CN105102177B - 在基板上引入穿孔的方法和装置以及以这种方式制造的基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种借助激光束在用作内插器的基板(2)中引入多个凹部(5)的方法和装置，以及以这种方式制造的基板(2)。为此，将激光束(3)引导至基板(2)的表面。这种情况下，选择极短的激光束(3)的作用时长，因此仅出现基板(2)同心围绕所述激光束的光轴(Z)的改性，而不会产生基板材料的去除。首先通过具有比空气更大的、取决于强度的折射率的透射介质(8)引导激光束(3)；然后激光束(3)到达基板(2)。由于所使用的脉冲激光的强度不是恒定的而是在单脉冲长度中具有先上升至最大然后再下降的强度，因而所述折射率也会改变。由此，激光束(3)的聚焦点(9a)在基板(2)的外表面(11,12)之间沿光轴(Z)位移，从而获得所需的沿光轴(Z)的改性而无须在光轴(Z)上追踪激光加工头(10)。

Description

在基板上引入穿孔的方法和装置以及以这种方式制造的基板
技术领域
本发明涉及借助激光束在用作内插器(Interposer)或微型元件的基板中引入多个穿孔的方法和装置。本发明还涉及以这种方式制造的具有穿孔的基板。
背景技术
这种类型的基板被用作所谓的用于电连接多个同质或异质的微芯片终端的内插器。所述内插器一般由玻璃或硅构成并且包括例如接触面、再配线(Umverdrahtung)、通路连接(Durchkontaktierung)以及活性或非活性的组件。
微芯片作为处理器核心典型具有在其下侧于相对小的区域中分布的彼此紧密间隔的数百个接触点。由于间隔紧密，不能将这些接触点直接施加至被称为主板的电路板。因此，内插器被用作连接元件，使用它可加宽接触基础。
在实践中，设有多个孔的玻璃纤维增强的环氧树脂板被用作内插器。在玻璃纤维毡的表面上分布了被引入各个孔的导体线路，以填充所述孔，并且在所述玻璃纤维毡的另一侧将其引至处理器核心的接线端(Anschlusskontakt)。然而，在加热的情况下在核心处理器和玻璃纤维毡之间会出现不同的膨胀并由此在所述两个组件之间出现机械应力。
为了减少因不同的温度膨胀系数而出现的应力，于是还使用硅内插器或者叫矽中介层、矽插技术。可以以半导体行业中常规的方式和方法来加工所述硅内插器。然而，制造硅基的内插器的成本极高，从而日益致力于用价格低廉的玻璃材料来代替所述硅基的内插器，因为玻璃就其热膨胀而言可与硅匹配。
将玻璃加工成可用的内插器是具有挑战性的。特别是现有技术尚未解决将用于通路连接的穿孔经济地引入基板。
因此，由EP 2 503 859 A1已知一种提供具有通孔的基板的方法，其中基板由绝缘体，如玻璃(例如硅酸盐玻璃)、蓝宝石、塑料或陶瓷，和半导体(如硅)制成。使用激光，例如飞秒激光来照射所述基板，所述激光聚焦至基板内所需位置处的聚焦点。使用以下方法来制造通孔，将具有经由激光基板改性的区域的基板浸渍在蚀刻液中并由此从基板中烧蚀经改性的区域。蚀刻所利用的效果是，相比于基板的未被改性的区域，经改性的区域能被很快的蚀刻。以这种方式可制造盲孔或通孔。铜溶液适用于通孔的填充。为了实现所需的“深度效应”("Tiefenwirkung")，即实现基板外侧之间的通孔，必须在持续照射期间相应地移动聚焦点，即在Z轴的方向上追踪(校正)(nachführen)聚焦点。
在一般情况下，选择性激光处理与随后的蚀刻处理的组合作为选择性激光诱导蚀刻，亦以名称ISLE(In-volume selective laser-induced etching)而已知。所述方法用于在例如玻璃或蓝宝石的透明材料上制造微部件、槽和成形切口。用于微光学、医疗技术和微系统技术的产品的微型化要求制造储存在微米范围并具有高达100nm的结果精度的组件。所述ISLE方法是用于制造由透明材料构成的结构和透明材料中的结构的合适的制造方法。通过使激光束聚焦在工件内部，所述材料在小的体积内(几立方微米)发生结构上的改变。例如，蓝宝石的晶体结构转变成无定形的玻璃状结构，其能比原材料快10000倍地蚀刻。通过激光聚焦点移动穿过工件产生了连续的改性区域，其随后通过水溶液中的氢氧化钾或氢氟酸以化学的方式被蚀刻并被除去。
由DE 10 2010 025 966 B4已知一种方法，在其第一步骤中激光脉冲被引导聚焦在基底上，所述激光脉冲的照射强度是如此之强，从而在玻璃中沿丝状通道出现了局部的非透热的破坏。在第二方法步骤中，通过向对立电极供给高压电源将所述丝状通道扩展成孔，这导致了沿丝状通道穿过基板的介电穿孔(dielektrische Durchbrüchen)。通过电热式加热和蒸发穿孔材料来扩大所述穿孔直至获得所需的孔径后通过切断电源来停止上述过程。可替代地或额外地，还可通过喷嘴将反应性气体引至穿孔位置处来扩展所述通道。击穿点又可通过所提供的蚀刻气体被拓宽。以下相对复杂的过程被证明是不利的，即首选必须通过非透热的破坏来击穿基板并在接下来的步骤中必须将丝状通道的直径扩宽为孔。
此外，由US 6,400,172 B1已知能借助于激光将穿孔引入半导体材料。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供明显简化用于引入穿孔的方法和装置的可行方案，特别是减少实施所需的时间的可行方案。此外，应能提供根据所述方法制造的基板。
