TW201543562A - 晶圓之加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是提供一種可以將環狀凸部在沒有破損的情形下輕易地除去的晶圓之加工方法。解決手段為在表面上具有形成有複數個元件的元件區域與圍繞該元件區域的外周剩餘區域，且形成有對應於該元件區域的背面磨削到預定的厚度的圓形凹部，和對應於圍繞該圓形凹部的該外周剩餘區域的環狀凸部的晶圓之加工方法，特徵在於其具備第一膠帶黏貼步驟、分離步驟及除去步驟。該第一膠帶黏貼步驟是在晶圓的表面上黏貼第一膠帶並且透過該第一膠帶將晶圓裝設於第一環狀框架上。該分離步驟是在實施該第一膠帶黏貼步驟後，隔著該第一膠帶將晶圓保持在工作夾台上，並對該環狀凸部與該元件區域的邊界照射雷射光束而將晶圓與該第一膠帶一起分割切斷，而分離成該元件區域與該環狀凸部。該除去步驟是在實施該分離步驟後，將透過該第一膠帶而裝設於該第一環狀框架上的該環狀凸部與第一環狀框架一起從晶圓的該元件區域除去。

Description

晶圓之加工方法 發明領域
本發明是有關於從在背面形成有圓形凹部及圍繞圓形凹部的環狀凸部的晶圓上除去環狀凸部的晶圓之加工方法。
發明背景
在半導體元件製造過程中，會在大致圓板形狀的半導體晶圓(以下有時僅簡稱為晶圓)的表面上，由排列成格子狀之被稱為切割道(street)的分割預定線劃分為複數個區域，並在該劃分的區域中形成IC、LSI等元件。並且，可藉由以切削裝置沿著切割道切削半導體晶圓，而將半導體晶圓分割成一個個的半導體晶片(元件)。
被分割的晶圓，在沿著切割道切削之前是先磨削背面以形成預定的厚度。近年來，為了達成電氣機器的輕量化、小型化，被要求將晶圓的厚度做得更薄，例如50μm左右。
像這樣被形成得較薄的晶圓，會變得如同紙一樣沒有韌性而使操作處理變困難，恐有在搬送時破損之虞。於是，只磨削對應於晶圓之元件區域的背面，並在對應於 圍繞元件區域的外周剩餘區域的晶圓之背面，形成補強用的環狀凸部的磨削方法，已在例如日本專利特開2007-19461號公報中被提出。
作為像這樣將背面的外周形成有環狀凸部的晶圓沿著切割道(分割預定線)分割的方法而被提出的有，在除去環狀凸部後，從晶圓的表面側利用切削刀進行切削的方法(參照日本專利特開2007-19379號公報)。
在日本專利特開2007-17379號公報中，作為除去環狀凸部之方法，揭示了藉由磨削以除去環狀凸部的方法，以及利用切削刀將圓形凹部與環狀凸部的界面以圓形的形式予以切削後，再除去環狀凸部的方法。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2007-19461號公報
專利文獻2：日本專利特開2007-19379號公報
發明概要
然而，從元件區域除去環狀凸部時，會有環狀凸部容易破損、環狀凸部破損而傷到元件區域，以及需要可用以除去環狀凸部的特別的裝置等問題，因此在除去環狀凸部上是有困難的。
本發明是有鑒於此點而作成的發明，其目的在於提供一種可以將環狀凸部在沒有破損的情形下輕易地除去 的晶圓之加工方法。
根據本發明所提供的晶圓之加工方法，是在表面上具有形成有複數個元件的元件區域與圍繞該元件區域的外周剩餘區域，且形成有對應於該元件區域的背面磨削到預定的厚度之圓形凹部，和對應於圍繞該圓形凹部的該外周剩餘區域的環狀凸部的晶圓之加工方法，特徵在於其具備：第一膠帶黏貼步驟，在晶圓的表面上黏貼第一膠帶並且透過該第一膠帶將晶圓裝設於第一環狀框架上；分離步驟，實施該第一膠帶黏貼步驟後，隔著該第一膠帶將晶圓保持在工作夾台上，並對該環狀凸部與該元件區域的邊界照射雷射光束而將晶圓與該第一膠帶一起分割切斷，而分離成該元件區域與該環狀凸部；以及除去步驟，實施該分離步驟後，將透過該第一膠帶而裝設於該第一環狀框架上的該環狀凸部和第一環狀框架一起從晶圓的該元件區域除去。
