JP2003273499A - プリント配線基板のプラズマ洗浄方法 - Google Patents
プリント配線基板のプラズマ洗浄方法Info
- Publication number
- JP2003273499A JP2003273499A JP2002066687A JP2002066687A JP2003273499A JP 2003273499 A JP2003273499 A JP 2003273499A JP 2002066687 A JP2002066687 A JP 2002066687A JP 2002066687 A JP2002066687 A JP 2002066687A JP 2003273499 A JP2003273499 A JP 2003273499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- via hole
- filler
- gas
- plasma cleaning
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一度のプラズマ洗浄工程によって、ビアホー
ルに残留するスミアの樹脂成分と硅素酸化合物からなる
フィラーを除去するとともに、ビアホール底面に酸化銅
が付着することがなく、基板表面にもフィラーが残留す
ることのない乾式のプラズマ洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 プリント配線基板のプラズマ洗浄方法に
おいて、処理ガスとして酸素ガスとフロンガスを混合し
て使うようにする。
ルに残留するスミアの樹脂成分と硅素酸化合物からなる
フィラーを除去するとともに、ビアホール底面に酸化銅
が付着することがなく、基板表面にもフィラーが残留す
ることのない乾式のプラズマ洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 プリント配線基板のプラズマ洗浄方法に
おいて、処理ガスとして酸素ガスとフロンガスを混合し
て使うようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
のプラズマ洗浄方法に関し、詳しくはビアホールに残る
基板の孔開け工程時に発生したスミアの除去と基板のメ
ッキ工程前の洗浄方法に関する。
のプラズマ洗浄方法に関し、詳しくはビアホールに残る
基板の孔開け工程時に発生したスミアの除去と基板のメ
ッキ工程前の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にプリント配線基板の中の多層基板
では、内外層を電気的に接続するための配線穴（以下、
「ビアホール」という。）をレーザー等によって形成す
る際に基板材料の合成樹脂がビアホールの底面に残渣物
（以下、「スミア」という。）として残る。従来のスミ
アの洗浄は、湿式により行われることが多い。一般的な
工程はまず超音波洗浄によりキリコなどの除去を行い、
穴への液の浸透性の向上を図る。その後、膨潤作業によ
りビアホール内面の洗浄を行い、次いで水洗いの後、過
マンガン酸等の薬品によりスミアの除去（以下、「デス
ミア」という。）を行いビアホールに残るスミアを除去
せしめ、中和剤を用いた中和工程、水洗い、最後に乾燥
となる。
では、内外層を電気的に接続するための配線穴（以下、
「ビアホール」という。）をレーザー等によって形成す
る際に基板材料の合成樹脂がビアホールの底面に残渣物
（以下、「スミア」という。）として残る。従来のスミ
アの洗浄は、湿式により行われることが多い。一般的な
工程はまず超音波洗浄によりキリコなどの除去を行い、
穴への液の浸透性の向上を図る。その後、膨潤作業によ
りビアホール内面の洗浄を行い、次いで水洗いの後、過
マンガン酸等の薬品によりスミアの除去（以下、「デス
ミア」という。）を行いビアホールに残るスミアを除去
せしめ、中和剤を用いた中和工程、水洗い、最後に乾燥
となる。
【０００３】このように多くの工程によって作業が行わ
れるため、その作業は繁雑で、また洗浄、水洗いなど湿
式で行われるため設備が大型かつ高価な物となる問題点
の他、ビアホールの径が１００ミクロンを下回る場合に
は洗浄液が表面張力によって内部まで浸透しない等の問
題の他、廃液の処理等の環境対策が必要であり、課題が
多かった。
れるため、その作業は繁雑で、また洗浄、水洗いなど湿
式で行われるため設備が大型かつ高価な物となる問題点
の他、ビアホールの径が１００ミクロンを下回る場合に
は洗浄液が表面張力によって内部まで浸透しない等の問
題の他、廃液の処理等の環境対策が必要であり、課題が
多かった。
【０００４】そこで、近年では特開２０００−４９４６
３号公報や特開２０００−６８６５３号公報に開示され
ている、酸素ガスを含んだプラズマ発生用ガスを用いた
ビアホールのデスミア技術が検討されている。
３号公報や特開２０００−６８６５３号公報に開示され
ている、酸素ガスを含んだプラズマ発生用ガスを用いた
ビアホールのデスミア技術が検討されている。
【０００５】このデスミア技術は、酸素を含んだプラズ
マ発生用ガスを入れた真空容器内でプラズマを発生せし
め、酸素のイオンや電子などがビアホール周辺に作用
し、化学、物理的作用で、スミアが除去されるものであ
る。
マ発生用ガスを入れた真空容器内でプラズマを発生せし
め、酸素のイオンや電子などがビアホール周辺に作用
し、化学、物理的作用で、スミアが除去されるものであ