根据本发明提供了一种方法，其中激光束首先通过具有比空气更大的取决于强度的折射率的透射介质(特别是玻璃)引导；然后使激光束射至基板，并通过非线性的自聚焦在单脉冲的脉冲长度内借助不变的、光学系统利用与原始焦距不同的焦距使所述激光束聚焦。为此，本发明利用以下事实，即脉冲激光的强度对于单脉冲不是恒定的，而是在单脉冲的时间进程中具有先上升至最大然后再下降的强度。折射率由于强度的增大也会增大至最大(相对于单脉冲在时间进程中按照正态分布)，从而所述光学系统的焦距会改变，亦即与激光加工头或透镜的距离会改变，也就是独立于由聚焦透镜所确定的几何聚焦位置。基本上通过透射介质这样来增强所述效应，使得最大和最小强度间的聚焦位置之间的距离至少对应于所需的纵向延伸，即待引入的凹部的深度。这以极为简单的方式在单脉冲的持续时间内形成了在光轴方向上的局部位移，这导致了在下文所述的待引入的凹部的光轴方向上于整个主延伸的区域内所期望的修正改性。由此，可省略如在现有技术中所不能避免的聚焦位置的跟踪。特别是因此无须对穿过基板的激光聚焦的移动进行控制。从而，根据本发明不仅取消了为此所须的操作成本还显著减少了处理时间，例如将处理时间缩短至单脉冲的持续时间。这种情况下所述透射介质的非线性的折射率线性地取决于强度，从而在合适的材料以及合适的尺寸方面的选择取决于所使用的激光束的强度。
这种情况下，以如此短的时间将激光束定向至基板，使得基板的改性(Modifikation)仅沿该激光束的光轴来进行，而不会出现穿透基板的基本凹部，其中于接下来的步骤中仅在所述基板的那些之前借助激光束已经受改性的区域中进行各向异性的材料消除，从而凹部或穿孔被引入所述基板。尽管本发明的方法还没有被最终了解，但目前出发点在于，由于激光的作用在改性的过程中发生基板材料的化学转变，而这对所述基板的物理性质或表面状态影响很小。在此，激光能量的输入用于激发或引发反应和由转变而导致的改性，其效用在接下来的方法步骤中才用于所需的材料消除。
当通过蚀刻工艺，特别是通过液体蚀刻干蚀刻或气相蚀刻或者通过借助于高电压或高频的蒸发来实现各向异性的材料消除时，对于实际的材料消除来说不使用连续的消除方法而使用对工艺仅有非常低的要求的区域作用(einwirkendes)的消除方法。更确切的说，在作用时长期间对所有以上述方式预处理并相应改性的区域同时定量且定性地进行材料消除，从而使制造多个凹部或穿孔所需的时间总体上大幅减少。
在强度最小的情况下将聚焦点定向至基板的外表面。然而，已证明特别有利的是，激光束在基板的背侧与其间隔地聚焦，因此这样调整激光束的聚焦点，使得所述聚焦点位于背离激光束的背侧与基板的表面相间隔。因此，以这种方式首先将激光束定向至位于基板外侧的聚焦点。然后，因强度的增加而改变的折射率导致聚焦点沿光轴穿过基板的局部位移。由此确保以足以产生改性的高强度在基板内施加各个聚焦点。
当然，在激光加工头相对于基板的相对位置不变的情况下照射作用的持续时间可包括多个脉冲长度，以例如进一步优化基体材料的改性改性。然而，特别有利的是，在单脉冲的持续时间中将激光束引导至相应的聚焦点。因此，之前以及随后的激光束的脉冲同样被定向至在基板平面中的间隔开的位置上，以使相邻的聚焦点在基板平面中具有间距。
通过激光加工可引入所述改性，其中交替进行激光加工头的定位和激光加工。然而，优选在将激光束定向至基板时进行激光束或激光加工头与基板间的恒定的相对移动，使得激光束连续地以“飞行式”("fliegenden")的移动在基板上被引导，从而相对位置的连续变化导致极快速的基板处理时间。特别地，所述基板的相对位置可相对于激光束以恒定的速度改变，使得在恒定的脉冲频率下待形成的改性的间距符合预定的间距。
特别优选的是，操作具有波长的激光，基板对于该波长是透明的，从而确保穿透基板。特别地，由此确保基本为圆柱形的与激光轴同轴的改性区域，这导致了穿孔或凹部的恒定的直径。
此外，还有利的是，通过激光额外地消除表面区域，从而能这样来设计各向异性的消除的作用区域，以便于形成穿孔的锥形入口区域。以这种方式可简化之后的通路连接。为此，在该区域例如聚集蚀刻剂的效用。
所述脉冲长度可相比于现有技术已知的方法大幅减少。在本发明方法的一项优选的技术方案中，操作具有小于50ps，优选小于20ps的脉冲长度的激光。
在本发明的另一项同样也是特别有利的实施方式中，所述基板尤其在改性后设有平坦的、覆盖至少一些单独的、特别是多个随后引入的穿孔的金属层。在接下来的步骤中，消除经改性的区域以形成一侧由金属层封闭的凹部。这种情况下，优选在改性后但在材料消除前施加所述金属层，以使在材料消除后例如作为导体线路(Leiterbahn)而施加的金属层封闭所述凹部，从而同时为安装在其上的接触形成了理想的基础。在此，使用已知的方法在所述凹部的区域获得通路连接。通过施加作为导体线路的金属层，还可以以简单的方式制造所需的电路图。
在所述方法的又一项同样也是特别有利的实施方式中，在激光处理前使用抗蚀刻剂在至少一个表面上对基板进行表面涂覆。通过激光束的作用同时在点状的作用区域中消除至少表面的抗蚀刻剂并在基板中形成改性。以这种方式使非改性区域在随后的蚀刻过程中免受不希望的作用并由此使表面不受损害。这种情况下，抗蚀刻剂并不妨碍位于其下的基板的改性。更确切的说，对于激光束来说抗蚀刻剂要么是可穿透的要么以接近点状的形式被该激光束消除，例如蒸发掉。此外，不排除所述抗蚀刻剂包含那些对改性起支持作用，例如加快改性过程的物质。
当然，可以在于基板的外表面涂覆抗蚀刻剂之前施加上述金属层，以使该金属层在除去抗蚀刻剂之后能用作所需的通路连接的基底。
所述抗蚀刻剂可在处理完成之后保留在基板表面。然而，优选以已知的方式在各向异性的材料消除之后将该抗蚀刻剂从基板表面除去。
基本上，该方法并不局限于特定的基板材料组成。然而，特别有效的是，基板包含铝硅酸盐、特别是硼铝硅酸盐作为基本的材料成分。
根据本发明，第二目的是利用具有用于将激光束引导至基板的激光加工头的装置通过以下来解决的，即所述装置配备有特别设有至少一个平坦表面或例如被设计成平板的透射介质，其具有比空气更大的取决于强度的折射率或比空气更大的取决于强度的折射量，在激光加工头和基板之间这样来布置所述透射介质，使得激光束可穿过该透射介质引导至基板。根据本发明，所述透射介质的取决于强度的折射率或取决于强度的折射量被使用，用于结合在各个单脉冲长度内的脉冲激光和所述单脉冲长度中导致的强度波动产生聚焦位置的轴向变化。因此，与现有技术不同，所述聚焦位置至少在单脉冲长度内并非不变，而是相对单脉冲的总长度沿光轴上的直线位移。容易理解的是，本发明的主要优势在于，在不追踪激光加工头的聚焦光学系统的情况下聚焦位置能发生偏移。特别地，由此显著缩短了处理时间并且还减少了操作成本。例如，对于平面基板来说可省去Z轴的追踪。
