JPH0653201A - 化合物半導体基板の表面形成法 - Google Patents
化合物半導体基板の表面形成法Info
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- JPH0653201A JPH0653201A JP21981492A JP21981492A JPH0653201A JP H0653201 A JPH0653201 A JP H0653201A JP 21981492 A JP21981492 A JP 21981492A JP 21981492 A JP21981492 A JP 21981492A JP H0653201 A JPH0653201 A JP H0653201A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化合物半導体基板の表面を、１８ＭΩ・ｃｍ
以上の比抵抗を有する純水による洗浄によって、新たな
表面に形成する化合物半導体基板の表面形成法におい
て、上記純水による洗浄を、短時間に行うことができる
ようにする。 【構成】 上記化合物半導体基板の表面形成法におい
て、上記純水として、５０ｐｐｂ以下の溶存酸素濃度を
有するものを用いる。
以上の比抵抗を有する純水による洗浄によって、新たな
表面に形成する化合物半導体基板の表面形成法におい
て、上記純水による洗浄を、短時間に行うことができる
ようにする。 【構成】 上記化合物半導体基板の表面形成法におい
て、上記純水として、５０ｐｐｂ以下の溶存酸素濃度を
有するものを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体基板の表
面を、純水による洗浄によって、新たな表面に形成する
化合物半導体基板の表面形成法に関する。
面を、純水による洗浄によって、新たな表面に形成する
化合物半導体基板の表面形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体でなる化合物半導体基板を用い、その表面上に
ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系などのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体でなる化合物半導体層を形成し
て、種々の電子機能素子、光機能素子などを製造するこ
とが、種々提案されている。
物半導体でなる化合物半導体基板を用い、その表面上に
ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系などのＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体でなる化合物半導体層を形成し
て、種々の電子機能素子、光機能素子などを製造するこ
とが、種々提案されている。
【０００３】この場合、化合物半導体基板の表面上に化
合物半導体層を形成する前において、化合物半導体基板
の表面を、エッチング液を用いた化学的なエッチングに
よって、化合物半導体基板を用意する工程で導入されや
すい残留応力や傷などを有しない新たな表面に形成し、
次で、その新たな表面でなる化合物半導体基板の表面
を、超音波を印加させながら、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比
抵抗を有し且つ３００ｐｐｂ（パ―セント パ― ビリ
オン）程度というような比較的高い溶存酸素濃度を有す
る純水による洗浄によって、新たな表面に形成すること
が行われている。
合物半導体層を形成する前において、化合物半導体基板
の表面を、エッチング液を用いた化学的なエッチングに
よって、化合物半導体基板を用意する工程で導入されや
すい残留応力や傷などを有しない新たな表面に形成し、
次で、その新たな表面でなる化合物半導体基板の表面
を、超音波を印加させながら、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比
抵抗を有し且つ３００ｐｐｂ（パ―セント パ― ビリ
オン）程度というような比較的高い溶存酸素濃度を有す
る純水による洗浄によって、新たな表面に形成すること
が行われている。
【０００４】ここで、化合物半導体基板の表面を、超音
波を印加させながら、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有
し且つ３００ｐｐｂ（パ―セント パ― ビリオン）程
度というような比較的高い溶存酸素濃度を有する純水に
よる洗浄によって、新たな表面に形成するのは、化合物
半導体基板の表面を、エッチング液を用いた化学的なエ
ッチングによって、新たな表面に形成したとき、その新
たな表面に、化合物半導体基板を構成しているＩＩＩ族