る。
【０００６】このプラズマによるデスミア技術は、基板
に使用する絶縁樹脂として、有機物の合成樹脂のみを使
用している場合は処理が容易であるものの、近年におい
ては、基板特性の向上のため、合成樹脂中に無機物のフ
ィラーを分散、含有した基板が多く使用されている。
に使用する絶縁樹脂として、有機物の合成樹脂のみを使
用している場合は処理が容易であるものの、近年におい
ては、基板特性の向上のため、合成樹脂中に無機物のフ
ィラーを分散、含有した基板が多く使用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような硅素化合物
のフィラーが含まれる合成樹脂からなる絶縁樹脂層に対
して従来の酸素ガスによるプラズマ処理を実施した場合
は、ビアホールに残留するスミアのうち有機物である樹
脂成分は除去されるものの、硅素酸化合物からなるフィ
ラーを除去することはできない。これら残留フィラー成
分は多層基板の表面上に多く残留し、一部はビアホール
内にも落下、残留するため、次工程のメッキ工程までに
除去する必要がある。そのため、特開２０００−６８６
５３号公報で開示されるプラズマ処理によるスミア除去
方法ではその工程を２工程に分け、プラズマ処理後にな
お残留するスミアのフィラー成分を除去する工程として
液体を使った湿式洗浄工程を設けているため、別途洗浄
装置が必要となり、装置の小型化、低価格化を妨げる要
因となっている。更に、酸素ガスによるプラズマ洗浄に
おいては、処理条件により、ビアホールの底面である銅
の表面が酸化され酸化物が生成するという問題がある。
また、珪素化合物のフィラー除去のため、フロンガスに
よるプラズマ洗浄を行うと、処理条件によっては、ビア
ホールの底面である銅の表面に弗化物が析出、生成する
という問題もある。本発明はかかる点に鑑み、一度のプ
ラズマ洗浄工程によって、ビアホールに残留するスミア
の樹脂成分と硅素化合物からなるフィラーを除去すると
ともに、ビアホール底面に酸化物、弗化物が生成、付着
することがなく、フィラーが残留することのない乾式の
プラズマ洗浄方法を提供することを目的とする。
のフィラーが含まれる合成樹脂からなる絶縁樹脂層に対
して従来の酸素ガスによるプラズマ処理を実施した場合
は、ビアホールに残留するスミアのうち有機物である樹
脂成分は除去されるものの、硅素酸化合物からなるフィ
ラーを除去することはできない。これら残留フィラー成
分は多層基板の表面上に多く残留し、一部はビアホール
内にも落下、残留するため、次工程のメッキ工程までに
除去する必要がある。そのため、特開２０００−６８６
５３号公報で開示されるプラズマ処理によるスミア除去
方法ではその工程を２工程に分け、プラズマ処理後にな
お残留するスミアのフィラー成分を除去する工程として
液体を使った湿式洗浄工程を設けているため、別途洗浄
装置が必要となり、装置の小型化、低価格化を妨げる要
因となっている。更に、酸素ガスによるプラズマ洗浄に
おいては、処理条件により、ビアホールの底面である銅
の表面が酸化され酸化物が生成するという問題がある。
また、珪素化合物のフィラー除去のため、フロンガスに
よるプラズマ洗浄を行うと、処理条件によっては、ビア
ホールの底面である銅の表面に弗化物が析出、生成する
という問題もある。本発明はかかる点に鑑み、一度のプ
ラズマ洗浄工程によって、ビアホールに残留するスミア
の樹脂成分と硅素化合物からなるフィラーを除去すると
ともに、ビアホール底面に酸化物、弗化物が生成、付着
することがなく、フィラーが残留することのない乾式の
プラズマ洗浄方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のプリント配線基板のプラズマ洗浄方法は、
プリント配線基板のプラズマ洗浄方法において、処理ガ
スとして酸素ガスとフロンガスを混合して使うことを特
徴とする。
め、本発明のプリント配線基板のプラズマ洗浄方法は、
プリント配線基板のプラズマ洗浄方法において、処理ガ
スとして酸素ガスとフロンガスを混合して使うことを特
徴とする。
【０００９】このプリント配線基板のプラズマ洗浄方法
では、処理ガスとして酸素ガスとフロンガスを混合して
使うから、酸素ガスがスミアのうち有機物である樹脂成
分の除去を行うとともに、フロンガスが硅素化合物から
なるフィラーの除去を行うプリント配線基板のプラズマ
洗浄方法を提供することができる。
では、処理ガスとして酸素ガスとフロンガスを混合して
使うから、酸素ガスがスミアのうち有機物である樹脂成
分の除去を行うとともに、フロンガスが硅素化合物から
なるフィラーの除去を行うプリント配線基板のプラズマ
洗浄方法を提供することができる。
【００１０】この場合において、フロンガスの割合を５
０乃至９０％とすることができる。
０乃至９０％とすることができる。
【００１１】これにより、硅素化合物からなる残留フィ
ラーを確実に除去することができる。
ラーを確実に除去することができる。
【００１２】更にこの場合において、処理するプリント
配線基板を４０℃以上とすることができる。
配線基板を４０℃以上とすることができる。
【００１３】これにより、ビアホール内と基板の樹脂表
面の双方からフィラーを確実に除去すると共に、ビアホ
ール底面への酸化物、弗化物の生成を防止することがで
きる。
面の双方からフィラーを確実に除去すると共に、ビアホ
ール底面への酸化物、弗化物の生成を防止することがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプリント配線基板
