KR20220043103A - 웨이퍼 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

환형 볼록부를 파손시키는 일없이 용이하게 제거할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 가지고, 상기 디바이스 영역에 대응하는 이면이 미리 정해진 두께로 연삭된 원형 오목부와 상기 원형 오목부를 둘러싸는 상기 외주 잉여 영역에 대응한 환형 볼록부가 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 제1 테이프를 점착하며 상기 제1 테이프를 통해 웨이퍼를 제1 환형 프레임에 장착하는 제1 테이프 점착 단계와, 상기 제1 테이프 점착 단계를 실시한 후, 상기 제1 테이프를 통해 웨이퍼를 척 테이블로 유지하고, 상기 환형 볼록부와 상기 디바이스 영역의 경계에 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼를 상기 제1 테이프와 함께 분단하여, 상기 디바이스 영역과 상기 환형 볼록부로 분리하는 분리 단계와, 상기 분리 단계를 실시한 후, 상기 제1 테이프를 통해 상기 제1 환형 프레임에 장착된 상기 환형 볼록부를 상기 제1 환형 프레임과 함께 웨이퍼의 상기 디바이스 영역으로부터 제거하는 제거 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은 이면에 원형 오목부 및 원형 오목부를 둘러싸는 환형 볼록부가 형성된 웨이퍼로부터 환형 볼록부를 제거하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 프로세스에 있어서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절삭 장치로 절삭함으로써, 반도체 웨이퍼가 개개의 반도체 칩(디바이스)으로 분할된다.
분할되는 웨이퍼는, 스트리트를 따라 절삭하기 전에 이면을 연삭하여 미리 정해진 두께로 형성된다. 최근, 전기 기기의 경량화, 소형화를 달성하기 위해, 웨이퍼의 두께를 보다 얇게, 예컨대 50 ㎛ 정도로 하는 것이 요구되고 있다.
이와 같이 얇게 형성된 웨이퍼는 종이와 같이 심이 없어져 취급이 곤란해져, 반송 등에 있어서 파손될 우려가 있다. 그래서, 웨이퍼의 디바이스 영역에 대응하는 이면만을 연삭하여, 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역에 대응하는 웨이퍼의 이면에 보강용의 환형 볼록부를 형성하는 연삭 방법이, 예컨대 일본 특허 공개 제2007-19461호 공보에서 제안되어 있다.
이와 같이 이면의 외주에 환형 볼록부가 형성된 웨이퍼를 스트리트(분할 예정 라인)를 따라 분할하는 방법으로서, 환형 볼록부를 제거한 후, 웨이퍼의 표면측으로부터 절삭 블레이드로 절삭하는 방법이 제안되어 있다(일본 특허 공개 제2007-19379호 공보 참조).
일본 특허 공개 제2007-17379호 공보에서는, 환형 볼록부를 제거하는 방법으로서, 연삭에 의해 환형 볼록부를 제거하는 방법과, 절삭 블레이드로 원형 오목부와 환형 볼록부의 계면을 원형으로 절삭한 후, 환형 볼록부를 제거하는 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2007-19461호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2007-19379호 공보
그러나, 디바이스 영역으로부터 환형 볼록부를 제거할 때, 환형 볼록부가 파손되기 쉬운 것, 환형 볼록부가 파손되어 디바이스 영역을 상처 입히는 것, 환형 볼록부를 제거하기 위한 특별한 장치가 필요로 되는 것 등의 문제가 있어, 환형 볼록부를 제거하는 데 곤란을 갖는다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 환형 볼록부를 파손시키는 일없이 용이하게 제거할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 갖고, 상기 디바이스 영역에 대응하는 이면이 미리 정해진 두께로 연삭된 원형 오목부와 상기 원형 오목부를 둘러싸는 상기 외주 잉여 영역에 대응한 환형 볼록부가 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 제1 테이프를 점착하며 상기 제1 테이프를 통해 웨이퍼를 제1 환형 프레임에 장착하는 제1 테이프 점착 단계와, 상기 제1 테이프 점착 단계를 실시한 후, 상기 제1 테이프를 통해 웨이퍼를 척 테이블로 유지하고, 상기 환형 볼록부와 상기 디바이스 영역의 경계에 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼를 상기 제1 테이프와 함께 분단하여, 상기 디바이스 영역과 상기 환형 볼록부로 분리하는 분리 단계와, 상기 분리 단계를 실시한 후, 상기 제1 테이프를 통해 상기 제1 환형 프레임에 장착된 상기 환형 볼록부를 상기 제1 환형 프레임과 함께 웨이퍼의 상기 디바이스 영역으로부터 제거하는 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 웨이퍼의 가공 방법은, 상기 제거 단계를 실시한 후, 상기 디바이스 영역만으로 이루어지는 웨이퍼의 이면에 제2 테이프를 점착하며 상기 제2 테이프를 통해 웨이퍼를 제2 환형 프레임에 장착하는 제2 테이프 점착 단계와, 상기 제2 테이프 점착 단계를 실시하기 전 또는 후에, 상기 제1 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 제거하는 제1 테이프 제거 단계와, 상기 제2 테이프 점착 단계와 상기 제1 테이프 제거 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 분할 단계를 더 포함하고 있다.
