JPH0927469A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0927469A JPH0927469A JP17718195A JP17718195A JPH0927469A JP H0927469 A JPH0927469 A JP H0927469A JP 17718195 A JP17718195 A JP 17718195A JP 17718195 A JP17718195 A JP 17718195A JP H0927469 A JPH0927469 A JP H0927469A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法に関し、半導体基板表
面への異物の転写やゴミの付着を防止する。 【構成】 第１の処理槽で第１のエッチング液４を用い
て半導体基板１の表面を露出せずに親水性の安定した状
態で酸化膜３の大部分のエッチング処理を行ったのち、
第２の処理槽で第１のエッチング液４より低濃度の第２
のエッチング液５を用いて残りの酸化膜３をエッチング
除去し、次いで、この第２の処理槽内の第２のエッチン
グ液５を水６に置換して半導体基板１を水洗する。
面への異物の転写やゴミの付着を防止する。 【構成】 第１の処理槽で第１のエッチング液４を用い
て半導体基板１の表面を露出せずに親水性の安定した状
態で酸化膜３の大部分のエッチング処理を行ったのち、
第２の処理槽で第１のエッチング液４より低濃度の第２
のエッチング液５を用いて残りの酸化膜３をエッチング
除去し、次いで、この第２の処理槽内の第２のエッチン
グ液５を水６に置換して半導体基板１を水洗する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関するものであり、特に、半導体製造工程における半導
体基板に設けた薄い酸化膜のライトエッチング工程、及
び、それに引き続く洗浄方法に関するものである。
関するものであり、特に、半導体製造工程における半導
体基板に設けた薄い酸化膜のライトエッチング工程、及
び、それに引き続く洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体デバイスの微細化・高集積
化が進行の中で、半導体ウェハを清浄にするための洗浄
工程が極めて重要になってきており、そのために、半導
体ウェハに付着して持ち込まれたり、洗浄除去された異
物やゴミが、洗浄工程において半導体ウェハに再付着す
ることをなくす必要があり、また、製造装置起因の金属
やレジストカスによる持込み金属の再吸着をなくす必要
がある。
化が進行の中で、半導体ウェハを清浄にするための洗浄
工程が極めて重要になってきており、そのために、半導
体ウェハに付着して持ち込まれたり、洗浄除去された異
物やゴミが、洗浄工程において半導体ウェハに再付着す
ることをなくす必要があり、また、製造装置起因の金属
やレジストカスによる持込み金属の再吸着をなくす必要
がある。
【０００３】従来、半導体装置の製造工程における、選
択酸化工程におけるパッド酸化膜の除去工程、或いは、
イオン注入の際の表面保護膜の除去工程等の通常の洗浄
工程において、不要な比較的薄い酸化膜を除去するため
に、フッ酸系薬液を用いてシリコン面が出るまでエッチ
ング処理している。
択酸化工程におけるパッド酸化膜の除去工程、或いは、
イオン注入の際の表面保護膜の除去工程等の通常の洗浄
工程において、不要な比較的薄い酸化膜を除去するため
に、フッ酸系薬液を用いてシリコン面が出るまでエッチ
ング処理している。
【０００４】この様な従来の選択酸化工程における洗浄
工程を図４を参照して説明する。 図４（ａ）参照 まず、シリコン窒化膜パターン（図示せず）をマスクと
した選択酸化により所定領域にフィールド酸化膜２２を
形成したシリコン基板２１を３〜５ｗｔ％のフッ酸エッ
チング液２７中に浸漬して、シリコン窒化膜の堆積の際
に設けた薄いパッド酸化膜からなる被エッチング酸化膜
２３をエッチング除去して、シリコン基板表面を露出さ
せる。
工程を図４を参照して説明する。 図４（ａ）参照 まず、シリコン窒化膜パターン（図示せず）をマスクと
した選択酸化により所定領域にフィールド酸化膜２２を
