JP2001352137A - 配線回路基板 - Google Patents

配線回路基板

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な構成により、金属端子層と金属支持層
との間の短絡を確実に防止でき、接続信頼性および耐電
圧特性の向上を図ることのできる配線回路基板を提供す
ること。 【解決手段】 支持基板１２の上にベース層１３が形成
され、ベース層１３の上に導体層１４が形成されてお
り、支持基板１２およびベース層１３が開口されること
により導体層１４の表面が露出され、それら支持基板１
２の開口部３４およびベース層１３の開口部３５におい
て露出する導体層１４の表面に、金属めっき層１９が形
成されている、配線回路基板において、金属めっき層１
９の周端縁と支持基板１２の開口部３４の周端縁との間
に、所定の間隔が設けられるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線回路基板、詳
しくは、回路付サスペンション基板に好適に用いられ
る、配線回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクドライブに用いられる回
路付サスペンション基板は、例えば、図１１（ｄ）に示
すように、ステンレス箔からなる支持基板１と、その支
持基板１の上に形成される絶縁体からなるベース層２
と、そのベース層２の上に、所定の回路パターンとして
形成される導体層３と、その導体層３を被覆する絶縁体
からなるカバー層４とを備えている。
【０００３】また、このような回路付サスペンション基
板の端子５は、近年の電子機器の高密度化および小型化
に対応すべく、導体層３の片面だけではなく、その両面
に形成される、例えば、いわゆるフライングリードとし
て形成されるものが普及されつつある。
【０００４】すなわち、この端子５は、図１１（ａ）に
示すように、まず、カバー層４における端子５を形成す
るための開口部７を、フォトレジストなどでカバー層４
を形成する時に同時に開口形成して、導体層３の表面を
露出させ、次いで、図１１（ｂ）に示すように、支持基
板１における端子５を形成するための開口部８を、化学
エッチングなどにより形成し、続いて、図１１（ｃ）に
示すように、この支持基板１をマスクとして、その開口
部８内において露出するベース層２をプラズマエッチン
グなどにより開口して、ベース層２における端子５を形
成するための開口部９を形成し、これによって、導体層
３の裏面を露出させ、その後、図１１（ｄ）に示すよう
に、このように露出された導体層３の両面に、金属めっ
き層６を形成することによって、形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て形成される金属めっき層６は、支持基板１をマスクと
して開口されるベース層２の開口部９の全面において露
出する導体層３の全面に形成されているため、金属めっ
き層６の周端縁とベース層２の開口部９の周端縁との間
には隙間がなく、そのため、金属めっき層６の周端縁と
支持基板１の開口部８の周端縁との間についても、その
厚さ方向においては、隙間なく形成されている。したが
って、金属めっき層６は、その厚さなどによっては、支
持基板１の開口部８の端縁に接触してしまうことがあ
り、金属めっき層６と支持基板１との接触により短絡を
生じるおそれがある。
【０００６】なお、ベース層２の開口部９は、支持基板
１の開口部８をマスクとして形成されているので、図１
１（ｄ）に示すように、実際には、支持基板１の開口部
８よりも、やや広く形成されることもあり、このような
金属めっき層６と支持基板１との接触による短絡が生じ
る可能性はより大きい。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、簡易な構成により、
金属端子層と金属支持層との間の短絡を確実に防止で
き、接続信頼性および耐電圧特性の向上を図ることので
きる配線回路基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、金属支持層の上に絶縁層が形成され、前
記絶縁層の上に導体層が形成されており、前記金属支持
層および前記絶縁層が開口されることにより前記導体層
の表面が露出され、それら前記金属支持層および前記絶
縁層の開口部において露出する導体層の表面に、金属端
子層が形成されている、配線回路基板において、前記金
属端子層の端縁と前記金属支持層の開口部の端縁との間
に、所定の間隔が設けられていることを特徴としてい
る。
【０００９】このような構成によると、金属端子層の端
縁と、金属支持層の開口部の端縁との間に、所定の間隔
が設けられているので、それら金属端子層の端縁と金属
支持層の開口部の端縁との接触を確実に防止することが
できる。そのため、金属端子層と金属支持層との間の接
触による短絡を確実に防止することができ、接続信頼性
および耐電圧特性を向上させることができる。
【００１０】また、本発明においては、前記導体層にお
いて、前記金属端子層を形成するための端子形成部分
が、前記導体層における他の部分に対して、前記金属支
持層側に凹んでいることが好ましい。
【００１１】導体層における金属端子層を形成するため
の端子形成部分が、導体層における他の部分に対して金
属支持層側に凹んでいると、金属支持層の表面から金属
端子層の表面までの距離が、他の部分に対して凹んだ分
だけ短くなり、金属端子層が、その分、金属支持層の外
側よりに配置されるので、例えば、外部回路の接続用端
子との接続において、金属端子層にその接続用端子を重
ね合わせて、ボンディングツールにより超音波振動を与
えて接続するような場合においては、良好な圧着性を確
保することができ、接続信頼性をより一層向上させるこ
とができる。
【００１２】そして、本発明の配線回路基板は、回路付
サスペンション基板として好適に用いることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の配線回路基板の
一実施形態としての回路付サスペンション基板を示す斜
視図である。この回路付サスペンション基板１１は、ハ
ードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装
して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクと
が相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスク
との間に微小な間隔を保持しながら支持するものであ
り、磁気ヘッドと、外部の回路としてのリード・ライト
基板とを接続するための配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、
１４ｄが、所定の回路パターンとして一体に形成されて
いる。
【００１４】図１において、この回路付サスペンション
基板１１は、長手方向に延びる金属支持層としての支持
基板１２の上に、絶縁体からなる絶縁層としてのベース
層１３が形成されており、そのベース層１３の上に、所
定の回路パターンとして形成される導体層１４が形成さ
れている。なお、この回路パターンは、互いに所定の間
隔を隔てて平行状に配置される複数の配線１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄとして形成されている。
【００１５】支持基板１２の先端部には、その支持基板
１２を切り込むことによって、磁気ヘッドを実装するた
めのジンバル１５が形成されている。また、その支持基
板１２の先端部には、磁気ヘッドと各配線１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄとを接続するための磁気ヘッド側接
続端子１６が形成されるとともに、支持基板１２の後端
部には、リード・ライト基板と各配線１４ａ、１４ｂ、
１４ｃ、１４ｄとを接続するための外部側接続端子１７
が形成されている。なお、図１においては、図示されて
いないが、実際には、導体層１４の上には、絶縁体から
なるカバー層１８が被覆されている。
【００１６】そして、この回路付サスペンション基板１
１において、例えば、図２に示すように、磁気ヘッド側
接続端子１６および外部側接続端子１７は、カバー層１
８を開口して導体層１４の表面を露出させるとともに、
金属基板１２およびベース層１３を開口して導体層３の
裏面を露出させることにより、導体層１４の両面を露出
させて、この露出した導体層１４の両面に、金属端子層
としての金属めっき層１９が形成されることにより、両
面が露出した端子、例えば、いわゆるフライングリード
として形成されている。なお、図２においては、後述す
る下地２０および金属皮膜２２は省略されている。
【００１７】次に、このような回路付サスペンション基
板１１を製造する方法について、図３〜図６を参照して
説明する。なお、図３〜図６においては、その右側に、
回路付サスペンション基板１１における磁気ヘッド側接
続端子１６および外部側接続端子１７が形成される部分
を、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの長手方向
に沿う断面として示し、その左側に、回路付サスペンシ
ョン基板１１の長手方向途中を、各配線１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄの長手方向に直交する方向に沿う断
面の一部として示している。
【００１８】まず、図３に示すように、支持基板１２を
用意して、その支持基板１２の上に、所定のパターンで
ベース層１３を形成する。支持基板１２としては、金属
箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ス
テンレス、４２アロイなどが好ましく用いられる。ま
た、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３
０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２
５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。
【００１９】また、ベース層１３を形成するための絶縁
体としては、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹
脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエ
ーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹
脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性
樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさら
に好ましく用いられる。
【００２０】そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を
用いて、支持基板１２の上に、所定のパターンでベース
層１３を形成する場合には、まず、図３（ａ）に示すよ
うに、予め用意された支持基板１２上に、図３（ｂ）に
示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、
その支持基板１２の全面に塗工した後、例えば、６０〜
１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱すること
により、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１３ａを
形成する。
【００２１】次に、図３（ｃ）に示すように、その皮膜
１３ａを、フォトマスク２４および３２を介して露光さ
せ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現
像することにより、皮膜１３ａを所定のパターンとす
る。なお、露光のための照射光は、その露光波長が、３
００〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍであ
ることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜１０
００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、２００〜７００ｍＪ／ｃ
ｍ２であることが好ましい。また、照射された皮膜１３
ａの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で
加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポ
ジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で
加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネ
ガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液な
どの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの
公知の方法により行なえばよい。なお、この方法におい
ては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図３に
おいては、ネガ型でパターンニングする態様として示さ
れている。
【００２２】次いで、図３（ｄ）に示すように、このよ
うにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮
膜１３ａを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱する
ことによって、硬化（イミド化）させ、これによって、
感光性ポリイミドからなるベース層１３を所定のパター
ンで形成する。
【００２３】そして、この方法においては、このよう
に、支持基板１２の上に所定のパターンでベース層１３
を形成する工程において、磁気ヘッド側接続端子１６お
よび外部側接続端子１７を形成するために、後の工程に
おいて開口され、導体層１４を露出させるための開口部
分３１の厚さを、ベース層１３における開口部分３１以
外の他の部分の厚さよりも薄く形成する。
【００２４】ベース層１３における開口部分３１の厚さ
を、その他の部分の厚さよりも薄く形成するには、例え
ば、皮膜１３ａにおける開口部分３１の照射光の透過率
と、他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成さ
れているフォトマスク３２を用いて、このフォトマスク
３２を、カバー層１３における開口部分３１の上に配置
して、このフォトマスク３２を介して皮膜１３ａを露光
させて、皮膜１３ａにおける開口部分３１と他の部分と
を、異なる露光量で露光させ、これを現像および硬化さ
せればよい。
【００２５】このようなフォトマスク３２を用いて、皮
膜１３ａにおける開口部分３１と他の部分とを、異なる
露光量で露光させることにより、簡易かつ確実に、開口
部分３１の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成するこ
とができる。
【００２６】より具体的には、図３（ｃ）および図３
（ｄ）に示すように、ネガ型でパターンニングする場合
には、皮膜１３ａにおける開口部分３１の照射光の透過
率が他の部分の照射光よりも低減するように（好ましく
は他の部分の８０％以下に）構成されているフォトマス
ク３２を用いて、図３（ｃ）に示すように、このフォト
マスク３２を、ベース層１３における開口部分３１の上
に配置して、フォトマスク３２を介して皮膜１３ａを露
光させ、これによって、皮膜１３ａにおける開口部分３
１の露光量が、他の部分の露光量よりも低減されるよう
に露光すればよい。そして、これを、上記したように、
現像および硬化させれば、図３（ｄ）に示すように、ベ
ース層１３における開口部分３１の厚さを、その他の部
分の厚さよりも薄く形成することができる。
【００２７】フォトマスク３２を、開口部分３１の照射
光の透過率と他の部分の照射光の透過率とが異なるよう
に構成するには、例えば、フォトマスク３２における開
口部分３１に対応する部分の表面を微細に荒らすことに
より、その表面での乱反射成分を増加させて、その部分
における透過光成分を減少させるように構成するか、あ
るいは、例えば、フォトマスク３２における開口部分３
１に対応する部分の表面に、照射光を吸収するフィルム
を貼着して、その部分における透過光成分を減少させる
ように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク３
２における開口部分３１に対応する部分の表面に、光透
過部分および遮光部分のパターンを形成して、その部分
における透過光成分を減少させるように構成すればよ
い。
【００２８】さらに、例えば、所定の金属薄膜のパター
ンが形成されているフォトマスク３２において、開口部
分３１に対応する部分の表面に、上記の金属薄膜よりも
厚みの薄い金属薄膜を形成して、その部分における透過
光成分を減少させるように構成してもよい。すなわち、
このようなフォトマスク３２は、例えば、開口部分３１
に対応する部分には、金属薄膜が形成されていないフォ
トマスク３２（従来のフォトマスク）を形成し、次い
で、その開口部分３１のみが露出するように、そのフォ
トマスク３２の上にレジストを形成して、上記の金属薄
膜より厚みが薄いクロムなどの金属薄膜を蒸着またはめ
っきにより形成し、その後、レジストを剥離することに
より形成することができる。
【００２９】これらのフォトマスク３２を用いれば、１
回の露光により確実に開口部分３１の露光量を調節する
ことができる。
【００３０】これらのうちでは、開口部分３１に対応す
る部分の表面に、光透過部分および遮光部分のパターン
を形成することが好ましく、より具体的には、例えば、
図７〜図１０に示すフォトマスク３２ａ、３２ｂ、３２
ｃ、３２ｄを用いることが好ましい。
【００３１】すなわち、図７〜図１０に示すフォトマス
ク３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄは、厚さ２〜５ｍｍ
の石英ガラスやソーダガラスなどの板状のガラスからな
り、そのガラスにおける開口部分３１に対応する部分
に、透過率がその他の部分の透過率よりも低減するよう
な金属薄膜のパターンが形成されている。このような金
属薄膜のパターンは、例えば、まず、ガラスの全面に、
クロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっきした後、その
金属薄膜を、レーザーや電子ビームなどを用いてパター
ン化することにより形成すればよい。このようなフォト
マスク３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを用いれば、簡
易な構成で、露光の調整を確実に行なうことができる。
【００３２】例えば、図７に示すフォトマスク３２ａで
は、開口部分３１に対応する部分において、光透過部分
および遮光部分のパターンとして、６μｍ以下のピッチ
（各光透過部分および各遮光部分の幅）の縞状の繰り返
しパターンが形成されており、その開口部分３１の平均
透過率が、その他の部分に対して約５０％とされてい
る。
【００３３】また、例えば、図８に示すフォトマスク３
２ｂでは、開口部分３１に対応する部分において、光透
過部分および遮光部分のパターンとして、６μｍ以下の
ピッチ（各光透過部分および各遮光部分の幅）の格子状
の繰り返しパターンが形成されており、その開口部分３
１の平均透過率が、その他の部分に対して約２５％とさ
れている。
【００３４】また、例えば、図９に示すフォトマスク３
２ｃでは、開口部分３１に対応する部分において、光透
過部分および遮光部分のパターンとして、直径６μｍ以
下の円形の光透過部分が、それ以外の遮光部分に対して
千鳥状に配列されており、その開口部分３１の平均透過
率が、その他の部分に対して約２５％とされている。
【００３５】また、例えば、図１０に示すフォトマスク
３２ｄでは、開口部分３１に対応する部分において、光
透過部分および遮光部分のパターンとして、直径６μｍ
以下の円形の遮光部分が、それ以外の光透過部分に対し
て千鳥状に配列されており、その開口部分３１の平均透
過率が、その他の部分に対して約７０％とされている。
【００３６】これら図７〜図１０に示すフォトマスク３
２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄのなかでは、図７〜図９
に示すフォトマスク３２ａ、３２ｂ、３２ｃのように、
光透過部分の幅、すなわち、ピッチまたは円の直径が、
６μｍ以下とされているものが好ましい。６μｍ以下で
あると、露光波長が、上記したように３００〜４５０ｎ
ｍの場合には、その照射光が開口部分３１に均一に照射
され、開口部分３１の厚さを均一に薄くすることができ
る。なお、６μｍを超えると、照射光の分解能が上が
り、開口部分３１に凹凸が生じて厚さが不均一となり、
後の工程において均一にエッチングできない場合があ
る。光透過部分の幅は、４μｍ以下、とりわけ、３μｍ
以下とされているものがさらに好ましい。
【００３７】また、開口部分３１の平均透過率は、その
他の部分に対して５０％以下、さらには、２５％以下と
されているものが好ましい。
【００３８】なお、このようなフォトマスク３２は、上
記したパターンニングに用いられるフォトマスク２４と
一体として形成されていてもよく、また、別体として形
成されていてもよい。
【００３９】また、ポジ型でパターンニングする場合に
は、フォトマスク３２を、開口部分３１の照射光の透過
率を、その他の部分の照射光の透過率よりも増加させる
ように構成すればよい。
【００４０】また、ベース層１３における開口部分３１
の厚さを、その他の部分の厚さよりも薄く形成する方法
としては、上記したように、開口部分３１の照射光の透
過率と他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成
されているフォトマスク３２を用いる他、例えば、パタ
ーンが異なる複数のフォトマスクを用いて、開口部分３
１を露光する時と、露光しない時との、少なくとも２回
以上の露光を順次行なうようにしてもよい。
【００４１】さらに、ベース層１３の形成において、感
光性樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板１２の
上に、樹脂を、所定のパターンで、塗工またはドライフ
ィルムとして積層すればよく、この場合において、ベー
ス層１３における開口部分３１の厚さを、ベース層１３
におけるその他の部分の厚さよりも薄く形成するには、
例えば、樹脂の積層を複数回に分けて行ない、開口部分
３１の積層回数を、その他の部分の積層回数よりも少な
くなるようにすればよい。
【００４２】このようにして形成されるベース層１３の
厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０
μｍであり、通常、１０μｍ程度である。そして、ベー
ス層１３における開口部分３１の厚さは、通常、その他
の部分の厚みの８０％以下であり、例えば、８μｍ以
下、さらには、５μｍ以下であることが好ましい。開口
部分３１の厚さが８μｍ以下であると、上記したよう
に、他の部分の厚さが、通常１０μｍである場合には、
２μｍ分について、後の工程において、開口に要する時
間の短縮を図ることができる。
【００４３】なお、ベース層１３における開口部分３１
の厚さの下限は、支持基板１２を開口する時に導体層１
４のバリヤ層として作用し得る最低限の厚さでよく、例
えば、３μｍ、さらには、１μｍ程度でよい。したがっ
て、ベース層１３における開口部分３１の厚さは、例え
ば、０．１〜８μｍ、さらには、１．０〜５μｍである
ことが好ましい。
【００４４】次いで、このベース層１３の上に、所定の
回路パターンで導体層１４を形成する。所定の回路パタ
ーンとして形成する導体層１４は、導体からなり、その
ような導体としては、特に制限されず、例えば、銅、ニ
ッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いら
れ、好ましくは、銅が用いられる。また、所定の回路パ
ターンで導体層１４を形成するには、ベース層１３の表
面に、導体層１４を、例えば、サブトラクティブ法、ア
ディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパター
ンニング法によって、所定の回路パターンとして形成す
ればよい。
【００４５】サブトラクティブ法では、まず、ベース層
１３の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体
層１４を積層し、次いで、この導体層１４の上に、所定
の回路パターンに対応させてエッチングレジストを形成
し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層
１４をエッチングして、その後に、エッチングレジスト
を除去するようにする。
【００４６】また、アディティブ法では、まず、ベース
層１３の上に、所定の回路パターンと逆パターンでめっ
きレジストを形成して、次いで、ベース層１３における
めっきレジストが形成されていない表面に、めっきによ
り、所定の回路パターンとして導体層１４を形成し、そ
の後に、めっきレジストを除去するようにする。
【００４７】また、セミアディティブ法では、まず、ベ
ース層１３の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次
いで、この下地の上に、所定の回路パターンと逆パター
ンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっき
レジストが形成されていない表面に、めっきにより、所
定の回路パターンとして導体層１４を形成し、その後
に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層さ
れていた下地を除去するようにする。
【００４８】これらのパターンニング法のなかでは、図
４に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いら
れる。すなわち、まず、図４（ａ）に示すように、支持
基板１２およびベース層１３の全面に、下地２０となる
導体の薄膜を形成する。下地２０の形成は、真空蒸着
法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。
また、下地２０となる導体は、クロムや銅などが好まし
く用いられる。より具体的には、例えば、支持基板１２
およびベース層１３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とを
スパッタ蒸着法によって、順次形成することが好まし
い。なお、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅
薄膜の厚さが、５００〜２０００Åであることが好まし
い。
【００４９】次いで、図４（ｂ）に示すように、その下
地２０の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめっ
きレジスト２１を形成する。めっきレジスト２１は、例
えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法
により、所定のレジストパターンとして形成すればよ
い。次いで、図４（ｃ）に示すように、下地２０におけ
るめっきレジスト２１が形成されていない部分に、めっ
きにより、所定の回路パターンの導体層１４を形成す
る。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでも
よいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電
解銅めっきが好ましく用いられる。なお、この回路パタ
ーンは、例えば、図１に示されるように、互いに所定の
間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線１４ａ、
１４ｂ、１４ｃ、１４ｄパターンとして形成される。導
体層１４の厚さは、例えば、２〜１５μｍ、好ましく
は、５〜１０μｍであり、各配線１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄの幅は、例えば、１０〜５００μｍ、好まし
くは、３０〜２００μｍであり、各配線１４ａ、１４
ｂ、１４ｃ、１４ｄ間の間隔は、例えば、１０〜２００
μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
【００５０】そして、図４（ｄ）に示すように、めっき
レジスト２１を、例えば、化学エッチング（ウェットエ
ッチング）などの公知のエッチング法、または剥離によ
って除去した後、図４（ｅ）に示すように、めっきレジ
スト２１が形成されていた下地２０を、同じく、化学エ
ッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング
法により除去する。これによって、ベース層１３の上
に、導体層１４が所定の回路パターンとして形成され
る。
【００５１】このようにして形成された導体層１４は、
ベース層１３における開口部分３１が、ベース層１３に
おける他の部分よりも薄く形成されていることから、開
口部分３１の上に形成される部分、すなわち、後の工程
において金属めっき層１９が形成される端子形成部分３
６が、導体層１４における他の部分に対して、支持基板
１２側に、その薄くなった厚さ分、凹むように形成され
る。
【００５２】次いで、図５に示すように、導体層１４の
表面を金属皮膜２２により保護した後、この導体層１４
を、絶縁体からなるカバー層１８により被覆する。すな
わち、まず、図５（ａ）に示すように、導体層１４の表
面、および、支持基板１２の表面に、金属皮膜２２を形
成する。この金属皮膜２２は、無電解ニッケルめっきに
よって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ま
しく、その厚みは、導体層１４の表面が露出しない程度
であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍ程度であ
ればよい。
【００５３】次いで、導体層１４を被覆するためのカバ
ー層１８を、所定のパターンとして形成する。カバー層
１８を形成するための絶縁体としては、ベース層１３と
同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミ
ド樹脂が用いられる。
【００５４】そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を
用いて、カバー層１８を形成する場合には、図５（ｂ）
に示すように、ベース層１３および金属薄膜２２の上
に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、その全面
に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、
８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミ
ド樹脂の前駆体の皮膜１８ａを形成し、次に、図５
（ｃ）に示すように、その皮膜１８ａを、フォトマスク
２５を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温
度に加熱した後、現像することにより、皮膜１８ａによ
って、導体層１４が被覆されるようにパターン化する。
【００５５】なお、図５（ｃ）および図５（ｄ）に示す
ように、このパターン化においては、磁気ヘッド側接続
端子１６および外部側接続端子１７が形成される部分に
は、導体層１４の端子形成部分３６の表面に形成される
金属薄膜２２が露出するように開口部３３を形成する。
この開口部３３は、導体層１４の端子形成部分３６に対
向させて、同じ大きさおよび形で形成すればよい。
【００５６】また、この露光および現像の条件は、ベー
ス層１３を露光および現像する条件と同様の条件でよ
い。なお、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図
５においては、ネガ型でパターンニングする態様として
示されている。
【００５７】そして、このようにしてパターン化された
ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１８ａを、図５（ｄ）に
示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱する
ことによって、硬化（イミド化）させ、これによって、
ポリイミド樹脂からなるカバー層１８を、導体層１４の
上に形成する。なお、カバー層１８の厚さは、例えば、
１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
【００５８】次いで、図６に示すように、磁気ヘッド側
接続端子１６および外部側接続端子１７を、両面が露出
した端子、例えば、いわゆるフライングリードとして形
成する。
【００５９】磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接
続端子１７を、両面が露出した端子として形成するに
は、まず、図６（ａ）に示すように、支持基板１２にお
ける磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１
７が形成される部分、すなわち、カバー層１８の開口部
３３に対向する部分にベース層１３の開口部分３１が露
出するように開口部３４を形成する。この開口部３４の
形成は、公知の方法でよく、例えば、支持基板１２にお
ける開口部３４を形成する部分以外をすべてマスキング
した後に、化学エッチングすればよい。また、この開口
部３４は、ベース層１３における開口部分３１を含むよ
うにして、その開口部分３１よりも大きく形成する。
【００６０】なお、この開口部３４の形成と同時に、化
学エッチングによりジンバル１５を所定の形状に切り抜
くようにする。
【００６１】次いで、図６（ｂ）に示すように、カバー
層１８が開口されることにより露出している金属薄膜２
２を剥離する。なお、これと同時に、支持基板１２の上
に形成されている金属薄膜２２も剥離する。
【００６２】そして、図６（ｃ）に示すように、支持基
板１２の開口部３４内において露出している開口部分３
１を含むベース層１３に、導体層１４の端子形成部分３
６の裏面に形成される下地２０が露出するように開口部
３５を形成する。この開口部３５の形成は、公知の方法
でよいが、エッチング、とりわけ、プラズマエッチング
により形成することが好ましい。エッチングによれば、
ベース層１３の露出面から、導体層１４の端子形成部分
３６の裏面に形成される下地２０までの間のベース層１
３を、正確に削ることができ、後の工程において、端子
形成部分３６の裏面を損傷させることなく、確実に露出
させることができる。
【００６３】このプラズマエッチングでは、支持基板１
２をマスクとして、その支持基板１２の開口部３４に露
出する、開口部分３１を含むベース層１３全体をエッチ
ングすればよく、例えば、所定のガスを封入した雰囲気
下で対向電極間に、サンプルを配置して、高周波プラズ
マを発生させるようにする。所定のガスとしては、例え
ば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＦ
４、ＮＦ３などが用いられる。好ましくは、Ａｒ、
Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３が用いられる。これらのガスは、
所定の割合で混合して用いてもよい。また、そのガス圧
（真空度）は、例えば、０．５〜２００Ｐａ、好ましく
は、１０〜１００Ｐａである。また、高周波プラズマを
発生させる条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨ
ｚ〜２０ＭＨｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨ
ｚであり、処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ
２、好ましくは、１〜５Ｗ／ｃｍ２である。周波数が１
０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであると、プラズマエッチング
装置のマッチング（抵抗値のチューニング）がとりやす
くなる。そして、このような雰囲気条件下において、例
えば、０〜１２０℃、好ましくは、１０〜８０℃に温度
管理された電極上にサンプルを配置して、ベース層１３
をエッチングする厚さに相当する所定の時間処理すれば
よい。
【００６４】そして、このようにして形成されるベース
層１３の開口部３５は、支持基板１２をマスクとして形
成されるので、支持基板１２の開口部３４と同じ大きさ
および形で形成される。したがって、この開口部３５
は、導体層１４における端子形成部分３６よりも大きく
形成され、ベース層１３の開口部３５に露出する端子形
成部分３６の裏面に形成される下地２０の周端縁と、支
持基板１２の開口部３４の周端縁との間には、その厚さ
方向において所定の間隔が設けられる。
【００６５】その後、図６（ｄ）に示すように、ベース
層１３の開口部３５に露出する下地２０を剥離すること
によって、導体層１４の端子形成部分３６の裏面を露出
させ、次いで、図６（ｅ）に示すように、このように露
出している導体層１４の端子形成部分３６の両面に、金
属めっき層１９を、めっきにより同時に形成する。これ
によって、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続
端子１７が、両面が露出した状態で形成される。金属め
っき層１９の形成は、特に制限されず、電解めっきおよ
び無電解めっきのいずれの方法を用いてもよく、また、
めっきに用いる金属も、特に制限されず、公知の金属を
用いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっき
と電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめ
っき層２６の上に金めっき層２７を形成する。なお、ニ
ッケルめっき層２６および金めっき層２７の厚さは、い
ずれも、１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００６６】このようにして形成された金属めっき層１
９は、その金属めっき層１９の周端縁と、ベース層１３
の開口部３５および支持基板１２の開口部３４の周端縁
との間に、所定の間隔が隔てられている。
【００６７】このような方法により回路付サスペンショ
ン基板１１を製造すると、ベース層１３を形成する工程
において、端子形成部分３６を露出させるための開口部
分３１の厚さをベース層１３における他の部分の厚さよ
りも薄く形成するので、磁気ヘッド側接続端子１６およ
び外部側接続端子１７を形成する工程において、その開
口部分３１をエッチングする時には、他の部分の厚さよ
りも薄くなっている分、導体層１４における端子形成部
分３６を露出させるためにエッチングする時間を短縮す
ることができる。そのため、導体層１４の端子形成部分
３６を短時間で露出させることができ、磁気ヘッド側接
続端子１６および外部側接続端子１７を、両面が露出し
た状態で効率よく形成することができる。
【００６８】したがって、このような方法によれば、回
路付サスペンション基板を生産効率よく製造することが
でき、低コストで提供することができる。
【００６９】また、この方法では、ベース層１３の開口
部３５および支持基板１２の開口部３４が、導体層１４
の端子形成部分３６よりも大きく形成されているので、
金属めっき層１９の周端縁と、ベース層１３の開口部３
５および支持基板１２の開口部３４の周端縁との間に
は、所定の間隔が設けられている。そのため、例えば、
接続信頼性を向上させるべく金属めっき層１９を厚く形
成しても、金属めっき層１９の周端縁と支持基板１２の
開口部３４の周端縁とが接触することがなく、金属めっ
き層１９と支持基板１２との間の接触による短絡を確実
に防止することができる。そのため、回路付サスペンシ
ョン基板１１の接続信頼性および耐電圧特性の向上を図
ることができる。
【００７０】なお、金属めっき層１９の周端縁と支持基
板１２の開口部３４の周端縁との間の間隔（図２におい
て、間隔ａで示される。）を、少なくとも１μｍ以上、
好ましくは、２〜４０μｍ程度として形成することが好
ましい。
【００７１】また、この方法においては、ベース層１３
における開口部分３１が、ベース層１３における他の部
分よりも薄く形成されていることから、その開口部分３
１の上に形成される端子形成部分３６が、導体層１４に
おける他の部分に対して、支持基板１２側に、その薄く
なった厚さ分、凹むように形成される。そのため、支持
基板１２の表面から金属めっき層１９の表面までの距離
が、他の部分に対して凹んだ分だけ短くなり、金属めっ
き層１９が、その分、支持基板１２の外側よりに配置さ
れるので、例えば、磁気ヘッドやリード・ライト基板の
接続用端子との接続において、金属めっき層１９にその
接続用端子を重ね合わせて、ボンディングツールにより
超音波振動を与えて接続するような場合においては、良
好な圧着性を確保することができ、接続信頼性をより一
層向上させることができる。
【００７２】なお、金属めっき層１９の表面と、ベース
層１３および支持基板１２の界面との間の厚さ方向にお
ける間隔（図２において、間隔ｂで示される。）が、±
６μｍ、さらには、±２μｍとなるように形成すること
が好ましい。
【００７３】なお、以上の説明において、本実施形態の
回路付サスペンション基板では、導体層１４における端
子形成部分３６を、他の部分に対して凹ませるととも
に、支持基板１２の開口部３４を、導体層１４の端子形
成部分３６よりも大きく形成することにより、金属めっ
き層１９の周端縁と支持基板１２の開口部３４の周端縁
との間に所定の間隔を設けるようにしたが、その目的お
よび用途によっては、図１２および図１３に示すよう
に、導体層１４における端子形成部分３６を、他の部分
に対して凹ませることなく、金属めっき層１９の周端縁
と支持基板１２の開口部３４の周端縁との間に所定の間
隔を設けるように構成してもよい。
【００７４】すなわち、図１２に示す回路付サスペンシ
ョン基板１１では、カバー層１８の開口部３３を形成し
た後に、支持基板１２の開口部３４を形成するととも
に、ベース層１３の開口部３５を、その支持基板１２の
開口部３４よりも小さくなるように形成して、それによ
って露出された導体層１４の両面に、金属めっき層１９
を形成するようにしている。ベース層１３の開口部３５
を、その支持基板１２の開口部３４よりも小さくするに
は、まず、支持基板１２をマスクとして、ベース層１３
の開口部３５をエッチングにより形成した後、支持基板
１２の開口部３４をさらにエッチングして、その開口幅
を広げるようにすればよい。
【００７５】また、図１３に示す回路付サスペンション
基板１１では、カバー層１８の開口部３３を形成すると
ともに、支持基板１２の開口部３４を形成した後、その
支持基板１２をマスクとして、ベース層１３の開口部３
５をエッチングにより形成し、さらに、それら支持基板
１２の開口部３４およびベース層１３の開口部３５の周
縁部に、再度、絶縁体からなる端子保護層３７を形成
し、その後、露出されている導体層１４の両面に、金属
めっき層１９を形成するようにしている。
【００７６】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されること
はない。
【００７７】実施例１ 厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４ Ｈ−Ｔ
Ａ）の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、
乾燥後の厚さが２４μｍとなるように塗工した後、１３
０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂の前
駆体の皮膜を形成した。次いで、皮膜を、フォトマスク
を介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）さ
せ、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液
を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像
でパターン化した。次いで、パターン化された感光性ポ
リイミド樹脂の前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱して、
硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１０μｍの
ポリイミド樹脂からなるベース層を所定のパターンで形
成した。
【００７８】また、このベース層の形成においては、露
光する時に、光透過部分および遮光部分が、６μｍ以下
のピッチで金属薄膜の格子状の繰り返しパターンとして
形成されているフォトマスク（図８に示すフォトマスク
３２ｂに相当し、開口部分の平均透過率が、その他の部
分に対して約２５％とされているもの。）を、皮膜にお
いて、後の工程において開口され、磁気ヘッド側接続端
子および外部側接続端子が形成される部分に導体層を露
出させるための開口部分の上に配置して、このフォトマ
スクを介して皮膜を露光させて、皮膜における開口部分
の露光量が、他の部分の露光量よりも低減するように露
光させた。そのため、これを現像および硬化させた後に
おいては、ベース層における他の部分の厚さが１０μｍ
であるところ、その開口部分の厚さを２μｍとして形成
することができた。
【００７９】次いで、ステンレス箔およびベース層の全
面に、下地として、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７
００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成し
た後、所定の回路パターンと逆パターンのめっきレジス
トを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、そし
て、電解銅めっきにより、ベース層におけるめっきレジ
ストが形成されていない部分に、所定の回路パターンの
導体層を形成した。このようにして形成された導体層
は、ベース層における開口部分が、ベース層における他
の部分よりも薄く形成されているので、導体層における
開口部分の上に形成される端子形成部分が、導体層にお
ける他の部分に対して、ステンレス箔側に、厚さ方向に
おいて約８μｍ凹むようにして形成された。なお、この
導体層の厚さは２０μｍで、そのパターンを、各配線の
幅２０μｍ、各配線間の間隔が３０μｍの、互いに所定
の間隔を隔てて平行状に配置される４本の配線パターン
として形成した。
【００８０】その後、めっきレジストを、化学エッチン
グによって除去した後、めっきレジストが形成されてい
たクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除
去した。
【００８１】次いで、導体層の表面、および、ステンレ
ス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ
０．１μｍの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケ
ル薄膜およびベース層の上に、感光性ポリイミド樹脂の
前駆体の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することに
より、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成し、
次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光（４０５ｎ
ｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ、露光部分を１８０℃
に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することに
より、この皮膜によって導体層が被覆されるようにパタ
ーン化した。次いで、パターン化された感光性ポリイミ
ド樹脂の前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化
（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍのポリイ
ミド樹脂からなるカバー層を、導体層の上に形成した。
【００８２】なお、このカバー層の形成においては、パ
ターン化する時に、導体層の端子形成部分の表面に形成
される金属薄膜が露出するように開口部を形成した。こ
の開口部は、導体層の端子形成部分に対向させて、同じ
大きさおよび形で形成した。
【００８３】次いで、磁気ヘッド側接続端子および外部
側接続端子を、両面が露出する状態で形成した。すなわ
ち、まず、ステンレス箔におけるカバー層の開口部に対
向する部分に、ベース層の開口部分が露出するように、
その開口部分よりも大きな開口部を形成した。このステ
ンレス箔の開口部は、ステンレス箔における開口部を形
成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学エッ
チングすることにより形成した。なお、この開口部の形
成と同時に、化学エッチングによりジンバルを所定の形
状に切り抜いた。
【００８４】次いで、カバー層が開口されることにより
露出している金属薄膜を剥離するとともに、ステンレス
箔の上に形成されている金属薄膜を剥離した。
【００８５】そして、ステンレス箔の開口部内において
露出している開口部分を含むベース層を開口して、導体
層の端子形成部分の裏面に形成される下地が露出するよ
うに開口部を形成した。このベース層の開口部は、プラ
ズマエッチングにより形成した。プラズマエッチングで
は、ステンレス箔をマスクとして、そのステンレス箔の
開口部に露出する、開口部分を含むベース層全体を、封
入ガスとして、ＣＦ４とＯ２との混合ガス（ＣＦ４／Ｏ
２＝２０／８０）を用い、ガス圧（真空度）２５Ｐａ、
周波数１３．５ＭＨｚ、処理電力２５００Ｗの条件下に
おいて、約２分間処理した。
【００８６】このようにして形成されるベース層の開口
部は、ステンレス箔の開口部と同じ大きさおよび形で形
成され、ベース層の開口部に露出する下地の周端縁と、
ベース層の開口部およびステンレス箔の開口部の周端縁
との間には、約３０μｍの間隔が設けられた。
【００８７】その後、ベース層の開口部に露出する下地
を剥離することによって、導体層の端子形成部分の裏面
を露出させた。次いで、このように露出している導体層
の端子形成部分の両面に、金属めっき層を、電解ニッケ
ルめっきと電解金めっきとを順次行なって、厚さ２μｍ
のニッケルめっき層および厚さ１μｍの金めっき層を形
成することによって形成した。
【００８８】このようにして形成された端子形成部分に
おける裏面側の金属めっき層は、その表面が、ベース層
とステンレス箔との界面に対して、厚さ方向で、±２μ
ｍで形成され、かつ、その金属めっき層の周端縁と、ベ
ース層の開口部およびステンレス箔の開口部の周端縁と
の間に、２６μｍの間隔が隔てられるように形成され
た。
【００８９】実施例２ 感光性ポリイミド樹脂の前駆体を露光する時に、金属薄
膜のパターンが形成されたフォトマスクにおいて、ベー
ス層の開口部分に対応する部分の表面に、上記の金属薄
膜よりも厚みが薄い金属薄膜が形成されており、その部
分における光透過率が、その他の部分に対して約４０％
となるように構成されているフォトマスクを用いた以外
は、実施例１と同様の操作により、磁気ヘッド側接続端
子および外部側接続端子が、両面が露出する状態で形成
される回路付サスペンション基板を作製した。
【００９０】なお、このベース層の形成においては、ベ
ース層における他の部分の厚さが１０μｍであるとこ
ろ、その開口部分の厚さを３μｍとして形成することが
できた。そのため、この開口部分のプラズマエッチング
は、約３分間の処理により行なうことができ、また、導
体層の端子形成部分における裏面側の金属めっき層は、
その表面が、ベース層とステンレス箔との界面に対し
て、厚さ方向で、±２μｍで形成された。
【００９１】実施例３ 感光性ポリイミド樹脂の前駆体を露光する時に、まず、
ベース層の開口部分に対応する部分の透過光を遮光しな
いフォトマスクを用いて、露光（４０５ｎｍ、６００ｍ
Ｊ／ｃｍ２）させ、次いで、ベース層の開口部分に対応
する部分の透過光を遮光したフォトマスクを用いて、露
光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させた以外
は、実施例１と同様の操作により、磁気ヘッド側接続端
子および外部側接続端子が、両面が露出する状態で形成
される回路付サスペンション基板を作製した。なお、こ
の露光方法では、２回に分けて露光するため、２回目の
露光パターンを、１回目の露光パターンに正確に合わせ
る位置調節を行なう必要があり、また、工数も多くやや
煩雑であった。
【００９２】比較例１ 感光性ポリイミド樹脂の前駆体を露光する時に、ベース
層の開口部分に対応する部分にフォトマスクを配置せ
ず、ベース層を厚さ１０μｍの均一な層として形成し、
その後、金属めっき層を、支持基板をマスクとして開口
されるベース層の開口部の全面において露出する導体層
の全面に形成した以外は、実施例１と同様の操作によ
り、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子が、両
面が露出する状態で形成される回路付サスペンション基
板を作製した。
【００９３】なお、このベース層をプラズマエッチング
する時には、約１０分の処理時間を要した。また、この
ようにして得られた回路付サスペンション基板では、導
体層の端子形成部分における裏面側の金属めっき層の周
端部と、ベース層および支持基板の開口部の周端縁との
厚さ方向における間には隙間がなく、また、金属めっき
層の表面が、ベース層とステンレス箔との界面に対し
て、厚さ方向で、±２μｍで形成された。
【００９４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の配線回路基
板は、金属端子層の端縁と、金属支持層の開口部の端縁
との間に、所定の間隔が設けられているので、金属端子
層と金属支持層との間の接触による短絡を確実に防止す
ることができ、接続信頼性および耐電圧特性を向上させ
ることができる。
【００９５】また、導体層における金属端子層が形成さ
れる端子形成部分が、導体層における他の部分に対して
金属支持層側に凹んでいると、金属端子層が、その分、
金属支持層の外側よりに配置されるので、例えば、外部
回路の接続用端子との接続において、金属端子層にその
接続用端子を重ね合わせて、ボンディングツールにより
超音波振動を与えて接続するような場合においては、良
好な圧着性を確保することができ、接続信頼性をより一
層向上させることができる。
【００９６】そして、本発明の配線回路基板は、回路付
サスペンション基板として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態としての、
回路付サスペンションを示す斜視図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板におけ
る、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子を示
す、配線の長手方向に沿う断面図である。
【図３】本発明の配線回路基板の製造方法としての、回
路付サスペンション基板の製造方法において、支持基板
を用意して、その支持基板の上に、所定のパターンでベ
ース層を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）
は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、その支持基板
の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成す
る工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して
露光させて、現像することにより、所定のパターンとす
る工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させ
て、ベース層を形成する工程を示す。
【図４】ベース層の上に、所定の回路パターンで導体層
を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持
基板およびベース層に、下地を形成する工程、（ｂ）
は、下地の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめ
っきレジストを形成する工程、（ｃ）は、ベース層にお
けるめっきレジストが形成されていない部分に、電解め
っきにより、所定の回路パターンの導体層を形成する工
程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）
は、下地を除去する工程を示す。
【図５】回路パターンにおける導体層の表面を金属皮膜
により保護した後、カバー層により被覆する工程を示す
断面図であって、（ａ）は、導体層の表面に、金属皮膜
を形成する工程、（ｂ）は、ベース層および金属皮膜の
上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する
工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露
光させて、現像することにより、その皮膜をパターン化
する工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させ
て、カバー層を形成する工程を示す。
【図６】磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子
を、両面が露出する状態で形成する工程を示す断面図で
あって、（ａ）は、支持基板における磁気ヘッド側接続
端子および外部側接続端子が形成される部分を開口する
工程、（ｂ）は、露出している導体層および支持基板に
形成されている金属薄膜を剥離する工程、（ｃ）は、支
持基板の開口部において露出しているベース層を、その
開口部に対応させて開口する工程、（ｄ）は、ベース層
を開口することにより露出した下地を剥離する工程、
（ｅ）は、露出している導体層の両面に、金属めっき層
を形成する工程を示す。
【図７】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるために
用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図である。
【図８】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるために
用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図である。
【図９】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるために
用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図である。
【図１０】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるため
に用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図であ
る。
【図１１】従来の回路付サスペンション基板の製造方法
において、端子を、両面が露出する状態で形成する工程
を示す断面図であって、（ａ）は、カバー層における端
子を形成するための開口部を形成する工程、（ｂ）は、
支持基板における端子を形成するための開口部を形成す
る工程、（ｃ）は、支持基板の開口部において露出して
いるベース層を、その開口部に対応させて開口する工
程、（ｄ）は、露出された導体層の両面に、金属めっき
層を形成する工程を示す。
【図１２】図１に示す回路付サスペンション基板におけ
る、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子の他の
実施形態を示す、配線の長手方向に沿う断面図である。
【図１３】図１に示す回路付サスペンション基板におけ
る、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子の他の
実施形態を示す、配線の長手方向に沿う断面図である。
【符号の説明】
１１ 回路付サスペンション基板 １２ 支持基板 １３ ベース層 １４ 導体層 １９ 金属めっき層 ３１ 開口部分 ３２ フォトマスク ３４ 支持基板の開口部 ３５ ベース層の開口部 ３６ 端子形成部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D042 NA01 PA10 TA07 5D059 AA01 BA01 CA30 DA36 EA08 5E315 AA03 BB02 BB04 BB07 CC01 GG03

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属支持層の上に絶縁層が形成され、前
    記絶縁層の上に導体層が形成されており、前記金属支持
    層および前記絶縁層が開口されることにより前記導体層
    の表面が露出され、それら前記金属支持層および前記絶
    縁層の開口部において露出する導体層の表面に、金属端
    子層が形成されている、配線回路基板において、 前記金属端子層の端縁と前記金属支持層の開口部の端縁
    との間に、所定の間隔が設けられていることを特徴とす
    る、配線回路基板。
  2. 【請求項２】 前記導体層において、前記金属端子層を
    形成するための端子形成部分が、前記導体層における他
    の部分に対して、前記金属支持層側に凹んでいることを
    特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  3. 【請求項３】 前記配線回路基板が、回路付サスペンシ
    ョン基板であることを特徴とする、請求項１または２に
    記載の配線回路基板。
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