元素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸化物（化合
物半導体基板がＧａＡｓでなる場合、Ａｓ2 Ｏ3 及びＧ
ａ2 Ｏ3 でなる）が形成されていることから、化合物半
導体基板上からそれを除去させるためである。
波を印加させながら、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有
し且つ３００ｐｐｂ（パ―セント パ― ビリオン）程
度というような比較的高い溶存酸素濃度を有する純水に
よる洗浄によって、新たな表面に形成するのは、化合物
半導体基板の表面を、エッチング液を用いた化学的なエ
ッチングによって、新たな表面に形成したとき、その新
たな表面に、化合物半導体基板を構成しているＩＩＩ族
元素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸化物（化合
物半導体基板がＧａＡｓでなる場合、Ａｓ2 Ｏ3 及びＧ
ａ2 Ｏ3 でなる）が形成されていることから、化合物半
導体基板上からそれを除去させるためである。
【０００５】上述した、化合物半導体基板表面を、超音
波を印加させながら、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有
し且つ３００ｐｐｂ程度というような比較的高い溶存酸
素濃度を有する純水による洗浄によって、新たな表面に
形成する従来の化合物半導体基板の表面形成法によれ
ば、（イ）化合物半導体基板を構成しているＩＩＩ族元
素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸化物が、
（ロ）（ｉ）Ｖ族元素の酸化物（化合物半導体基板がＧ
ａＡｓでなる場合、Ａｓ2 Ｏ3 ）については、それが、
純水に可溶性であることから、そのまま純水中に溶けこ
む、という機構で、化合物半導体基板の表面から除去さ
れ、また、（ｉｉ）ＩＩＩ族元素の酸化物（化合物半導
体基板がＧａＡｓでなる場合、Ｇａ2 Ｏ3 ）について
は、それが、純水と化学反応してＩＩＩ族元素の水酸化
物に変化し、次で、それがＩＩＩ族元素と水酸基とに分
離して、純水中に溶けこむ、という機構で、化合物半導
体基板の表面から除去されることによって、（ハ）化合
物半導体基板上から除去される。
波を印加させながら、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有
し且つ３００ｐｐｂ程度というような比較的高い溶存酸
素濃度を有する純水による洗浄によって、新たな表面に
形成する従来の化合物半導体基板の表面形成法によれ
ば、（イ）化合物半導体基板を構成しているＩＩＩ族元
素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸化物が、
（ロ）（ｉ）Ｖ族元素の酸化物（化合物半導体基板がＧ
ａＡｓでなる場合、Ａｓ2 Ｏ3 ）については、それが、
純水に可溶性であることから、そのまま純水中に溶けこ
む、という機構で、化合物半導体基板の表面から除去さ
れ、また、（ｉｉ）ＩＩＩ族元素の酸化物（化合物半導
体基板がＧａＡｓでなる場合、Ｇａ2 Ｏ3 ）について
は、それが、純水と化学反応してＩＩＩ族元素の水酸化
物に変化し、次で、それがＩＩＩ族元素と水酸基とに分
離して、純水中に溶けこむ、という機構で、化合物半導
体基板の表面から除去されることによって、（ハ）化合
物半導体基板上から除去される。
【０００６】しかしながら、この場合、Ｖ族元素の酸化
物については、それが純水中に溶けこむ速度が、純水中
の溶存酸素によって、化合物半導体基板の表面にＶ族元
素の酸化物が形成されようとする速度に比し、格段的に
速いので、１分というような短い時間で除去されるとし
ても、ＩＩＩ族元素の酸化物については、ＩＩＩ族元素
の酸化物がＩＩＩ族元素の水酸化物に変化させる過程に
おいて、ＩＩＩ族元素の水酸化物が溶存酸素によってＩ
ＩＩ族元素の酸化物に戻そうとする過程を有し、そし
て、その過程における純水の溶存酸素濃度が高いので、
その過程において、超音波を用いるとしても、図４及び
図５に示すように、２０分の時間でも除去できず、化合
物半導体基板の当初の表面がどのようなエッチング液に
よって処理されているかに応じて、３０分以上とか、６
０分以上とかの比較的長い時間をかけない限り除去でき
ない。
物については、それが純水中に溶けこむ速度が、純水中
の溶存酸素によって、化合物半導体基板の表面にＶ族元
素の酸化物が形成されようとする速度に比し、格段的に
速いので、１分というような短い時間で除去されるとし
ても、ＩＩＩ族元素の酸化物については、ＩＩＩ族元素
の酸化物がＩＩＩ族元素の水酸化物に変化させる過程に
おいて、ＩＩＩ族元素の水酸化物が溶存酸素によってＩ
ＩＩ族元素の酸化物に戻そうとする過程を有し、そし
て、その過程における純水の溶存酸素濃度が高いので、