形成したシリコン基板２１を３〜５ｗｔ％のフッ酸エッ
チング液２７中に浸漬して、シリコン窒化膜の堆積の際
に設けた薄いパッド酸化膜からなる被エッチング酸化膜
２３をエッチング除去して、シリコン基板表面を露出さ
せる。
【０００５】図４（ｂ）参照 次いで、表面の露出したシリコン基板２１を水洗槽に移
し替えて純水２６中で水洗することによって、シリコン
基板２１の表面を清浄にする。次いで、シリコン基板２
１を乾燥させたのち、必要とする処理工程を行う製造装
置まで移送して、所定の処理を行う。
し替えて純水２６中で水洗することによって、シリコン
基板２１の表面を清浄にする。次いで、シリコン基板２
１を乾燥させたのち、必要とする処理工程を行う製造装
置まで移送して、所定の処理を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコン面は
撥水性（疎水性）であるため、シリコン基板２１の表面
にゴミ等の異物が付着、或いは、吸着しやすい性質があ
り、また、エッチング除去すべき酸化膜が比較的厚い場
合には転写の問題が生じたり、或いは、次の水洗槽への
移送過程において、撥水性の半導体基板２１の表面が大
気に曝されて、大気中の汚染不純物が半導体基板２１の
表面に付着する雰囲気汚染が発生しやすいという問題が
ある。
撥水性（疎水性）であるため、シリコン基板２１の表面
にゴミ等の異物が付着、或いは、吸着しやすい性質があ
り、また、エッチング除去すべき酸化膜が比較的厚い場
合には転写の問題が生じたり、或いは、次の水洗槽への
移送過程において、撥水性の半導体基板２１の表面が大
気に曝されて、大気中の汚染不純物が半導体基板２１の
表面に付着する雰囲気汚染が発生しやすいという問題が
ある。
【０００７】なお、この転写の問題とは、複数枚の半導
体基板をエッチング・洗浄する際に、半導体基板の裏面
に着いていたゴミが隣の半導体基板表面に付着する現象
や、エッチング除去した不要な酸化膜が再付着する現象
である。
体基板をエッチング・洗浄する際に、半導体基板の裏面
に着いていたゴミが隣の半導体基板表面に付着する現象
や、エッチング除去した不要な酸化膜が再付着する現象
である。
【０００８】このように、半導体基板２１の表面にゴミ
が付着したり、一旦除去された酸化膜の転写が生じた場
合には、後の工程において、パターン不良を生じたり、
酸化膜中にピンホールを発生させる等の問題がある。
が付着したり、一旦除去された酸化膜の転写が生じた場
合には、後の工程において、パターン不良を生じたり、
酸化膜中にピンホールを発生させる等の問題がある。
【０００９】したがって、本発明は、酸化膜のエッチン
グ・洗浄工程において、半導体基板２１の表面への異物
転写を防止し、ゴミ付着を低減することを目的とする。
グ・洗浄工程において、半導体基板２１の表面への異物
転写を防止し、ゴミ付着を低減することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）乃至（ｃ）参照 （１）本発明は、半導体装置の製造方法において、半導
体基板１上に設けた酸化膜３をエッチング洗浄する際
に、第１の処理槽で第１のエッチング液４を用いて半導
体基板１の表面を露出せずに親水性の安定した状態でエ
ッチング処理を行ったのち、第２の処理槽で第１のエッ
チング液４より低濃度の第２のエッチング液５を用いて
残りの酸化膜３をエッチング除去し、次いで、この第２
の処理槽内の第２のエッチング液５を水６に置換して半
導体基板１の水洗を行うことを特徴とする。なお、図に
おける符号２はフィールド酸化膜である。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）乃至（ｃ）参照 （１）本発明は、半導体装置の製造方法において、半導
体基板１上に設けた酸化膜３をエッチング洗浄する際
に、第１の処理槽で第１のエッチング液４を用いて半導
体基板１の表面を露出せずに親水性の安定した状態でエ
ッチング処理を行ったのち、第２の処理槽で第１のエッ
チング液４より低濃度の第２のエッチング液５を用いて
残りの酸化膜３をエッチング除去し、次いで、この第２
の処理槽内の第２のエッチング液５を水６に置換して半