在此，基本上还可设想一项变化，其中在光束路径的方向上于激光加工头的聚焦光学系统前布置所述透射介质，使得激光束首先穿过该透射介质，然后穿过所述聚焦光学系统定向至基板。
当然，取决于强度的光折射效果可例如通过以下而适用于特定的用途，即对所述透射介质进行相应的调整或更换或使激光束穿过多个透射介质或多次穿过同一透射介质。
可将聚焦点定向至基板的背离激光加工头的背侧并且如此来设计透射介质，使得取决于强度的聚焦点在强度最大的情况下到达面向激光加工头的前侧。然而，特别实用的是，激光束可引导至与基板的背离激光加工头的背侧相间隔的聚焦点，从而不在强度最小的情况下到达基板的背侧而是仅在强度增加的过程中到达基板的背侧。由此在基板内确保总能满足待实现的改性的激光束的强度。
基本上各个脉冲激光均是适用于处理的，其中具有小于50ps，优选小于20ps的脉冲长度的激光已被证明是特别有用的。
此外，特别有利的是，用于聚焦的激光加工头包括具有大于0.3，特别是大于0.4的数值孔径(numerischen Apertur)(NA)的聚焦光学系统。
通过以下还实现了本发明装置的一项特别有利的设计，即所述聚焦光学系统包括梯度指数透镜(Gradienten-Index-Linse)。通过使用这样的亦被已知为GRIN透镜的透镜，沿径向减小的折射率导致在很大程度上补偿了在透镜的边缘区域的以其它方式存在的强度的衰减。
此外，被证明有利的是，透射介质由玻璃，特别是石英玻璃构成，以实现显著取决于强度的折射率。
这种情况下，所述透射介质优选连接至激光加工头并与其一起可移动地布置以及特别地将所述透射介质可替换地布置在所述激光加工头上。为此，例如快速定影是适用的。
所述装置优选除脉冲激光器之外还配备连续发射的激光器，其中所述透射介质对所述连续发射的激光的波长透明，并且所述连续发射的激光穿过所述介质定向至基板或者在绕过所述透射介质的情况下定向至基板。在此，脉冲激光的波长可不同于所述连续发射的激光的波长。此外，不同激光光源的激光束可从不同侧被定向至基板。
附图说明
本发明允许各种实施方式。为了进一步阐明其基本原理，其中的一项在附图中被示出并描述如下。附图示出了：
图1示出了包括多个方法步骤的流程图，该方法步骤用于通过各向异性的材料消除在基板中引入多个穿孔；
图2示出了所述方法的一种变化，其中在进行各向异性的材料消除之前施加金属层；
图3示出了所述方法的另一种变化，其中在第一方法步骤中将抗蚀刻剂施加在基板上；
图4示出了在单脉冲期间取决于强度的聚焦位置；
图5示出了单脉冲的持续时间内的随时间的强度分布的示意图。
具体实施方式
图1示出了在具有基板2的特定的内插器1中引入多个穿孔的过程中的各个方法步骤，所述内插器1在印刷电路板生产中用作接触元件。为此，将激光束3定向至基板2的表面。基板2包括硼铝硅酸盐作为主要的材料成分，以确保热膨胀与硅的热膨胀相似。在此，基板2的材料厚度为50μm至500μm。这种情况下，选择极短的激光束3的作用时长，以使基板2的改性仅同心地围绕所述激光束的光轴来进行，而不会出现基板材料的贯穿的损坏或切除。特别地，作用时长限制为单脉冲。为此，操作具有就基板2而言透明的波长的激光。在图1b中示出了这样的经改性的区域4。在接下来的于图1c中示出的方法步骤中，因未示出的腐蚀性液体或腐蚀性气体的作用而在基板2的这些之前就通过激光束3而经受了改性的区域4中发生了各向异性的材料消除。由此，在基板2中沿圆柱形的作用区域形成了作为穿孔的凹部5。
在图2中对同一方法的一种变化方式进行了说明，其中在图2b所示的借助激光束3的改性后，基板2设有表面金属层6，如在图2c中可见。通过各向异性的材料消除，在改性的区域4中、在接下来的于图2d中所示的方法步骤中产生了单侧由金属层6封闭的凹部5，其形成用于之后的接触的基底。
该方法的另一种变化在图3中被示出。在此，于借助于激光束3的激光处理之前使用图3b所示的抗蚀刻剂7来涂覆基板2的两侧。由于激光束3的作用，在点状的作用区域中同时发生抗蚀刻剂7的消除和位于其下方的基板2的区域的改性，如在图3c中可见。如此，基板2表面的未改性的区域在接下来的蚀刻过程中免受不希望的作用，由此，如图3d所示，借助液体蚀刻工艺实现了各向异性的材料消除并在基板2中形成相应的凹部5。通过所谓的剥离工艺(Stripping-Verfahren)，如图3e所示，去除了在蚀刻过程完成后可有可无的抗蚀刻剂7。
依据图4和5，下文将对基板2的激光处理期间的显著效果加以详述。此处涉及单脉冲P期间的取决于强度的聚焦位置。这种情况下，本发明基于以下认知，激光束3的单脉冲P的强度I不是恒定的，而是如图5所示，例如根据正态分布在单脉冲的时间进程内从最小值Ia经过中间值Ib上升至最大值然后下降。同时，折射率、尤其是透射介质8的折射率因强度I的变化相对单脉冲P在时间进程t的范围内而变化。由此，在图4a至4c中所示的激光束3的取决于强度的聚焦位置9a、9b、9c也会发生改变，其不依赖于由激光加工头10的聚焦光学系统所确定的几何聚焦位置。通过布置在激光加工头10和基板2之间的、例如由玻璃构成的、具有比空气更大的并取决于强度的折射率的透射介质8这样来增强所述效果，使得最大强度Ic和最小强度Ia之间的焦点位置9a、9c的距离至少对应于所需的纵向延伸，也就是说，待引入的凹部或如图中情况的待引入的穿孔的深度对应于基板2的材料厚度d。从而，取决于强度的聚焦点9a、9b、9c沿光轴Z从与基板2的背侧11相间隔的、图4a所示的位置处起在激光加工头10的方向上移动，并且在稳定的移动中到达沿光轴Z的在背侧11和面向激光加工头10的前侧12之间的所有位置，从而在之后待引入的凹部的整个主延伸的区域中产生所需的改性。