較理想的是，晶圓之加工方法還具備第二膠帶黏貼步驟、第一膠帶除去步驟與分割步驟，該第二膠帶黏貼步驟是在實施該除去步驟後，在僅由該元件區域所形成的晶圓之背面上黏貼第二膠帶，並且透過該第二膠帶將晶圓裝設於第二環狀框架上，該第一膠帶除去步驟是在實施該第二膠帶黏貼步驟之前或之後，從晶圓的表面除去該第一膠帶，該分割步驟是在實施該第二膠帶黏貼步驟與該第一 膠帶除去步驟之後，將晶圓分割成一個個的元件。
較理想的是，晶圓之加工方法還具備保護膜被覆步驟與保護膜除去步驟，該保護膜被覆步驟是在實施該分離步驟之前，在晶圓的背面被覆水溶性保護膜，該保護膜除去步驟是在至少已實施該保護膜被覆步驟與該分離步驟之後，對晶圓的背面供給洗淨水而除去該保護膜。
依據本發明之加工方法，因為是在已實施過藉由雷射光束的照射而進行的分離步驟之後，將黏貼在第一膠帶上的環狀凸部與第一環狀框架一起從晶圓的元件區域除去，所以可將環狀凸部在不發生破損的情形下輕易地從元件區域中除去。
因為分離步驟是藉由雷射光束的照射而實施，所以在圓形凹部之底部(晶圓的背面)即使被覆有金屬膜，也不會發生腐蝕。又，因為是使用雷射光束來進行分離步驟，可以將切口做得比使用切削刀切割時更為狹窄，所以可以將有效元件的區域形成到最大限度。
2‧‧‧磨削單元
4‧‧‧主軸殼體
6‧‧‧主軸
8‧‧‧輪座
10‧‧‧磨削輪
11‧‧‧半導體晶圓
11a‧‧‧晶圓表面
11b‧‧‧晶圓背面
12‧‧‧輪基台
13‧‧‧切割道
14‧‧‧磨削磨石
15‧‧‧元件
16、38、72‧‧‧工作夾台
17‧‧‧元件區域
18‧‧‧圓形凹部
19‧‧‧外周剩餘區域
20‧‧‧環狀凸部
21‧‧‧缺口
22‧‧‧雷射加工裝置
23‧‧‧保護膠帶
24‧‧‧操作面板
26‧‧‧顯示螢幕(顯示單元)
27‧‧‧環狀溝
28‧‧‧晶圓盒
29‧‧‧晶圓匣升降機
29‧‧‧雷射光束吸收構件
30‧‧‧搬出入手段
31‧‧‧切削溝
32‧‧‧暫置區域
34‧‧‧對位手段
36‧‧‧搬送手段
38b‧‧‧框體
39‧‧‧固定手段(夾具)
40‧‧‧校準單元
42‧‧‧攝像單元
44‧‧‧雷射光束照射單元
46‧‧‧套殼
48‧‧‧聚光器
50‧‧‧保護膜被覆裝置
52‧‧‧搬送手段
54‧‧‧旋轉台
56‧‧‧洗淨水盛裝容器
58‧‧‧電動馬達
58‧‧‧夾具
60‧‧‧輸出軸
62‧‧‧水溶性樹脂供給噴嘴
64、68‧‧‧馬達
66‧‧‧洗淨水供給噴嘴
70‧‧‧切削裝置
74‧‧‧切削單元
76‧‧‧主軸殼體
78‧‧‧切削刀
80‧‧‧輪蓋
82‧‧‧管件
84‧‧‧切削水供給噴嘴
A、B‧‧‧箭頭
F1‧‧‧第一環狀框架
F2‧‧‧第二環狀框架
T1‧‧‧第一切割膠帶
T2‧‧‧第二切割膠帶
X、Y、Z、R1‧‧‧方向
圖1是半導體晶圓之表面側立體圖。
圖2是表面上已黏貼有保護膠帶之狀態的晶圓之背面側立體圖。
圖3是顯示磨削步驟的立體圖。
圖4是磨削步驟結束後之晶圓的剖面圖。
圖5是顯示第一膠帶黏貼步驟的立體圖。
圖6是雷射加工裝置的立體圖。
圖7是顯示保護膜被覆步驟的剖面圖。
圖8是顯示分離步驟的立體圖。
