TWI514504B - 支持板之洗淨方法 - Google Patents

Description

支持板之洗淨方法

本發明係關於洗淨藉由貼合於被薄化之基板而用以支持該基板之支持板的洗淨方法。

近年來，越來越要求搭載於電子機器之半導體晶片之小型化、薄型化以及高積體化。因此，需要研削成為半導體晶片之基礎的基板而使薄板化。但是，由於研削使得基板之強度變弱。其結果，在基板容易產生裂紋及翹曲。再者，因被薄板化之基板無法自動化搬運，故必須藉由人工，其作業為麻煩。

因此，開發有藉由使用黏接劑將研削之基板貼合於玻璃製之支持板，保持基板之強度，以防止裂紋產生及在基板產生翹曲的方法(參照專利文獻1之記載)。

在專利文獻1所記載之方法中，當有機物等之附著物附著於支持板時，則在基板和支持板之間產生些許間隙，基板則損壞。因此，作為黏貼基板之前的前處理，必須洗淨支持板。

再者，通常，支持板之表面積具有與基板之表面積相同以上之大小。因此，當在被支持板支持之狀態之基板形成配線時，即使在支持板之邊緣部之不被基板覆蓋之露出部分也附著金屬。並且，在剝離基板之後的支持板殘存有黏接劑。因此，為了再次利用支持板，必須從剝離基板之後之支持板完全除去金屬或有機物等之附著物。

一般，附著於支持板之金屬或有機物係可以使用酸、鹼、有機溶劑等之藥液來除去。例如，金屬可以使用王水來除去。再者，有機物可以使用有機溶劑或酸來除去。

再者，作為玻璃基板之洗淨方法，於專利文獻2，揭示有以加熱後之硫酸和過氧化氫之混合液來處理玻璃基板，依此除去附著於玻璃基板之金屬或有機物之方法。

專利文獻3係揭示有藉由以酸洗淨玻璃基板，除去附著於玻璃基板之附著物的方法。

再者，作為金屬膜之除去方法，於專利文獻4中揭示有對形成在電路基板之金屬膜照射雷射光而溶解除去金屬膜之時，以電路基板不受雷射光之熱而損壞之方式，利用雷射光通過之液體覆蓋照射雷射光之部分的方法。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本國公開專利公報「特開2005-191550號公報(2005年7月14日公開)」

[專利文獻2]日本國公開專利公報「特開平9-227170號公報(1997年9月2日公開)」

[專利文獻3]日本國公開專利公報「特開昭62-235236號公報(1987年10月15日公開)」

[專利文獻4]日本國公開專利公報「特開昭63-180393號公報(1988年7月25日公開)」

但是，在專利文獻1至4所揭示之先前技術中，雖然可以除去附著於支持板之有機物及金屬膜，但是因在支持板之洗淨後產生廢溶液，故有花費處理廢溶液之時間和成本之問題。再者，於洗淨使用酸、過氧化氫、有機溶劑等之藥劑之時，則有洗淨花費成本高之問題。

本發明係鑑於上述問題點而研究出，其目的在於實現於支持板之洗淨後不會產生廢溶液，並且可以低價進行處理的支持板之洗淨方法。

為了解決上述課題，本發明所涉及之支持板之洗淨方法係洗淨藉由貼合於被薄化之基板而用以支持該基板之支持板的方法，其特徵為：包含使氧電漿接觸於上述支持板而除去附著於該支持板之有機物的有機物除去工程。

若藉由上述構成，不會在支持板之洗淨後產生廢溶液，並且可以低價除去附著於支持板之有機物。

本發明所涉及之支持板之洗淨方法係洗淨藉由貼合於被薄化之基板而用以支持該基板之支持板的方法，其特徵為：包含使氧電漿接觸於上述支持板而除去附著於該支持板之有機物的有機物除去工程。