作为补充，在图4a中仅示意性地示出了一个附加的激光加工头13，通过该激光加工头，除与激光加工头10连接的连续发射的激光光源之外，脉冲激光的激光束3有选择性地穿过透射介质8或绕过该透射介质定向至基板2。由此，通过所述连续发射的激光光源的强度增强了在图5中示出的激光束3的单脉冲P的强度I。

Claims (30)

1.一种借助光学系统在特定的平面基板(2)中引入多个凹部(5)的方法，其中基板(2)在待引入的凹部(5)的区域中的厚度不超过2mm，该方法还借助于具有脉冲长度(t)的脉冲激光束(3)，其中基板(2)的基板材料对激光的波长至少部分透明，并且激光束(3)借助于焦距(f1)的光学系统聚焦，以及激光束(3)的强度导致基体(2)沿该激光束(3)的光轴(Z)的改性，但并不导致连续的材料消除，由此在接下来的步骤中主要在这些区域中进行各向异性的材料消除，所述区域之前就通过激光束(3)而经历了改性，并由此在基板(2)中形成凹部(5)，其特征在于，所述激光束(3)通过在单脉冲(P)的脉冲长度(t)内的非线性的自聚焦、借助相同的、自身不变的光学系统利用与原始焦距(f1)不同的焦距(f2)聚焦，其中焦距(f2)与原始焦距(f1)之间的差值大于所述基板(2)在待引入的凹部(5)的区域中的厚度，其中，脉冲激光束的强度在单脉冲方面具有在单脉冲的时间进程内上升至最大值然后下降的强度，其中，光学系统的焦距能够与通过聚焦光学系统确定的几何聚焦位置无关地、与强度有关地调节。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，焦距(f2)小于原始焦距(f1)。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基板(2)包括玻璃、蓝宝石和/或硅，其中玻璃、蓝宝石和/或硅作为基板的主要的材料成分。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在氢氟酸中的蚀刻来实施所述各向异性的材料消除。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述激光处理之前使用抗蚀刻剂(7)涂覆基板(2)的至少一侧。
6.根据权利要求5的方法，其特征在于，在所述激光处理前使用抗蚀刻剂(7)在至少一个表面上对基板(2)进行表面涂覆，并且通过激光束(3)的作用同时在点状的作用区域中消除抗蚀刻剂(7)并且在至少一个表面上形成在基板(2)中的改性。
7.根据权利要求5或6的方法，其特征在于，在进行所述各向异性的材料消除之后从基板(2)的表面去除抗蚀刻剂(7)。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用金属涂覆基板(2)的至少一侧。
9.根据权利要求8的方法，其特征在于，基板(2)在改性后设有平坦的、覆盖至少一些单个的随后引入的凹部(5)和/或穿孔的金属层(6)，并且在接下来的步骤中消除经改性的区域(4)以形成单侧由金属层(6)封闭的凹部(5)。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光学系统的数值孔径(NA)大于0.3。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，激光束(3)首先被引导穿过透射介质(8)，其中透射介质(8)具有比空气更大的取决于强度的折射率。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，激光束(3)被引导穿过所述光学系统的强聚焦的子系统和所述光学系统的对于激光束(3)的波长透射的材料，所述透射的材料具有比空气更大的取决于强度的折射率(n2)。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述透射的材料包括蓝宝石，蓝宝石作为其主要的材料成分。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，激光束(3)利用焦距(f1)集中至聚焦点(9a,9b,9c)，该聚焦点靠近基板(2)的背离所述光学系统的背侧(11)。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，激光束(3)在单脉冲(P)的脉冲长度(t)内被集中至各个的聚焦点(9a,9b,9c)。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在单脉冲(P)的脉冲长度(t)内各个聚焦点(9a,9b,9c)在激光束(3)的光轴(Z)的方向上移动至少30μm。
17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在激光束(3)作用于基板(2)的期间内，基板(2)相对于激光束(3)和/或激光加工头(10)不间断地移动。
18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述光学系统以均匀的相对速度相对于基板(2)移动来制造多个凹部(5)。
19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过激光束(3)还额外消除表面区域。
20.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，激光束(3)的脉冲长度(t)小于50ps。
21.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，脉冲激光的激光束(3)穿过透射介质(8)集中至基板(2)上，并且连续发射的激光的激光束穿过透射介质(8)或者绕开所述透射介质(8)集中至基板(2)上。
22.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述各向异性的材料消除在基板(2)的外表面(11,12)之间引入作为穿孔的凹部(5)。