導体基板１の水洗を行うことを特徴とする。なお、図に
おける符号２はフィールド酸化膜である。
【００１１】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、第１の処理槽におけるエッチング洗浄処理を行った
のち、半導体基板１を直ちに第２の処理槽に移送するこ
とを特徴とする。
て、第１の処理槽におけるエッチング洗浄処理を行った
のち、半導体基板１を直ちに第２の処理槽に移送するこ
とを特徴とする。
【００１２】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、第１のエッチング液４、及び、第２の
エッチング液５として、フッ酸系溶液４，５を用いたこ
とを特徴とする。
（２）において、第１のエッチング液４、及び、第２の
エッチング液５として、フッ酸系溶液４，５を用いたこ
とを特徴とする。
【００１３】
【作用】半導体基板１上に設けた酸化膜３をエッチング
洗浄する際に、第１の処理槽におけるエッチング洗浄処
理においては、撥水性の半導体基板１の表面を露出させ
ずに親水性の酸化膜３が残存しているので、酸化膜３の
表面に異物やゴミ、特に、エッチング除去されたものの
完全に分解していない酸化膜等のエッチング残渣の転写
を防止することができる。
洗浄する際に、第１の処理槽におけるエッチング洗浄処
理においては、撥水性の半導体基板１の表面を露出させ
ずに親水性の酸化膜３が残存しているので、酸化膜３の
表面に異物やゴミ、特に、エッチング除去されたものの
完全に分解していない酸化膜等のエッチング残渣の転写
を防止することができる。
【００１４】また、第２の処理槽で残りの不要な酸化膜
３をエッチング除去し、次いで、この第２の処理槽を水
６に置換して半導体基板１の水洗を行うことにより、洗
浄工程において、撥水性の半導体基板１の表面が大気に
曝されることがなく、したがって、半導体基板１の表面
に大気中の汚染物質が付着或いは吸着することがない。
３をエッチング除去し、次いで、この第２の処理槽を水
６に置換して半導体基板１の水洗を行うことにより、洗
浄工程において、撥水性の半導体基板１の表面が大気に
曝されることがなく、したがって、半導体基板１の表面
に大気中の汚染物質が付着或いは吸着することがない。
【００１５】また、本発明は、第１の処理槽におけるエ
ッチング洗浄処理を行ったのち、半導体基板１を直ちに
第２の処理槽に移送することにより、半導体基板１を大
気中に長時間曝すことがないので汚染が低減する。
ッチング洗浄処理を行ったのち、半導体基板１を直ちに
第２の処理槽に移送することにより、半導体基板１を大
気中に長時間曝すことがないので汚染が低減する。
【００１６】また、本発明は、第１のエッチング液４、
及び、第２のエッチング液５として、フッ酸系溶液４，
５を用いたことにより、酸化膜３を選択性良くエッチン
グ除去し、且つ、半導体基板１の表面を清浄に洗浄する
ことができる。
及び、第２のエッチング液５として、フッ酸系溶液４，
５を用いたことにより、酸化膜３を選択性良くエッチン
グ除去し、且つ、半導体基板１の表面を清浄に洗浄する
ことができる。
【００１７】
【実施例】ここで、図２及び図３を参照して、本発明の
実施例を説明する。なお、図２は本発明の実施に用いる
洗浄装置の概略的説明図であり、図２（ａ）は酸化膜の
大部分をエッチング除去するための循環濾過対応型洗浄
装置の説明図であり、また、図２（ｂ）は酸化膜の残部
を除去すると共に、半導体基板を洗浄するための水置換
可能な洗浄装置の説明図であり、さらに、図３（ａ）乃
至（ｂ）は、本発明の製造工程の説明図である。
実施例を説明する。なお、図２は本発明の実施に用いる
洗浄装置の概略的説明図であり、図２（ａ）は酸化膜の
大部分をエッチング除去するための循環濾過対応型洗浄
装置の説明図であり、また、図２（ｂ）は酸化膜の残部
を除去すると共に、半導体基板を洗浄するための水置換
可能な洗浄装置の説明図であり、さらに、図３（ａ）乃
至（ｂ）は、本発明の製造工程の説明図である。
【００１８】図２（ａ）参照 本発明の製造工程の前段に用いる循環濾過対応型洗浄装
置１１は、高濃度フッ酸エッチング液１３を収容する薬
液槽１２と、ポンプ１５及びフィルタ１６を備えた循環
系からなり、薬液槽１２から溢れた高濃度フッ酸エッチ
ング液１３をポンプ１５で循環させて再び薬液槽１２に
還流させると共に、循環経路に設けたフィルタ１６によ
って、被処理基板１４をエッチング処理して生じた完全
に分解されていない酸化膜等のエッチング残渣を除去す
る。
置１１は、高濃度フッ酸エッチング液１３を収容する薬
液槽１２と、ポンプ１５及びフィルタ１６を備えた循環
系からなり、薬液槽１２から溢れた高濃度フッ酸エッチ
ング液１３をポンプ１５で循環させて再び薬液槽１２に
還流させると共に、循環経路に設けたフィルタ１６によ
って、被処理基板１４をエッチング処理して生じた完全
に分解されていない酸化膜等のエッチング残渣を除去す
る。
【００１９】図２（ｂ）参照 また、本発明の製造工程の後段に用いる水置換可能な洗
浄装置１７は、低濃度フッ酸エッチング液１９を収容す
る薬液水洗槽１８、及び、純水２０或いは低濃度フッ酸
エッチング液１９を供給する供給系からなり、薬液水洗
槽１８において被処理基板１４の所定領域に設けた酸化
膜を完全に除去したのち、供給系より大量の純水２０を
薬液水洗槽１８に供給して、薬液水洗槽１８中の低濃度
フッ酸エッチング液１９を純水２０に置換して、被処理
基板１４の水洗を行い、被処理基板１４の表面を清浄に
する。
浄装置１７は、低濃度フッ酸エッチング液１９を収容す
る薬液水洗槽１８、及び、純水２０或いは低濃度フッ酸
エッチング液１９を供給する供給系からなり、薬液水洗
槽１８において被処理基板１４の所定領域に設けた酸化
膜を完全に除去したのち、供給系より大量の純水２０を
薬液水洗槽１８に供給して、薬液水洗槽１８中の低濃度
フッ酸エッチング液１９を純水２０に置換して、被処理
基板１４の水洗を行い、被処理基板１４の表面を清浄に
する。
【００２０】図３（ａ）参照 次いで、本発明のエッチング洗浄工程を説明すると、ま
ず、厚さ１００Å〜４００Å、例えば３００Åの薄い被
エッチング酸化膜２３となるパッド酸化膜を介して設け
たシリコン窒化膜パターン（図示せず）をマスクとした
選択酸化により所定領域にフィールド酸化膜２２を形成
したシリコン基板２１を、１〜５ｗｔ％、好適には５ｗ
ｔ％の高濃度フッ酸エッチング液２４で満たされた図２
（ａ）に示した循環濾過対応型洗浄装置の薬液槽中に浸
漬して、破線で示す部分まで被エッチング酸化膜２３を
除去する。
ず、厚さ１００Å〜４００Å、例えば３００Åの薄い被
エッチング酸化膜２３となるパッド酸化膜を介して設け
たシリコン窒化膜パターン（図示せず）をマスクとした
選択酸化により所定領域にフィールド酸化膜２２を形成
したシリコン基板２１を、１〜５ｗｔ％、好適には５ｗ
ｔ％の高濃度フッ酸エッチング液２４で満たされた図２
（ａ）に示した循環濾過対応型洗浄装置の薬液槽中に浸
漬して、破線で示す部分まで被エッチング酸化膜２３を
除去する。
【００２１】この状態においては、シリコン基板２１の
表面は、まだ厚さｄが１０〜９０Å、好適には５０Åの
被エッチング酸化膜２３に覆われており、撥水性のシリ
コン基板２１の表面が露出していないので、高濃度フッ
酸エッチング液２４中の異物やゴミ、特に、製造装置起
因の金属やレジストカスなどの再吸着や、転写を防止す
ることができる。
表面は、まだ厚さｄが１０〜９０Å、好適には５０Åの
被エッチング酸化膜２３に覆われており、撥水性のシリ
コン基板２１の表面が露出していないので、高濃度フッ
酸エッチング液２４中の異物やゴミ、特に、製造装置起
因の金属やレジストカスなどの再吸着や、転写を防止す
ることができる。
【００２２】図３（ｂ）参照 次いで、シリコン基板２１を直ちに図２（ｂ）に示した
水置換可能な洗浄装置に移送して、０．００１〜０．１
ｗｔ％、好適には０．０５ｗｔ％の低濃度フッ酸エッチ
ング液２５で満たされた薬液水洗槽に浸漬し、被エッチ
ング酸化膜２３の残部を完全にエッチング除去してシリ
コン基板２１の表面を露出させる。
水置換可能な洗浄装置に移送して、０．００１〜０．１
ｗｔ％、好適には０．０５ｗｔ％の低濃度フッ酸エッチ
ング液２５で満たされた薬液水洗槽に浸漬し、被エッチ
ング酸化膜２３の残部を完全にエッチング除去してシリ
コン基板２１の表面を露出させる。
【００２３】なお、この循環濾過対応型洗浄装置から水
置換可能な洗浄装置への移送工程においては、シリコン
基板２１は被エッチング酸化膜２３の残部で覆われて親
水性を保っているので、大気中の汚染不純物やゴミが付
着して汚染されることがない。
置換可能な洗浄装置への移送工程においては、シリコン
基板２１は被エッチング酸化膜２３の残部で覆われて親
水性を保っているので、大気中の汚染不純物やゴミが付
着して汚染されることがない。
【００２４】図３（ｃ）参照 次いで、同じ水置換可能な洗浄装置の薬液水洗槽の下側
より大量の純水２６を供給して、薬液水洗槽内の低濃度
フッ酸エッチング液２５を純水２６に置換して、シリコ
ン基板２１の表面を水洗することによって清浄にする。
次いで、従来と同様にシリコン基板２１を乾燥させたの
ち、必要とする処理工程を行う製造装置まで移送して、
所定の処理を行う。
より大量の純水２６を供給して、薬液水洗槽内の低濃度
フッ酸エッチング液２５を純水２６に置換して、シリコ
ン基板２１の表面を水洗することによって清浄にする。
次いで、従来と同様にシリコン基板２１を乾燥させたの
ち、必要とする処理工程を行う製造装置まで移送して、
所定の処理を行う。
【００２５】この水洗工程は、同じ洗浄装置内において
連続的に行われるので、表面が露出して撥水性になった
シリコン基板２１が大気中に曝されることなく水洗され
るので、大気中の汚染不純物が付着して汚染されること
がない。
連続的に行われるので、表面が露出して撥水性になった
シリコン基板２１が大気中に曝されることなく水洗され
るので、大気中の汚染不純物が付着して汚染されること
がない。
【００２６】なお、この様なエッチング・洗浄工程を水
置換可能な洗浄装置のみを用い、且つ、エッチング溶液
として１〜５ｗｔ％の高濃度フッ酸エッチング液を用い
ることにより、エッチング終了後に薬液水洗槽の高濃度
フッ酸エッチング液を純水に置換して水洗を行うことに
よりスループットを向上することも考えられるが、この
場合には、フィールド酸化膜２２等の残存する酸化膜の
厚さにバラツキが生じ、後のイオン注入工程におけるド
ーズ量に不所望な面内分布が発生するので好ましくな
い。
置換可能な洗浄装置のみを用い、且つ、エッチング溶液
として１〜５ｗｔ％の高濃度フッ酸エッチング液を用い
ることにより、エッチング終了後に薬液水洗槽の高濃度
フッ酸エッチング液を純水に置換して水洗を行うことに
よりスループットを向上することも考えられるが、この
場合には、フィールド酸化膜２２等の残存する酸化膜の
厚さにバラツキが生じ、後のイオン注入工程におけるド
ーズ量に不所望な面内分布が発生するので好ましくな
い。
【００２７】図２（ｂ）参照 即ち、水置換可能な洗浄装置のみを用いたエッチング・
洗浄工程は、図２（ｂ）に示すように、被処理基板１４
を立てた状態で行い、且つ、水洗用の純水２０を薬液水
洗槽１８の下側から供給する構造になっているので、エ
ッチング終了後で、且つ、薬液水洗槽１８内の高濃度フ
ッ酸エッチング液が完全に純水２０に置き換るまでの間
にもエッチングが進行し、その間のフッ酸濃度は構造
上、上側の方が濃くなっているので、上側でのエッチン
グ量が多くなり被処理基板１４の上下においてフィール
ド酸化膜２２等の残存する酸化膜の厚さにバラツキが生
じることになる。
洗浄工程は、図２（ｂ）に示すように、被処理基板１４
を立てた状態で行い、且つ、水洗用の純水２０を薬液水
洗槽１８の下側から供給する構造になっているので、エ
ッチング終了後で、且つ、薬液水洗槽１８内の高濃度フ
ッ酸エッチング液が完全に純水２０に置き換るまでの間
にもエッチングが進行し、その間のフッ酸濃度は構造
上、上側の方が濃くなっているので、上側でのエッチン
グ量が多くなり被処理基板１４の上下においてフィール
ド酸化膜２２等の残存する酸化膜の厚さにバラツキが生
じることになる。
【００２８】しかし、本発明においては、高濃度フッ酸
エッチング液による大部分のエッチング工程を循環濾過
対応型洗浄装置で行い、残りのエッチング・洗浄工程を
低濃度フッ酸エッチング液を用いて行うので、エッチン
グ終了後で、且つ、薬液水洗槽１８内部が完全に純水２
０に置き換るまでの間には殆どエッチングが進行しない
ので、被処理基板１４の上下においてフィールド酸化膜