因此，可達到在支持板之洗淨後不會產生廢溶液，並且可以低價洗淨支持板之效果。

本發明之另外目的、特徵及優點由以下所示之記載明顯可知。再者，本發明之優點藉由參照附件圖面的下述說明可以明白。

若針對本發明之實施形態予以說明，則如同下述般，但是本發明並不限定於此。

並且，在本說明書中，表示數值範圍之「A～B」係表示「A以上，B以下」。

[1.支持板之洗淨方法]

針對本發明所涉及之支持板之洗淨方法，以下說明。本發明所涉及之支持板之洗淨方法係包含使氧電漿接觸於支持板而除去附著於該支持板之有機物的有機物除去工程。再者，本發明所涉及之支持板之洗淨方法係除上述有機物除去工程之外，包含對支持板照射雷射光而除去附著於該支持板之金屬的金屬除去工程為佳。再者，上述「有機物除去工程」及上述「金屬除去工程」之順序，若能夠除去有機物及金屬即可，即使於有機物除去工程之後進行金屬除去工程亦可，即使在金屬除去工程之後進行有機物除去工程亦可。

在此，針對上述「有機物除去工程」及上述「金屬除去工程」。以下說明。

(1-1.有機物除去工程)

有機物除去工程係使氧電漿接觸於支持板而除去附著於該支持板之有機物的工程。在上述有機物除去工程中，作為使氧電漿接觸於支持板之手段，係可以使用以往眾知之氧電漿裝置。作為氧電漿裝置之代表性方式，雖然有單片式和分批式，但本發明並不限定於此。

作為氧電漿之處理條件若為可以除去有機物之條件即可，但是接觸於支持板之氧電漿之輸出，於分批式之時，通常為500~2000W，800~1500W為佳。再者，單片式之時通常為1000~3000W，以1500~2500W為佳。

接觸於支持板之氧電漿之壓力通常為40~266Pa，67~200Pa為佳。

接觸於支持板之氧電漿之氧流量於分批之時通常為100~1000sccm，以200~800sccm為佳。再者，於單片式之時通常為1000~5000sccm，以2000~4000sccm為佳。並且，上述單位「sccm」為「standard cc/min」之略稱，表示1atm(大氣壓1,013hPa)，在一定溫度被規格化之氧流量。

接觸於支持板之氧電漿之處理時間於分批式之時通常為20~90分，以30~60分為佳。於單片式之時通常為5~30分，以10~20分為佳。

在一實施形態中，作為氧電漿裝置，使用分批式之時 之處理條件為例如輸出900W、壓力133Pa(1Torr)、氧流量350sccm、處理時間60分。

在另一實施形態中，作為氧電漿裝置，使用單片式之時之處理條件為例如輸出2000W、壓力67Pa(0.5Torr)、氧流量3000sccm、處理時間10分、平台溫度240℃。

作為氧電漿之處理方法，若為可以除去有機物之條件即可，例如單片式亦可，分批法亦可。再者，即使使氧電漿接觸於支持板之兩面亦可，即使使氧電漿僅接觸於支持板之單面亦可。於單片式之時，於使氧電漿接觸於支持板之兩面之時，則以釘在支持板為佳。

(1-2.金屬除去工程)

金屬除去工程係對支持板照射雷射光而除去附著於該支持板之金屬的工程。作為在上述金屬除去工程中被除去之金屬，係意味著一般為了在基板形成電路而所使用之金屬。例如，可以舉出Al、Ti、Zr、Cd、Au、Ag、Pt、Pd、Zn、Ni、Cu、Sn等。

作為在上述金屬除去工程中被照射之雷射光，若為峰值功率高之振盪波長之雷射光即可。

作為雷射光之照射條件，若為可以除去金屬之條件即可，但被照射於支持板之雷射光之頻率於雷射波長1000nm前後之時，以10kHz~100kHz為佳。再者，於雷射波長為500nm前後之時，通常為1Hz~60Hz，以20Hz~40Hz為佳。