23.一种具有用于实施根据前述权利要求任一项所述的方法的光学系统的装置，该光学系统具有用于将激光束(3)转移至基板(2)上的激光加工头(10)，其特征在于具有比空气更大的取决于强度的折射率的透射介质(8)，所述透射介质这样设置在激光加工头(10)和基板(2)之间，使得激光束(3)穿过透射介质(8)转移至基板(2)上，其中，脉冲激光束的强度在单脉冲方面具有在单脉冲的时间进程内上升至最大值然后下降的强度，其中，光学系统的焦距能够与通过聚焦光学系统确定的几何聚焦位置无关地、与强度有关地调节。
24.根据权利要求23的装置，其特征在于，激光束(3)被转移至聚焦点(9a,9b,9c)上，所述聚焦点(9a,9b,9c)与基板(2)的背离激光加工头(10)的背侧(11)相间隔。
25.根据权利要求23或24的装置，其特征在于，激光束(3)的脉冲长度(t)小于50ps。
26.根据权利要求23所述的装置，其特征在于，透射介质(8)由玻璃和/或蓝宝石构成。
27.根据权利要求23所述的装置，其特征在于，透射介质(8)连接至激光加工头(10)并与其一起可移动地布置。
28.根据权利要求23所述的装置，其特征在于，所述装置与脉冲激光器和连续发射的激光器相连接。
29.根据权利要求23所述的装置，其特征在于，所述光学系统的数值孔径(NA)大于0.3。
30.一种基体，其通过根据权利要求1至22中的任一项所述的方法制造，和/或通过根据权利要求23至29中的任一项所述的装置制造，其特征在于，基板(2)包含玻璃、蓝宝石、硅和/或铝硅酸盐，其中玻璃、蓝宝石、硅和/或铝硅酸盐作为基板的主要的材料成分。
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Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2011279374A1 (en) 2010-07-12 2013-02-07 Filaser Usa Llc Method of material processing by laser filamentation
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
ES2959429T3 (es) * 2013-04-04 2024-02-26 Lpkf Laser & Electronics Se Procedimiento para la separación de un sustrato
US9102011B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US9517929B2 (en) 2013-11-19 2016-12-13 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses
US10252507B2 (en) 2013-11-19 2019-04-09 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for forward deposition of material onto a substrate using burst ultrafast laser pulse energy
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9938187B2 (en) 2014-02-28 2018-04-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses
WO2016007572A1 (en) 2014-07-08 2016-01-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
CN208586209U (zh) 2014-07-14 2019-03-08 康宁股份有限公司 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统
EP3169479B1 (en) 2014-07-14 2019-10-02 Corning Incorporated Method of and system for arresting incident crack propagation in a transparent material
LT3169477T (lt) 2014-07-14 2020-05-25 Corning Incorporated Skaidrių medžiagų apdorojimo sistema ir būdas, naudojant lazerio pluošto židinio linijas, kurių ilgis ir skersmuo yra reguliuojami
CN107073641B (zh) * 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块；用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
JP6104354B2 (ja) * 2014-12-16 2017-03-29 旭硝子株式会社 貫通孔形成方法、貫通孔形成装置、および貫通孔を有するガラス基板の製造方法
EP3708548A1 (en) 2015-01-12 2020-09-16 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multiphoton absorption method
JP6734202B2 (ja) 2015-01-13 2020-08-05 ロフィン−シナール テクノロジーズ エルエルシー 脆性材料をスクライブして化学エッチングする方法およびシステム
