JPH03190131A - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄装置Info
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- JPH03190131A JPH03190131A JP32920689A JP32920689A JPH03190131A JP H03190131 A JPH03190131 A JP H03190131A JP 32920689 A JP32920689 A JP 32920689A JP 32920689 A JP32920689 A JP 32920689A JP H03190131 A JPH03190131 A JP H03190131A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
-
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- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、シリコンウェハーなどの半導体基板を洗浄す
る装置に関し、大規模集積化してエツチング溝の深さが
大きい超ＬＳＩなどでも、強力、確実に表面を洗浄でき
るものを提供する。
る装置に関し、大規模集積化してエツチング溝の深さが
大きい超ＬＳＩなどでも、強力、確実に表面を洗浄でき
るものを提供する。
〈従来技術及びその課題〉
従来、電子産業部門で行われる洗浄としては、例えば、
半導体基板では、純水で洗浄した後にフロン洗浄により
水切りする方式があるが、−ｍに、基板の集積度が進む
とエツチング溝の深さが大きくなるために、水切りがど
うしても不充分になるとともに、フロン規制の問題が残
る。
半導体基板では、純水で洗浄した後にフロン洗浄により
水切りする方式があるが、−ｍに、基板の集積度が進む
とエツチング溝の深さが大きくなるために、水切りがど
うしても不充分になるとともに、フロン規制の問題が残
る。
また、半導体基板を界面活性剤で洗浄する方式があるが
、界面活性剤を用いると、活性剤中に混入している重金
属で基板が汚染される虞れがある。
、界面活性剤を用いると、活性剤中に混入している重金
属で基板が汚染される虞れがある。
一方、特開昭４９−３４７２号公報には、電子銃の洗浄
として、液化窒素の充填槽に電子銃を浸漬し、液化窒素
の沸騰によるバブリング作用で、電子銃の表面に付着し
た塵埃などを除去する技術が開示されている。
として、液化窒素の充填槽に電子銃を浸漬し、液化窒素
の沸騰によるバブリング作用で、電子銃の表面に付着し
た塵埃などを除去する技術が開示されている。
しかしながら、当該バブリング方式を前記半導体基板に
適用した場合、上述のように、エツチング溝の深さが大
きい超ＬＳＩなどでは、溝の底の方に付着した金属パー
ティクルを除去することばやはり容易ではない。
適用した場合、上述のように、エツチング溝の深さが大
きい超ＬＳＩなどでは、溝の底の方に付着した金属パー
ティクルを除去することばやはり容易ではない。
本発明は、集積度の高い半導体基板をも確実に洗浄する
ことを技術的課題とする。
ことを技術的課題とする。
く課題を解決するための手段〉
本発明者は、液化窒素を用いた超音波洗浄によって、エ
ツチングの深い半導体基板でも円滑に洗浄できることを
発見し、本発明を完成した。
ツチングの深い半導体基板でも円滑に洗浄できることを
発見し、本発明を完成した。
即ち、本発明は、洗浄槽に収容した液化不活性ガスを超
音波振動装置で超音波振動可能に構成した洗浄部と、洗
浄部で洗浄された被洗浄物を加熱雰囲気で加熱乾燥する
加熱乾燥部とから成り、エツチング加工した半導体基板
を洗浄部の液化不活性ガス中に浸漬して、沸騰によるバ
ブリングと超音波振動の作用で、基板の表面を洗浄する
とともに、 洗浄部で冷却された基板を加熱乾燥部で常温に加熱・乾
燥することを特徴とする半導体基板の洗浄装置である。
音波振動装置で超音波振動可能に構成した洗浄部と、洗
浄部で洗浄された被洗浄物を加熱雰囲気で加熱乾燥する
加熱乾燥部とから成り、エツチング加工した半導体基板
を洗浄部の液化不活性ガス中に浸漬して、沸騰によるバ
ブリングと超音波振動の作用で、基板の表面を洗浄する
とともに、 洗浄部で冷却された基板を加熱乾燥部で常温に加熱・乾
燥することを特徴とする半導体基板の洗浄装置である。
上記液化不活性ガスとは、常圧下で低沸点を示しシリコ
ンウェハーなどとは反応しない化学的に安定な液化ガス
であって、液化窒素ガス、液化アルゴンガス、液化ヘリ
ウムガスなどを指す。
ンウェハーなどとは反応しない化学的に安定な液化ガス
であって、液化窒素ガス、液化アルゴンガス、液化ヘリ
ウムガスなどを指す。
但し、液化炭酸ガスは、吸水性が大きいことから好まし
くない。
くない。
また、液化不活性ガスによる洗浄は、ＩＣチップ製造プ
ロセスなどにおいては、エツチング加工した後の半導体
基板を対象としたもので、例えば、レジスト塗布前の基
板の粒子洗浄や、レジスト剥離後の残渣の除去洗浄など
を対象とするものではない。
ロセスなどにおいては、エツチング加工した後の半導体
基板を対象としたもので、例えば、レジスト塗布前の基
