JPH06226477A - 印刷回路盤技術に対する除去方法 - Google Patents

印刷回路盤技術に対する除去方法

Info

Publication number
JPH06226477A
JPH06226477A JP5148754A JP14875493A JPH06226477A JP H06226477 A JPH06226477 A JP H06226477A JP 5148754 A JP5148754 A JP 5148754A JP 14875493 A JP14875493 A JP 14875493A JP H06226477 A JPH06226477 A JP H06226477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substantially non
layer
planar substrate
coherent light
planar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5148754A
Other languages
English (en)
Inventor
Rickey D Akins
ディー．アキンズ リッキィ
John Walvoord
ウォルボールド ジョン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Martin Marietta Corp
Original Assignee
Martin Marietta Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Martin Marietta Corp filed Critical Martin Marietta Corp
Publication of JPH06226477A publication Critical patent/JPH06226477A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24—Curved surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/42—Housings not intimately mechanically associated with radiating elements, e.g. radome
    • H01Q1/425—Housings not intimately mechanically associated with radiating elements, e.g. radome comprising a metallic grid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0013—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09018—Rigid curved substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09963—Programming circuit by using small elements, e.g. small PCBs
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H05K2203/056—Using an artwork, i.e. a photomask for exposing photosensitive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Abstract

(57)【要約】 【目的】 予め定められたパターンを形成する多数の素
子を有する二重の輪郭形状を付されたレードームまたは
印刷回路盤のような実質的に非平面の基層を短時間で製
造できる方法を提供する。 【構成】 エキシマーレーザー（８０）になすのが望ま
しい干渉性光の光源が基層（２０）の表面に予め定めら
れたパターンの多数の素子（９、９’）を形成するのに
使用され、この基層が底部層（２４）および金属化層
（２５）を含み、干渉性光の光源によって前記パターン
の少なくとも１つの第１の素子が素子を抵抗性被覆（２
６）から除去し、または素子を金属化層（２５）から除
去する。基層（２０）は予め定められたパターンの総て
の素子が基層の全表面に形成されるまで干渉性光の光源
に対して相対的に移動される。パターンが抵抗性被覆
（２６）から除去された時に蝕刻技術によって基層（２
０）から金属化層（２５）の部分を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は全般的に予め定められた
パターンを有する実質的に非平面の基層を製造する方法
に関する。さらに詳しくは、本発明は周波数選択性表面
または印刷回路盤を、レードーム(radome)またはその他
の二重に輪郭形状を付されるか、または半球形の表面を
有する構造体上に、予め定められたパターンを抵抗性層
内で除去(ablate)して対応する金属化された層の対応す
る部分を除去することにより、または金属化層内で前記
予め定められたパターンを除去することによって製造す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レードームはアンテナ、レーダーまたは
探査装置用のハウジングであって、通常航空機、ミサイ
ル、潜水艦、走行車輌に装備され、または地上または空
中通信装置に使用されている。レードームハウジングは
半球形、尖頭形、円錐形、立方体形等のような種々の形
状を含むことができる。周波数選択性表面（ＦＳＳ）を
有するレードームハウジングは、予め定められた周波数
がハウジングを通過するのを許し、望まれない周波数が
ハウジング内に侵入するのを阻止するようになってい
る。周波数選択性表面が反射面として使用される時に
は、１つの帯域を除いて総ての周波数帯域の通過を許
し、例えば帯域消去反射装置となる。帯域消去の逆は帯
域通過である。周波数選択性表面は殆ど総て印刷回路盤
として製造されて来た。主な相違点は、周波数選択性表
面が通常大きい部類のレードームの場合と同様に三次元
の二重に湾曲した構造体上に印刷されることである。最
初、光硬化性被覆が銅のような金属の表面に付与され
る。素子のパターンの写真マスクが写真平板技術または
その他の方法を利用して作られ、素子の像が標準的な非
干渉性紫外線（ＵＶ）光源を使用して銅の表面に転写さ
れる。光学的現像剤が光硬化性被覆を除去して銅を露出
させ、これによってこの表面の酸による蝕刻を可能にし
て最終的なパターンを形成するようになされる。
【０００３】レードーム上に周波数選択性表面を製造す
るための可能な装置の例が図１、図２に示されている。
図１はレードーム上にパターンを作るのに使用される結
像ヘッド１０の斜視図を示している。紫外線非干渉性光
の光源が開口１１の上方に配置されている。空気圧の供
給が入口１２を通して行われる。図２の側面図に示され
るように、この結像ヘッド１０はポリマー層１７、金属
化層１６および光硬化性被覆１５を有する基層１３に対
して当接される。結像ヘッド１０の袋体または写真マス
ク１４が入口１２を通して導入される空気圧によって基
層１３に対して押圧される。この写真マスク１４は基層
１３を覆っている光硬化性被覆１５上に形成される像の
素子１６を含んでいる。結像ヘッド１０は、総ての望ま
れる素子１６が光硬化性被膜に形成されるまで基層１３
の表面を横切って移動される。