被照射至支持板之雷射光之照射輸出於雷射波長為1000nm前後之時，則以10~200mJ為佳。再者，於雷射波長為500nm前後之時，通常為10~100mJ，以20~30mJ為佳。

在一實施形態中，作為雷射照射裝置，使用雷射波長1000nm之雷射之時之處理條件係雷射輸出160mJ，頻率50kHz。

在另一實施形態中，作為雷射照射裝置，使用雷射波長500nm之雷射之時之處理條件係雷射輸出25mJ，頻率30Hz。

作為雷射光之照射方法，若為可以除去附著於支持板之金屬的條件即可。但是，從防止被除去之金屬附著於另外之場所之觀點來看，以從上述支持板中附著有金屬之面的背面側，將雷射光照射至該支持板為更佳。再者，即使為單片法亦可，即使為分批法亦可。

並且，本發明所涉及之支持板之洗淨方法，係以藉由貼合於被薄化之基板而用以支持該基板之所有的支持板為處理對象。因此，支持板之材質若為具有可以保持被貼合之基板的強度即可，例如，玻璃製、金屬製、陶瓷製或者矽製之支持板。

再者，即使針對成為處理對象之支持板之型態，也並不特別限定。根據第1圖說明成為本發明之處理對象之支持板之一例。第1圖(a)為模式性表示打孔之支持板的圖示，第1圖(b)為模式性表示在側面部和周邊部形成保護 膜之支持板的圖示，為支持板之厚度方向之剖面圖。

如第1圖(a)所示般，打孔支持板為設置多數貫通於支持板之厚度方向之貫通孔的支持板。具體而言，直徑0.3mm~0.5mm之貫通孔係以0.5mm~1.0mm之間距來形成。所涉及之貫通孔係於從支持板剝離基板之時，用以溶解支持板和基板之間之黏接劑層之溶劑的孔。

再者，在第1圖(b)所示之支持板1中，於支持板本體2之側面部和周邊部形成保護膜3。

保護膜3係由丙烯酸、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚醛清漆樹脂以及氧化矽系樹脂等之有機化合物所構成之膜厚為10μm~200μm之範圍之有機被膜。形成有如此之保護膜3之支持板1可以在基板之加工工程中，防止支持板本體2之蝕刻及污染。

再者，作為藉由本發明所涉及之支持板之洗淨方法而被洗淨之支持板，即使為基板被貼合之前的支持板亦可，即使為基板剝離後之支持板亦可。

如上述般，在本發明所涉及之支持板之洗淨方法中，以在上述支持板之兩面接觸氧電漿為佳。

若藉由上述構成時，則可以除去附著於支持板之兩面之有機物。

在本發明所涉及之支持板之洗淨方法中，上述支持板為上述基板被剝離之後之支持板為佳。

在基板被剝離之後的支持板附著有黏接劑。若藉由上述構成時，則可以從基板被剝離之後之支持板除去有機物。

在本發明所涉及之支持板之洗淨方法中，以含有對上述支持板照射雷射光而除去附著於該支持板之金屬的金屬除去工程為佳。

若藉由上述構成，不會在支持板之洗淨後產生廢溶液，並且可以低價除去附著於支持板之金屬。

在本發明所涉及之支持板之洗淨方法中，於上述有機物除去工程之後進行上述金屬除去工程為佳。

若藉由上述構成，不會在支持板之洗淨後產生廢溶液，並且可以低價洗淨支持板。

在本發明所涉及之支持板之洗淨方法中，以從上述支持板中附著有金屬之面的背面側，對該支持板照射雷射光為佳。

若藉由上述構成，比起直接對金屬照射雷射光之方法，可以防止昇華物飛散於周圍，或再次附著於支持板之情形。

[2.支持板剝離裝置]

根據第3圖說明成為本發明之實施型態之支持板剝離裝置之構成之一例。第3圖為表示本實施型態所涉及之支持板剝離裝置80之構成之一例的圖示。支持板剝離裝置80係剝離被黏貼於支持板之基板，用以洗淨剝離後之基板及支持板。