WO2016154284A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
WO2016160391A1 (en) 2015-03-27 2016-10-06 Corning Incorporated Gas permeable window and method of fabricating the same
TW201704177A (zh) * 2015-06-10 2017-02-01 康寧公司 蝕刻玻璃基板的方法及玻璃基板
US11186060B2 (en) 2015-07-10 2021-11-30 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
US20180166353A1 (en) * 2015-08-21 2018-06-14 Corning Incorporated Glass substrate assemblies having low dielectric properties
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
JP6996508B2 (ja) 2016-09-01 2022-01-17 Ａｇｃ株式会社 ガラス物品の製造方法およびガラス物品
WO2018064409A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
EP3848333A1 (en) 2016-10-24 2021-07-14 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
EP3975232A1 (en) 2016-11-18 2022-03-30 Samtec Inc Filling materials and methods of filling through holes of a substrate
CN110291050B (zh) 2017-02-21 2022-04-29 Ａｇｃ株式会社 玻璃板和玻璃板的制造方法
CN110291051B (zh) 2017-02-21 2022-04-29 Ａｇｃ株式会社 玻璃板以及玻璃板的制造方法
EP3592500B1 (de) 2017-03-06 2023-10-11 LPKF Laser & Electronics SE Verfahren zum einbringen zumindest einer ausnehmung in ein material mittels elektromagnetischer strahlung und anschliessendem ätzprozess
JP6963023B2 (ja) 2017-03-06 2021-11-05 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト 技術的マスクの製造方法
TWI681445B (zh) * 2017-03-06 2020-01-01 德商Ｌｐｋｆ雷射暨電子股份公司 用於製造技術遮罩之方法以及藉助於可再用遮罩施加及/或移除圖案化材料之方法
KR102260931B1 (ko) * 2017-05-15 2021-06-04 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 레이저 유도 디프 반응성 에칭을 이용해 기판을 가공하기 위한, 특히 분리하기 위한 방법
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) * 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
DE112018004409B4 (de) * 2017-10-04 2022-02-17 Lpkf Laser & Electronics Ag Optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP7407499B2 (ja) * 2017-12-26 2024-01-04 株式会社ディスコ 凹部又は貫通孔の形成方法、電極の形成方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
DE102020100848B4 (de) 2019-01-29 2023-07-27 Lpkf Laser & Electronics Aktiengesellschaft Verfahren zur Mikrostrukturierung eines Glassubstrats mittels Laserstrahlung
JP7230650B2 (ja) 2019-04-05 2023-03-01 Tdk株式会社 無機材料基板の加工方法、デバイス、およびデバイスの製造方法
DE102019111634A1 (de) * 2019-05-06 2020-11-12 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen in einem Glassubstrat
EP3970210A1 (de) * 2019-05-13 2022-03-23 LPKF Laser & Electronics AG Verfahren zur herstellung eines ein trägersubstrat aufweisenden displays, ein nach diesem verfahren hergestelltes trägersubstrat sowie ein für ein flexibles display bestimmtes deckglas