のプラズマ洗浄方法の実施の形態を図面と表に基づいて
説明する。
のプラズマ洗浄方法の実施の形態を図面と表に基づいて
説明する。
【００１５】プリント配線基板１の洗浄においては、
（１）ビアホール２底面にスミアが残らないこと、
（２）ビアホール２底面の銅４表面に酸化物６や弗化物
７が生成しないこと、（３）基板表面（樹脂３表面）や
ビアホール２底面にフィラー５（シリカフィラー等）が
残留しないこと、がポイントとなる。
（１）ビアホール２底面にスミアが残らないこと、
（２）ビアホール２底面の銅４表面に酸化物６や弗化物
７が生成しないこと、（３）基板表面（樹脂３表面）や
ビアホール２底面にフィラー５（シリカフィラー等）が
残留しないこと、がポイントとなる。
【００１６】本発明者等は、プラズマ洗浄に用いるガス
成分として酸素ガスとフロンガスの混合ガスを用い、フ
ロンガスの添加率を全体の２０乃至９０％に変化させて
実験を行った。
成分として酸素ガスとフロンガスの混合ガスを用い、フ
ロンガスの添加率を全体の２０乃至９０％に変化させて
実験を行った。
【００１７】
【表１】
【００１８】上記表１において、＊部分は、ビアホール
２底面に酸化物６の生成が認められるもの（図１参
照）、×部分は、酸化物６の生成はないもののフロンガ
スの影響によって弗化物７（弗素樹脂等）がビアホール
２底面を覆っていることが認められるもの（図４参
照）、△部分は、僅かにビアホール２底面に酸化物６や
弗化物７の存在が認められるもの（図２参照）、○部分
は、ビアホール２底面が清浄な銅４表面であると認めら
れるもの（図３参照）、である。尚、図１においてフィ
ラー５の残留を図示しているが、図２、図３、図４にお
いてはフィラー５の残留がある場合とない場合があり、
その傾向は樹脂３表面の傾向と同じであった。
２底面に酸化物６の生成が認められるもの（図１参
照）、×部分は、酸化物６の生成はないもののフロンガ
スの影響によって弗化物７（弗素樹脂等）がビアホール
２底面を覆っていることが認められるもの（図４参
照）、△部分は、僅かにビアホール２底面に酸化物６や
弗化物７の存在が認められるもの（図２参照）、○部分
は、ビアホール２底面が清浄な銅４表面であると認めら
れるもの（図３参照）、である。尚、図１においてフィ
ラー５の残留を図示しているが、図２、図３、図４にお
いてはフィラー５の残留がある場合とない場合があり、
その傾向は樹脂３表面の傾向と同じであった。
【００１９】また、樹脂３表面に関しては、フロンガス
（ＣＦ４）の添加率が６０％未満の場合には図５に示す
ように、フィラー５（シリカフィラー等）の残留が認め
られ、６０％以上の場合には図６に示すように、フィラ
ーの残留は認められなかった。樹脂表面から落下したフ
ィラー５が残留する、ビアホール内でのフィラー５の残
留の傾向はこの樹脂表面の傾向とまったく同一であっ
た。表中６０％以上をＯＫとし、６０％未満をＮＧとし
ているが、フロンガスの添加率が５０％程度であっても
若干のフィラーの残留が認められるものの次工程のメッ
キ処理は十分に行うことができる。
（ＣＦ４）の添加率が６０％未満の場合には図５に示す
ように、フィラー５（シリカフィラー等）の残留が認め
られ、６０％以上の場合には図６に示すように、フィラ
ーの残留は認められなかった。樹脂表面から落下したフ
ィラー５が残留する、ビアホール内でのフィラー５の残
留の傾向はこの樹脂表面の傾向とまったく同一であっ
た。表中６０％以上をＯＫとし、６０％未満をＮＧとし
ているが、フロンガスの添加率が５０％程度であっても
若干のフィラーの残留が認められるものの次工程のメッ
キ処理は十分に行うことができる。
【００２０】表１より明らかなように、フロンガスの添
加率が多くなるほどビアホール２底面における酸化物６
の生成、フィラー５の残留は減少し、樹脂３表面にもフ
ィラー５の残留が減少する。
加率が多くなるほどビアホール２底面における酸化物６
の生成、フィラー５の残留は減少し、樹脂３表面にもフ
ィラー５の残留が減少する。
【００２１】反対に、フロンガスの添加率が多くなるほ
ど弗化物７（弗素樹脂等）がビアホール２底面を覆いビ
アホール２底面の銅４表面を絶縁することとなる。
ど弗化物７（弗素樹脂等）がビアホール２底面を覆いビ
アホール２底面の銅４表面を絶縁することとなる。
【００２２】以上のとおり、ビアホール２底面の銅４表
面とプリント配線基板１の樹脂３表面が次工程のメッキ
処理に最適な状態となる酸素ガスとフロンガスの混合ガ
スによるプラズマ洗浄方法の最適条件は、電極温度４０
℃以上（好ましくは６０乃至８０℃）でかつ、フロンガ
スの添加率５０乃至９０％（好ましくは６０乃至７５
％）のときである。
面とプリント配線基板１の樹脂３表面が次工程のメッキ
処理に最適な状態となる酸素ガスとフロンガスの混合ガ
スによるプラズマ洗浄方法の最適条件は、電極温度４０
℃以上（好ましくは６０乃至８０℃）でかつ、フロンガ
スの添加率５０乃至９０％（好ましくは６０乃至７５
％）のときである。
【００２３】以上、本発明のプリント配線基板のプラズ
マ洗浄方法について、その実施例に基づいて説明した
が、本発明は上記実施例に記載した構成に限定されるも
のではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において適宜そ
の構成を変更することができるものである。