具體而言，在支持玻璃裝置80中，藉由剝離手段30從支持板剝離基板。自支持板被剝離之基板係藉由搬運手段40被搬運至基板洗淨手段50。

被搬運至基板洗淨手段50之基板係在第淨單元52及第2洗淨單元54中，使用洗淨液被洗淨，除去附著於基板之黏接劑。然後，在第3洗淨單元59中，又進行乾處理，除去以上述洗淨液無法除去之黏接劑。

另外，基板被剝離之後之支持板係藉由搬運手段40被搬運至支持板洗淨手段60。

被搬運至支持板洗淨手段60之支持板係藉由有機物除去單元61而除去附著的有機物，並藉由金屬除去單元62而除去附著之金屬。

以下，針對剝離手段30、搬運手段40、基板洗淨手段50及支持板洗淨手段60予以詳細說明。

(剝離手段)

剝離手段30係用以將可以溶解黏接劑層之溶劑供給至黏接劑層之構成，並且於黏接劑層溶解之後，或充分降低黏接力之後，從支持板剝離被薄板化之基板。

具體而言，剝離手段30具有溶解處理體30a，和支持板搬運體30b。

溶解處理體30a包含溶劑注入板32，和保持溶劑注入板32，且能夠朝上下方向移動之保持移動手段34，和載置處理對象疊層體8之處理台36。

在此，根據第2圖說明處理對象疊層體8之構成的一例。第2圖為模式性表示處理對象疊層體8之構成之一例的圖示。在處理對象疊層體8中，使用黏接劑將基板5貼合在支持板4，在基板5又黏貼切割帶6。切割帶6係藉由用以防止鬆弛之切割框7而被保持。在被黏貼於基板5之支持板4之面，因應所需形成有電路等。

針對支持板，如同在上述「1.支持板之洗淨方法」中所說明般，在此省略。

再者，如第3圖所示般，溶解處理體30a於俯視觀看時以包含水平移動手段38為佳，使溶劑注入板32能夠在平面內(水平面內)移動，而使溶劑注入板32可以在不與處理台36重疊之位置上待機。若藉由該態樣，於處理對象疊層體8被置放於處理台36之時，則可以抑制引起無企圖之溶劑的供給。

即是，溶劑注入板32係在處理對象疊層體8被配置在處理台36上之前，在與處理位置不同之待機位置39待機，於處理對象疊層體8被配置在處理台36之後，藉由水平移動手段38在處理對象疊層體8之正上方移動，隨後藉由保持移動手段34，移動成與處理對象疊層體8之間隔距離成為適當距離，執行處理。

溶劑注入板32具有與處理對象疊層體8對應之對向面，雖無圖示，但在溶劑注入板32之對向面設置有用以經支持板之貫通孔而供給溶劑之溶劑供給孔，和用以吸引所供給之溶劑的溶劑吸引孔。盡量以在支持板之外側露出之切割帶不附著溶劑之方式供給溶劑，並不特別限制上述溶劑供給孔及上述溶劑吸引孔之構造。例如，在對向面中，在中心設置溶劑供給孔，在離中心最遠之位置設置上述溶劑吸引孔，邊供給溶劑，邊執行吸引，依此可以使溶劑不會附著於切割帶。就以其他例而言，藉由在溶劑注入板32之外周設置縮短與處理對象疊層體8之距離的凸部，亦可以物理性抑制溶劑之飛散。再者，即使在溶劑注入板32，設置用以促使溶劑浸透至黏接劑之超音波產生器亦可。

成為可自基板可剝離之狀態的支持板，係藉由支持板搬運體30b，被搬運至用以收納支持板之支持板收納部70。

作為溶解黏接劑之上述「溶劑」，可以使用黏接劑液所使用之溶劑般的以往周知溶劑，例如，可以舉出水；丙酮、丁酮、環己酮、甲基異戊酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、乙二醇一乙酸酯、雙乙二醇、雙乙二醇一乙酸酯、丙二醇、丙二醇一乙酸酯、雙丙二醇或雙丙二醇一乙酸酯之單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚或單酚醚等之多元醇類及其衍生物；二氧六環般之環式醚類；以及乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧丙酸甲酯、乙氧丙酸乙酯等之酯類或該些混合物等。

該些溶劑係可以因應溶解之黏接劑之性質而適當選擇。尤其，於使用丙烯酸系黏接劑之時，使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或2-庚酮(MAK)當作溶劑為佳，於使用聚乙烯醇系黏接劑之時，則以使用水當作溶劑為佳。

並且，為了提高剝離處理之效率，溶解處理體30a係以多數被設置在支持板剝離裝置80為佳。再者，於設置多數之時，為了執行效率佳之處理，將溶解處理體30a彼此配置成如第3圖所示般夾著搬運手段40之運行路46為佳。

(基板洗淨手段)

基板洗淨手段50具有第1洗淨單元52、第2洗淨單元54及第3洗淨單元59。

在第1洗淨單元52中，使用洗淨液洗淨基板，除去殘存在基板之黏接劑。在第2洗淨單元54中，執行藉由洗淨液之洗淨及乾燥。在第3洗淨單元59中，於藉由第2洗淨單元54之洗淨後，藉由乾處理除去殘留在基板之黏接劑。如此一來，藉由多數設置洗淨單元，可以實現更高度之洗淨(用以取得清淨之面之洗淨)。在第1洗淨單元52、第2洗淨單元54及第3洗淨單元59之各洗淨單元之間所執行之基板搬運，係藉由搬運手段40而進行。

當具體說明時，第1洗淨單元52係包含洗淨板56，和保持洗淨板56，能夠在上下方向移動之保持移動手段57的構成。洗淨板56為具有與基板之處理面對向之面的對向板。雖然圖無表示，但是在洗淨板56之對向面，設置有用以將洗淨液供給至基板之洗淨液供給孔，和用以吸引所供給之洗淨液之洗淨液吸引孔。

在第1洗淨單元52中，於使基板和洗淨板56相向對準之後，邊供給(滴下)洗淨液，邊同時吸引洗淨後之洗淨 液。依此，可以抑制洗淨液飛散至切割膠帶。作為上述「洗淨液」，可以因應黏接劑之性質，適當選擇在「剝離手段」之項目中所例示之溶劑適當選擇較佳者。

再者，與剝離手段30相同，第1洗淨單元52以含有能夠水平移動之水平移動手段58為佳。藉由第1洗淨單元52具有水平移動手段58，當俯視觀看時，可以使洗淨板56在不與處理台55重疊之位置待機。在本實施型態中，水平移動手段58具有直線之運行路58a，和具有沿著運行路58a之移動機構之情形。但是，就以水平移動手段58而言，若可在待機位置和處理位置之間移動洗淨板56即可。

再者，洗淨板56之對向面，以具有與基板之處理面幾乎相同之大小，並且幾乎相同形狀為佳。依此，可以對基板之處理面之全面同時執行洗淨處理，並且可以效率佳執行不會有面內不均勻之洗淨處理。

第2洗淨單元54係構成為進一步洗淨在第1洗淨單元52中完成洗淨之基板，最終進行乾燥。第2洗淨單元54若具有可以實行罩杯洗淨之構成即可。

第3洗淨單元59係被構成可以使氧電漿接觸於基板。如第3圖所示般，在第3洗淨單元59具備有氧電漿產生裝置59a。可以藉由使氧電漿接觸於基板，除去依據第2洗淨液單元54之洗淨後殘存於基板之黏接劑。

作為氧電漿產生裝置59a，可以使用以往眾知之氧電漿裝置。可以使用分批式、單片式等。

如此一來，藉由第3洗淨單元59，當除去殘留基板之 黏接劑時，基板藉由切割裝置(無圖示)被切割，而成為各個晶片。

(支持板洗淨手段)

支持板洗淨手段60具有機物除去單元61及金屬除去單元62。

在有機除去單元61中，除去附著於支持板之有機物。再者，在金屬除去單元62中，除去附著於支持板之金屬。

有機物除去單元61係被構成可以使氧電漿接觸於支持板。

具體而言，在有機物除去單元61具備有氧電漿產生裝置61a。依此，可以使氧電漿接觸於支持板，除去附著於支持板之有機物。作為氧電漿產生裝置61a，可以使用以往眾知之氧電漿裝置。可以使用分批式、單片式等。

再者，有機物除去單元61於單片式之時，又具備有釘住(pin up)裝置為佳。依此，可以在釘住支持板之狀態下使氧電漿接觸。因此，可以使氧電漿接觸於支持板之兩面，有效率除去有機物。

金屬除去單元62係被構成可以雷射光照射於支持板。

具體而言，在金屬除去單元62具備有雷射照射裝置62a。依此，可以對支持板照射雷射光，除去附著於支持板之金屬。作為雷射照射裝置62a，可以使用以往眾知之雷射照射裝置。

支持板從有機物除去單元61朝向金屬除去單元62之搬 運係藉由搬運手段40所執行。

本實施形態之支持板剝離裝置80係成為在有機物除去單元61中除去有機物之後，在金屬除去單元62中除去金屬之構成。但是，除去有機物及金屬之順序並不限定於上述順序。在金屬除去單元62中除去金屬之後，即使在有機物除去單元61除去有機物亦可，於在支持板不附著金屬之時，即使在有機物除去單元61僅執行有機物之除去亦可。

(搬運手段)

搬運手段40具有保持處理對象疊層體8而搬運至剝離手段30之功能、將支持板從剝離手段30搬運至有機物除去單元61之功能，和將支持板從有機物除去單元61搬運至金屬除去單元62之功能。

搬運手段40具有搬運自動控制裝置42和用以實現直線運行之運行路46。搬運自動控制裝置42具體而言，係能夠以搬運自動控制裝置42之軸為中心旋轉，具有兩個連結臂44a及把手44b。連結臂44a係藉由在關節之旋轉動作執行伸縮動作。把手44b係被設置在連結臂44a之前端，發揮保持處理對象疊層體8或支持板之作用。搬運自動控制裝置42係藉由以連結臂44a之伸縮動作和軸42a為中心之旋轉動作，能夠在水平面內移動處理對象疊層體8或支持板。

(其他)

如第3圖所示般，本實施型態之支持板剝離裝置80即使另具備定位部71亦可。定位部71係將從處理對象疊層體收納部20取出之處理對象疊層體8搬運至剝離手段30之前，執行定位，在剝離手段30中，在適當位置配置處理對象疊層體8。定位部71係當沿著搬運手段40之運行路46(面對運行路46)而設置時，因可以自動控制裝置之運行方向(X)、機械臂之延伸方向(Y)、自動控制裝置之旋轉(θ)之3點來定位，故可以高精度定位為較佳。並且，考慮空間之效率面或定位後與搬運之多數剝離手段之距離相等之優點，以將定位部71配置在搬運手段40之運行路46之延長線上為佳。

本發明並不限定於上述各實施形態，可在請求項之範圍中做各種變更，即使針對適當組合各揭露於不同實施形態之技術手段而所取得之實施形態，也包含在本發明之技術性範圍。

[實施例]

以下，根據實施例具體說明本發明，本發明並非藉由實施例而被限定。

(評估用支持板)

在實施例1～3中，從在半導體製造工程中所使用之支持板剝離基板之後，將乾燥者當作評估用支持板使用。在評估用支持板附著有作為有機物之黏接劑，作為金屬之鋁、銅、金等。評估用支持板之尺寸為6吋。

(處理流程)

在實施例1中，於執行有機物除去工程之後，進行金屬除去工程。在實施例2中，僅執行金屬除去工程，在實施例3中僅執行有機物除去工程。

(評估方法)

藉由目視確認有機物及金屬之除去。

[實施例1]

(有機物除去工程)

作為氧電漿產生裝置，使用分批式OPM-EM100(東京應化工業株式會社製造)。作為處理方法，係以分批式執行。氧電漿係接觸於支持板之兩面。以下表示處理條件。

輸出：900W

壓力：133Pa

氧流量：350sccm

處理時間：60分

(金屬除去工程)

作為雷射照射裝置，使用雷射波長為500nm前後之YAG雷射(V Technology Co.,Ltd製造)。作為處理方法，係以分批式執行。雷射光係從支持板中附著有金屬之面之背面側照射。以下表示處理條件。

頻率：30Hz

照射輸出：25mJ

波長：532nm

於金屬除去工程後藉由目視確認有機物及金屬之除去。將結果表示在表1。

[實施例2]

(金屬除去工程)

作為雷射照射裝置，使用雷射波長為1000nm前後之YVO₄ 雷射(MD-V9910，KEYENCE公司製造)。作為處理方法，係以分批式執行。雷射光係從直接照射至支持板中附著有金屬之面之面。以下表示處理條件。

頻率：50Hz

照射輸出：160mJ

波長：1064nm

於金屬除去工程後藉由目視確認金屬之除去。將結果表示在表1。

[實施例3]

(有機物除去工程)

作為氧電漿產生裝置，使用TCA-7822(東京應化工業株式會社製造)。作為處理方法，係以單片式執行，使氧電漿接觸於支持板之兩面。以下表示處理條件。

輸出：2000W

壓力：67Pa

氧流量：3000sccm

處理時間：10分

平台溫度：240℃

於有機物除去工程後藉由目視確認有機物之除去。將結果表示在表1。

(結果)

表1之圓圈記號係表示在目視確認，未確認在支持板有附著有機物及金屬之情形。即使在實施例1~3中之任一處理條件，皆可以除去附著於支持板之有機物及金屬。

在本發明之詳細說明中的具體實施態樣或實施例只不過係用以使本發明之技術內容為明確，並不僅限定於如此之具體例而作狹義解釋，只要在不脫離本發明之精神和後述申請專利範圍之範圍內，可以作各種變更而加以實施。

[產業上之利用可行性]

若藉由本發明所涉及之支持板之洗淨方法時，則不會在支持板之洗淨後產生廢溶液，並且可以低價洗淨支持板。本發明所涉及之支持板之洗淨方法係可以在使用支持板之所有電子機器產業中廣泛利用。

1‧‧‧支持板

2‧‧‧支持板本體

3‧‧‧保護膜

第1圖為表示成為本發明之處理對象的支持板之一例的圖示，(a)為模式性表示打孔之支持板的圖示，(b)為模式性表示在側面部和周邊部形成保護膜之支持板的圖示，為支持板之厚度方向之剖面圖。

第2圖為模式性表示處理對象疊層體之構成之一例的圖示。

第3圖為表示本實施型態所涉及之支持板剝離裝置之構成之一例的圖示。

Claims (5)

1. 一種支持板之洗淨方法，係將藉由貼合在被薄化之基板而用以支持該基板予以洗淨之支持板的方法，其特徵為：包含在對上述支持板進行氧電漿處理之裝置為單片式，將支撐板予以釘住(pin up)之狀態下，使氧電漿接觸於該支持板之兩面而除去附著於該支持板之有機物的有機物除去工程。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之支持板之洗淨方法，其中上述支持板係上述基板被剝離後的支持板。
3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之支持板之洗淨方法，其中包含對上述支持板照射雷射光而除去附著於該支持板之金屬的金屬除去工程。
4. 如申請專利範圍第3項所記載之支持板之洗淨方法，其中於上述有機物除去工程之後進行上述金屬除去工程。
5. 如申請專利範圍第3項所記載之支持板之洗淨方法，其中從上述支持板中附著有金屬之面的背面側，對該支持板照射雷射光。