바람직하게는, 웨이퍼의 가공 방법은, 상기 분리 단계를 실시하기 전에, 웨이퍼의 이면에 수용성 보호막을 피복하는 보호막 피복 단계와, 적어도 상기 보호막 피복 단계와 상기 분리 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 이면에 세정수를 공급하여 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계를 더 포함하고 있다.
본 발명의 가공 방법에 따르면, 레이저 빔의 조사에 의한 분리 단계를 실시한 후, 제1 테이프에 점착된 환형 볼록부를 제1 환형 프레임과 함께 웨이퍼의 디바이스 영역으로부터 제거하기 때문에, 환형 볼록부를 파손시키는 일없이 용이하게 디바이스 영역으로부터 제거할 수 있다.
분리 단계를 레이저 빔의 조사에 의해 실시하기 때문에, 원형 오목부의 바닥부인 웨이퍼의 이면에 금속막이 피복되어 있어도 부식이 발생하는 경우가 없다. 또한, 레이저 빔을 사용하여 분리 단계를 행하기 때문에, 커브를 절삭 블레이드로 절단할 때보다 좁게 할 수 있기 때문에, 유효 디바이스의 영역을 최대한으로 할 수 있다.
도 1은 반도체 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 2는 표면에 보호 테이프가 점착된 상태의 웨이퍼의 이면측 사시도이다.
도 3은 연삭 단계를 나타내는 사시도이다.
도 4는 연삭 단계 종료 후의 웨이퍼의 단면도이다.
도 5는 제1 테이프 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 6은 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 7은 보호막 피복 단계를 나타내는 단면도이다.
도 8은 분리 단계를 나타내는 사시도이다.
도 9는 분리 단계를 나타내는 확대 단면도이다.
도 10은 제거 단계를 나타내는 사시도이다.
도 11은 세정 단계를 나타내는 단면도이다.
도 12는 제2 테이프 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 13은 제1 테이프 제거 단계를 나타내는 사시도이다.
도 14는 분할 단계를 나타내는 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면측 사시도가 나타나 있다. 반도체 웨이퍼(11)는, 예컨대 두께가 700 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(11a)에 복수의 스트리트(분할 예정 라인)(13)가 격자형으로 형성되어 있으며, 복수의 스트리트(13)에 의해 구획된 각 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼(11)는, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(19)을 그 표면(11a)에 구비하고 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(11)의 외주에는, 실리콘 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치(21)가 형성되어 있다.
웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하는 데 있어서, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는 보호 테이프(23)가 점착된다. 따라서, 웨이퍼(11)의 표면(11a)은 보호 테이프(23)에 의해 보호되고, 도 2에 나타내는 바와 같이 이면(11b)이 노출되는 형태로 된다.
