JPS6226823A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
- Publication number
- JPS6226823A JPS6226823A JP16552185A JP16552185A JPS6226823A JP S6226823 A JPS6226823 A JP S6226823A JP 16552185 A JP16552185 A JP 16552185A JP 16552185 A JP16552185 A JP 16552185A JP S6226823 A JPS6226823 A JP S6226823A
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- JP
- Japan
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- wafer
- static electricity
- dust
- water
- tank
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンウェハー水洗装置に関する。
従来、この種のウェハー水洗装置には、ウニノー−に帯
電した静電気を逃がし、また、静電気によるゴミを除去
するための対策は取られていなかった。
電した静電気を逃がし、また、静電気によるゴミを除去
するための対策は取られていなかった。
上述した従来のウェハース水洗装置は、フェノ＼−スに
帯電する静電気を除去する装置が無かったので、静電気
による付着物が取れず、また逆にウェハースに帯電して
いる静電気によってゴミを付着させてしまうという欠点
がおった。
帯電する静電気を除去する装置が無かったので、静電気
による付着物が取れず、また逆にウェハースに帯電して
いる静電気によってゴミを付着させてしまうという欠点
がおった。
本発明はウェハースに付着している静電気によるゴミを
クーロン力によって除去しようとする半導体素子の製造
装置を提供するものである。
クーロン力によって除去しようとする半導体素子の製造
装置を提供するものである。
本発明は槽内面がイオン化傾向が水素より小さい導体で
覆われているシャワー水洗槽と、その槽に正または負の
電位を生じさせる電源と、槽内のウェハーに接触させ、
該ウェハー上に帯電している静電気を外へ逃がすための
導体板とを有することを特徴とする半導体素子の製造装
置である。
覆われているシャワー水洗槽と、その槽に正または負の
電位を生じさせる電源と、槽内のウェハーに接触させ、
該ウェハー上に帯電している静電気を外へ逃がすための
導体板とを有することを特徴とする半導体素子の製造装
置である。
以下本発明をウェハースの水洗に適用した実施例につき
詳細に説明する。第１図は本発明をシャワー水洗槽に応
用したときの一実施例の縦断面図である。水洗槽は第１
槽３と第２槽４とからなる。
詳細に説明する。第１図は本発明をシャワー水洗槽に応
用したときの一実施例の縦断面図である。水洗槽は第１
槽３と第２槽４とからなる。
第１槽３の上部シャワー２及び槽の底部注水口９から注
水は行なわれ、第１槽３の底の中心部の排水ロアと第２
槽４の底に設けられた排水口８によって排水が行なわれ
る。
水は行なわれ、第１槽３の底の中心部の排水ロアと第２
槽４の底に設けられた排水口８によって排水が行なわれ
る。
第１槽３は導体で作られており、導体から外部へ配線さ
れている。配線はスイッチ１１を介して直接アースされ
るものと、直流電源１２を介してアースされるものとに
途中で枝分れしている。また、第１槽３内にはウェハー
１４と接触させ、フェノ・−上の静電気を逃がすための
導体板６がある。
れている。配線はスイッチ１１を介して直接アースされ
るものと、直流電源１２を介してアースされるものとに
途中で枝分れしている。また、第１槽３内にはウェハー
１４と接触させ、フェノ・−上の静電気を逃がすための
導体板６がある。
次に本装置の動作及び動作原理について説明する。
まず、水洗槽内を純水で満たすために排水ロア。
８を閉じた状態で上部シャワー２及び注水口９を通して
注水を同時に行う。
注水を同時に行う。
ここでウェハー１４及びウェハース１４を保持するテフ
ロン製千ヤリア１の静電気による付着物に着目する。５
はテフロン製キャリア固定台である。
ロン製千ヤリア１の静電気による付着物に着目する。５
はテフロン製キャリア固定台である。
ウェハー１４及びキャリア１に帯電する静電気は空気や
ガス中などの気体や工、チンダ液や洗浄液などの液体中
に含まれるイオンがウェハー及びキャリアとの界面に集
まって固着層を形成した結果であると考えられる。この
静電気が空気中に浮遊するゴミや液体中のゴミをクーロ
ン力（静電気力）によって引きつけているため、洗浄等
ではウェハー上からこのゴミを完全に落すことはできな
い。
ガス中などの気体や工、チンダ液や洗浄液などの液体中
に含まれるイオンがウェハー及びキャリアとの界面に集
まって固着層を形成した結果であると考えられる。この
静電気が空気中に浮遊するゴミや液体中のゴミをクーロ
ン力（静電気力）によって引きつけているため、洗浄等
ではウェハー上からこのゴミを完全に落すことはできな
い。
第２図（、）は、第１槽（純水で満たされている）３の
中に、静電気により表面にゴミが付着しているウェハー
１４が置かれている図である。１３は純水面を示す。こ
の図では、ウェハー表面に負の静電気（９１５が帯電し
ているとしている。また、ゴミ１６はこの負の静電気の
ため分極（±δ）されている。
中に、静電気により表面にゴミが付着しているウェハー
１４が置かれている図である。１３は純水面を示す。こ
の図では、ウェハー表面に負の静電気（９１５が帯電し
ているとしている。また、ゴミ１６はこの負の静電気の
ため分極（±δ）されている。
ここで第２図０）に示すようにフェノ・−１４に導体板
６を接触させると、ウェハー上の静電気はスイッチ１１
が閉じてアースされている配線を通って外部へ逃げる。
６を接触させると、ウェハー上の静電気はスイッチ１１
が閉じてアースされている配線を通って外部へ逃げる。
ウェハー上の静電気が外部へ逃げるとウェハー上のゴミ
もウェハー表面から離れやすくなる。この状態で注水、
排水を数回繰シ返すと、ある程度のゴミがウェハーから
取れる。そこで、ウェハーから導体板６を離すと同時に
、スイッチ１１をＯＦＦ Ｌ、、スイッチ１０をＯＮす
ると、第１槽３の純水に面している面には正電荷が集中