板の粒子洗浄や、レジスト剥離後の残渣の除去洗浄など
を対象とするものではない。
上記超音波振動装置は、広義の高周波発生装置を含む概
念であって、少なくとも、液化不活性ガスに振動を付与
して、半導体基板のエツチング溝の奥部にまで液化ガス
が侵入し易くする作用があれば良く、キャビテーション
作用や加熱作用を強力に起こすことを必須とするもので
はない。
念であって、少なくとも、液化不活性ガスに振動を付与
して、半導体基板のエツチング溝の奥部にまで液化ガス
が侵入し易くする作用があれば良く、キャビテーション
作用や加熱作用を強力に起こすことを必須とするもので
はない。
〈作用〉
半導体基板を液化不活性ガス中に浸漬すると、その急激
な温度変化によって基板に付着している油脂類、有機汚
染物、金属汚染物などは瞬間的に固化して、基板表面か
ら除去し易い状態になる。
な温度変化によって基板に付着している油脂類、有機汚
染物、金属汚染物などは瞬間的に固化して、基板表面か
ら除去し易い状態になる。
一方、■液化不活性ガスは、基板から高熱を与えられて
部分沸騰し、上記固化汚染物をバブリング洗浄するとと
もに、 ■超音波振動装置で振動を付与された液化不活性ガスは
、半導体基板のエツチング溝の奥深くにまで侵入して、
」１記バブリング作用を当該エツチング溝の奥部にまで
波及せしめる。
部分沸騰し、上記固化汚染物をバブリング洗浄するとと
もに、 ■超音波振動装置で振動を付与された液化不活性ガスは
、半導体基板のエツチング溝の奥深くにまで侵入して、
」１記バブリング作用を当該エツチング溝の奥部にまで
波及せしめる。
但し、液化不活性ガスは上記超音波振動によって大きな
振動エネルギーを付与されるので、気泡の発生とその圧
縮崩壊による衝撃波、即ち、キャビテーションを起こし
たり、加熱作用でパブリンクを促進することも考えられ
る。
振動エネルギーを付与されるので、気泡の発生とその圧
縮崩壊による衝撃波、即ち、キャビテーションを起こし
たり、加熱作用でパブリンクを促進することも考えられ
る。
この結果、上記■及び■により、半導体基板の表面に１
寸着した固化汚染物を、エツチング溝の深部に亘って強
力にこそげ取る。
寸着した固化汚染物を、エツチング溝の深部に亘って強
力にこそげ取る。
洗浄の終わった半導体基板は、加熱乾燥部において常温
に戻されるとともに、上記洗浄後に結露した水分を乾燥
されて清浄化される。
に戻されるとともに、上記洗浄後に結露した水分を乾燥
されて清浄化される。
〈実施例〉
以下、半導体基板の洗浄装置の原理を説明するとともに
、集積度の高いＬＳＩ基板を本装置で洗浄した実験結果
を、液化窒素ガスのバブリング作用単独の洗浄方式を比
較例として述べる。
、集積度の高いＬＳＩ基板を本装置で洗浄した実験結果
を、液化窒素ガスのバブリング作用単独の洗浄方式を比
較例として述べる。
上記半導体基板洗浄装置は、第１図に示すように、洗浄
部１と加熱乾燥部２とを直結し、搬送装置８で半導体基
板を洗浄部１から加熱乾燥部２へ順番に搬送し、洗浄処
理するように構成したものである。
部１と加熱乾燥部２とを直結し、搬送装置８で半導体基
板を洗浄部１から加熱乾燥部２へ順番に搬送し、洗浄処
理するように構成したものである。
上記洗浄部１は、液化窒素ガス（沸点−１９５，８℃）
を充填した洗浄槽４と同種４の底部に組み込んだ超音波
振動装置３から成り、洗浄槽４は積層真空断熱などで真
空断熱しである。
を充填した洗浄槽４と同種４の底部に組み込んだ超音波
振動装置３から成り、洗浄槽４は積層真空断熱などで真
空断熱しである。
また、洗浄槽４の下部から上部に循環路５を分岐し、極
低温ポンプ６で液化窒素ガスを洗浄槽４内で循環可能に
構成するとともに、２基のフィルター７・７で金属パー
ティクルなどの不純物を除去する。
低温ポンプ６で液化窒素ガスを洗浄槽４内で循環可能に
構成するとともに、２基のフィルター７・７で金属パー
ティクルなどの不純物を除去する。
上記加熱乾燥部２は、乾燥炉１１にセラミックスヒータ
、赤外線ランプなどの加熱器１２を組み込み、２００
’Ｃ程度の高温雰囲気を作り出すように設計される。
、赤外線ランプなどの加熱器１２を組み込み、２００
’Ｃ程度の高温雰囲気を作り出すように設計される。
符号１４は、洗浄部１と加熱乾燥部２を結ぶ防塵フード
である。
である。
そこで、洗浄手順を述べると、エツチング加工したＬＳ
Ｉ基板基板衣レット１０上に複数個載せ、反転させたう
えで搬送装置８で洗浄部１の洗浄槽４に搬送し、液化窒
素ガス中に浸漬する。
Ｉ基板基板衣レット１０上に複数個載せ、反転させたう
えで搬送装置８で洗浄部１の洗浄槽４に搬送し、液化窒
素ガス中に浸漬する。
ＬＳＩ基板Ａ上に付着された金属パーティクルや油脂類
等の汚染物は低温の液化窒素ガスで固化されたうえで、
液化窒素ガスのバブリング作用と、超音波振動の作用で
ＬＳＩ基板基板衣面から速やかに除去される。
等の汚染物は低温の液化窒素ガスで固化されたうえで、
液化窒素ガスのバブリング作用と、超音波振動の作用で
ＬＳＩ基板基板衣面から速やかに除去される。
洗浄済みのＬＳＩ基板基板衣防塵フード】４で塵埃など
の侵入を防止されながら、搬送装置８で加熱乾燥部２に
搬送されて、低温から常温に加熱されるとともに、上記
洗浄後に結露した水分を乾燥除去される。
の侵入を防止されながら、搬送装置８で加熱乾燥部２に
搬送されて、低温から常温に加熱されるとともに、上記
洗浄後に結露した水分を乾燥除去される。
（実験例）
そこで、表面平坦度約２μｍの６インチ・シリコンウェ
ハーを対象として、上記実施例の装置で洗浄した場合の
、洗浄前・後のシリコンウェハー表面上の汚染固体成分
（金属パーティクルなど）を、液化窒素ガスのバブリン
グ単独洗浄を比較例として、光散乱式微粒子計測装置に
より測定した。
ハーを対象として、上記実施例の装置で洗浄した場合の
、洗浄前・後のシリコンウェハー表面上の汚染固体成分
（金属パーティクルなど）を、液化窒素ガスのバブリン
グ単独洗浄を比較例として、光散乱式微粒子計測装置に
より測定した。
第２図はその結果を示し、本装置を用いた洗浄方式では
、当初、数十個付着していた０、３μｍ０以上の汚染成
分個数は、洗浄後には、全実験を通じて略１７個以下の
数値を示した。
、当初、数十個付着していた０、３μｍ０以上の汚染成
分個数は、洗浄後には、全実験を通じて略１７個以下の
数値を示した。
これに対して、液化窒素ガス単独バブリング方式では、
洗浄後の汚染成分個数は、各実験を通じて、多い場合に
は略３５個にまで達した。
洗浄後の汚染成分個数は、各実験を通じて、多い場合に
は略３５個にまで達した。
〈発明の効果〉
超音波振動を与えた液化不活性ガス中に半導体基板を浸
漬するので、集積度が高くエツチング講の深さが大きい
基板に対しても、その深部に亘って固着した金属バーデ
イクルなどの汚染物を強力且つ確実に除去でき、 ＨＬ
Ｓ Ｉなどの集積度のきわめて高い半導体基板の洗浄に
おける課題をスムーズに解決できる。
漬するので、集積度が高くエツチング講の深さが大きい
基板に対しても、その深部に亘って固着した金属バーデ
イクルなどの汚染物を強力且つ確実に除去でき、 ＨＬ
Ｓ Ｉなどの集積度のきわめて高い半導体基板の洗浄に
おける課題をスムーズに解決できる。
第１図は半導体基板洗浄装置の原理図、第２図は本装置
を使用したシリコンウェハーの洗浄後の汚染成分個数を
示すグラフである。 第１図
を使用したシリコンウェハーの洗浄後の汚染成分個数を
示すグラフである。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、洗浄槽に収容した液化不活性ガスを超音波振動装置
で超音波振動可能に構成した洗浄部と、洗浄部で洗浄さ
れた被洗浄物を加熱雰囲気で加熱乾燥する加熱乾燥部と
から成り、エッチング加工した半導体基板を洗浄部の液
化不活性ガス中に浸漬して、沸騰によるバブリングと超
音波振動の作用で、基板の表面を洗浄するとともに、 洗浄部で冷却された基板を加熱乾燥部で常温に加熱・乾
燥することを特徴とする半導体基板の洗浄装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32920689A JPH03190131A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32920689A JPH03190131A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体基板の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190131A true JPH03190131A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18218843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32920689A Pending JPH03190131A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体基板の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190131A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0624405A1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-11-17 | Hughes Aircraft Company | Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases |
| US5456758A (en) * | 1993-04-26 | 1995-10-10 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
| US7264679B2 (en) | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| US8043557B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-10-25 | American Air Liquide, Inc. | Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen |
| CN103268853A (zh) * | 2013-06-15 | 2013-08-28 | 厦门大学 | 一种光学元件定量刻蚀及清洗装置 |
| EP2957356A3 (de) * | 2014-06-20 | 2016-03-09 | Westfalen Ag | Verfahren zum ablösen von anhaftungen an werkstücken |
| GB2578231A (en) * | 2015-11-23 | 2020-04-22 | Delavan Inc | Powder removal systems |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108746A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | ウエハ洗浄方法 |
| JPS6161426A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-29 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 洗浄装置および洗浄方法 |
| JPS6352415A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| JPS63179530A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Hitachi Ltd | 超臨界ガス又は液化ガスによる基板の洗浄方法およびその装置 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32920689A patent/JPH03190131A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108746A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | ウエハ洗浄方法 |
| JPS6161426A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-29 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 洗浄装置および洗浄方法 |
| JPS6352415A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| JPS63179530A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Hitachi Ltd | 超臨界ガス又は液化ガスによる基板の洗浄方法およびその装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0624405A1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-11-17 | Hughes Aircraft Company | Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases |
| US5456758A (en) * | 1993-04-26 | 1995-10-10 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
| US5555902A (en) * | 1993-04-26 | 1996-09-17 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
| US7264679B2 (en) | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| US8043557B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-10-25 | American Air Liquide, Inc. | Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen |
| CN103268853A (zh) * | 2013-06-15 | 2013-08-28 | 厦门大学 | 一种光学元件定量刻蚀及清洗装置 |
| EP2957356A3 (de) * | 2014-06-20 | 2016-03-09 | Westfalen Ag | Verfahren zum ablösen von anhaftungen an werkstücken |
| GB2578231A (en) * | 2015-11-23 | 2020-04-22 | Delavan Inc | Powder removal systems |
| GB2578231B (en) * | 2015-11-23 | 2020-12-16 | Delavan Inc | Powder removal systems |
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