CN108766932A - 一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法 - Google Patents

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张晓新
余庆
赵铝虎
周卫宏
何火军
傅劲松
鄢细根
张敏森
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Abstract

本发明公开了一种用于半导体集成电路或者分立器件上的溅射前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1）当半导体器件在完成引线孔刻蚀后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；2)冲水处理；3）接着利用浓度为60.8%的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层；4）再进行冲水、甩干完成前处理工艺。本发明通过增加硝酸前处理，改善了半导体集成电路或者分立器件的铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um的产品的应用上有明显的改善效果。

Description

一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法
技术领域
本发明涉及一种用于半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法。
背景技术
在集成电路生产中，铝的溅射是必不可少的工艺过程。为了达到电路内器件互联从而构成完整的电路性能，在完成引线孔刻蚀后，通过在表面溅射一层金属层（最普遍的采用纯铝或者铝硅合金、铝铜合金等），再通过光刻和刻蚀金属层，完成布线工程。为了去除引线孔内的自然氧化层和杂质沾污，在溅射前一般需要进行前处理工艺，业界一般采用的前处理方法为通过稀释的HF酸，漂去引线孔内自然氧化层及沾污物，然后冲水、甩干；再进行溅射铝加工，达到铝硅接触的目的。
引线孔内的氧化层残留及杂质（颗粒及水迹）的存在对铝硅接触的稳定性带来严重的影响，通过HF酸的处理一般可以轻松去除自然氧化层，但由于硅的疏水性，在水洗过程中，引线孔内硅极易产生水滴残留，在后续甩干时，水滴处形成水迹残留，对接触产生不利影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供了一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法，本发明通过增加硝酸前处理，改善了半导体集成电路或者分立器件的铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um的产品的应用上有明显的改善效果。
为了达到上述目的，本发明的技术方案是：
1）当半导体集成电路或者分立器件在完成引线孔刻蚀工程后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗（浸入法）去除引线孔内自然氧化层及沾污物。
2) 冲水处理。
3）接着利用浓度为60.8%的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层。
4）再进行冲水、甩干完成前处理工艺。
本发明的有益效果为：本发明形成的氧化层对水有亲水性，在水洗过程中，引线孔内不会产生水滴残留，在甩干时就不会造成水迹残留，改善了集成电路或者分立器件铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um产品的应用上有明显的改善效果。
具体实施方式
本实施例的一种用于半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法，包括如下步骤：
1）当半导体集成电路或者分立器件在完成引线孔刻蚀工程后，通过稀释为浓度为49wt%的HF酸漂洗（浸入法）去除引线孔内自然氧化层及沾污物；
2) 冲水处理；
3）接着利用浓度为60.8%的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层；
4）再进行冲水、甩干完成前处理工艺。
本实施例形成的氧化层对水有亲水性，在水洗过程中，引线孔内不会产生水滴残留，在甩干时就不会造成水迹残留，改善了集成电路或者分立器件铝硅接触电阻的稳定性，特别对于设计规则小于2um产品的应用上有明显的改善效果。

Claims (1)

1.一种用于半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法，包括如下步骤：
1)当半导体集成电路或者分立器件在完成引线孔刻蚀工程后，通过稀释为浓度49wt％的HF酸漂洗去除引线孔内自然氧化层及沾污物；
2)冲水处理；
3)接着利用浓度为60.8％的纯硝酸浸泡处理，利用硝酸的氧化性，使硅表面产生一层很薄的氧化层；
4)再进行冲水、甩干完成前处理工艺。
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