【０００４】図１および図２の結像技術は、素子のパタ
ーンの精度が調和され得るようになるのに相当の時間を
必要とする。この技術は結像される基層１３に対するマ
スク１４の密着した接触を必要とする。このことはマス
ク１４が時間とともに劣化され、作られるパターンの精
度と調和するようになす紫外線の伝達を遮断させる。ま
た、紫外線の光源自体も時間とともに劣化してパターン
の精度上の問題を生じさせる。
【０００５】従って、上述の接触結像技術に関連する欠
点を克服する二重輪郭形状を付された基層を製造する改
善された技術に対する必要性がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、予め定めら
れたパターンを形成する多数の素子を有する二重の輪郭
形状を付されたレードームまたは印刷回路盤のような実
質的に非平面の基層を製造する方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明により製造される基
層は典型的にはポリマー層および金属化層によって構成
されている。金属化層は抵抗性層を被覆されることがで
きる。次いで予め定められたパターンの第１の素子がマ
スクおよび干渉性光の光源を利用してこの抵抗性材料内
で除去されるか、または抵抗性層が使用されない場合に
は第１の素子が金属化層から除去される。干渉性光の光
源はエキシマーレーザーを含むのが望ましい。次いで二
重の輪郭形状を付された基層が干渉性光の光源に対して
相対的に移動される。予め定められたパターンの素子
は、予め定められたパターンが基層の全表面に形成され
るまで基層から除去される。抵抗性層が使用される場合
には、この予め定められたパターンに対応する金属化層
の部分が通常の技術で蝕刻されて除去されるようになさ
れる。
【０００８】
【実施例】本発明は接触結像ヘッドに関連する上述の問
題点を克服するためにエキシマーレーザーのような干渉
性光の光源を利用するものである。エキシマーレーザー
は高度に能率のよい強力なパルス化紫外線放射線の供給
源である。このようなエキシマーレーザーは、光硬化性
材料を露出させるのに必要な時間が２０ナノ秒程度の甚
だ短い時間である。このことは結像される基層を連続的
に回転させてこれを高速で露出させる潜在的能力を与え
る。レーザーの遮断および基層の位置はコンピューター
制御されるのが望ましい。予め定められたパターンの結
像はレーザーを、レチクルプレート（対物レンズ）およ
び焦点合せレンズを通して光硬化性被覆を付与された基
層上に投射させることによって行われることができる。
以下に説明されるように、種々の構成要素がビームを操
縦し、像を焦点合せ状態に保持するのに使用されること
ができる。
【０００９】さて図３を参照すれば、レードーム１９の
斜視図が示されている。このレードーム１９は通常選択
的な部分９が除去される金属化層を有するポリマー基層
によって作られた尖頭形状、半球形附形表面または二重
輪郭形状を付されたになされている。図３において、こ
の選択的な部分はｘ形に附形された溝９になされてい
る。また二極素子または図５のｙ形に附形された溝９’
のような他の予め定められた形状を使用することも可能
である。レードーム１９は金属化層を通して所望の周波
数を選択的に通過させ、または反射させることができ
る。
【００１０】図４には図３のレードーム１９の表面の拡
大された部分が示されている。この拡大された部分は予
め定められたパターンを形成するｘ形に附形された多数
の素子９を含んでいる。これらのｘ形附形素子９は図３
に示されるように螺旋状に配置されるのが望ましい。ｘ
形附形素子９はまたそれぞれの素子の遠隔端部が図３に
示されるように隣接するｘ形附形素子の遠隔端部と密接
するように配置されるのが望ましい。このような配置は
著しく密接したｘ形附形素子がレードーム１９の表面を
横切って配置されるのを可能になす。
【００１１】本発明はレードームの製造に制限されるも
のではない。本発明の同じ技術は実質的に非平面の印刷
回路盤の製造またはファラデーケージの製造に利用され
ることができる。時には静電スクリーンと称されるこれ
らのファラデーケージは電気装置および発電所で発生さ
れる電磁的干渉を減少させるために使用される。
【００１２】さて図６を参照すれば、本発明の第１の実
施例が示されている。本発明のこの第１の実施例におい
ては、エキシマーレーザーのような干渉性光の光源が三
方溝の素子の像を光硬化性材料２６（図８）を被覆され
た基層２０上に直接に形成するのに使用されている。こ
の基層の第１の層、すなわち底部層２４はガラス、セラ
ミック、ポリマー等のような何れかの適当な材料によっ
て形成されることができる。エキシマーレーザーからの
光は写真マスクまたはレチクル２１を通り、光硬化性材
料２６内に素子の像を形成する。この素子の像はレンズ
２３によって光硬化性材料２６上に焦点合せされる。
【００１３】レチクル２１は０．２５４ｍｍ（０．０１
ｉｎ）の厚さの鋼のシートに溝を切断するためにレーザ
ーを使用し、またはｅビーム、標準ＰＣＢ等のようなそ
の他の装置を使用することによって製造されることがで
きる。レチクルは光硬化性材料２６の予め定められた面
積部分が照明されるのを可能にし、照明された光硬化性
材料２６の面積部分が公知の光化学的技術を利用して除
去される。図８に示された光硬化性材料２６は正の光硬
化性材料であるが、負の光硬化性材料も使用することが
できる。このような負の光硬化性材料に置換えることは
当業者にはよく判っていることである。三方溝の素子に
対応する光硬化性材料２６が除去された時に、その下側
の銅の表面２５の部分が露出される。次いで露出された
銅の表面２５は通常の光化学的技術を利用して蝕刻され
て図７に示される溝を付された素子を形成する。
【００１４】本発明によれば、印刷回路盤またはレード
ームを製造する時に「リフトオフ」技術を利用すること
ができる。この「リフトオフ」技術は基層上に光硬化性
材料の比較的厚い層を付着させることを含んでいる。光
硬化性材料が結像されて基層の部分が露出される。次い
で基層および光硬化性材料が金属化処理により基層の露
出された部分に強固に付着するように金属化される。光
硬化性材料はこれの垂直な表面が金属化されない程厚
い。次いで光硬化性材料の比較的厚い層および光硬化性
材料を覆う金属化部分が適当な溶剤を使用して除去され
る。
【００１５】図７に示された素子の断面積が図８に示さ
れている。図８から、基層２０が下側にあるポリマー層
２４、溝を付された金属化されるか、または銅の層２５
および光硬化性層２６より成るのが望ましいことが認め
られる。光硬化性層２６は、一旦総ての素子が蝕刻さ
れ、または銅の層２５内に形成されて了った時に除去さ
れるのが望ましい。
【００１６】さて、図９を参照すれば、本発明の第２の
実施例の斜視図が示されている。本発明のこの第２の実
施例においては、エキシマーレーザービームがレチクル
３１内に形成されたパターン素子を照明するのに使用さ
れている。このレチクル３１は基層３０を覆っている抵
抗性材料３６（図１１）よりも遙かに高い周波数閾値を
有する金属によって作られるのが望ましい。レチクル３
１内の三方溝の素子の像がレンズ３３によって基層３０
上に焦点合せされる。基層３０は図１１に示されるよう
にポリマー層３４、金属化され、または銅の層３５およ
び抵抗性層３６より構成されるのが望ましい。エキシマ
ーレーザーからの光は抵抗性層３６を除去するのに使用
される。この抵抗性層３６は適当なポリマー被覆によっ
て形成されることができ、銅の層３５に対する永久的な
表面被覆として使用されることができる。抵抗性層３６
がエキシマーレーザーからのエネルギーによって除去さ
れて了った時に下側にある銅の層３５が露出される。次
いでこの露出された銅の層３５は通常の光化学的技術を
利用して蝕刻されて図１０に示されるように銅の層内に
パターンの素子を形成するようになし得る。
【００１７】さて図１２を参照すれば、本発明の第３の
実施例が示されている。本発明のこの第３の実施例にお
いては、エキシマーレーザーの作用力が基層４０内にパ
ターンの素子を融除するのに使用される。基層４０は図
１４に示されるように鋼の層４５およびポリマーのよう
な適当な材料により形成された底部層４４を含むのが望
ましい。エキシマーレーザーからの照明はレチクル４１
を通過して、レンズ４３によって焦点合せされて鋼の層
４５内で素子の像を除去するようになす。このような基
層４０内で除去された素子が図１３に示されている。
【００１８】本発明の第２および第３の実施例のエキシ
マーレーザーによる除去には多くの利点と若干の欠点と
がある。除去方法の非熱的（局部的加熱）の性質は若干
の理由によって甚だ魅力のある方法になっている。この
方法は周囲の基層３０、４０を焦がしたり、燃やしたり
することがない。この方法は光硬化性材料の付与、現像
時間および像の形成のための露出時間を含む第１の実施
例の若干の重要な処理の変化可能の諸工程を省略するの
を可能になす。また、形状および寸法が以下に図１７に
関連して説明されるようなオンアクシス閉鎖回路テレビ
ジョン装置（ＣＣＴＶ）を使用して連続的に監視される
ことができる。この閉鎖回路テレビジョン装置はまた第
２の実施例に関連する蝕刻を行う前に除去処理の実際時
間のコンピューター制御による検査を行い得るようにな
す。この制御は高い価値を附加された構成要素に対する
廃棄率を低くする。第１の実施例のエキシマー結像技術
と比較される場合、第２および第３の実施例のエキシマ
ー除去技術の主な欠点は除去処理にて必要な時間の長さ
である。図９および図１２の除去技術は１つの素子に対
して約０．７秒を要するのに対して、図６のレーザー結
像技術は１つの素子を唯１つの２０ナノ秒のパルスにて
結像する能力を有する。
【００１９】本発明の図６および図１２のレーザー除去
技術を利用する場合、焦点合せレンズ（１００ｍｍ）か
ら被加工部片までの加工距離がそれ程重要ではないこと
が観察された。像の寸法が著しく変化しない場合はＺ軸
内の約１．２７ｍｍ（０．０５ｉｎ）の運動であるよう
に見える。図１７の位置決め装置は加工距離を０．０２
５ｍｍ（０．００１ｉｎ）以内に保持できる。酸蝕刻に
耐える何れかの被覆になり得る図９の抵抗性層３６は約
６ミクロンの厚さを有し得る。この抵抗性層３６の厚さ
もまた重要ではない。何故ならば、除去処理自体が制限
を行うからである。レーザーは銅３５が露出されるまで
抵抗体３６を除去する。６ミクロンの抵抗性層３６の場
合、約１２×２５ｍｍのビーム寸法の３５０ミリジュー
ルのレーザーエネルギーを使用して毎秒５０パルスにて
約１５パルスを要する。
【００２０】図３に示されるように、本発明の技術を利
用してレードームが製造されることができる。例えば、
直径が２０．３２ｃｍ（８ｉｎ）で高さが１２．７ｃｍ
（５ｉｎ）の半球形を有するレードームを製造すること
が可能である。レードームのポリマー層はポリ炭酸エス
テル材料から射出成形されることができ、金属化層は物
理的蒸着として知られる処理を利用して製造されること
ができる。抵抗性層は例えば図１６に示される浸漬技術
によって形成されることができ、この抵抗性層は２０分
の間８０℃で予備ベーキングされることができる。光硬
化性材料はＡＺ１３５０Ｊの正の光硬化性材料になし得
る。これらの３つの技術を利用してこれらの寸法を有す
る典型的なレードームは８０００またはそれ以上の素子
９を有することができる。
【００２１】本発明の第１の実施例のレーザー結像技術
を実施するに際し、レンズ２３から基層２０までの距離
は、上述の除去方法に対するよりもそれ程重要でないこ
とが見出された。例えば、レーザーの出力は２４８から
３５４ナノメーターに変化されることができる。何故な
らば例えばシプレイ１３５ＯＪになされるような使用さ
れる光硬化性材料２６は３５４ナノメーターの波長にて
遙かに反応性が大きいからである。また、光学的な組立
は適当なエネルギー密度を得るために３：１でなく、
２：１の倍率を与えることができる。
【００２２】図１５を参照すれば、フローチャートが本
発明の３つの実施例を実施する際の種々の工程を示して
いる。これらの３つの実施例で相違点のある範囲にて、
これらの相違点が指摘され、説明される。基層を製造す
る第１の工程は設計図の最初の入力を含んでいる。この
設計図は特定の印刷回路盤の設計またはレードームに対
する素子のパターンに基づいてている。レードームに対
するパターンを決定するのに種々の技術がある。１つの
このような技術は１９８９年６月にオハイオ州大学によ
って刊行された最終報告書に記載されている周期的瞬間
方法コンピューターのコードである。工程５２におい
て、レイアウトの設計が行われ、工程５３において寸法
が測定されてその精度を証明するようになっている。
【００２３】一旦予め定められた素子のパターンまたは
印刷回路盤の設計が選択されると、写真マスクまたはレ
チクルが工程５４にて作られる。実際に写真マスクまた
はレチクルを使用する前に、写真マスクまたはレチクル
の測定が工程５５にて行われて、写真マスクまたはレチ
クルの精度を保証するようになっている。
【００２４】半球形に附形されるか、または実質的に非
平面になされた基層の底部層および金属化層が製造さ
れ、次いで工程５６にて完全に清浄化される。本発明の
最初の２つの実施例においては、光硬化性被覆２６また
は抵抗材料被覆３６が工程５７で付与される。本発明の
第１の実施例においては光硬化性被覆２６が付与され、
本発明の第２の実施例においては抵抗性被覆３６が付与
される。光硬化性被覆２６は、被覆される半球形のレー
ドーム１９を示す図１６の浸漬装置７０を使用して付与
されるのが望ましい。このレードーム１９は三脚支持部
７１上に配置される。プリー７２がワイヤーおよびばね
装置７５を介して制御装置７３およびモーター７４に連
結される。モーター７４が作動されると、プリー７２が
回転して三脚７１を１８０°回転させる。レードーム１
９が容器７６内に貯蔵されている光硬化性材料２６内に
回転して入れられる。次いでプリーは反対方向に回転さ
れ、レードームの最初の半分が光硬化性材料２６から引
出されるようになす。プリー７１はレードーム１９の残
りの半分が光硬化性材料２６内に浸漬されるまで回転を
続ける。光硬化性材料２６から離れるレードームの回転
によって均等な光硬化性材料２６の被覆がレードーム１
９に付与されるようになす。光硬化性材料２６から離れ
るレードーム１９の回転は甚だ正確な速度で行われる。
光硬化性材料から出る回転が遅いと付与される被覆の厚
さが薄くなる。
【００２５】図１５に戻り、本発明の第１の実施例にお
いては、像が光硬化性被覆２６に形成される工程５８が
行われる。次いで基層２０が後述にて詳しく説明される
図１７の装置を使用して移動される。像が基層２０の全
体の表面上に形成されるまで結像工程５８が繰返して行
われる。次いで工程５９にて光硬化性被覆２６が現像さ
れ、工程６０にて光硬化性被覆が検査されて、金属化層
２５の予め定められた部分が露出されたことを保証す
る。工程６１において金属化層２５の予め定められた部
分が腐蝕される。これらの予め定められた部分は工程６
２にて光学的に検査され、工程６３にて腐蝕処理が完了
する。
【００２６】本発明の第２の実施例においては、工程５
８は光硬化性被覆を結像させる代りに抵抗性層３６の予
め定められた部分を除去する処理を含んでいる。本発明
の第２の実施例における次の工程は抵抗性層３６を検査
する工程６０を含み、金属化層３５の所望の部分が露出
されたことを確認するようになっている。次いで金属化
層３５の露出された部分が第１の実施例におけるように
工程６３によって蝕刻される。
【００２７】本発明の第１および第２の実施例において
は、工程６３にて光学的検査によって蝕刻が完了したこ
とを確認した時、次に工程６４にて基層２０、３０が剥
離されて清浄化される。次に基層２０、３０は工程６５
にて測定されて、パターンの精度を確認され、工程６６
にて基層２０、３０は供給される準備状態になる。
【００２８】本発明の第３の実施例においては、工程５
７、５９、６０、６１および６４は構成要素がない。第
３の実施例においては、エキシマーレーザーは予め定め
られたパターンに対応する金属化層４５の所望の部分を
除去する工程５８を行う。換言すれば、第３の実施例に
おいては、工程５８は、金属化層４５内でパターンの第
１の素子を除去し、基層４０を干渉性光の光源に対して
相対的に移動させ、予め定められたパターンの他の素子
を除去して、パターンが完全に基層４０の全表面にわた
って形成されるまで基層４０の除去および移動を続ける
ようになっている。工程６２において、基層は光学的に
検査される。
【００２９】さて図１７を参照すれば、この概略的な説
明図はパターンの素子をレードーム１９上に直接結像す
るか、またはレードーム１９上の予め定められたパター
ンの素子を除去する望ましい装置を示している。この装
置はクェステックスシリーズ２０００エキシマーレーザ
ーとして商業的に入手できるエキシマーレーザー８０を
含んでいる。このレーザーはレイセオン・コーポレーシ
ョンにより販売されている型式の５軸線レーザー作業ス
テーション内に組込まれている。このエキシマーレーザ
ーはビーム供給装置上の交換可能のレンズ７９および交
換可能のガス混合装置を有する。このレーザー８０は第
１の実施例のレーザー結像を行うのに使用される時に３
５４ｎｍの波長で作動するように設定されるのが望まし
い。レーザー８０が第２および第３の実施例のレーザー
による除去を行うのに使用される時には、このレーザー
は２４８ｎｍの波長で作動するように設定されるのが望
ましい。
【００３０】レーザー８０はまたレーザーの利得が高電
圧を制御することによって変化する時に一定のパルスエ
ネルギーを保持するパワーロク帰還(Powerlok feedbac
k) 制御装置を含むのが望ましい。このようなレーザー
の利得は通常ハロゲン（レーザーガス）が減少し、汚染
物が発生するから時間が経つにつれて減少する。一定の
レーザーの出力を保持するためには、パワーロク装置は
最大のパルスエネルギーの６０−７０％にて始動され
る。予め定められたレベルに一定のパルスエネルギーを
保持するように利得が減少するにつれてレーザー放電電
圧は徐々に増加される。一定のパルスエネルギーは第１
の実施例に組合されるレーザー結像に対して特に重要で
ある。図１７の装置は本発明の３つの実施例総てに対し
て使用でき、これらの実施例の間の相違点は紫外線光が
基層に供給される態様およびこの光のパワーおよび波長
である。
【００３１】レーザー８０の出力はミラー８１、８２に
向って指向され、レチクル８３を通される。レチクル８
３によって形成されける像はダイクロームミラー８５に
指向される。この像はミラー８６によって反射され、閉
回路テレビジョン装置のビデオカメラ８７によって記録
される。この像はまたダイクロームミラー８５から焦点
合せ装置８８を通ってレードーム１９に向って反射され
る。レードーム１９は傾倒回転ステージ９０およびＸ−
Ｙテーブル９１上に配置され、これらのものはレードー
ム１９をエキシマーレーザー８０の光路に対して相対的
に移動させることができるようになされている。光路は
また焦点合せ装置８８およびレードーム１９の間に配置
されて、光路を９０°曲げるようになす附加的なミラー
（図示せず）を含むことができる。光学的ミラーはレー
ドーム１９の内部の結像を容易になし得る。傾倒回転ス
テージ９０およびＸ−Ｙテーブル９１は５つの自由度を
有する５軸線運動装置を含むのが望ましい。ステージ９
０、９１はアノラド数値制御装置(Anorad numerical co
ntroller) によって制御されて５つの方向の運動を与え
るようになすのが望ましい。換言すれば、レードームは
ｘ、ｙまたはｚ方向および２つの方向の回転にて運動さ
せられることができる。２つの方向の回転およびｚ方向
の移動は傾倒回転ステージ９０によって与えられる。ｘ
およびｙ方向の移動はＸ−Ｙテーブル９１によって与え
られる。
【００３２】図１７の５軸線運動装置は数値制御装置に
よって制御され、適当なコンピュータープログラムを含
んでいる。コンピューターのソフトウェアはレードーム
１９の表面に対する焦点合せレンズ８８の距離を制御す
る。このソフトウェアはこの距離が常に同じに保持され
るのを保証し、像が印刷されている時にレードームの表
面がレーザー８０に対する光路に垂直であることを保証
し、またレードーム１９上の素子の間の間隔が保持され
ることを保証する。このソフトウェアは通常結像される
表面の輪郭形状を描く数学的公式を含むか、または輪郭
形状を与えられる表面に対応するデータ点を与える。
【００３３】図１７の装置のカメラ８７もまた光学的検
査装置９２に連動されて、印刷回路盤またはレードーム
１９を検査するようになされている。カメラ８７と光学
的検査装置９２との連動は製造の間のレードーム１９の
無接触検査(fly inspection)を可能になす。この光学的
検査装置９２は像をカメラ８７から取って、この像を処
理し、レードーム１９が何かの欠点を含んでいるか否か
を決定する。欠点はカメラ８７によって形成された像を
デジタルメモリーに記憶されている像と比較することに
よって検出されることができる。欠点が検出された場
合、多くの例においてはこれらの欠点は製造の間に修正
され、これによってレードーム１９を廃棄する必要を回
避する。従って、光学的検査装置を含ませることは三次
元回路盤またはレードームを製造する速度および能率を
実質的に向上させる。
【００３４】本発明はその望ましい実施例について説明
されたが、上述された説明は制限を与えるものでなく、
説明のためのものであって、特許請求の範囲の記載の範
囲内における変更が本発明の特徴の広い範囲から逸脱し
ないで施され得ることは理解されなければならない。
【００３５】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているか
ら、予め定められたパターンを形成する多数の素子の精
度を良好に保証して、このような素子を有する二重の輪
郭形状を付されたレードームまたは印刷回路盤のような
実質的に非平面の基層を短時間で製造できる方法を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】材料の除去を行い得ないが、結像のために使用
する接触結像ヘッドの斜視図。
【図２】接触結像ヘッドおよび二重に輪郭形状を付され
た基層の側面図。
【図３】ｘ形状素子の予め定められたパターンを有する
レードームの斜視図。
【図４】図３のレードームの表面の拡大部分を示す説明
図。
【図５】ｙ形状素子の予め定められたパターンを有する
レードームの斜視図。
【図６】予め定められたパターンを形成するために光硬
化性材料の技術を利用する本発明の第１の実施例の斜視
図。
【図７】基層上に形成された１つの特別の予め定められ
たパターンの素子の平面図。
【図８】図７に示された基層の断面図。
【図９】基層上に形成された抵抗性層を除去するための
技術を利用する本発明の第２の実施例の斜視図。
【図１０】本発明の第２の実施例を利用する特別の予め
定められたパターンの素子の平面図。
【図１１】図１０に示された基層の断面図。
【図１２】金属化された基層を除去する技術を利用する
本発明の第３の実施例の斜視図。
【図１３】本発明の第３の実施例を利用して形成された
特別の予め定められたパターンの素子の平面図。
【図１４】図１３に示された基層の断面図。
【図１５】本発明による実質的に非平面の基層を製造す
る方法に使用される諸工程のフローチャート。
【図１６】二重に輪郭形状を付された表面に光硬化性材
料を被覆する装置の斜視図。
【図１７】干渉性光の光源によって二重に輪郭形状を付
された表面に結像し、除去するため、および干渉性光の
光源に対して相対的に二重に輪郭形状を付された表面を
移動させる装置の概略的説明図。
【符号の説明】
９ ｘ形附形溝の素子 ９’ ｙ形附形溝の素子 １９ レードーム ２０ 基層 ２１ レチクル ２３ レンズ ２４ ポリマー層 ２５ 銅の表面層 ２６ 光硬化性材料の被覆 ３０ 基層 ３１ レチクル ３３ レンズ ３４ ポリマー層 ３６ 抵抗性層の被覆 ４０ 基層 ４１ レチクル ４３ レンズ ４４ 底部層 ４５ 鋼の層 ７０ 浸漬装置 ７１ 三脚支持部 ７２ プリー ７３ 制御装置 ７４ モーター ７６ 容器 ７９ レンズ ８０ エキシマーレーザー ８１ ミラー ８２ ミラー ８３ レチクル ８５ ダイクロームミラー ８６ ミラー ８７ ビデオカメラ ８８ 焦点合せ装置 ９０ 傾倒回転ステージ ９１ Ｘ−Ｙテーブル ９２ 光学的検査装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン ウォルボールド アメリカ合衆国フロリダ州オーランド，ス プリング レイン ドライブ 6732

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 予め定められたパターンを形成する多数
    の素子を有する実質的に非平面の基層を製造する方法に
    おいて、 前記非平面基層の前記予め定められたパターンの素子に
    対応する部分を干渉性光およびレチクルによって除去
    し、 前記実質的に非平面の基層を前記干渉性光の光源に対し
    て相対的に移動させ、 その際に前記除去し、移動させる工程が、前記予め定め
    られたパターンが完成するまで繰返される、諸工程を含
    むようになされている方法。
  2. 【請求項２】 前記非平面の基層が金属化された層を覆
    う、前記干渉性光によって除去される抵抗性材料を含む
    ようになされている請求項１に記載された方法。
  3. 【請求項３】 前記金属化された層を前記除去される抵
    抗性材料に対応する部分にて蝕刻する工程をさらに含ん
    でいる請求項２に記載された方法。
  4. 【請求項４】 前記干渉性光の光源がエキシマーレーザ
    ーを含むようになされている請求項２に記載された方
    法。
  5. 【請求項５】 前記移動させる工程が少なくとも２つの
    回転方向および１つの直線方向を含むようになされてい
    る請求項２に記載された方法。
  6. 【請求項６】 前記干渉性光の光源によって除去される
    実質的に非平面の基層の前記部分が金属化された層にな
    されている請求項１に記載された方法。
  7. 【請求項７】 前記干渉性光の光源がエキシマーレーザ
    ーを含むようになされている請求項６に記載された方
    法。
  8. 【請求項８】 前記移動させる工程が少なくとも２つの
    回転方向および１つの直線方向を含むようになされてい
    る請求項６に記載された方法。
  9. 【請求項９】 前記実質的に非平面の基層がレードーム
    になされている請求項１に記載された方法。
  10. 【請求項１０】 前記実質的に非平面の基層が周波数選
    択性表面になされている請求項１に記載された方法。
  11. 【請求項１１】 前記実質的に非平面の基層が印刷回路
    盤になされている請求項１に記載された方法。
  12. 【請求項１２】 前記実質的に非平面の基層が電磁的シ
    ールドになされている請求項１に記載された方法。
  13. 【請求項１３】 前記実質的に非平面の基層が二重輪郭
    形状を付された表面を含むようになされている請求項１
    に記載された方法。
  14. 【請求項１４】 実質的に非平面の第１の層と、 前記第１の層上に配置される第２の層であって、この第
    ２の層が干渉性光の光源によって除去されて予め定めら
    れたパターンの少なくとも１つの第１の素子を形成する
    が、その際に前記実質的に非平面の基層を前記干渉性光
    の光源に対して相対的に移動させ、前記予め定められた
    パターンが完全に形成されるまで前記実質的に非平面の
    基層の除去および移動を繰返すようになされている前記
    第２の層と、を含んでいる実質的に非平面の基層。
  15. 【請求項１５】 前記第２の層が前記干渉性光の光源に
    より除去されない金属化された表面および前記干渉性光
    の光源により除去された部分を有する抵抗性被覆を含む
    ようになされている請求項１４に記載された実質的に非
    平面の基層。
  16. 【請求項１６】 前記除去された抵抗性被覆に対応する
    前記金属化された表面の部分が蝕刻によって除去される
    ようになされている請求項１５に記載された実質的に非
    平面の基層。
  17. 【請求項１７】 前記干渉性光の光源がエキシマーレー
    ザーを含むようになされている請求項１６に記載された
    実質的に非平面の基層。
  18. 【請求項１８】 前記基層が２つの回転方向および１つ
    の直線方向に移動されるようになされている請求項１６
    に記載された実質的に非平面の基層。
  19. 【請求項１９】 前記第２の層が前記干渉性光の光源に
    よって除去された金属化された表面を含むようになされ
    ている請求項１４に記載された実質的に非平面の基層。
  20. 【請求項２０】 前記干渉性光の光源がエキシマーレー
    ザーを含むようになされている請求項１９に記載された
    実質的に非平面の基層。
  21. 【請求項２１】 前記基層が少なくとも２つの回転方向
    および１つの直線方向に移動されるようになされた請求
    項１９に記載された実質的に非平面の基層。
  22. 【請求項２２】 前記予め定められたパターンが前記実
    質的に非平面の基層の表面上で螺旋状に配置されるよう
    になされている請求項１４に記載された実質的に非平面
    の基層。
  23. 【請求項２３】 前記予め定められたパターンが多数の
    ｘ形に附形された素子によって形成されていて、それぞ
    れのｘ形附形素子の端部が隣接するｘ形附形素子に密接
    して配置されるようになされている請求項２２に記載さ
    れた実質的に非平面の基層。
  24. 【請求項２４】 二重に輪郭形状を付された表面および
    螺旋状に配置されるｘ形附形素子の予め定められたパタ
    ーンを有する少なくとも１つの第１の層を含んでいて、
    前記ｘ形附形素子の遠隔端部が隣接するｘ形附形素子の
    遠隔端部に密接して配置されるようになされている周波
    数選択性表面。
  25. 【請求項２５】 製造の間に実質的に非平面の基層を検
    査する方法において、 製造の間にカメラによって前記実質的に非平面の基層の
    平らな部分の像を形成し、 前記平らな像を既に知られている像と比較し、 前記平らな像が前記既に知られている像と異なる時に指
    示を行い、 前記実質的に非平面の表面の全面が結像され、前記既に
    知られている像と比較されて了うまで前記実質的に非平
    面の基層を前記カメラに対して相対的に少なくとも２つ
    の回転方向および１つの直線方向に移動させる、諸工程
    を含んでいる方法。
JP5148754A 1992-06-22 1993-06-21 印刷回路盤技術に対する除去方法 Pending JPH06226477A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US90178992A 1992-06-22 1992-06-22
US901789 1992-06-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06226477A true JPH06226477A (ja) 1994-08-16

Family

ID=25414814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5148754A Pending JPH06226477A (ja) 1992-06-22 1993-06-21 印刷回路盤技術に対する除去方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5472828A (ja)
EP (1) EP0575848B1 (ja)
JP (1) JPH06226477A (ja)
DE (1) DE69306178T2 (ja)
IL (1) IL105925A (ja)
TW (1) TW223732B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5792520A (en) * 1995-08-24 1998-08-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a reflector
JP2006258449A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Yokohama Rubber Co Ltd:The レドーム
US8649742B2 (en) 2007-11-30 2014-02-11 Ntt Docomo, Inc. Radio communication system
JP2014123793A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Yokohama Rubber Co Ltd:The 周波数選択部材および曲面への周波数選択素子の配列決定方法
JP2019105551A (ja) * 2017-12-13 2019-06-27 中国電力株式会社 異常点検装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665134A (en) * 1995-06-07 1997-09-09 Hughes Missile Systems Company Laser machining of glass-ceramic materials
US5955776A (en) 1996-12-04 1999-09-21 Ball Semiconductor, Inc. Spherical shaped semiconductor integrated circuit
US5934965A (en) * 1997-04-11 1999-08-10 Hughes Electronics Corporation Apertured nonplanar electrodes and forming methods
US6071315A (en) * 1998-07-10 2000-06-06 Ball Semiconductor, Inc. Two-dimensional to three-dimensional VLSI design
TW420853B (en) * 1998-07-10 2001-02-01 Siemens Ag Method of manufacturing the wiring with electric conducting interconnect between the over-side and the underside of the substrate and the wiring with such interconnect
FR2782885B1 (fr) * 1998-08-25 2000-11-10 Gemplus Card Int Procede de fabrication d'une antenne pour un support d'informations comportant un circuit electronique
US6388230B1 (en) 1999-10-13 2002-05-14 Morton International, Inc. Laser imaging of thin layer electronic circuitry material
DE10106399C1 (de) * 2001-02-12 2002-09-05 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Schaltungsträgern mit groben Leiterstrukturen und mindestens einem Bereich mit feinen Leiterstrukturen
JP4274784B2 (ja) * 2002-05-28 2009-06-10 新光電気工業株式会社 配線形成システムおよびその方法
US7959817B2 (en) 2004-01-09 2011-06-14 Masonite Corporation Door skin, a method of etching a plate, and an etched plate formed therefrom
US6988342B2 (en) 2003-01-17 2006-01-24 Masonite Corporation Door skin, a method of etching a plate for forming a wood grain pattern in the door skin, and an etched plate formed therefrom
US7161552B2 (en) * 2003-08-08 2007-01-09 Lockheed Martin Corporation Electromagnetic interference protection for radomes
JP2005181958A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Rohm & Haas Electronic Materials Llc レーザーアブレーションを用いる電子部品および光学部品の形成方法
US8290239B2 (en) * 2005-10-21 2012-10-16 Orbotech Ltd. Automatic repair of electric circuits
US7867688B2 (en) * 2006-05-30 2011-01-11 Eastman Kodak Company Laser ablation resist
US7879685B2 (en) 2006-08-04 2011-02-01 Solyndra, Inc. System and method for creating electric isolation between layers comprising solar cells
US20080090396A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light exposure apparatus and method for making semiconductor device formed using the same
US20080216304A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Chien Ming Lin Method of manufacturing antenna module by laser carving
WO2009049193A1 (en) * 2007-10-11 2009-04-16 Raytheon Company System, code for and method of forming patterns on a multi-curved surface using a profilometer, a patterning tool and a pattern forming tool
CN102694269B (zh) * 2012-04-13 2015-11-04 深圳光启创新技术有限公司 超材料人工微结构的制造方法和超材料天线罩及其制造方法
EP2930788B1 (en) 2012-11-20 2019-02-13 Kuang-Chi Innovative Technology Ltd. Metamaterial, metamaterial preparation method and metamaterial design method
US9427909B2 (en) 2013-03-15 2016-08-30 Ii-Vi Incorporated Method of generating patterns on doubly-curved surfaces
CN105102177B (zh) * 2013-04-04 2018-02-27 Lpkf激光电子股份公司 在基板上引入穿孔的方法和装置以及以这种方式制造的基板
CN106033837A (zh) * 2015-03-20 2016-10-19 深圳光启高等理工研究院 曲面基体超材料及其制造方法
DE102017006362A1 (de) * 2017-07-05 2019-01-10 Mbda Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Flugkörpersystembauteils, insbesondere Lenkflugkörperbauteils, Flugkörpersystembauteil, insbesondere Lenkflugkörperbauteil und Flugkörpersystemanordnung
CN108933335B (zh) * 2018-08-18 2020-12-22 南昌大学 一种调控雷达吸波材料吸收频率的新方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3220331A (en) * 1965-01-27 1965-11-30 Kulicke And Soffa Mfg Company Contact printing mask alignment apparatus for semiconductor wafer geometry
US3591285A (en) * 1967-09-13 1971-07-06 Nihom Kykumen Insatsuki Kk Method and apparatus for photo printing on curved surface article
US3578862A (en) * 1968-10-07 1971-05-18 Time Inc Photographic exposing apparatus
US3649394A (en) * 1969-04-03 1972-03-14 Hughes Aircraft Co 3-dimensional cone antenna method
US3694080A (en) * 1970-03-09 1972-09-26 Massachusetts Inst Technology Method of and apparatus for photoprinting conductor patterns on the curved surfaces of transducers
US3815993A (en) * 1972-02-15 1974-06-11 M Tarabocchia Light projection apparatus and method for photoprinting
FR2214934B1 (ja) * 1973-01-18 1978-03-24 Thomson Csf
US3988066A (en) * 1974-01-12 1976-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Light exposure apparatus for printing
US4102734A (en) * 1976-10-05 1978-07-25 Mbi, Inc. Method for producing a design on an arcuate surface
US4588801A (en) * 1984-04-05 1986-05-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Polysilane positive photoresist materials and methods for their use
US4587205A (en) * 1984-04-05 1986-05-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of using polysilane positive photoresist materials
GB8531830D0 (en) * 1985-12-30 1986-02-05 Davies H J Photo fabrication
FR2598339B1 (fr) * 1986-05-06 1990-12-14 Europ Agence Spatiale Antennes a reflecteurs paraboliques et leur procede d'obtention
IT1195120B (it) * 1986-08-04 1988-10-12 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento per la fabbricazione di strutture dicroiche d antenna
EP0287843B1 (de) * 1987-04-24 1990-08-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
US4780177A (en) * 1988-02-05 1988-10-25 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist
US4842677A (en) * 1988-02-05 1989-06-27 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist using masked and maskless process steps
US4999277A (en) * 1988-02-22 1991-03-12 Trw Inc. Production of precision patterns on curved surfaces
FR2639567B1 (fr) * 1988-11-25 1991-01-25 France Etat Machine a microfaisceau laser d'intervention sur des objets a couche mince, en particulier pour la gravure ou le depot de matiere par voie chimique en presence d'un gaz reactif
US4940881A (en) * 1989-09-28 1990-07-10 Tamarack Scientific Co., Inc. Method and apparatus for effecting selective ablation of a coating from a substrate, and controlling the wall angle of coating edge portions
US5106455A (en) * 1991-01-28 1992-04-21 Sarcos Group Method and apparatus for fabrication of micro-structures using non-planar, exposure beam lithography

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5792520A (en) * 1995-08-24 1998-08-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a reflector
JP2006258449A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Yokohama Rubber Co Ltd:The レドーム
US8649742B2 (en) 2007-11-30 2014-02-11 Ntt Docomo, Inc. Radio communication system
JP2014123793A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Yokohama Rubber Co Ltd:The 周波数選択部材および曲面への周波数選択素子の配列決定方法
JP2019105551A (ja) * 2017-12-13 2019-06-27 中国電力株式会社 異常点検装置

Also Published As

Publication number Publication date
IL105925A (en) 1997-01-10
IL105925A0 (en) 1993-10-20
TW223732B (ja) 1994-05-11
EP0575848A3 (en) 1994-09-07
DE69306178T2 (de) 1997-03-20
US5472828A (en) 1995-12-05
DE69306178D1 (de) 1997-01-09
EP0575848A2 (en) 1993-12-29
EP0575848B1 (en) 1996-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06226477A (ja) 印刷回路盤技術に対する除去方法
US4882200A (en) Method for photopatterning metallization via UV-laser ablation of the activator
JP3212405B2 (ja) エキシマレーザ加工方法及び装置
JP3398376B2 (ja) 重合体誘電体層におけるバイア・ホールの製造方法
US4714516A (en) Method to produce via holes in polymer dielectrics for multiple electronic circuit chip packaging
US5364493A (en) Apparatus and process for the production of fine line metal traces
US4877480A (en) Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like
US5221422A (en) Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like
US4940508A (en) Apparatus and method for forming die sites in a high density electrical interconnecting structure
JPH08227159A (ja) 未処理製品の表面を照射する方法
US6300594B1 (en) Method and apparatus for machining an electrically conductive film
US5290992A (en) Apparatus for maximizing light beam utilization
JPH07283510A (ja) 印刷回路板の製造方法
JP2592369B2 (ja) 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法
KR19990007929A (ko) 다면 반복 노광 방법 및 장치
US5650249A (en) Method for making precision radomes
KR20040092428A (ko) 기판에 적용된 층의 가장자리 영역을 제거하고 기판을코팅하는 방법 및 장치 그리고 기판
JPH06297168A (ja) レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに立体回路の形成方法、表面処理方法、粉末付着方法
JPH06260739A (ja) 三次元的回路および同様のものの直接的結像方法
EP0256938B1 (en) Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like
US4724465A (en) Photofabrication using laser light to expose photoresist
JP2006513862A (ja) レーザを用いて電気的な回路基板を加工するための装置および方法
EP0787558B1 (en) Method of manufacturing reflector
KR19990067434A (ko) 효과적인 측벽의 레이저 스트리핑을 위한 경사 빔 회전 공정 및장치
JPH08187588A (ja) レーザ加工方法