その過程において、超音波を用いるとしても、図４及び
図５に示すように、２０分の時間でも除去できず、化合
物半導体基板の当初の表面がどのようなエッチング液に
よって処理されているかに応じて、３０分以上とか、６
０分以上とかの比較的長い時間をかけない限り除去でき
ない。
【０００７】このため、上述した従来の化合物半導体基
板の表面形成法の場合、化合物半導体基板を構成してい
るＩＩＩ族元素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸
化物を除去するための洗浄に、３０分とか、６０分以上
とかの比較的長い時間を必要とする、という欠点を有し
ていた。
板の表面形成法の場合、化合物半導体基板を構成してい
るＩＩＩ族元素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸
化物を除去するための洗浄に、３０分とか、６０分以上
とかの比較的長い時間を必要とする、という欠点を有し
ていた。
【０００８】また、上述した従来の化合物半導体基板の
表面形成法の場合、純水による洗浄時、化合物半導体基
板の表面に超音波を印加させているので、その超音波に
よって、化合物半導体基板の新たな表面が、欠陥を誘起
しているものとして形成されるおそれを有する、という
欠点も有していた。
表面形成法の場合、純水による洗浄時、化合物半導体基
板の表面に超音波を印加させているので、その超音波に
よって、化合物半導体基板の新たな表面が、欠陥を誘起
しているものとして形成されるおそれを有する、という
欠点も有していた。
【０００９】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な化合物半導体基板の表面形成法を提案せんとする
ものである。
新規な化合物半導体基板の表面形成法を提案せんとする
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
る化合物半導体基板の表面形成法は、前述した従来の化
合物半導体基板の表面形成法の場合と同様に、化合物半
導体基板の表面を、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有す
る純水による洗浄によって、新たな表面に形成する。
る化合物半導体基板の表面形成法は、前述した従来の化
合物半導体基板の表面形成法の場合と同様に、化合物半
導体基板の表面を、１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有す
る純水による洗浄によって、新たな表面に形成する。
【００１１】しかしながら、本願第１番目の発明による
化合物半導体基板の表面形成法は、このような化合物半
導体基板の表面形成法において、上記純水が、５０ｐｐ
ｂ以下の溶存酸素濃度を有する。
化合物半導体基板の表面形成法は、このような化合物半
導体基板の表面形成法において、上記純水が、５０ｐｐ
ｂ以下の溶存酸素濃度を有する。
【００１２】本願第２番目の発明による化合物半導体基
板の表面形成法は、本願第１番目の発明による化合物半
導体基板の表面形成法において、上記純水による洗浄の
時間または上記純水による洗浄時の上記純水の流量もし
くは上記純水の溶存酸素濃度を制御することによって、
上記新たな表面を、上記化合物半導体基板の上記純水に
よる洗浄前の表面とは異なる組成比を有する表面に形成
する。
板の表面形成法は、本願第１番目の発明による化合物半
導体基板の表面形成法において、上記純水による洗浄の
時間または上記純水による洗浄時の上記純水の流量もし
くは上記純水の溶存酸素濃度を制御することによって、
上記新たな表面を、上記化合物半導体基板の上記純水に
よる洗浄前の表面とは異なる組成比を有する表面に形成
する。
【００１３】本願第３番目の発明による化合物半導体基
板の表面形成法は、本願第２番目の発明による化合物半
導体基板の表面形成法において、上記新たな表面を、上
記化合物半導体基板の上記純水による洗浄前の表面を構
成している複数の元素中の１つまたは複数の元素からな
る保護用表面に形成する。
板の表面形成法は、本願第２番目の発明による化合物半
導体基板の表面形成法において、上記新たな表面を、上
記化合物半導体基板の上記純水による洗浄前の表面を構
成している複数の元素中の１つまたは複数の元素からな
る保護用表面に形成する。
【００１４】
【作用・効果】本願第１番目の発明による化合物半導体
基板の表面形成法によれば、化合物半導体基板の表面
を、前述した従来の化合物半導体基板の表面形成法のよ
うに化合物半導体基板の表面に超音波を印加させる、と
いうことを行っていなくても、前述した従来の化合物半
導体基板の化合物半導体基板の表面形成法の場合と同様
に、純水による洗浄によって、新たな表面に形成してい
る。
基板の表面形成法によれば、化合物半導体基板の表面