マ洗浄方法について、その実施例に基づいて説明した
が、本発明は上記実施例に記載した構成に限定されるも
のではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において適宜そ
の構成を変更することができるものである。
【００２４】
【発明の効果】以上の如く本発明によるときは、プリン
ト配線基板のプラズマ洗浄において、一度のプラズマ洗
浄工程によって、ビアホールに残留するスミアの樹脂成
分と硅素化合物からなるフィラーを除去し、樹脂表面に
もフィラーの残留を残すことなく湿式の洗浄工程を行う
ことなく乾式のみでプリント配線基板の洗浄を行うこと
ができるから、装置を小型化することができるととも
に、廃液の処理等の環境対策を施す必要がない等の効果
を有する。
ト配線基板のプラズマ洗浄において、一度のプラズマ洗
浄工程によって、ビアホールに残留するスミアの樹脂成
分と硅素化合物からなるフィラーを除去し、樹脂表面に
もフィラーの残留を残すことなく湿式の洗浄工程を行う
ことなく乾式のみでプリント配線基板の洗浄を行うこと
ができるから、装置を小型化することができるととも
に、廃液の処理等の環境対策を施す必要がない等の効果
を有する。
【図１】ビアホール底面に酸化物の生成やフィラーの残
留が認められるものの説明図である。
留が認められるものの説明図である。
【図２】僅かにビアホール底面に酸化物や弗化物の存在
が認められるものの説明図である。
が認められるものの説明図である。
【図３】ビアホール底面が清浄な銅表面であると認めら
れるものの説明図である。
れるものの説明図である。
【図４】酸化物の生成やフィラーの残留はないもののフ
ロンガスの影響によって弗化物がビアホール底面を覆っ
ていることが認められるものの説明図である。
ロンガスの影響によって弗化物がビアホール底面を覆っ
ていることが認められるものの説明図である。
【図５】樹脂表面にフィラーの残留が認められるものの
説明図である。
説明図である。
【図６】樹脂表面が清浄な状態であると認められるもの
の説明図である。
の説明図である。
１ プリント配線基板
２ ビアホール
３ 樹脂
４ 銅
５ フィラー
６ 酸化物
７ 弗化物
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 水田 聖之
兵庫県尼崎市潮江４丁目２番30号 日本ス
ピンドル製造株式会社内
Ｆターム(参考） 5E343 AA16 BB24 EE08 EE36 GG11
Claims (3)
- 【請求項１】 プリント配線基板のプラズマ洗浄方法に
おいて、処理ガスとして酸素ガスとフロンガスを混合し
て使うことを特徴とするプリント配線基板のプラズマ洗
浄方法。 - 【請求項２】 フロンガスの割合を５０乃至９０％とし
たことを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板の
プラズマ洗浄方法。 - 【請求項３】 処理するプリント配線基板を４０℃以上
としたことを特徴とする請求項１又は２記載のプリント
配線基板のプラズマ洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066687A JP2003273499A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | プリント配線基板のプラズマ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066687A JP2003273499A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | プリント配線基板のプラズマ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273499A true JP2003273499A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29198351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002066687A Pending JP2003273499A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | プリント配線基板のプラズマ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003273499A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004087924A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Tdk Corp | プリント基板の製造方法 |
| JP2006179914A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nordson Corp | 余分な成形材料を基板から除去するためのプラズマ法 |
| JP2016092307A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社アルバック | 樹脂基板の加工方法 |