圖9是顯示分離步驟的放大剖面圖。
圖10是顯示除去步驟的立體圖。
圖11是顯示洗淨步驟的剖面圖。
圖12是顯示第二膠帶黏貼步驟的立體圖。
圖13是顯示第一膠帶除去步驟的立體圖。
圖14是顯示分割步驟的立體圖。
用以實施發明之形態
以下將參照附圖，詳細說明本發明的實施形態。參照圖1，所示為半導體晶圓(以下有時簡稱為晶圓)11的表面側立體。半導體晶圓11是由例如厚度為700μm的矽晶圓所形成，並有複數條切割道(分割預定線)13在表面11a形成為格子狀，並且在藉由複數條切割道13所劃分出的各區域中形成有IC、LSI等元件15。
像這樣所構成的半導體晶圓11，於其表面11a上具備有形成有元件15的元件區域17，和圍繞元件區域17的外周剩餘區域19。又，在半導體晶圓11的外周上，形成有作為表示矽晶圓之結晶方位的標記的缺口21。
當磨削晶圓11的背面11b時，晶圓11的表面11a上黏貼有保護膠帶23。因此，晶圓11的表面11a會因保護膠帶23而受到保護，並如圖2所示，成為背面11b露出之形態。
成為本發明的加工方法之加工對象的晶圓11，是將對應於元件區域17的晶圓11的背面11b磨削成預定的厚度而形成圓形凹部，且形成有對應於圍繞圓形凹部的外周剩餘區域19的環狀凸部之晶圓，參照圖3及圖4來說明晶圓之磨削方法。
在圖3中，符號2是磨削裝置的磨削單元，其包含有可旋轉地收納在主軸殼體4中的主軸6、固定在主軸6的前端的輪座8，以及裝卸自如地裝設於輪座8上的磨削輪10。磨削輪10是由環狀的輪基台12和在輪基台12的下端外周部黏貼成環狀的複數個磨削磨石14所構成。
在背面磨削步驟中，是以磨削裝置的工作夾台16吸引保持黏貼於晶圓11的表面11a的保護膠帶23，並使晶圓11的背面11b露出。然後，在將工作夾台16朝箭頭A所示之方向以例如300rpm旋轉時，將磨削輪10朝箭頭B所示之方向以例如6000rpm旋轉，並且驅動圖未示的磨削單元進給機構，以使磨削磨石14接觸晶圓11的背面11b。並且，以預定的磨削進給速度將磨削輪10朝下方磨削進給預定量。
其結果，在半導體晶圓11的背面11b上，如圖4所示，將對應於元件區域17的區域磨削除去而形成有圓形凹部18，並且使外周剩餘區域19被留下而形成環狀凸部20。
晶圓11的背面磨削結束後，在本發明的晶圓之加工方法中，是如圖5所示，實施第一膠帶黏貼步驟，其為將黏貼於晶圓11的表面11a的保護膠帶23剝離，以將作為黏貼 膠帶之第一切割膠帶T1黏貼在晶圓表面11a上，並且透過第一切割膠帶T1將晶圓11裝設在第一環狀框架F1上。亦即，是在將外周部黏貼在第一環狀框架F1上的第一切割膠帶T1上黏貼上晶圓11的表面11a。
也可以在不將黏貼於晶圓11的表面11a的保護膠帶23剝離的情形下，隔著保護膠帶23將第一切割膠帶T1黏貼於晶圓表面11a。
參照圖6，所示為用於分離元件區域17與環狀凸部20所使用的雷射加工裝置22的立體圖。在雷射加工裝置22的前面側設置有用於供操作員輸入加工條件等對裝置所作之指示的操作面板24。在裝置上部設置有CRT等之顯示螢幕26，可顯示對操作員之導引畫面或由後述之攝像單元所拍攝到的影像。
如圖5所示，晶圓11成為透過第1切割膠帶T1受到第1環狀框架F1支撐的狀態，並且可將複數片(例如25片)晶圓收納在圖6所示之晶圓盒28中。晶圓盒28被載置於可以上下移動的晶圓盒昇降機29上。
在晶圓盒28的後方，配置有可將雷射加工前的晶圓11從晶圓盒28搬出，並且將加工後的晶圓搬入晶圓盒28的搬出入手段30。