し、先の水洗で取れた水中のゴミとウェハー表面上にあ
るゴミをクーロン力によって引き寄せる（第２図（Ｃ）
）。
もウェハー表面から離れやすくなる。この状態で注水、
排水を数回繰シ返すと、ある程度のゴミがウェハーから
取れる。そこで、ウェハーから導体板６を離すと同時に
、スイッチ１１をＯＦＦ Ｌ、、スイッチ１０をＯＮす
ると、第１槽３の純水に面している面には正電荷が集中
し、先の水洗で取れた水中のゴミとウェハー表面上にあ
るゴミをクーロン力によって引き寄せる（第２図（Ｃ）
）。
純水中にはイオン等の不純物は極めて少ないので、再び
ウェハー１４上に静電気が帯電することもないし、ゴミ
は第１槽３に引き寄せられて槽面に付着し、そこから離
れない。この状態で排水及び注水を数回繰シ返し、ウェ
ハーを水中から出す。再び注水し、スイッチ１０をＯＦ
Ｆ Ｌ、スイッチ１１をＯＮし排水を行えば、槽面にク
ーロン力で付着していたゴミは、水と同時に排水される
（第２図（ｄ））。
ウェハー１４上に静電気が帯電することもないし、ゴミ
は第１槽３に引き寄せられて槽面に付着し、そこから離
れない。この状態で排水及び注水を数回繰シ返し、ウェ
ハーを水中から出す。再び注水し、スイッチ１０をＯＦ
Ｆ Ｌ、スイッチ１１をＯＮし排水を行えば、槽面にク
ーロン力で付着していたゴミは、水と同時に排水される
（第２図（ｄ））。
また、水の無い状態で再びウェハー１４と導体板６の接
触を行えば、ウェハー１４は静電気の帯電がない状態で
次のプロセスへ送ることができる。
触を行えば、ウェハー１４は静電気の帯電がない状態で
次のプロセスへ送ることができる。
以上説明した様に本発明はウェハー上の静電気を除去し
た後、水洗を行い、さらに不純物の少ない純水中で逆に
外部に静電気を発生させることにより静電気による付着
物をウェハーから分離させることかできる。また、この
水洗法をウェットエッチ等、ゴミの多数の付着が予想さ
れる直前、直後に行うことにより、静電気によるゴミ付
着を最小限に押えることができ、静電気により付着して
しまったゴミも最大隈取９除くことができる効果を有す
るものである。
た後、水洗を行い、さらに不純物の少ない純水中で逆に
外部に静電気を発生させることにより静電気による付着
物をウェハーから分離させることかできる。また、この
水洗法をウェットエッチ等、ゴミの多数の付着が予想さ
れる直前、直後に行うことにより、静電気によるゴミ付
着を最小限に押えることができ、静電気により付着して
しまったゴミも最大隈取９除くことができる効果を有す
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明をシャワー水洗槽に応用したときの縦断
面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の詳細な説明する
断面図である。 １・・・キャリア、２・・・シャワー、３・・・第１槽
、４・・・第２槽、５・・・キャリア固定台、６・・・
導体板、７．８・・・排水口、９・・・注水口、１０・
・・スイッチ、１１・・・スイッチ、１２・・・直流電
源、１３・・・純水面、１４・・・ウェハー、１５・・
・負の静電気、１６・・・ゴミ。
面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の詳細な説明する
断面図である。 １・・・キャリア、２・・・シャワー、３・・・第１槽
、４・・・第２槽、５・・・キャリア固定台、６・・・
導体板、７．８・・・排水口、９・・・注水口、１０・
・・スイッチ、１１・・・スイッチ、１２・・・直流電
源、１３・・・純水面、１４・・・ウェハー、１５・・
・負の静電気、１６・・・ゴミ。
Claims (1)
- （１）槽の内面がイオン化傾向が水素より小さい導体で
覆われているシャワー水洗槽と、槽の内面の導体に正又
は負の電位を持たせる電源と、槽内のウェハーに接触さ
せ、ウェハー上の静電気を逃がすためのイオン化傾向が
水素より小さい導体板とを有することを特徴とする半導
体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16552185A JPS6226823A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16552185A JPS6226823A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226823A true JPS6226823A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15813969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16552185A Pending JPS6226823A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226823A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298929A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Fujitsu Ltd | 洗浄方法 |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| US7674695B1 (en) * | 2000-01-22 | 2010-03-09 | Loxley Ted A | Wafer cleaning system |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16552185A patent/JPS6226823A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298929A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Fujitsu Ltd | 洗浄方法 |
| US7674695B1 (en) * | 2000-01-22 | 2010-03-09 | Loxley Ted A | Wafer cleaning system |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
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