を、前述した従来の化合物半導体基板の表面形成法のよ
うに化合物半導体基板の表面に超音波を印加させる、と
いうことを行っていなくても、前述した従来の化合物半
導体基板の化合物半導体基板の表面形成法の場合と同様
に、純水による洗浄によって、新たな表面に形成してい
る。
【００１５】このため、化合物半導体基板がＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体でなり、そして、その表面に、前述した
従来の化合物半導体基板の表面形成法で述べたように、
この場合の化合物半導体基板を構成しているＩＩＩ族元
素の酸化物とＶ族元素の酸化物とでなる酸化物が形成さ
れている場合で例示して述べれば、前述した従来の化合
物半導体基板の表面形成法の場合と同様に、（イ）化合
物半導体基板を構成しているＩＩＩ族元素の酸化物及び
Ｖ族元素の酸化物でなる酸化物が、（ロ）（ｉ）Ｖ族元
素の酸化物（化合物半導体基板がＧａＡｓでなる場合、
Ａｓ2 Ｏ3 ）については、それが、純水に可溶性である
ことから、そのまま純水中に溶けこむ、という機構で化
合物半導体基板の表面から除去され、また、（ｉｉ）Ｉ
ＩＩ族元素の酸化物（化合物半導体基板がＧａＡｓでな
る場合、Ｇａ2 Ｏ3 ）については、それが、純水と化学
反応してＩＩＩ族元素の水酸化物に変化し、次で、それ
がＩＩＩ族元素と水酸基とに分離して、純水中に溶けこ
む、という機構で、化合物半導体基板の表面から除去さ
れることによって、（ハ）化合物半導体基板上から除去
される。
族化合物半導体でなり、そして、その表面に、前述した
従来の化合物半導体基板の表面形成法で述べたように、
この場合の化合物半導体基板を構成しているＩＩＩ族元
素の酸化物とＶ族元素の酸化物とでなる酸化物が形成さ
れている場合で例示して述べれば、前述した従来の化合
物半導体基板の表面形成法の場合と同様に、（イ）化合
物半導体基板を構成しているＩＩＩ族元素の酸化物及び
Ｖ族元素の酸化物でなる酸化物が、（ロ）（ｉ）Ｖ族元
素の酸化物（化合物半導体基板がＧａＡｓでなる場合、
Ａｓ2 Ｏ3 ）については、それが、純水に可溶性である
ことから、そのまま純水中に溶けこむ、という機構で化
合物半導体基板の表面から除去され、また、（ｉｉ）Ｉ
ＩＩ族元素の酸化物（化合物半導体基板がＧａＡｓでな
る場合、Ｇａ2 Ｏ3 ）については、それが、純水と化学
反応してＩＩＩ族元素の水酸化物に変化し、次で、それ
がＩＩＩ族元素と水酸基とに分離して、純水中に溶けこ
む、という機構で、化合物半導体基板の表面から除去さ
れることによって、（ハ）化合物半導体基板上から除去
される。
【００１６】しかしながら、本願第１番目の発明による
化合物半導体基板の表面形成法の場合、化合物半導体基
板の表面を新たな表面に洗浄によって形成するのに用い
る１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有する純水が、５０ｐ
ｐｂ以下の溶存酸素濃度しか有しない。ここで、１８Ｍ
Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する純水を、５０ｐｐｂ以下
の溶存酸素濃度にしているのは、図１に示すように、純
水の溶存酸素濃度が、５０ｐｐｂ以下である場合、化合
物半導体基板の表面に形成されているＩＩＩ族元素の酸
化物（化合物半導体基板がＧａＡｓでなる場合Ｇａ2 Ｏ
3 ）が、５分間というような短時間で、観測することが
できなくなることによる。
化合物半導体基板の表面形成法の場合、化合物半導体基
板の表面を新たな表面に洗浄によって形成するのに用い
る１８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有する純水が、５０ｐ
ｐｂ以下の溶存酸素濃度しか有しない。ここで、１８Ｍ
Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する純水を、５０ｐｐｂ以下
の溶存酸素濃度にしているのは、図１に示すように、純
水の溶存酸素濃度が、５０ｐｐｂ以下である場合、化合
物半導体基板の表面に形成されているＩＩＩ族元素の酸
化物（化合物半導体基板がＧａＡｓでなる場合Ｇａ2 Ｏ
3 ）が、５分間というような短時間で、観測することが
できなくなることによる。
【００１７】このため、すなわち、化合物半導体基板の
表面を新たな表面に洗浄によって形成するのに用いる１
８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有する純水が、５０ｐｐｂ
以下の溶存酸素濃度しか有しないため、純水の溶存酸素
濃度が、前述した従来の化合物半導体基板の表面形成法
の場合に比し格段的に低い。
表面を新たな表面に洗浄によって形成するのに用いる１
８ＭΩ・ｃｍ以上の比抵抗を有する純水が、５０ｐｐｂ
以下の溶存酸素濃度しか有しないため、純水の溶存酸素
濃度が、前述した従来の化合物半導体基板の表面形成法
の場合に比し格段的に低い。
【００１８】このため、ＩＩＩ族元素の酸化物が化合物
半導体基板の表面から除去される機構における、ＩＩＩ
族元素の酸化物がＩＩＩ族元素の水酸化物に変化させる
過程において、ＩＩＩ族元素の水酸化物が溶存酸素によ
ってＩＩＩ族元素の酸化物に戻そうとする過程を有して
いても、その過程でのＩＩＩ族元素の水酸化物を溶存酸
素によってＩＩＩ族元素の酸化物に戻そうとする作用が
きわめて小さく、また、これに応じて、ＩＩＩ族元素の
酸化物がＩＩＩ族元素の水酸化物に変化させる速度が速
く、よって、ＩＩＩ族元素の酸化物を、図２に示すよう
に、１分というような短い時間で除去することができ
る。一方、Ｖ族元素の酸化物については、前述した従来
の化合物半導体基板の表面形成法で述べた理由で、１分
というような短い時間でも除去することができる。
半導体基板の表面から除去される機構における、ＩＩＩ
族元素の酸化物がＩＩＩ族元素の水酸化物に変化させる
過程において、ＩＩＩ族元素の水酸化物が溶存酸素によ
ってＩＩＩ族元素の酸化物に戻そうとする過程を有して
いても、その過程でのＩＩＩ族元素の水酸化物を溶存酸
素によってＩＩＩ族元素の酸化物に戻そうとする作用が
きわめて小さく、また、これに応じて、ＩＩＩ族元素の
酸化物がＩＩＩ族元素の水酸化物に変化させる速度が速
く、よって、ＩＩＩ族元素の酸化物を、図２に示すよう
に、１分というような短い時間で除去することができ
る。一方、Ｖ族元素の酸化物については、前述した従来
の化合物半導体基板の表面形成法で述べた理由で、１分
というような短い時間でも除去することができる。
【００１９】以上のことから、本願第１番目の発明によ
る化合物半導体基板の表面形成法によれば、ＩＩＩ族元
素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸化物を除去す
るための洗浄に、前述した従来の化合物半導体基板の表
面形成法に比し格段的に短い時間しか必要としない。
る化合物半導体基板の表面形成法によれば、ＩＩＩ族元
素の酸化物及びＶ族元素の酸化物でなる酸化物を除去す
るための洗浄に、前述した従来の化合物半導体基板の表
面形成法に比し格段的に短い時間しか必要としない。
【００２０】また、本願第１番目の発明による化合物半
導体基板の表面形成法の場合、前述した従来の化合物半
導体基板の表面形成法の場合のように、純水による洗浄
時、化合物半導体基板の表面に超音波を印加させる、と
いうことを行わなくてよいので、化合物半導体基板の新
たな表面が、超音波によって欠陥を誘起しているものと
して形成される、というようなおそれを有しない。
導体基板の表面形成法の場合、前述した従来の化合物半
導体基板の表面形成法の場合のように、純水による洗浄
時、化合物半導体基板の表面に超音波を印加させる、と
いうことを行わなくてよいので、化合物半導体基板の新
たな表面が、超音波によって欠陥を誘起しているものと
して形成される、というようなおそれを有しない。
【００２１】また、本願第２番目の発明による化合物半
導体基板の表面形成法によれば、本願第１番目の発明に
よる化合物半導体基板の表面形成法によって、酸化物が
除去されて後の化合物半導体基板の表面に、純水中の水
酸基を直接接触させることができるので、本願第１番目
の発明による化合物半導体基板の表面形成法で述べたと
同様に、化合物半導体基板がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
でなる場合で述べれば、化合物半導体基板の表面のＩＩ
Ｉ族元素が、その水酸基と直接反応して、ＩＩＩ族元素
水酸化物を作り、純水中に溶けこむ。一方、化合物半導
体基板の表面のＶ族元素は、純水の溶存酸素濃度が５０
ｐｐｂ以下と低いため、ほとんど酸化されない。
導体基板の表面形成法によれば、本願第１番目の発明に
よる化合物半導体基板の表面形成法によって、酸化物が
除去されて後の化合物半導体基板の表面に、純水中の水
酸基を直接接触させることができるので、本願第１番目
の発明による化合物半導体基板の表面形成法で述べたと
同様に、化合物半導体基板がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
でなる場合で述べれば、化合物半導体基板の表面のＩＩ
Ｉ族元素が、その水酸基と直接反応して、ＩＩＩ族元素
水酸化物を作り、純水中に溶けこむ。一方、化合物半導
体基板の表面のＶ族元素は、純水の溶存酸素濃度が５０
ｐｐｂ以下と低いため、ほとんど酸化されない。
【００２２】このため、化合物半導体基板の新たな表面
が、Ｖ族元素過剰の表面に徐々に形成され、よって、化
合物半導体基板の新たな表面を、図３に示すように、純
水による洗浄前の表面とは異なる組成比を有する表面
に、容易に、形成することができる。
が、Ｖ族元素過剰の表面に徐々に形成され、よって、化
合物半導体基板の新たな表面を、図３に示すように、純
水による洗浄前の表面とは異なる組成比を有する表面
に、容易に、形成することができる。
【００２３】さらに、本願第３番目の発明による化合物
半導体基板の表面形成法によれば、本願第２番目の発明
による化合物半導体基板の表面形成法の延長として、化
合物半導体基板の新たな表面を、図３に示すところから
明らかなように、ほとんどＶ族元素のみからなる保護用
表面に形成することができる。
半導体基板の表面形成法によれば、本願第２番目の発明
による化合物半導体基板の表面形成法の延長として、化
合物半導体基板の新たな表面を、図３に示すところから
明らかなように、ほとんどＶ族元素のみからなる保護用
表面に形成することができる。
【００２４】
【実施例１】ＧａＡｓでなる化合物半導体基板の表面
を、１８．１ＭΩ・ｃｍの比抵抗を有し且つ１ｐｐｂの
溶存酸素濃度を有する純水による洗浄を１分行うことに
よって、その洗浄前に存していたＧａ2 Ｏ3 膜及びＡｓ
2 Ｏ3 膜が実質的に全く除去されている新たな表面に形
成した。
を、１８．１ＭΩ・ｃｍの比抵抗を有し且つ１ｐｐｂの
溶存酸素濃度を有する純水による洗浄を１分行うことに
よって、その洗浄前に存していたＧａ2 Ｏ3 膜及びＡｓ
2 Ｏ3 膜が実質的に全く除去されている新たな表面に形
成した。
【００２５】
【実施例２】ＧａＡｓでなる化合物半導体基板の表面
を、１８．１ＭΩ・ｃｍの比抵抗を有し且つ１ｐｐｂの
溶存酸素濃度を有する純水による洗浄を１分以上３０分
以内の時間行うことによって、０．８〜０．０４のＧａ
／Ａｓ組成比を有する新たな表面に形成した。
を、１８．１ＭΩ・ｃｍの比抵抗を有し且つ１ｐｐｂの
溶存酸素濃度を有する純水による洗浄を１分以上３０分
以内の時間行うことによって、０．８〜０．０４のＧａ
／Ａｓ組成比を有する新たな表面に形成した。
【００２６】
【実施例３】ＧａＡｓでなる化合物半導体基板の表面
を、１８．１ＭΩ・ｃｍの比抵抗を有し且つ１ｐｐｂの
溶存酸素濃度を有する純水による洗浄を３０分よりも長
い時間行うことによって、Ａｓでなる保護用表面として
の新たな表面に形成した。
を、１８．１ＭΩ・ｃｍの比抵抗を有し且つ１ｐｐｂの
溶存酸素濃度を有する純水による洗浄を３０分よりも長
い時間行うことによって、Ａｓでなる保護用表面として
の新たな表面に形成した。
【００２７】なお、上述においては、化合物半導体基板
が、ＧａＡｓでなる場合について主として述べたが、Ｇ
ａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＧａＩ
ｎＰ系、ＧａＩｎＡｓ系、ＧａＩｎＡｓＰ系などでなる
場合においても、本発明を適用し得、また上述した実施
例２及び実施例３において、洗浄の時間の外、洗浄時の
純水の流量、溶存酸素濃度を変更して、上述したと同様
の結果を得ることができることも明らかであろう。
が、ＧａＡｓでなる場合について主として述べたが、Ｇ
ａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＧａＩ
ｎＰ系、ＧａＩｎＡｓ系、ＧａＩｎＡｓＰ系などでなる
場合においても、本発明を適用し得、また上述した実施
例２及び実施例３において、洗浄の時間の外、洗浄時の
純水の流量、溶存酸素濃度を変更して、上述したと同様
の結果を得ることができることも明らかであろう。
【図１】本発明による化合物半導体基板の表面形成法の
説明に供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエ
ッチング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半
導体基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって
５分間洗浄した場合の、用いる純水の溶存酸素濃度（ｐ
ｐｂ）に対する、化合物半導体基板の表面上に残存して
いるＧａ2 Ｏ3 膜の厚（Ａ）の関係を示す図である。
説明に供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエ
ッチング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半
導体基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって
５分間洗浄した場合の、用いる純水の溶存酸素濃度（ｐ
ｐｂ）に対する、化合物半導体基板の表面上に残存して
いるＧａ2 Ｏ3 膜の厚（Ａ）の関係を示す図である。
【図２】本発明による化合物半導体基板の表面形成法の
説明に供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエ
ッチング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半
導体基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって
５分間洗浄した場合の、その洗浄時間を代えて、Ａｓと
その酸化物Ａｓ2 Ｏ3 との結合エネルギ、及びＧａとそ
の酸化物Ｇａ2 Ｏ3 との結合エネルギに対する、Ｘ線光
電子分光分析による強度の測定結果を示す図である。
説明に供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエ
ッチング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半
導体基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって
５分間洗浄した場合の、その洗浄時間を代えて、Ａｓと
その酸化物Ａｓ2 Ｏ3 との結合エネルギ、及びＧａとそ
の酸化物Ｇａ2 Ｏ3 との結合エネルギに対する、Ｘ線光
電子分光分析による強度の測定結果を示す図である。
【図３】本発明による化合物半導体基板の表面形成法の
説明に供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエ
ッチング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半
導体基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって
５分間洗浄した場合の、化合物半導体基板の表面の純水
による洗浄の時間に対する、化合物半導体基板の表面の
Ｇａ／Ａｓ塑性比を示す図である。
説明に供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエ
ッチング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半
導体基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって
５分間洗浄した場合の、化合物半導体基板の表面の純水
による洗浄の時間に対する、化合物半導体基板の表面の
Ｇａ／Ａｓ塑性比を示す図である。
【図４】従来の化合物半導体基板の表面形成法の説明に
供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2＋Ｈ2 Ｏでなるエッチン
グ液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半導体基
板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって５分間
洗浄した場合の、Ａｓとその酸化物Ａｓ2 Ｏ3 との結合
エネルギ、及びＧａとその酸化物Ｇａ2 Ｏ3 との結合エ
ネルギに対する、Ｘ線光電子分光分析による強度の関係
を示す図である。
供する、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2＋Ｈ2 Ｏでなるエッチン
グ液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半導体基
板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって５分間
洗浄した場合の、Ａｓとその酸化物Ａｓ2 Ｏ3 との結合
エネルギ、及びＧａとその酸化物Ｇａ2 Ｏ3 との結合エ
ネルギに対する、Ｘ線光電子分光分析による強度の関係
を示す図である。
【図５】従来の化合物半導体基板の表面形成法の説明に
供する、、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエッチ
ング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半導体
基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって５分
間洗浄した場合の、化合物半導体基板の表面の純水によ
る洗浄の時間に対する、Ｇａ2 Ｏ3 膜及びＡｓ2Ｏ3 膜
の厚さ（Ａ）の関係を示す図である。
供する、、Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏでなるエッチ
ング液を用いて処理されたＧａＡｓでなる化合物半導体
基板の表面を、１８．１ＭΩ・ｃｍの純水によって５分
間洗浄した場合の、化合物半導体基板の表面の純水によ
る洗浄の時間に対する、Ｇａ2 Ｏ3 膜及びＡｓ2Ｏ3 膜
の厚さ（Ａ）の関係を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 化合物半導体基板の表面を、１８ＭΩ・