２２等の残存する酸化膜の厚さにバラツキが生じること
がない。
エッチング液による大部分のエッチング工程を循環濾過
対応型洗浄装置で行い、残りのエッチング・洗浄工程を
低濃度フッ酸エッチング液を用いて行うので、エッチン
グ終了後で、且つ、薬液水洗槽１８内部が完全に純水２
０に置き換るまでの間には殆どエッチングが進行しない
ので、被処理基板１４の上下においてフィールド酸化膜
２２等の残存する酸化膜の厚さにバラツキが生じること
がない。
【００２９】また、上記の実施例においては、厚さが３
００Å等の比較的薄い酸化膜のエッチング洗浄工程を説
明しているが、厚い酸化膜のパターニング工程にも使用
できるものであり、要するに、エッチング洗浄工程にお
いて、撥水性のシリコン基板表面がエッチング液中にお
いて露出する時間を短くすることによって同様の効果が
得られる。
００Å等の比較的薄い酸化膜のエッチング洗浄工程を説
明しているが、厚い酸化膜のパターニング工程にも使用
できるものであり、要するに、エッチング洗浄工程にお
いて、撥水性のシリコン基板表面がエッチング液中にお
いて露出する時間を短くすることによって同様の効果が
得られる。
【００３０】また、実施例においては選択酸化工程（Ｌ
ＯＣＯＳ工程）におけるパッド酸化膜の除去のためのラ
イトエッチング・洗浄工程を説明しているが、本発明は
この様なエッチング・洗浄工程に限られるものではな
く、例えば、イオン注入工程における選択注入用マスク
のパターニング工程、或いは、イオン注入工程に用いた
表面保護膜の除去工程等に用いることができるものであ
る。
ＯＣＯＳ工程）におけるパッド酸化膜の除去のためのラ
イトエッチング・洗浄工程を説明しているが、本発明は
この様なエッチング・洗浄工程に限られるものではな
く、例えば、イオン注入工程における選択注入用マスク
のパターニング工程、或いは、イオン注入工程に用いた
表面保護膜の除去工程等に用いることができるものであ
る。
【００３１】さらに、本発明においてはシリコン基板で
説明しているが、基板が撥水性である各種の半導体基板
の処理工程においても用いることができるものである。
説明しているが、基板が撥水性である各種の半導体基板
の処理工程においても用いることができるものである。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、酸化膜を有するシリコ
ン基板をフッ酸系溶液でエッチング洗浄処理する際に、
第１工程において、大部分の酸化膜をエッチング除去す
るが、シリコン基板表面には薄い酸化膜を残存させるこ
とによって、異物やゴミの付着、特に、転写による溶解
酸化膜等の異物の付着を防止することができ、また、引
き続く第２工程において、残存する酸化膜を除去すると
共に水置換洗浄を行うので、大気−エッチング液界面に
よるゴミ等の異物付着を防止することができるので、半
導体装置の品質向上に寄与するところが大きい。
ン基板をフッ酸系溶液でエッチング洗浄処理する際に、
第１工程において、大部分の酸化膜をエッチング除去す
るが、シリコン基板表面には薄い酸化膜を残存させるこ
とによって、異物やゴミの付着、特に、転写による溶解
酸化膜等の異物の付着を防止することができ、また、引
き続く第２工程において、残存する酸化膜を除去すると
共に水置換洗浄を行うので、大気−エッチング液界面に
よるゴミ等の異物付着を防止することができるので、半
導体装置の品質向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施に用いる洗浄装置の概略的説明図
である。
である。
【図３】本発明の実施例の説明図である。
【図４】従来の洗浄工程の説明図である。
１ 半導体基板 ２ フィールド酸化膜 ３ 酸化膜 ４ フッ酸系溶液 ５ フッ酸系容液 ６ 水 １１ 循環濾過対応型洗浄装置 １２ 薬液槽 １３ 高濃度フッ酸エッチング液 １４ 被処理基板 １５ ポンプ １６ フィルタ １７ 水置換可能な洗浄装置 １８ 薬液水洗槽 １９ 低濃度フッ酸系エッチング液 ２０ 純水 ２１ シリコン基板 ２２ フィールド酸化膜 ２３ 被エッチング酸化膜 ２４ 高濃度フッ酸エッチング液 ２５ 低濃度フッ酸エッチング液 ２６ 純水 ２７ フッ酸エッチング液