在晶圓盒28與搬出入手段30之間，設置有作為搬出入對象的晶圓暫時地被載置的區域之暫置區域32，且在暫置區域32上配置有使晶圓11對齊固定位置的對位手段34。
50是保護膜被覆裝置，此保護膜被覆裝置50還兼用作將加工後的晶圓洗淨之洗淨裝置。在暫置區域32的附近，配置有具有旋轉臂的搬送手段36，該旋轉臂可吸附並搬送與晶圓11形成一體的第1框架F1。
被搬出至暫置區域32的晶圓11，會被搬送手段36吸附而被搬送至保護膜被覆裝置50。保護膜被覆裝置50，如之後所詳細說明的，是在晶圓11的背面塗佈水溶性樹脂來被覆保護膜。
背面被覆了保護膜的晶圓11是被搬送手段36吸附而被搬送至工作夾台38上，被工作夾台38吸引，並且是藉由以複數個固定手段(夾具)39將第1框架F固定而被保持在工作夾台38上。
工作夾台38被構成為可旋轉並且可在X軸方向上來回移動，且在工作夾台38的X軸方向的移動路徑的上方，配置有檢測晶圓11的用來雷射加工的區域的校準單元40。
校準單元40具備有用於拍攝晶圓11的攝像單元42，並可依據拍攝所取得的影像，藉由型樣匹配(pattern matching)等的影像處理而檢測出用來雷射加工的區域。藉由攝像單元42所取得的影像會被顯示在顯示單元26上。
在校準單元40的左側，配置有可對保持在工作夾台38上的晶圓11照射雷射光束的雷射光束照射單元44。雷射光束照射單元44可在Y軸方向上移動。
雷射光束照射單元44包含具有被收納在套殼46中的YAG雷射振盪器等的雷射振盪器之雷射光束產生單元， 並可將從雷射光束產生單元射出的雷射光束從裝設於套殼46的前端的聚光器48照射到被保持於工作夾台38的晶圓11上。
已結束雷射加工的晶圓11，會被搬送手段52所保持而被搬送至兼用作洗淨裝置的保護膜被覆裝置50，並在兼用作洗淨裝置的保護膜被覆裝置50被洗淨。
接著，參照圖7，針對在晶圓11的背面11b上被覆保護膜的保護膜被覆步驟進行說明。此保護膜被覆步驟是可選擇的，通常此步驟並非必要，但是會針對晶圓11的背面11b，亦即凹部18的底面形成有金屬膜的晶圓11實施。
在圖7中，保護膜被覆裝置52具備有旋轉台54，及包圍旋轉台54而配置的洗淨水盛裝容器56。旋轉台54是由多孔陶瓷等多孔性材料所形成的吸引保持部，及圍繞吸引保持部的框體所構成，並具有用來夾持第一環狀框架F1的複數個夾具58。並將旋轉台54連結至電動馬達58的輸出軸60。
保護膜被覆裝置52具有水溶性樹脂供給噴嘴62和洗淨水供給噴嘴66，該水溶性樹脂供給噴嘴62是對保持在旋轉台54上的雷射加工前的半導體晶圓11供給水溶性樹脂，該洗淨水供給噴嘴66是對雷射加工後的晶圓11供給洗淨水。水溶性樹脂供給噴嘴62是藉由馬達64而在待避位置與供給位置之間轉動，洗淨水供給噴嘴66則是藉由馬達68而在待避位置與供給位置之間轉動。
要實施保護膜被覆步驟，是藉由搬送手段36，將 圖5所示之第一膠帶黏貼步驟實施後的晶圓11搬送至保護膜被覆裝置50，並載置於保護膜被覆裝置50的旋轉台54上。
並且，於驅動馬達64以將水溶性樹脂供給噴嘴62轉動至圖7所示之供給位置，並將水溶性樹脂供給至晶圓11上之後，驅動電動馬達58而使旋轉台54朝R1方向以約2000rpm旋轉以將所供給的水溶性樹脂旋轉塗佈在形成於晶圓11的背面的整個圓形凹部18上。
因為旋轉台54是以2000rpm之較高速旋轉，所以擺動式的夾具58會因離心力而轉動而將第一環狀框架F1夾持固定。藉此，被供給至晶圓11的圓形凹部18中的水溶性樹脂會無遺漏地旋轉塗佈於凹部18的底部而被覆上水溶性保護膜。