| JPWO2016084374A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-08-31 | 日本ゼオン株式会社 | デスミア処理方法および多層プリント配線板の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-12 JP JP2002066687A patent/JP2003273499A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004087924A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Tdk Corp | プリント基板の製造方法 |
| JP2006179914A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nordson Corp | 余分な成形材料を基板から除去するためのプラズマ法 |
| JP2016092307A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社アルバック | 樹脂基板の加工方法 |
| JPWO2016084374A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-08-31 | 日本ゼオン株式会社 | デスミア処理方法および多層プリント配線板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI237659B (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| CN1218222C (zh) | 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物 | |
| JP4904111B2 (ja) | 絶縁膜の除去方法 | |
| JP2007165935A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
| US7071077B2 (en) | Method for preparing a bonding surface of a semiconductor layer of a wafer | |
| JP3940742B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2008516419A (ja) | ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用 | |
| JP2007214347A (ja) | 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法 | |
| EP1199740B1 (en) | A method of drying silcion substrates | |
| JP2003273499A (ja) | プリント配線基板のプラズマ洗浄方法 | |
| JP2003023072A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| JP2002118085A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP4758799B2 (ja) | 半導体基板の洗浄装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US20070181532A1 (en) | Cmp clean process for high performance copper/low-k devices | |
| US20090095320A1 (en) | Composition for Removing Photresist Layer and Method for Using it | |
| KR20050001332A (ko) | 반도체 웨이퍼의 습식 화학적 표면 처리 방법 | |
| JPH11154659A (ja) | 基板表面金属汚染除去方法及び半導体基板 | |
| JP2005051101A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JP2005051099A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| KR100842738B1 (ko) | 반도체 소자의 세정방법 | |
| JPH06120191A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
| JPH0737780A (ja) | レジスト除去装置及びこれを用いたレジスト除去方法 | |
| JP2004327969A (ja) | 半導体ウエハの接着前表面処理 | |
| JPH0574742A (ja) | Ａｌ合金のドライエツチング後の腐蝕防止方法 | |
| JP2015146435A (ja) | デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060328 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060725 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |