進んだCMOSプロセスでCMOSイメージセンサを作ろうとすると、マイクロレンズ106からフォトダイオード102の受光面までの距離が遠くなるのでそれが困難である。
(6)上記(5)によって進んだCMOSプロセスのライブラリが使えなくなり、ライブラリにある回路のレイアウトし直しが入るとともに、配線層が制限されるので面積が増大するなどによってコストが上昇し、また1画素当たりの画素面積も大きくなる。
また固体撮像素子は、光電変換領域が配列された画素領域と共に周辺回路領域を有する半導体層と、前記半導体層における受光面と逆側の他方の面上に設けられた配線層と、前記半導体層の受光面上に、前記画素領域と共に周辺回路領域の全面を覆うと共に前記光電変換領域上に開口を具備した遮光膜とを有し、入射光を前記開口から前記光電変換領域に取り込む。
換できる。シリコン層31の一方の面には、浅いP+層42が画素部の全面に亘って形成されている。画素分離領域は深いPウェル43によって形成されており、一方の面のP+層42とつながっている。
Claims (13)
- X−Yアドレス型の固体撮像素子の製造方法であって、
基板の第1の面側に光電変換素子を形成する工程と、
前記基板の前記第1の面側に溝を形成する工程と、
前記溝を前記基板と異なる材質で埋め込んで位置合わせマークを形成する工程と、
前記光電変換素子が形成された前記基板の第1の面上に配線層を形成する工程と、
前記基板の厚さが所定の厚さになるように当該基板を第2の面側から研磨する工程と、
前記位置合わせマークが形成された前記第1の面側とは反対側の第2の面からの当該位置合わせマークを用いた位置合わせにより、前記光電変換素子上に開口を具備した遮光膜を前記基板の第2の面上に形成する工程と、を含み
前記光電変換素子は、第1導電型を有し、前記遮光膜が形成された前記基板側の界面には、正孔が埋まるように第2導電型層が形成されている
固体撮像素子の製造方法。 - 前記第2導電型層の形成工程は、前記基板を研磨する工程の後で、前記遮光膜を形成する工程の前に行う
請求項1記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記配線層は、複数構造の金属配線により形成されている、
請求項1または2に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記金属配線は、前記光電変換素子上に形成されている
請求項1〜3の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記金属配線は、前記基板側から第1層目、第2層目、第3層目の各配線を有し、
前記第2層目の配線は第1方向に延設され、前記第3層目の配線は前記第1方向とは異
なる第2方向に延設されるように形成されている
請求項1〜4の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記研磨する工程では、前記基板の厚さが5〜15μmになるように研磨する
請求項1〜5の何れか記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記埋め込む工程において、前記材質がタングステンまたはアルミニウムである
請求項1〜6の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記遮光膜は、タングステンまたはアルミニウムである
請求項1〜7の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記配線層を形成する工程では、前記配線層の最上面にパッドを形成する
請求項1〜8の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記研磨する工程の前に、前記パッド上をレジストでマスクした状態で前記配線層上面に
基板支持材を設け、次いで当該レジストを除去して当該パッドに接続された導電体を当該基板支持材上に引き出す
請求項9に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記研磨する工程の前に、前記導電体が設けられた前記基板支持材上にさらに平坦化のための基板支持材を設ける
請求項10に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記研磨する工程と前記遮光膜を形成する工程との間に、前記基板の第2の面上に絶縁膜を形成する
請求項1〜11の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記絶縁膜で覆われた前記基板の界面に、不純物を導入する
請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。
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