作為形成水溶性保護膜的水溶性樹脂，以PVA(polyvinyl alchol，聚乙烯醇)、PEG(polyethylene glycol，聚乙二醇)、PEO(聚氧化乙烯)等水溶性的防護劑為較理想。
第一膠帶黏貼步驟實施後，或第一膠帶黏貼步驟及保護膜被覆步驟實施後，實施將晶圓11的元件區域17與環狀凸部20分離的分離步驟。參照圖8來說明此分離步驟。
以雷射加工裝置22的工作夾台38隔著第一切割膠帶T1吸引保持形成有圓形凹部18及環狀凸部20的晶圓11。然後，實施以攝像單元42拍攝晶圓11，檢測環狀凸部20與元件區域17(圓形凹部18)的邊界之校準，並將檢測到的邊界 的座標值儲存於校準單元40的記憶體中。
校準實施後，從雷射光束照射單元44的聚光器48將對晶圓具有吸收性之波長(例如355mm)的雷射光束朝向環狀凸部20與圓形凹部18的邊界照射，並使工作夾台38旋轉，以利用從聚光器48照射出的雷射光束藉由燒蝕以圓形的形式除去環狀凸部20與圓形凹部18的邊界。
較理想的是，如圖9所示，在工作夾台38的框體38b上形成對應於環狀凸部20與圓形凹部18之邊界部分的環狀溝27，並在此環狀溝27中配置雷射光束吸收構件29。藉此，可防止從聚光器48所照射出的雷射光束加工到工作夾台38的框體38b部分的情形。
藉由使雷射光束照射環狀凸部20與圓形凹部18的邊界的整個圓周，可使晶圓11的元件區域17與環狀凸部20和第一切割膠帶T1一起被分離(分離步驟)。
分離步驟實施後，如圖10所示，實施將透過第一切割膠帶T1而被裝設於第一環狀框架F1上的環狀凸部20與第一環狀框架F1一起從晶圓11之元件區域17上除去的除去步驟。
除去步驟實施後，在已實施保護膜被覆步驟的實例的情形中，實施對晶圓11的背面11b供給洗淨水來除去保護膜的保護膜除去步驟。參照圖11來說明此保護膜除去步驟。
藉由保護膜被覆裝置52的旋轉台54吸引保持元件區域17的背面被覆有保護膜的晶圓11。並且，驅動馬達 68以將洗淨水供給噴嘴66從待避位置轉動至圖11所示之供給位置。
接著，一邊從洗淨水供給噴嘴66供給洗淨水一邊驅動電動馬達58以使旋轉台54以約1000rpm旋轉。因為保護膜為水溶性保護膜，因此可以藉由此洗淨步驟(保護膜除去步驟)將保護膜從元件區域17的背面除去。
分離步驟及保護膜除去步驟實施後，如圖10所示，實施將透過第一切割膠帶T1而被裝設於第一環狀框架F1上的環狀凸部20與第一環狀框架F1一起從元件區域17上除去的除去步驟。因此，在工作夾台38上會形成使黏貼在第一切割膠帶T1上的元件區域17留下之情形。
已實施過除去步驟之後，如圖12所示，實施第二膠帶黏貼步驟，其為在僅由元件區域17所構成的晶圓11的背面11b黏貼第二切割膠帶T2，並且透過第二切割膠帶T2裝設於第二環狀框架F2上。
藉由實施此第二膠帶黏貼步驟，可形成為僅由元件區域17所構成的晶圓11透過第二切割膠帶T2被第二環狀框架F2所支撐之情形，並且晶圓11的表面11a的元件區域17成為上側。
已實施過第二膠帶黏貼步驟之後，如圖13所示，實施從晶圓11的表面11a除去第一切割膠帶T1的第一膠帶除去步驟。再者，此第一膠帶除去步驟在實施第二膠帶黏貼步驟之前進行亦可。
已實施過第二膠帶黏貼步驟及第一膠帶除去步 驟之後，實施將晶圓分割成一個個的元件的分割步驟。此分割步驟是藉由例如圖14中顯示著主要部位的切削裝置來實施。