ｃｍ以上の比抵抗を有する純水による洗浄によって、新
たな表面に形成する化合物半導体基板の表面形成法にお
いて、 上記純水が、５０ｐｐｂ以下の溶存酸素濃度を有するこ
とを特徴とする化合物半導体基板の表面形成法。 - 【請求項２】 請求項１記載の化合物半導体基板の表面
形成法において、 上記純水による洗浄の時間または上記純水による洗浄時
の上記純水の流量もしくは上記純水の溶存酸素濃度を制
御することによって、上記新たな表面を、上記化合物半
導体基板の上記純水による洗浄前の表面とは異なる組成
比を有する表面に形成することを特徴とする化合物半導
体基板の表面形成法。 - 【請求項３】 請求項２記載の化合物半導体基板の表面
形成法において、 上記新たな表面を、上記化合物半導体基板の上記純水に
よる洗浄前の表面を構成している複数の元素中の１つま
たは複数の元素からなる保護用表面に形成することを特
徴とする化合物半導体基板の表面形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21981492A JPH0653201A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 化合物半導体基板の表面形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21981492A JPH0653201A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 化合物半導体基板の表面形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653201A true JPH0653201A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16741456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21981492A Pending JPH0653201A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 化合物半導体基板の表面形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653201A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718872A1 (en) * | 1994-12-19 | 1996-06-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor substrate cleaning method |
| EP0731495A3 (de) * | 1995-03-10 | 1996-11-13 | Astec Halbleitertechnologie Gm | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Siliziumscheiben |
| JP2013093632A (ja) * | 2013-02-21 | 2013-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP21981492A patent/JPH0653201A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718872A1 (en) * | 1994-12-19 | 1996-06-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor substrate cleaning method |
| US5795494A (en) * | 1994-12-19 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor substrate cleaning method and semiconductor device fabrication method |
| EP0731495A3 (de) * | 1995-03-10 | 1996-11-13 | Astec Halbleitertechnologie Gm | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Siliziumscheiben |
| JP2013093632A (ja) * | 2013-02-21 | 2013-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法 |
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