WO2021008700A1 (en) 2019-07-17 2021-01-21 Scrona Ag Inkjet print head with contamination robustness
US20220242116A1 (en) 2019-07-17 2022-08-04 Scrona Ag Electrohydrodynamic print head with structured feed layer
DE102021100144A1 (de) 2020-01-09 2021-07-15 Lpkf Laser & Electronics Aktiengesellschaft Verfahren zur Bearbeitung eines Glases
KR102311023B1 (ko) * 2020-05-26 2021-10-08 윤창희 가공 효율성을 향상시킨 이중소재 이체형 플라즈마 에칭 플레이트
DE102020114195A1 (de) 2020-05-27 2021-12-02 Lpkf Laser & Electronics Aktiengesellschaft Verfahren zum Einbringen einer Ausnehmung in ein Substrat
EP4296244A1 (de) 2022-06-21 2023-12-27 LPKF Laser & Electronics SE Substratträger aus glas zur bearbeitung eines substrats und ein verfahren zu dessen herstellung
DE102022116783B3 (de) 2022-07-05 2023-09-14 Lpkf Laser & Electronics Aktiengesellschaft Mikrostruktur aus Glas, Mikro-Mechanik und zugehörige Verwendung
DE102022116784A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Lpkf Laser & Electronics Aktiengesellschaft Mikromechanische Kammstruktur aus Glas sowie zugehöriges Verfahren und Verwendung
DE102022127259A1 (de) 2022-10-18 2024-04-18 Lpkf Laser & Electronics Aktiengesellschaft Verfahren sowie Vorrichtung zur Abbildung eines Strahls auf ein Objekt und Verfahren zum Einbringen einer Öffnung in ein Werkstück mittels dieses Verfahrens
DE102022130976B3 (de) 2022-11-23 2023-11-30 Lpkf Laser & Electronics Aktiengesellschaft Monolithische Membran aus Glas, Doppel-Vertikalmembran-Anordnung, mikromechanische Federstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren
KR102559949B1 (ko) * 2022-12-15 2023-07-26 주식회사 에프엠에스 유리 기판을 관통하는 홀의 형성 방법 및 금속 플러그 형성 방법

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59127983A (ja) * 1982-12-24 1984-07-23 Toshiba Corp レ−ザ加工装置
EP0286855A1 (de) * 1987-04-15 1988-10-19 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Aetzen von Vertiefungen in ein Siliziumsubstrat
JPH02303148A (ja) * 1989-05-18 1990-12-17 Mitsubishi Electric Corp 窒化アルミニウムパツケージの製造方法
IL105925A (en) * 1992-06-22 1997-01-10 Martin Marietta Corp Ablative process for printed circuit board technology
US5738757A (en) * 1995-11-22 1998-04-14 Northrop Grumman Corporation Planar masking for multi-depth silicon etching
US6114240A (en) 1997-12-18 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor components using focused laser beam
JP3536058B2 (ja) * 2000-02-28 2004-06-07 独立行政法人理化学研究所 短パルス・レーザー光のパルス幅圧縮方法
US7569794B2 (en) * 2001-05-23 2009-08-04 Osmotica Corp. Laser drilling system and method
DE10154361A1 (de) * 2001-11-06 2003-05-15 Univ Albert Ludwigs Freiburg Verfahren zum Durchführen eines Rapid-Prototyping-Prozesses zur Herstellung von Mikrostrukturen
JP4418282B2 (ja) * 2004-03-31 2010-02-17 株式会社レーザーシステム レーザ加工方法
JP3873098B2 (ja) * 2004-03-31 2007-01-24 国立大学法人 北海道大学 レーザ加工方法および装置
US7303977B2 (en) * 2004-11-10 2007-12-04 Intel Corporation Laser micromachining method
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP5221007B2 (ja) * 2006-05-31 2013-06-26 アイシン精機株式会社 発光ダイオードチップ及びウェハ分割加工方法
US20070298529A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
JP5232375B2 (ja) * 2006-10-13 2013-07-10 アイシン精機株式会社 半導体発光素子の分離方法
JP2008288577A (ja) * 2007-04-18 2008-11-27 Fujikura Ltd 基板の処理方法、貫通配線基板及びその製造方法、並びに電子部品
JP2008288264A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Ntn Corp パターン修正方法
JP2009176926A (ja) 2008-01-24 2009-08-06 Fujikura Ltd 貫通配線基板及びその製造方法
TW201036508A (en) 2009-03-17 2010-10-01 High Conduction Scient Co Ltd Double-faced conductive composite board and manufacturing method thereof
CN101571603A (zh) * 2009-06-02 2009-11-04 中国科学院上海光学精密机械研究所 应用飞秒激光在石英玻璃基体上制备微光学元件的方法
US20120234807A1 (en) * 2009-12-07 2012-09-20 J.P. Sercel Associates Inc. Laser scribing with extended depth affectation into a workplace
JP5600427B2 (ja) 2009-12-25 2014-10-01 株式会社フジクラ 貫通配線基板の材料基板
JP5513227B2 (ja) * 2010-04-08 2014-06-04 株式会社フジクラ 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板
KR101181719B1 (ko) 2010-06-22 2012-09-19 한국과학기술원 펨토초 레이저에 의해 나노 보이드 어레이 형성을 통한 절단방법
DE102010025966B4 (de) 2010-07-02 2012-03-08 Schott Ag Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer
AU2011279374A1 (en) * 2010-07-12 2013-02-07 Filaser Usa Llc Method of material processing by laser filamentation
JP5509332B2 (ja) * 2010-07-26 2014-06-04 浜松ホトニクス株式会社 インターポーザの製造方法
US9625713B2 (en) * 2011-01-10 2017-04-18 UNIVERSITé LAVAL Laser reinforced direct bonding of optical components
CN102513700B (zh) * 2011-11-03 2015-04-15 西安交通大学 利用飞秒激光在石英玻璃内部制造三维微螺旋通道的方法
EP2762264A4 (en) * 2011-11-04 2015-12-16 Fujikura Ltd METHOD FOR PRODUCING A SUBSTRATE WITH MICROPORES
TW201343296A (zh) * 2012-03-16 2013-11-01 Ipg Microsystems Llc 使一工件中具有延伸深度虛飾之雷射切割系統及方法
JP6333282B2 (ja) 2012-11-29 2018-05-30 コーニング インコーポレイテッド レーザー損傷及びエッチングによってガラス物品を製造する方法
EP2781296B1 (de) * 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US9296646B2 (en) 2013-08-29 2016-03-29 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
US10144088B2 (en) * 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses

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