JPH05251864A - 多層配線基板のパターン形成方法 - Google Patents
多層配線基板のパターン形成方法Info
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- JPH05251864A JPH05251864A JP5026892A JP5026892A JPH05251864A JP H05251864 A JPH05251864 A JP H05251864A JP 5026892 A JP5026892 A JP 5026892A JP 5026892 A JP5026892 A JP 5026892A JP H05251864 A JPH05251864 A JP H05251864A
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- Japan
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- pattern
- resist
- plating
- film
- resist film
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】金属薄膜形成工程において基板１上に金属薄膜
２を形成し、レジスト膜形成工程においてレジスト膜３
を形成する。紫外線照射工程において、マスク４を介し
て紫外線９を照射し、レジスト現像除去工程においてレ
ジストパターン５を形成する。１回目のレーザ照射工程
は基板１を左に傾け、エキシマレーザ９でレジストパタ
ーン５の右側を除去し、２回目めのレーザ照射工程は、
基板１を右に傾け左側を除去する。鍍金工程において、
鍍金パターン８ａを形成し、レジスト膜剥離工程におい
てレジストパターン５ａを剥離する。エッチング工程に
おいて、鍍金パターン８ａの下地になっている以外の金
属薄膜２を除去し、絶縁層形成工程において絶縁層とし
て感光性ポリイミド膜１１を形成する。 【効果】エッチング工程で金属薄膜残りを無くしてパタ
ーンショートの発生を防止でき、濡れ不良が原因の上の
導体層の凸や上下の導体層間でのショートを防止でき
る。
２を形成し、レジスト膜形成工程においてレジスト膜３
を形成する。紫外線照射工程において、マスク４を介し
て紫外線９を照射し、レジスト現像除去工程においてレ
ジストパターン５を形成する。１回目のレーザ照射工程
は基板１を左に傾け、エキシマレーザ９でレジストパタ
ーン５の右側を除去し、２回目めのレーザ照射工程は、
基板１を右に傾け左側を除去する。鍍金工程において、
鍍金パターン８ａを形成し、レジスト膜剥離工程におい
てレジストパターン５ａを剥離する。エッチング工程に
おいて、鍍金パターン８ａの下地になっている以外の金
属薄膜２を除去し、絶縁層形成工程において絶縁層とし
て感光性ポリイミド膜１１を形成する。 【効果】エッチング工程で金属薄膜残りを無くしてパタ
ーンショートの発生を防止でき、濡れ不良が原因の上の
導体層の凸や上下の導体層間でのショートを防止でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板のパター
ン形成方法に関する。
ン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線基板のパターン形成方法
は、レジストと鍍金を使用して配線パターンを作成して
いた。
は、レジストと鍍金を使用して配線パターンを作成して
いた。
【０００３】次に、従来例について図面を参照して説明
する。
する。
【０００４】図２は、従来の一例を示す工程図である。
【０００５】図２に示すように多層配線基板のパターン
形成方法は、図２（ａ）に示す基板１上に金属薄膜２を
形成する金属薄膜形成工程と、図２（ｂ）に示す金属薄
膜２上の全面にポジ型のレジスト膜３を形成するレジス
ト膜形成工程と、図２（ｃ）に示すレジスト膜３に所定
の部分を遮蔽したマスク４を介して紫外線９を照射する
紫外線照射工程と、図２（ｄ）に示す紫外線９を照射し
たレジスト膜３を現像して紫外線９が照射された部分の
レジスト膜３を除去するレジスト膜現像除去工程と、図
２（ｈ）に示すレジスト膜３が除去された部分に鍍金を
行い鍍金パターン８ｂを形成する鍍金工程と、図２
（ｉ）に示すレジスト膜３を剥離するレジスト膜剥離工
程と、図２（ｊ）に示す金属膜２をドライエッチングで
除去するエッチング工程と、図２（ｋ）に示す全体を絶
縁層で覆う絶縁層形成工程とから構成される。
形成方法は、図２（ａ）に示す基板１上に金属薄膜２を
形成する金属薄膜形成工程と、図２（ｂ）に示す金属薄
膜２上の全面にポジ型のレジスト膜３を形成するレジス
ト膜形成工程と、図２（ｃ）に示すレジスト膜３に所定
の部分を遮蔽したマスク４を介して紫外線９を照射する
紫外線照射工程と、図２（ｄ）に示す紫外線９を照射し
たレジスト膜３を現像して紫外線９が照射された部分の
レジスト膜３を除去するレジスト膜現像除去工程と、図
２（ｈ）に示すレジスト膜３が除去された部分に鍍金を
行い鍍金パターン８ｂを形成する鍍金工程と、図２