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に設けた酸化膜をエッチン
グ洗浄する際に、第１の処理槽で第１のエッチング液を
用いて前記半導体基板の表面を露出せずに親水性の安定
した状態でエッチング洗浄処理を行ったのち、第２の処
理槽で前記第１のエッチング液よりも低濃度の第２のエ
ッチング液を用いて残りの不要な酸化膜をエッチング除
去し、次いで、前記第２の処理槽内の前記第２のエッチ
ング液を水に置換して前記半導体基板の水洗を行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記第１の処理槽におけるエッチング洗
浄処理を行ったのち、上記半導体基板を直ちに上記第２
の処理槽に移送することを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記第１のエッチング液及び第２のエッ
チング液として、フッ酸系溶液を用いたことを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17718195A JPH0927469A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17718195A JPH0927469A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927469A true JPH0927469A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16026603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17718195A Withdrawn JPH0927469A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6173720B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Process for treating a semiconductor substrate |
| JP2009016515A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2014020642A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 国立大学法人東北大学 | 半導体物品のエッチング方法 |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP17718195A patent/JPH0927469A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6173720B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Process for treating a semiconductor substrate |
| US6354309B1 (en) | 1998-12-02 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Process for treating a semiconductor substrate |
| JP2009016515A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2014020642A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 国立大学法人東北大学 | 半導体物品のエッチング方法 |
| JP5565718B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-08-06 | 国立大学法人東北大学 | 半導体物品のエッチング方法 |
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