본 발명의 가공 방법의 가공 대상이 되는 웨이퍼(11)는, 디바이스 영역(17)에 대응하는 웨이퍼(11)의 이면(11b)이 미리 정해진 두께로 연삭되어 원형 오목부가 형성되며, 원형 오목부를 둘러싸는 외주 잉여 영역(19)에 대응한 환형 볼록부가 형성된 웨이퍼로서, 도 3 및 도 4를 참조하여 웨이퍼의 연삭 방법에 대해서 설명한다.
도 3에 있어서, 도면 부호 2는 연삭 장치의 연삭 유닛이며, 스핀들 하우징(4) 중에 회전 가능하게 수용된 스핀들(6)과, 스핀들(6)의 선단에 고정된 휠 마운트(8)와, 휠 마운트(8)에 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(10)을 포함하고 있다. 연삭 휠(10)은, 환형의 휠 베이스(12)와, 휠 베이스(12)의 하단 외주부에 환형으로 점착된 복수의 연삭 지석(14)으로 구성된다.
이면 연삭 단계에서는, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 점착된 보호 테이프(23)를 연삭 장치의 척 테이블(16)로 흡인 유지하여, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 노출시킨다. 그리고, 척 테이블(16)을 화살표(A)로 나타내는 방향으로 예컨대 300 rpm으로 회전시키면서, 연삭 휠(10)을 화살표(B)로 나타내는 방향으로 예컨대 6000 rpm으로 회전시키며, 도시하지 않는 연삭 유닛 이송 기구를 구동시켜 연삭 지석(14)을 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접촉시킨다. 그리고, 연삭 휠(10)을 미리 정해진 연삭 이송 속도로 하방으로 미리 정해진 양 연삭 이송한다.
그 결과, 반도체 웨이퍼(11)의 이면(11b)에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 디바이스 영역(17)에 대응하는 영역이 연삭 제거되어 원형 오목부(18)가 형성되며, 외주 잉여 영역(19)이 잔존되어 환형 볼록부(20)가 형성된다.
웨이퍼(11)의 이면 연삭 종료 후, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 점착되어 있던 보호 테이프(23)를 박리하고, 웨이퍼 표면(11a)에 점착 테이프인 제1 다이싱 테이프(T1)를 점착하며, 제1 다이싱 테이프(T1)를 통해 웨이퍼(11)를 제1 환형 프레임(F1)에 장착하는 제1 테이프 점착 단계를 실시한다. 즉, 외주부가 제1 환형 프레임(F1)에 점착된 제1 다이싱 테이프(T1)에 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 점착한다.
웨이퍼(11)의 표면(11a)에 점착된 보호 테이프(23)를 박리하지 않고, 보호 테이프(23)를 통해 웨이퍼 표면(11a)에 제1 다이싱 테이프(T1)를 점착하도록 하여도 좋다.
도 6을 참조하면, 디바이스 영역(17)과 환형 볼록부(20)를 분리하는 데 사용하는 레이저 가공 장치(22)의 사시도가 나타나 있다. 레이저 가공 장치(22)의 전방면측에는, 오퍼레이터가 가공 조건 등의 장치에 대한 지시를 입력하기 위한 조작 패널(24)이 마련되어 있다. 장치 상부에는, 오퍼레이터에 대한 안내 화면이나 후술하는 촬상 유닛에 의해 촬상된 화상이 표시되는 CRT 등의 표시 모니터(26)가 마련되어 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 제1 다이싱 테이프(T1)를 통해 제1 환형 프레임(F1)에 지지된 상태로 되어, 도 6에 나타낸 웨이퍼 카세트(28) 중에 웨이퍼가 복수매(예컨대 25장) 수용된다. 웨이퍼 카세트(28)는 상하 이동 가능한 카세트 엘리베이터(29) 상에 배치된다.
웨이퍼 카세트(28)의 후방에는, 웨이퍼 카세트(28)로부터 레이저 가공 전의 웨이퍼(11)를 반출하며, 가공 후의 웨이퍼를 웨이퍼 카세트(28)에 반입하는 반출입 수단(30)이 설치되어 있다.
웨이퍼 카세트(28)와 반출입 수단(30) 사이에는, 반출입 대상인 웨이퍼가 일시적으로 배치되는 영역인 가배치 영역(32)이 마련되어 있고, 가배치 영역(32)에는 웨이퍼(11)를 일정 위치에 위치 맞춤하는 위치 맞춤 수단(34)이 설치되어 있다.