（ｉ）に示すレジスト膜３を剥離するレジスト膜剥離工
程と、図２（ｊ）に示す金属膜２をドライエッチングで
除去するエッチング工程と、図２（ｋ）に示す全体を絶
縁層で覆う絶縁層形成工程とから構成される。
【０００６】従来例の動作に関して図面を参照して説明
する。まず、最初に図２（ａ）に示す金属薄膜形成工程
において、鍍金下地用としてガラスエポキシやアルミナ
セラミック，ポリイミド等の基板１上に、スパッタリン
グ等により０．１〜０．５μｍの厚さでＴｉ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，ＣｒまたはＰｄ等の金属薄膜２を形成する。金属薄
膜２の形成が終了したならば、図２（ｂ）に示すレジス
ト膜形成工程において基板１全面に亘ってレジスト膜３
をスピンコート法によって形成して低温乾燥し、５〜１
５μｍ程度の厚さに形成する。レジスト膜３の形成が終
了したならば、図２（ｃ）に示す紫外線照射工程におい
て、レジスト膜３表面の所望の部分のみに光エネルギー
が照射するように、一部を遮蔽したマスク４を介して紫
外線９を照射する。紫外線照射が終了したならば、図２
（ｄ）に示すレジスト現像除去工程において、レジスト
膜３を現像し、感光部分を除去してレジストパターン５
を形成する。レジストパターン５の軸方向に垂直な断面
は、上辺が下辺より短かい台形に形成されている。図２
（ｈ）に示す鍍金工程において、レジストパターン５ｂ
間に鍍金を施して鍍金パターン８ｂを形成する。鍍金パ
ターン８ｂの軸方向に垂直な断面は、上辺が下辺より長
い台形に形成されている。図２（ｉ）に示すレジスト膜
剥離工程において、レジストパターン５ｂをメチル，エ
チル，ケトン等で剥離する。図２（ｊ）に示すエッチン
グ工程において、鍍金パターン８ｂの下地になっている
以外の金属薄膜２をイオンビームで除去する。図２
（ｋ）に示す絶縁層形成工程において、絶縁層として感
光性ポリイミド膜１１をスピンコート法によって形成す
る。
する。まず、最初に図２（ａ）に示す金属薄膜形成工程
において、鍍金下地用としてガラスエポキシやアルミナ
セラミック，ポリイミド等の基板１上に、スパッタリン
グ等により０．１〜０．５μｍの厚さでＴｉ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，ＣｒまたはＰｄ等の金属薄膜２を形成する。金属薄
膜２の形成が終了したならば、図２（ｂ）に示すレジス
ト膜形成工程において基板１全面に亘ってレジスト膜３
をスピンコート法によって形成して低温乾燥し、５〜１
５μｍ程度の厚さに形成する。レジスト膜３の形成が終
了したならば、図２（ｃ）に示す紫外線照射工程におい
て、レジスト膜３表面の所望の部分のみに光エネルギー
が照射するように、一部を遮蔽したマスク４を介して紫
外線９を照射する。紫外線照射が終了したならば、図２
（ｄ）に示すレジスト現像除去工程において、レジスト
膜３を現像し、感光部分を除去してレジストパターン５
を形成する。レジストパターン５の軸方向に垂直な断面
は、上辺が下辺より短かい台形に形成されている。図２
（ｈ）に示す鍍金工程において、レジストパターン５ｂ
間に鍍金を施して鍍金パターン８ｂを形成する。鍍金パ
ターン８ｂの軸方向に垂直な断面は、上辺が下辺より長
い台形に形成されている。図２（ｉ）に示すレジスト膜
剥離工程において、レジストパターン５ｂをメチル，エ
チル，ケトン等で剥離する。図２（ｊ）に示すエッチン
グ工程において、鍍金パターン８ｂの下地になっている
以外の金属薄膜２をイオンビームで除去する。図２
（ｋ）に示す絶縁層形成工程において、絶縁層として感
光性ポリイミド膜１１をスピンコート法によって形成す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多層配
線基板のパターン形成方法は、鍍金パターン８ｂの断面
の形状が、上方が広く下方が小さい台形に形成されるた
め、図２（ｊ）に示すエッチング工程で金属薄膜２を除
去する際、鍍金パターン８ｂ下部近辺の金属薄膜２が鍍
金パターン８ｂの上部の影になるので、イオンビームが
当らず金属薄膜残り１０が発生してパターンショートが
発生し易くなると共に図２（ｋ）に示す絶縁層形成工程
において、感光性ポリイミドとの濡れ不良１２が発生
し、濡れ不良１２のまま露光，現像，キュア工程を通す
と、図２（ｌ）に示すようにように、感光性ポリイミド
膜１１の絶縁膨れ１４や絶縁割れ１３が発生するので、
以後行う導体形成工程において、絶縁膨れ１４の場合は
上の導体層が凸になり、絶縁割れ１３の場合は上下の導
体層間でショートを起こすという問題点がある。
線基板のパターン形成方法は、鍍金パターン８ｂの断面
の形状が、上方が広く下方が小さい台形に形成されるた
め、図２（ｊ）に示すエッチング工程で金属薄膜２を除
去する際、鍍金パターン８ｂ下部近辺の金属薄膜２が鍍
金パターン８ｂの上部の影になるので、イオンビームが
当らず金属薄膜残り１０が発生してパターンショートが
発生し易くなると共に図２（ｋ）に示す絶縁層形成工程
において、感光性ポリイミドとの濡れ不良１２が発生