74是切削裝置70的切削單元，包含受到被收納在主軸殼體76中的圖未示之馬達所旋轉驅動的主軸，及可裝卸地裝設在主軸的前端的切削刀78。
切削刀78是被輪蓋80所覆蓋。安裝在輪蓋80的管件82被連接到圖未示的切削水供給源。從管件82所導入的切削水是從配置成夾持切削刀78的切削水供給噴嘴84被噴出，而執行元件區域17的切削。
於進行元件區域17的切削時，是一邊從切削水供給噴嘴84噴射切削水，一邊藉由使切削刀78朝箭頭A方向高速(例如30000rpm)旋轉，並使工作夾台72在X軸方向上加工進給，以沿著切割道13切削元件區域17而形成切削溝31。
一邊將切削單元74在Y軸方向上按每個切割道13的間隙分度進給一邊將在第1方向上伸長的切割道13依序切削。於第1方向上伸長的所有切割道13的切削結束後，將工作夾台72旋轉90°，之後再沿著於第2方向上伸長的切割道13實行同樣的切削，將晶圓11的元件區域17分割成一個個的元件15。
分割步驟並不限於藉由切削裝置所進行的切割，也可做成：利用雷射光束的燒蝕加工或照射雷射光束而在晶圓內部形成改質層，並藉由對形成有改質層的晶圓賦予外力，而將晶圓11的元件區域17分割成一個個的元件15。 再者，利用了雷射光束之加工時的雷射光束可使其從晶圓的表面側入射，也可使其從背面側入射。
又，在本實施形態中，雖然是在晶圓的表面黏貼表面保護膠帶後再磨削背面而形成圓形凹部及環狀凸部，但是也可以實施第一膠帶裝設步驟，在晶圓的磨削前於晶圓表面黏貼作為黏著膠帶的第一切割膠帶，並且透過第一切割膠帶將晶圓裝設在第一環狀框架上。
11‧‧‧半導體晶圓
18‧‧‧圓形凹部
20‧‧‧環狀凸部
38‧‧‧工作夾台
40‧‧‧校準單元
42‧‧‧攝像單元
44‧‧‧雷射光束照射單元
46‧‧‧套殼
48‧‧‧聚光器
F1‧‧‧第一環狀框架
T1‧‧‧第一切割膠帶

Claims (3)

  1. 一種晶圓之加工方法，是在表面上具有形成有複數個元件的元件區域與圍繞該元件區域的外周剩餘區域，且形成有對應於該元件區域的背面磨削到預定的厚度的圓形凹部，和對應於圍繞該圓形凹部的該外周剩餘區域的環狀凸部的晶圓之加工方法，特徵在於其具備：第一膠帶黏貼步驟，在晶圓的表面上黏貼第一膠帶並且透過該第一膠帶將晶圓裝設於第一環狀框架上；分離步驟，實施該第一膠帶黏貼步驟後，隔著該第一膠帶將晶圓保持在工作夾台上，並對該環狀凸部與該元件區域的邊界照射雷射光束而將晶圓與該第一膠帶一起分割切斷，而分離成該元件區域與該環狀凸部；以及除去步驟，實施該分離步驟後，將透過該第一膠帶而裝設於該第一環狀框架上的該環狀凸部和該第一環狀框架一起從晶圓的該元件區域除去。
  2. 如請求項1的晶圓之加工方法，其還具備有第二膠帶黏貼步驟、第一膠帶除去步驟及分割步驟，該第二膠帶黏貼步驟是在實施該除去步驟後，在僅由該元件區域所形成的晶圓之背面上黏貼第二膠帶，並且透過該第二膠帶將晶圓裝設於第二環狀框架上，該第一膠帶除去步驟是在實施該第二膠帶黏貼步驟之前或之後，從晶圓的表面除去該第一膠帶， 該分割步驟是在實施該第二膠帶黏貼步驟與該第一膠帶除去步驟之後，將晶圓分割成一個個的元件。
  3. 如請求項1或2的晶圓之加工方法，其還具備保護膜被覆步驟與保護膜除去步驟，該保護膜被覆步驟是在實施該分離步驟之前，在晶圓的背面被覆水溶性保護膜，該保護膜除去步驟是在至少已實施該保護膜被覆步驟與該分離步驟之後，對晶圓的背面供給洗淨水而除去該保護膜。
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