도면 부호 50은 보호막 피복 장치이며, 이 보호막 피복 장치(50)는 가공 후의 웨이퍼를 세정하는 세정 장치를 겸용한다. 가배치 영역(32)의 근방에는, 웨이퍼(11)와 일체로 된 제1 프레임(F1)을 흡착하여 반송하는 선회 아암을 갖는 반송 수단(36)이 설치되어 있다.
가배치 영역(32)에 반출된 웨이퍼(11)는, 반송 수단(36)에 의해 흡착되어 보호막 피복 장치(50)에 반송된다. 보호막 피복 장치(50)는, 이후에 상세하게 설명하는 바와 같이 웨이퍼(11)의 이면에 수용성 수지를 도포하여 보호막을 피복한다.
이면에 보호막이 피복된 웨이퍼(11)는, 반송 수단(36)에 의해 흡착되어 척 테이블(38) 상에 반송되어, 척 테이블(38)에 흡인되며, 복수의 고정 수단(클램프)(39)에 의해 제1 프레임(F)이 고정됨으로써 척 테이블(38) 상에 유지된다.
척 테이블(38)은, 회전 가능 또한 X축 방향으로 왕복 운동 가능하게 구성되어 있고, 척 테이블(38)의 X축 방향의 이동 경로의 상방에는, 웨이퍼(11)의 레이저 가공하여야 하는 영역을 검출하는 얼라이먼트 유닛(40)이 설치되어 있다.
얼라이먼트 유닛(40)은, 웨이퍼(11)를 촬상하는 촬상 유닛(42)을 구비하고 있고, 촬상에 의해 취득한 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리에 의해 레이저 가공하여야 하는 영역을 검출할 수 있다. 촬상 유닛(42)에 의해 취득된 화상은, 표시 유닛(26)에 표시된다.
얼라이먼트 유닛(40)의 좌측에는, 척 테이블(38)에 유지된 웨이퍼(11)에 대하여 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛(44)이 설치되어 있다. 레이저 빔 조사 유닛(44)은 Y축 방향으로 이동 가능하다.
레이저 빔 조사 유닛(44)은, 케이싱(46) 중에 수용된 YAG 레이저 발진기 등의 레이저 발진기를 갖는 레이저 빔 발생 유닛을 포함하고 있고, 레이저 빔 발생 유닛으로부터 출사된 레이저 빔은 케이싱(46)의 선단에 장착된 집광기(48)로부터 척 테이블(38)에 유지된 웨이퍼(11) 상에 조사된다.
레이저 가공이 종료된 웨이퍼(11)는, 반송 수단(52)에 유지되어 세정 장치를 겸용하는 보호막 피복 장치(50)까지 반송되어, 세정 장치를 겸용하는 보호막 피복 장치(50)에서 세정된다.
다음에, 도 7을 참조하여, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 보호막을 피복하는 보호막 피복 단계에 대해서 설명한다. 이 보호막 피복 단계는 옵션이며, 통상은 이 단계는 필요 없지만, 웨이퍼(11)의 이면(11b), 즉 오목부(18)의 바닥면에 금속막이 형성되어 있는 웨이퍼(11)에 대해서 실시한다.
도 7에 있어서, 보호막 피복 장치(52)는, 스피너 테이블(54)과, 스피너 테이블(54)을 포위하여 설치된 세정수 받이 용기(56)를 구비하고 있다. 스피너 테이블(54)은, 다공성 세라믹스 등의 다공성 재료로 형성된 흡인 유지부와, 흡인 유지부를 둘러싸는 프레임으로 구성되고, 제1 환형 프레임(F1)을 클램프하는 복수의 클램프(58)를 가지고 있다. 스피너 테이블(54)은, 전동 모터(58)의 출력축(60)에 연결되어 있다.
보호막 피복 장치(52)는, 스피너 테이블(54)에 유지된 레이저 가공 전의 반도체 웨이퍼(11)에 수용성 수지를 공급하는 수용성 수지 공급 노즐(62)과, 레이저 가공 후의 웨이퍼(11)에 세정수를 공급하는 세정수 공급 노즐(66)을 가지고 있다. 수용성 수지 공급 노즐(62)은 모터(64)에 의해 대피 위치와 공급 위치 사이에서 회동되고, 세정수 공급 노즐(66)은 모터(68)에 의해 대피 위치와 공급 위치 사이에서 회동된다.
보호막 피복 단계를 실시하기 위해서는, 반송 수단(36)에 의해, 도 5에 나타내는 제1 테이프 점착 단계 실시 후의 웨이퍼(11)를 보호막 피복 장치(50)까지 반송하여, 보호막 피복 장치(50)의 스피너 테이블(54) 상에 배치한다.
그리고, 모터(64)를 구동시켜 수용성 수지 공급 노즐(62)을 도 7에 나타내는 공급 위치로 회동시켜, 수용성 수지를 웨이퍼(11) 상에 공급하고 나서, 전동 모터(58)를 구동시켜 스피너 테이블(54)을 R1 방향으로 약 2000 rpm으로 회전시켜 공급된 수용성 수지를 웨이퍼(11)의 이면에 형성된 원형 오목부(18)의 전체면에 스핀 코팅한다.
스피너 테이블(54)은 2000 rpm이라고 하는 비교적 고속으로 회전하기 때문에, 진자식의 클램프(58)는 원심력에 의해 회동하여 제1 환형 프레임(F1)을 클램프하여 고정한다. 이에 의해, 웨이퍼(11)의 원형 오목부(18) 중에 공급된 수용성 수지는 오목부(18)의 바닥부에 골고루 스핀 코팅되어 수용성 보호막이 피복된다.
수용성 보호막을 형성하는 수용성 수지로서는, PVA(폴리·비닐·알코올), PEG(폴리·에틸렌·글리콜), PEO(산화폴리에틸렌) 등의 수용성의 레지스트가 바람직하다.
제1 테이프 점착 단계 실시 후, 또는 제1 테이프 점착 단계 및 보호막 피복 단계 실시 후, 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)과 환형 볼록부(20)를 분리하는 분리 단계를 실시한다. 이 분리 단계에 대해서 도 8을 참조하여 설명한다.
레이저 가공 장치(22)의 척 테이블(38)로 제1 다이싱 테이프(T1)를 통해 원형 오목부(18) 및 환형 볼록부(20)가 형성된 웨이퍼(11)를 흡인 유지한다. 그리고, 촬상 유닛(42)으로 웨이퍼(11)를 촬상하고, 환형 볼록부(20)와 디바이스 영역(17)[원형 오목부(18)]의 경계를 검출하는 얼라이먼트를 실시하여, 검출한 경계의 좌표값을 얼라이먼트 유닛(40)의 메모리에 기억한다.
얼라이먼트 실시 후, 레이저 빔 조사 유닛(44)의 집광기(48)로부터 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장(예컨대 355 ㎜)의 레이저 빔을 환형 볼록부(20)와 원형 오목부(18)의 경계를 향하여 조사하며, 척 테이블(38)을 회전시켜, 집광기(48)로부터 조사된 레이저 빔으로 환형 볼록부(20)와 원형 오목부(18)의 경계를 어블레이션에 의해 원형으로 제거한다.
바람직하게는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 척 테이블(38)의 프레임(38b)에 환형 볼록부(20)와 원형 오목부(18)의 경계 부분에 대응하는 환형홈(27)을 형성하고, 이 환형홈(27) 안에 레이저 빔 흡수 부재(29)를 설치한다. 이에 의해, 집광기(48)로부터 조사된 레이저 빔으로 척 테이블(38)의 프레임(38b) 부분을 가공하여 버리는 것이 방지된다.
레이저 빔을 환형 볼록부(20)와 원형 오목부(18)의 경계의 전체 둘레에 조사함으로써, 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)과 환형 볼록부(20)가 제1 다이싱 테이프(T1)와 함께 분리된다(분리 단계).
분리 단계 실시 후, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제1 다이싱 테이프(T1)를 통해 제1 환형 프레임(F1)에 장착된 환형 볼록부(20)를, 제1 환형 프레임(F1)과 함께 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)으로부터 제거하는 제거 단계를 실시한다.
제거 단계 실시 후, 보호막 피복 단계를 실시한 케이스의 경우에는, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 세정수를 공급하여 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계를 실시한다. 이 보호막 제거 단계에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다.
보호막 피복 장치(52)의 스피너 테이블(54)로 디바이스 영역(17)의 이면에 보호막의 피복된 웨이퍼(11)를 흡인 유지한다. 그리고, 모터(68)를 구동시켜 세정수 공급 노즐(66)을 대피 위치로부터 도 11에 나타내는 공급 위치로 회동한다.
이어서, 세정수 공급 노즐(66)로부터 세정수를 공급하면서 전동 모터(58)를 구동시켜, 스피너 테이블(54)을 약 1000 rpm으로 회전시킨다. 보호막은 수용성 보호막이기 때문에, 이 세정 단계(보호막 제거 단계)에서, 보호막은 디바이스 영역(17)의 이면으로부터 제거된다.
분리 단계 및 보호막 제거 단계 실시 후, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제1 다이싱 테이프(T1)를 통해 제1 환형 프레임(F1)에 장착된 환형 볼록부(20)를 제1 환형 프레임(F1)과 함께 디바이스 영역(17)으로부터 제거하는 제거 단계를 실시한다. 따라서, 척 테이블(38)에는 제1 다이싱 테이프(T1)에 점착된 디바이스 영역(17)이 남게 된다.
제거 단계를 실시한 후, 도 12에 나타내는 바와 같이, 디바이스 영역(17)만으로 이루어지는 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 제2 다이싱 테이프(T2)를 점착하며, 제2 다이싱 테이프(T2)를 통해 제2 환형 프레임(F2)에 장착하는 제2 테이프 점착 단계를 실시한다.
이 제2 테이프 점착 단계를 실시함으로써, 디바이스 영역(17)만으로 이루어지는 웨이퍼(11)는 제2 다이싱 테이프(T2)를 통해 제2 환형 프레임(F2)에 지지되게 되어, 웨이퍼(11)의 표면(11a)인 디바이스 영역(17)이 상측이 된다.
제2 테이프 점착 단계를 실시한 후, 도 13에 나타내는 바와 같이, 제1 다이싱 테이프(T1)를 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 제거하는 제1 테이프 제거 단계를 실시한다. 또한, 이 제1 테이프 제거 단계는, 제2 테이프 점착 단계를 실시하기 전에 행하여도 좋다.
제2 테이프 점착 단계와 제1 테이프 제거 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 분할 단계를 실시한다. 이 분할 단계는, 예컨대 도 14에 주요부가 나타나 있는 절삭 장치에 의해 실시한다.
도면 부호 74는 절삭 장치(70)의 절삭 유닛이며, 스핀들 하우징(76) 중에 수용된 도시하지 않는 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들과, 스핀들의 선단에 착탈 가능하게 장착된 절삭 블레이드(78)를 포함하고 있다.
절삭 블레이드(78)는, 휠 커버(80)로 덮어져 있다. 휠 커버(80)에 부착된 파이프(82)는 도시하지 않는 절삭수 공급원에 접속되어 있다. 파이프(82)로부터 도입된 절삭수는, 절삭 블레이드(78)를 사이에 끼우도록 배치된 절삭수 공급 노즐(84)로부터 분출되어, 디바이스 영역(17)의 절삭이 수행된다.
디바이스 영역(17)의 절삭 시에는, 절삭수 공급 노즐(84)로부터 절삭수를 분사하면서, 절삭 블레이드(78)를 화살표(A) 방향으로 고속(예컨대 30000 rpm)으로 회전시켜, 척 테이블(72)을 X축 방향으로 가공 이송함으로써, 디바이스 영역(17)이 스트리트(13)를 따라 절삭되어 절삭홈(31)이 형성된다.
절삭 유닛(74)을 Y축 방향으로 스트리트(13)의 피치씩 인덱싱 이송하면서 제1 방향으로 신장하는 스트리트(13)를 차례차례로 절삭한다. 제1 방향으로 신장하는 모든 스트리트(13)의 절삭 종료 후, 척 테이블(72)을 90°회전시키고 나서, 제2 방향으로 신장하는 스트리트(13)를 따라 동일한 절삭을 실행하여, 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)을 개개의 디바이스(15)로 분할한다.
분할 단계는 절삭 장치에 의한 다이싱에 한정되는 것이 아니며, 레이저 빔을 이용한 어블레이션 가공 또는 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하고, 개질층의 형성된 웨이퍼에 외력을 부여함으로써, 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)을 개개의 디바이스(15)로 분할하도록 하여도 좋다. 또한, 레이저 빔을 이용한 가공 시에 있어서의 레이저 빔은 웨이퍼의 표면측으로부터 입사되어도 좋고 이면측으로부터 입사되어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 점착하여 이면을 연삭하여 원형 오목부와 환형 볼록부를 형성하였지만, 웨이퍼의 연삭 전에 웨이퍼 표면에 점착 테이프인 제1 다이싱 테이프를 점착하며, 제1 다이싱 테이프를 통해 웨이퍼를 제1 환형 프레임에 장착하는 제1 테이프 장착 단계를 실시하여도 좋다.
10 연삭 휠
11 반도체 웨이퍼
14 연삭 지석
17 디바이스 영역
18 원형 오목부
19 외주 잉여 영역
20 환형 볼록부
23 보호 테이프
44 레이저 빔 조사 유닛
48 집광기
50 보호막 피복 장치
54 스피너 테이블
62 수용성 수지 공급 노즐
66 세정수 공급 노즐
74 절삭 유닛
78 절삭 블레이드
T1 제1 다이싱 테이프
T2 제2 다이싱 테이프
F1 제1 환형 프레임
F2 제2 환형 프레임

Claims (3)

  1. 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 갖고, 상기 디바이스 영역에 대응하는 이면이 미리 정해진 두께로 연삭된 원형 오목부와 상기 원형 오목부를 둘러싸는 상기 외주 잉여 영역에 대응한 환형 볼록부가 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    웨이퍼의 표면에 제1 테이프를 점착하며 상기 제1 테이프를 통해 웨이퍼를 제1 환형 프레임에 장착하는 제1 테이프 점착 단계와,
    상기 제1 테이프 점착 단계를 실시한 후, 상기 제1 테이프를 통해 웨이퍼를 척 테이블로 유지하고, 상기 환형 볼록부와 상기 디바이스 영역의 경계에 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼를 상기 제1 테이프와 함께 분단하여, 상기 디바이스 영역과 상기 환형 볼록부로 분리하는 분리 단계와,
    상기 분리 단계를 실시한 후, 상기 제1 테이프를 통해 상기 제1 환형 프레임에 장착된 상기 환형 볼록부를 상기 제1 환형 프레임과 함께 웨이퍼의 상기 디바이스 영역으로부터 제거하는 제거 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제거 단계를 실시한 후, 상기 디바이스 영역만으로 이루어지는 웨이퍼의 이면에 제2 테이프를 점착하며 상기 제2 테이프를 통해 웨이퍼를 제2 환형 프레임에 장착하는 제2 테이프 점착 단계와,
    상기 제2 테이프 점착 단계를 실시하기 전 또는 후에, 상기 제1 테이프를 웨이퍼의 표면으로부터 제거하는 제1 테이프 제거 단계와,
    상기 제2 테이프 점착 단계와 상기 제1 테이프 제거 단계를 실시한 후, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 분할 단계
    를 더 포함하는 웨이퍼 가공 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 분리 단계를 실시하기 전에, 웨이퍼의 이면에 수용성 보호막을 피복하는 보호막 피복 단계와,
    적어도 상기 보호막 피복 단계와 상기 분리 단계를 실시한 후, 웨이퍼의 이면에 세정수를 공급하여 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계
    를 더 포함하는 웨이퍼 가공 방법.
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