し、濡れ不良１２のまま露光，現像，キュア工程を通す
と、図２（ｌ）に示すようにように、感光性ポリイミド
膜１１の絶縁膨れ１４や絶縁割れ１３が発生するので、
以後行う導体形成工程において、絶縁膨れ１４の場合は
上の導体層が凸になり、絶縁割れ１３の場合は上下の導
体層間でショートを起こすという問題点がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板の
パターン形成方法は、基板上に金属薄膜を形成する金属
薄膜形成工程と、前記金属薄膜上の全面にポジ型のレジ
スト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト
膜に所定の部分を遮蔽した第１のマスクを介して紫外線
を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線を照射したレ
ジスト膜を現像して紫外線が照射された部分のレジスト
膜を除去するレジスト膜現像除去工程と、前記基板をレ
ジストパターンの軸を中心として傾け第２のマスクを介
してレーザを前記レジストパターンの軸方向に垂直な断
面の台形形状の上辺の各頂点から前記基板に垂直に降し
た線と前記台形の下辺とが交わる位置より内側に照射し
て除去する第１のレーザ照射工程と、前記第１のレーザ
照射工程と同じように基板を反対側に同じ角度で傾け同
じようにレーザを照射する第２のレーザ照射工程と、前
記レジスト膜が除去された部分に鍍金を行い鍍金パター
ンを形成する鍍金工程と、前記レジストパターンを剥離
するレジスト膜剥離工程と、前記金属膜をエッチングで
除去するエッチング工程と、前記基板，鍍金パターン，
金属膜を含む全体を絶縁層で覆う絶縁層形成工程とを含
んでいる。
パターン形成方法は、基板上に金属薄膜を形成する金属
薄膜形成工程と、前記金属薄膜上の全面にポジ型のレジ
スト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト
膜に所定の部分を遮蔽した第１のマスクを介して紫外線
を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線を照射したレ
ジスト膜を現像して紫外線が照射された部分のレジスト
膜を除去するレジスト膜現像除去工程と、前記基板をレ
ジストパターンの軸を中心として傾け第２のマスクを介
してレーザを前記レジストパターンの軸方向に垂直な断
面の台形形状の上辺の各頂点から前記基板に垂直に降し
た線と前記台形の下辺とが交わる位置より内側に照射し
て除去する第１のレーザ照射工程と、前記第１のレーザ
照射工程と同じように基板を反対側に同じ角度で傾け同
じようにレーザを照射する第２のレーザ照射工程と、前
記レジスト膜が除去された部分に鍍金を行い鍍金パター
ンを形成する鍍金工程と、前記レジストパターンを剥離
するレジスト膜剥離工程と、前記金属膜をエッチングで
除去するエッチング工程と、前記基板，鍍金パターン，
金属膜を含む全体を絶縁層で覆う絶縁層形成工程とを含
んでいる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は、本発明の一実施例を示す工程図で
ある。
ある。
【００１１】図１に示すように多層配線基板のパターン
形成方法は、従来例のレジスト膜現像除去工程と鍍金工
程との間に、第１（ｅ），第１（ｆ）に示すように基板
１を傾け、マスク７を介してレーザをレジストパターン
５の軸方向に垂直な断面の台形形状の上辺より下辺が短
かくなるように、上辺の各頂点から基板１に垂直に降し
た線と下辺とが交わる位置より内側に照射し、除去する
２回のレーザ照射工程を付加している。
形成方法は、従来例のレジスト膜現像除去工程と鍍金工
程との間に、第１（ｅ），第１（ｆ）に示すように基板
１を傾け、マスク７を介してレーザをレジストパターン
５の軸方向に垂直な断面の台形形状の上辺より下辺が短
かくなるように、上辺の各頂点から基板１に垂直に降し
た線と下辺とが交わる位置より内側に照射し、除去する
２回のレーザ照射工程を付加している。
【００１２】次に、本発明の動作に関して図面を参照し
て説明する。図２（ｄ）のレジスト膜現像除去工程終了
後、図１（ｅ）に示す１回目のレーザ照射工程は、基板
１をマスク７を介したエキシマレーザ６が、レジストパ
ターン５の断面の右上の頂点から基板１に垂直に降した
線と下辺とが交わる位置より内側に照射可能なように左
に傾け、レジストパターン５の右側を除去する。図１
（ｆ）に示す２回目めのレーザ照射工程は、基板１をマ
スク７を介したエキシマレーザ６が、レジストパターン
５の断面の左上の頂点から基板１に垂直に降した線と下
辺とが交わる位置より内側に照射可能なように右に傾
け、レジストパターン５の左側を除去する。左右共終了
すると、図１（ｇ）に示すレジストパターン５ａの軸方
向に垂直な断面は、上辺が下辺より長い台形に形成され
ている。
て説明する。図２（ｄ）のレジスト膜現像除去工程終了
後、図１（ｅ）に示す１回目のレーザ照射工程は、基板
１をマスク７を介したエキシマレーザ６が、レジストパ
ターン５の断面の右上の頂点から基板１に垂直に降した
線と下辺とが交わる位置より内側に照射可能なように左
に傾け、レジストパターン５の右側を除去する。図１
（ｆ）に示す２回目めのレーザ照射工程は、基板１をマ
スク７を介したエキシマレーザ６が、レジストパターン
５の断面の左上の頂点から基板１に垂直に降した線と下
辺とが交わる位置より内側に照射可能なように右に傾
け、レジストパターン５の左側を除去する。左右共終了
すると、図１（ｇ）に示すレジストパターン５ａの軸方
向に垂直な断面は、上辺が下辺より長い台形に形成され
ている。
【００１３】図１（ｈ）に示す鍍金工程において、レジ
ストパターン５ａ間に鍍金を施して鍍金パターン８ａを
形成する。鍍金パターン８ａの軸方向に垂直な断面は、
上辺が短く下辺が小さい台形に形成されている。図１
（ｉ）に示すレジスト膜剥離工程において、レジストパ
ターン５ａをメチル，エチル，ケトン等で剥離する。図
１（ｊ）に示すエッチング工程において、鍍金パターン
８ａの下地になっている以外の金属薄膜２をイオンビー
ムで除去する。図１（ｋ）に示す絶縁層形成工程におい
て、絶縁層として感光性ポリイミド膜１１をスピンコー
ト法によって形成する。
ストパターン５ａ間に鍍金を施して鍍金パターン８ａを
形成する。鍍金パターン８ａの軸方向に垂直な断面は、
上辺が短く下辺が小さい台形に形成されている。図１
（ｉ）に示すレジスト膜剥離工程において、レジストパ
ターン５ａをメチル，エチル，ケトン等で剥離する。図
１（ｊ）に示すエッチング工程において、鍍金パターン
８ａの下地になっている以外の金属薄膜２をイオンビー
ムで除去する。図１（ｋ）に示す絶縁層形成工程におい
て、絶縁層として感光性ポリイミド膜１１をスピンコー
ト法によって形成する。
【００１４】なお、本発明で一般的に使用されている赤
外領域を中心として発振するＮｄ：ＹＡＧレーザやＣＯ
2 レーザを使用しないのは、レジストが除去可能な出力
にすると、基板１が可視−近赤外線領域で透過性が良
く、赤外領域で吸収体であるため、基板１が破損するた
めである。しかし、エキシマレーザ９は紫外域を中心と
して発振するので基板１に吸収されず、高い量子エネル
ギーを有するので、低出力でも光化学反応を使用してレ
ジストを分解除去が可能である。
外領域を中心として発振するＮｄ：ＹＡＧレーザやＣＯ
2 レーザを使用しないのは、レジストが除去可能な出力
にすると、基板１が可視−近赤外線領域で透過性が良
く、赤外領域で吸収体であるため、基板１が破損するた
めである。しかし、エキシマレーザ９は紫外域を中心と
して発振するので基板１に吸収されず、高い量子エネル
ギーを有するので、低出力でも光化学反応を使用してレ
ジストを分解除去が可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エキシマ
レーザを使用してレジストパターンの軸方向に垂直な断
面を上辺が下辺より長い台形にして鍍金パターンの軸方
向に垂直な断面を上辺が下辺より短い台形にすることに
より、エッチング工程で金属薄膜残りを無くすことがで
きるのでパターンショートの発生を防止できると共に、
絶縁層形成工程において鍍金パターンと感光性ポリイミ
ド膜との濡れ性が改善できるので、濡れ不良のまま露
光，現像，キュア工程を通すと起きる絶縁膨れや絶縁割
れの発生を防止し、それにより上の導体層の凸や上下の
導体層間でのショートを防止できる効果がある。
レーザを使用してレジストパターンの軸方向に垂直な断
面を上辺が下辺より長い台形にして鍍金パターンの軸方
向に垂直な断面を上辺が下辺より短い台形にすることに
より、エッチング工程で金属薄膜残りを無くすことがで
きるのでパターンショートの発生を防止できると共に、
絶縁層形成工程において鍍金パターンと感光性ポリイミ
ド膜との濡れ性が改善できるので、濡れ不良のまま露
光，現像，キュア工程を通すと起きる絶縁膨れや絶縁割
れの発生を防止し、それにより上の導体層の凸や上下の
導体層間でのショートを防止できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の工程図である。
【図２】従来例の工程図である。
１ 基板 ２ 金属薄膜 ５，５ａ レジストパターン ６ エキシマレーザ ７ マスク ８ａ 鍍金パターン １１ 感光性ポリイミド
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に金属薄膜を形成する金属薄膜形
成工程と、前記金属薄膜上の全面にポジ型のレジスト膜
を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所
定の部分を遮蔽した第１のマスクを介して紫外線を照射
する紫外線照射工程と、前記紫外線を照射したレジスト
膜を現像して紫外線が照射された部分のレジスト膜を除
去するレジスト膜現像除去工程と、前記基板をレジスト
パターンの軸を中心として傾け第２のマスクを介してレ
ーザを前記レジストパターンの軸方向に垂直な断面の台
形形状の上辺の各頂点から前記基板に垂直に降した線と
前記台形の下辺とが交わる位置より内側に照射して除去
する第１のレーザ照射工程と、前記第１のレーザ照射工
程と同じように基板を反対側に同じ角度で傾け同じよう
にレーザを照射する第２のレーザ照射工程と、前記レジ
スト膜が除去された部分に鍍金を行い鍍金パターンを形
成する鍍金工程と、前記レジストパターンを剥離するレ
ジスト膜剥離工程と、前記金属膜をエッチングで除去す
るエッチング工程と、前記基板，鍍金パターン，金属膜
を含む全体を絶縁層で覆う絶縁層形成工程とを含むこと
を特徴とする多層配線基板のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026892A JPH05251864A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 多層配線基板のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026892A JPH05251864A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 多層配線基板のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251864A true JPH05251864A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12854218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5026892A Withdrawn JPH05251864A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 多層配線基板のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769142B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 형성방법 |
| JP2015233085A (ja) * | 2014-06-10 | 2015-12-24 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
| US10692805B2 (en) | 2018-01-02 | 2020-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
| US11035988B1 (en) * | 2018-05-22 | 2021-06-15 | Facebook Technologies, Llc | Tunable shrinkage process for manufacturing gratings |
| US11262495B1 (en) | 2017-10-04 | 2022-03-01 | Facebook Technologies, Llc | Waveguides with high refractive index gratings manufactured by post-patterning infusion |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP5026892A patent/JPH05251864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769142B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 형성방법 |
| JP2015233085A (ja) * | 2014-06-10 | 2015-12-24 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
| US9859201B2 (en) | 2014-06-10 | 2018-01-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate, semiconductor device, and method for manufacturing wiring substrate |
| US11262495B1 (en) | 2017-10-04 | 2022-03-01 | Facebook Technologies, Llc | Waveguides with high refractive index gratings manufactured by post-patterning infusion |
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| US11035988B1 (en) * | 2018-05-22 | 2021-06-15 | Facebook Technologies, Llc | Tunable shrinkage process for manufacturing gratings |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |