JP3409714B2 - チップ状電子部品の製造方法 - Google Patents
チップ状電子部品の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ状電子部品
の製造方法に関するものであり、より具体的には、チッ
プ状電子部品の部品本体上に端子電極を形成する方法に
関するものである。
の製造方法に関するものであり、より具体的には、チッ
プ状電子部品の部品本体上に端子電極を形成する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】実装技術の進歩に伴い、積層コンデン
サ、積層コイル、ＬＣフィルタ、薄膜コイル、高周波ア
ンテナ、ＥＭＩフィルタ等の電子部品のチップ化および
その小型化が急速に進められている。このようなチップ
状電子部品において、その小型化が進むに従って部品表
面の端子電極を高精度に形成することが困難となってき
ている。
サ、積層コイル、ＬＣフィルタ、薄膜コイル、高周波ア
ンテナ、ＥＭＩフィルタ等の電子部品のチップ化および
その小型化が急速に進められている。このようなチップ
状電子部品において、その小型化が進むに従って部品表
面の端子電極を高精度に形成することが困難となってき
ている。
【０００３】従来より、このようなチップ状電子部品の
端子電極を形成するためには、以下のような方法が用い
られていた。すなわち、スクリーン印刷技法や転写法等
を用いて厚膜ペーストを電子部品表面に塗布、焼成する
ことによりチップ状電子部品の端子電極を形成する方法
があった（以下、「従来技術１」とする）。しかし、スク
リーン印刷技法や転写法等を用いて端子電極を形成する
方法では、ペーストが丸く形成されるため電極が厚く盛
り上がり、半田付けの際にチップが立ち上がることがし
ばしばあった。また、焼成を行うため、有機絶縁樹脂等
のように耐熱性に優れない材料の用いられている電子部
品には用いることができなかった。
端子電極を形成するためには、以下のような方法が用い
られていた。すなわち、スクリーン印刷技法や転写法等
を用いて厚膜ペーストを電子部品表面に塗布、焼成する
ことによりチップ状電子部品の端子電極を形成する方法
があった（以下、「従来技術１」とする）。しかし、スク
リーン印刷技法や転写法等を用いて端子電極を形成する
方法では、ペーストが丸く形成されるため電極が厚く盛
り上がり、半田付けの際にチップが立ち上がることがし
ばしばあった。また、焼成を行うため、有機絶縁樹脂等
のように耐熱性に優れない材料の用いられている電子部
品には用いることができなかった。
【０００４】また、別の従来技術として、電子部品表面
にメタルマスクを装着し、スパッタリング法等により端
子電極を形成する方法があった（以下、「従来技術２」と
する）。しかし、この方法では、メタルマスクと電子部
品表面との間に隙間ができ、スパッタイオン等が入り込
むため、微細な端子電極の形成が困難であった。
にメタルマスクを装着し、スパッタリング法等により端
子電極を形成する方法があった（以下、「従来技術２」と
する）。しかし、この方法では、メタルマスクと電子部
品表面との間に隙間ができ、スパッタイオン等が入り込
むため、微細な端子電極の形成が困難であった。
【０００５】上述の各従来技術の有する問題点を克服す
るため、現在、無電解メッキを用いた端子電極の形成方
法が研究されている。無電解メッキによれば、まず、チ
ップ状電子部品の表面全面に塩化スズや塩化パラジウム
等からなる活性化触媒液を塗布する。その後、チップ部
品を無電解メッキ浴に浸漬して、該チップ部品の表面全
面にメッキ金属を析出させる。次いで、チップ状電子部
品の表面にフォトレジストを形成し、フォトマスクを用
いた露光によってパターニングした後、メッキ金属の不
要部分をエッチング除去し、端子電極を形成する方法で
ある（以下、「従来技術３」とする）。
るため、現在、無電解メッキを用いた端子電極の形成方
法が研究されている。無電解メッキによれば、まず、チ
ップ状電子部品の表面全面に塩化スズや塩化パラジウム
等からなる活性化触媒液を塗布する。その後、チップ部
品を無電解メッキ浴に浸漬して、該チップ部品の表面全
面にメッキ金属を析出させる。次いで、チップ状電子部
品の表面にフォトレジストを形成し、フォトマスクを用
いた露光によってパターニングした後、メッキ金属の不
要部分をエッチング除去し、端子電極を形成する方法で
ある（以下、「従来技術３」とする）。
【０００６】本手法によれば、従来技術１の場合と異な
り、基板を焼成することなく電子部品表面に端子電極を
均一に薄く形成することができる。また、従来技術２の
ように、メタルマスクと電子部品表面との間にスパッタ
イオン等が入り込み微細な電極の形成が妨げられる恐れ
がない。
り、基板を焼成することなく電子部品表面に端子電極を
均一に薄く形成することができる。また、従来技術２の
ように、メタルマスクと電子部品表面との間にスパッタ
イオン等が入り込み微細な電極の形成が妨げられる恐れ
がない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
無電解メッキを用いる方法には、以下のような問題点が
あった。
無電解メッキを用いる方法には、以下のような問題点が
あった。
【０００８】すなわち、この方法は、メッキ金属の不要
部分をエッチング除去するため、エッチングによるダメ
ージを受け易い材質からなる電子部品には適用すること
ができない。
部分をエッチング除去するため、エッチングによるダメ
ージを受け易い材質からなる電子部品には適用すること
ができない。
【０００９】また、表面実装型のチップ状電子部品にあ
っては、端子電極を基板の端部を囲むようにコ字状に形
成する必要がある。しかし、従来の無電解メッキによる
方法では、このようなコ字状の端子電極を形成する場
合、フォトリソグラフィー技術を用いてチップ基板表面
のメッキ金属をエッチング除去する工程を、それぞれの
側面ごとに個別に、複数回行わなければならず、工程が
複雑になっていた。
っては、端子電極を基板の端部を囲むようにコ字状に形
成する必要がある。しかし、従来の無電解メッキによる
方法では、このようなコ字状の端子電極を形成する場
合、フォトリソグラフィー技術を用いてチップ基板表面
のメッキ金属をエッチング除去する工程を、それぞれの
側面ごとに個別に、複数回行わなければならず、工程が
複雑になっていた。
【００１０】よって、本発明の目的は、チップ状電子部
品表面に端子電極を均一に薄く形成することができ、端
子電極の微細化が可能で、電子部品表面にダメージを与
ず、かつ、工程の単純な、端子電極の製造方法を提供す
ることにある。
品表面に端子電極を均一に薄く形成することができ、端
子電極の微細化が可能で、電子部品表面にダメージを与
ず、かつ、工程の単純な、端子電極の製造方法を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、上述した技
術的課題を解決するため、次のような構成を備えること
を特徴としている。
術的課題を解決するため、次のような構成を備えること
を特徴としている。
【００１２】すなわち本発明のチップ状電子部品の製造
方法においては、チップ基板にシュウ酸亜鉛または乳酸
亜鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、およ
びアンモニア水からなる親水性の光活性化触媒液を塗布
して、チップ基板上に光活性化触媒液からなる感光膜を
形成する工程と、チップ基板の電極を形成したい部分が
光の照射部分となるようにチップ基板を配置する工程
と、チップ基板に光を照射して、照射部分の感光膜を活
性化する工程と、チップ基板を無電解メッキ浴に浸漬
し、前記活性化部分にメッキ金属を析出させる工程とを
有する。
方法においては、チップ基板にシュウ酸亜鉛または乳酸
亜鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、およ
びアンモニア水からなる親水性の光活性化触媒液を塗布
して、チップ基板上に光活性化触媒液からなる感光膜を
形成する工程と、チップ基板の電極を形成したい部分が
光の照射部分となるようにチップ基板を配置する工程
と、チップ基板に光を照射して、照射部分の感光膜を活
性化する工程と、チップ基板を無電解メッキ浴に浸漬
し、前記活性化部分にメッキ金属を析出させる工程とを
有する。
【００１３】このように、本発明では、チップ基板上全
面に光活性化触媒液からなる感光膜を形成し、光を照射
して照射部分の感光膜を選択的に活性化させたのち、活
性化部分にメッキ金属を析出させる。したがって、従来
技術３のように、メッキ金属をエッチングする必要がな
く、チップ基板にダメージを与えることがない。
面に光活性化触媒液からなる感光膜を形成し、光を照射
して照射部分の感光膜を選択的に活性化させたのち、活
性化部分にメッキ金属を析出させる。したがって、従来
技術３のように、メッキ金属をエッチングする必要がな
く、チップ基板にダメージを与えることがない。
【００１４】また、チップ基板を配置する工程は、複数
のチップ基板を同一方向に向けて配列させるとともに、
各チップ基板の端面を同一方向に向けて露出させた状態
とする。
のチップ基板を同一方向に向けて配列させるとともに、
各チップ基板の端面を同一方向に向けて露出させた状態
とする。
【００１５】この際、照射光に平行、または、非常に平
行に近い紫外光を用いるとよい。この場合、露光される
のは照射光に垂直な方向に向けられたチップ基板の端面
だけで、照射光と平行な面であるチップ基板の側面は露
光されない。また、照射光の一部に平行でない光が含ま
れている場合、チップ基板の側面の一部も露光されるこ
とになる。しかし、紫外光である照射光は空気等の気体
による吸収により減衰するため、チップ基板の側面全面
が露光されることはなく、露光されるのは端子電極の形
成に必要な部分にとどまる。したがって、実装可能なコ
字状の端子電極を形成することができる。
行に近い紫外光を用いるとよい。この場合、露光される
のは照射光に垂直な方向に向けられたチップ基板の端面
だけで、照射光と平行な面であるチップ基板の側面は露
光されない。また、照射光の一部に平行でない光が含ま
れている場合、チップ基板の側面の一部も露光されるこ
とになる。しかし、紫外光である照射光は空気等の気体
による吸収により減衰するため、チップ基板の側面全面
が露光されることはなく、露光されるのは端子電極の形
成に必要な部分にとどまる。したがって、実装可能なコ
字状の端子電極を形成することができる。
【００１６】ところで、チップ状電子部品はその製造工
程や実装上の事情から、面取り形状であることが多い。
このようなチップ状電子部品を、その端面を同一方向に
向けて露出させた状態として配列し、端面方向から光を
照射すると、端面だけでなく面取り部分も露光される。
したがって、このように面取り形状のチップ状電子部品
を用いた場合には、一度の照射でコ字状の端子電極を形
成することができる。
程や実装上の事情から、面取り形状であることが多い。
このようなチップ状電子部品を、その端面を同一方向に
向けて露出させた状態として配列し、端面方向から光を
照射すると、端面だけでなく面取り部分も露光される。
したがって、このように面取り形状のチップ状電子部品
を用いた場合には、一度の照射でコ字状の端子電極を形
成することができる。
【００１７】また、前記チップ基板を配置する工程は、
複数のチップ基板を同一方向に向けて配列させるととも
に、チップ基板の一方主面の各一部分を露出させるよう
に、各チップ基板の主面を配列方向に対して傾けた状態
としてもよい。このような方法でチップ基板を配列させ
ると、感光膜の所望の領域を選択的に活性化させること
ができ、チップ基板の側面部分に形成される端子電極の
面積を自在に変化させることができる。
複数のチップ基板を同一方向に向けて配列させるととも
に、チップ基板の一方主面の各一部分を露出させるよう
に、各チップ基板の主面を配列方向に対して傾けた状態
としてもよい。このような方法でチップ基板を配列させ
ると、感光膜の所望の領域を選択的に活性化させること
ができ、チップ基板の側面部分に形成される端子電極の
面積を自在に変化させることができる。
【００１８】なお、前記チップ基板に光を照射する工程
において、フォトマスクを用いることによって、感光膜
を選択的に活性化させることもできる。この場合、用い
るフォトマスクの透光部の形状によって、端子電極の数
や形状を自在に変化させることができる。
において、フォトマスクを用いることによって、感光膜
を選択的に活性化させることもできる。この場合、用い
るフォトマスクの透光部の形状によって、端子電極の数
や形状を自在に変化させることができる。
【００１９】また、前記チップ基板に光を照射する工程
において、照射光にレーザービームを用いることによっ
て、感光膜を選択的に活性化させることができる。この
場合、レーザービームの照射領域によって端子電極の数
や形状を自在に変化させることができる。
において、照射光にレーザービームを用いることによっ
て、感光膜を選択的に活性化させることができる。この
場合、レーザービームの照射領域によって端子電極の数
や形状を自在に変化させることができる。
【００２０】このように、本発明によれば、端子電極の
形成に際してエッチングを行うことなく、端子電極の形
成が可能となる。また、チップ基板の配列方法を工夫す
ることにより、チップ基板にコ字状の端子電極を簡単な
工程で形成することができる。
形成に際してエッチングを行うことなく、端子電極の形
成が可能となる。また、チップ基板の配列方法を工夫す
ることにより、チップ基板にコ字状の端子電極を簡単な
工程で形成することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の実施形態を
図１および図２を用いて説明する。
図１および図２を用いて説明する。
【００２２】まず、チタン酸バリウムや酸化チタン等の
セラミックからなるチップ基板を親水性の光活性化触媒
液に浸漬し、あるいはチップ基板に親水性の光活性化触
媒液を霧状にして吹き付けることにより塗布し、乾燥さ
せ、光活性化触媒液からなる感光膜を形成する。光活性
化触媒液としては、例えば、シュウ酸亜鉛または乳酸亜
鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、および
アンモニア水からなる親水性の活性化触媒液を用いるこ
とができる。
セラミックからなるチップ基板を親水性の光活性化触媒
液に浸漬し、あるいはチップ基板に親水性の光活性化触
媒液を霧状にして吹き付けることにより塗布し、乾燥さ
せ、光活性化触媒液からなる感光膜を形成する。光活性
化触媒液としては、例えば、シュウ酸亜鉛または乳酸亜
鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、および
アンモニア水からなる親水性の活性化触媒液を用いるこ
とができる。
【００２３】次いで、図１に示す通り、複数のチップ基
板１を各チップ基板の端面２を同一方向に向けて露出さ
せた状態で配列させ、ホルダー３に固定する。またこの
場合、各チップ基板は、各々の側面４が互いに接するよ
うに隙間なく配列させてもよいし、間隔を空けて配列さ
せてもよい。但し、各チップ基板を隙間なく配列させた
場合の方が、ホルダー３内のチップ基板の充填効率を上
げることができ、より効率化が図れる。
板１を各チップ基板の端面２を同一方向に向けて露出さ
せた状態で配列させ、ホルダー３に固定する。またこの
場合、各チップ基板は、各々の側面４が互いに接するよ
うに隙間なく配列させてもよいし、間隔を空けて配列さ
せてもよい。但し、各チップ基板を隙間なく配列させた
場合の方が、ホルダー３内のチップ基板の充填効率を上
げることができ、より効率化が図れる。
【００２４】続いて、配列されたチップ基板の上方から
チップ基板に光を照射し、照射部分の感光膜に活性なパ
ラジウム触媒を析出させる（パラジウム触媒の析出部分
は太線５で示した）。具体的には、エキシマランプ（波
長：１７２ｎｍ、２２２ｎｍ、３０８ｎｍのいずれか）
からの紫外光を、５０ｍＪ／ｃｍ2の露光量で照射す
る。
チップ基板に光を照射し、照射部分の感光膜に活性なパ
ラジウム触媒を析出させる（パラジウム触媒の析出部分
は太線５で示した）。具体的には、エキシマランプ（波
長：１７２ｎｍ、２２２ｎｍ、３０８ｎｍのいずれか）
からの紫外光を、５０ｍＪ／ｃｍ2の露光量で照射す
る。
【００２５】この際、照射光を非常に平行に近い光とす
ると、露光されるのは照射光に垂直な方向に向けられた
チップ基板の端面２だけで、照射光と平行な面であるチ
ップ基板の側面４は、露光されない（図１のケースで
は、各チップ基板を隙間なく配列させているので、いず
れにしても側面４は露光はされないが、各チップ基板を
間隔を空けて配列させた場合であっても側面４は露光さ
れない）。
ると、露光されるのは照射光に垂直な方向に向けられた
チップ基板の端面２だけで、照射光と平行な面であるチ
ップ基板の側面４は、露光されない（図１のケースで
は、各チップ基板を隙間なく配列させているので、いず
れにしても側面４は露光はされないが、各チップ基板を
間隔を空けて配列させた場合であっても側面４は露光さ
れない）。
【００２６】但し、照射光の一部に平行でない光が含ま
れていた場合は、側面４の一部も露光される。しかし、
照射光に用いる紫外光は、空気等の気体による吸収によ
り減衰しやすい光であるため、適当な奥行きまでしか露
光されない。すなわち、チップ基板の側面全面が露光さ
れることはなく、端子電極の形成に適当な部分しか露光
されることはない。したがって、実装可能なコ字状の端
子電極を形成することができる。なお、雰囲気の組成等
の制御によって照射光の減衰が調節できるため、露光さ
れる奥行きが制御でき、チップ基板の側面部分に形成さ
れる電極の面積を変化させることができる。
れていた場合は、側面４の一部も露光される。しかし、
照射光に用いる紫外光は、空気等の気体による吸収によ
り減衰しやすい光であるため、適当な奥行きまでしか露
光されない。すなわち、チップ基板の側面全面が露光さ
れることはなく、端子電極の形成に適当な部分しか露光
されることはない。したがって、実装可能なコ字状の端
子電極を形成することができる。なお、雰囲気の組成等
の制御によって照射光の減衰が調節できるため、露光さ
れる奥行きが制御でき、チップ基板の側面部分に形成さ
れる電極の面積を変化させることができる。
【００２７】ここで、チップ状電子部品が面取り形状で
ある場合、図２のように、その端面６を同一方向に向け
て露出させた状態として配列し、端面方向から光を照射
すると、端面６だけでなく面取り部分７も露光され、照
射部分の感光膜に活性なパラジウム触媒が析出する（パ
ラジウム触媒の析出部分は太線８で示した）。したがっ
て、このように面取り形状のチップ状電子部品を用いた
場合には、一度の照射でチップ基板の端面、および、面
取り部分を同時に確実に露光することができるため、非
常に単純な工程でコ字状の端子電極を形成することがで
きる。
ある場合、図２のように、その端面６を同一方向に向け
て露出させた状態として配列し、端面方向から光を照射
すると、端面６だけでなく面取り部分７も露光され、照
射部分の感光膜に活性なパラジウム触媒が析出する（パ
ラジウム触媒の析出部分は太線８で示した）。したがっ
て、このように面取り形状のチップ状電子部品を用いた
場合には、一度の照射でチップ基板の端面、および、面
取り部分を同時に確実に露光することができるため、非
常に単純な工程でコ字状の端子電極を形成することがで
きる。
【００２８】次に、チップ基板のもう一方の端面にも同
様に光の照射を行うため、もう一方の端面が上方に向く
ようチップ基板を反転させ、光を照射し、チップ基板上
の感光膜に活性化触媒を析出させる。チップ基板の配列
方法、光の照射方法は前記の場合と同様とする。なお、
チップ基板を反転させずに、チップ基板の上下両方向か
ら露光を行うことによっても、チップ基板の両端面に活
性化触媒を析出させることができる。また、露光は上下
両方向から同時に行ってもよい。
様に光の照射を行うため、もう一方の端面が上方に向く
ようチップ基板を反転させ、光を照射し、チップ基板上
の感光膜に活性化触媒を析出させる。チップ基板の配列
方法、光の照射方法は前記の場合と同様とする。なお、
チップ基板を反転させずに、チップ基板の上下両方向か
ら露光を行うことによっても、チップ基板の両端面に活
性化触媒を析出させることができる。また、露光は上下
両方向から同時に行ってもよい。
【００２９】次いで、感光膜の照射光が照射されなかっ
た部分を水により洗い流す。
た部分を水により洗い流す。
【００３０】続いて、チップ基板を無電解ニッケルメッ
キ浴に１０分間浸漬して、前記パラジウム触媒が析出し
た部分に無電解ニッケルメッキを行う。次いで、無電解
銅メッキ浴に１０分間浸漬して前記ニッケルメッキ部分
に無電解銅メッキを行う。最後に、無電解銀メッキ浴に
５分間浸漬して、前記銅メッキ部分に無電解銀メッキを
行い、両端部にニッケル／銅／銀の三層構造の端子電極
を有するチップ状電子部品が完成する。
キ浴に１０分間浸漬して、前記パラジウム触媒が析出し
た部分に無電解ニッケルメッキを行う。次いで、無電解
銅メッキ浴に１０分間浸漬して前記ニッケルメッキ部分
に無電解銅メッキを行う。最後に、無電解銀メッキ浴に
５分間浸漬して、前記銅メッキ部分に無電解銀メッキを
行い、両端部にニッケル／銅／銀の三層構造の端子電極
を有するチップ状電子部品が完成する。
【００３１】ところで、無電解メッキにおいて、被メッ
キ物に活性化触媒液を塗布するには、活性化触媒液の満
たされた浴に被メッキ物を浸し、該活性化部分にメッキ
を行う。したがって、無電解メッキは、微細なパターン
メッキを行うためではなく、広い面積にメッキを行うと
きに用いられている。しかし、このように、本実施例に
よれば、チップ基板の配列方法を工夫することにより、
チップ状電子部品の端子電極という非常に微細な部分に
メッキを行うことができる。
キ物に活性化触媒液を塗布するには、活性化触媒液の満
たされた浴に被メッキ物を浸し、該活性化部分にメッキ
を行う。したがって、無電解メッキは、微細なパターン
メッキを行うためではなく、広い面積にメッキを行うと
きに用いられている。しかし、このように、本実施例に
よれば、チップ基板の配列方法を工夫することにより、
チップ状電子部品の端子電極という非常に微細な部分に
メッキを行うことができる。
【００３２】また、光活性化触媒を用いた本発明では、
従来技術３のような従来の活性化触媒を用いた方法に比
べて、メッキ膜の被メッキ物に対する密着強度が高い。
したがって、実装の際に半田付け性の良好な端子電極を
得ることができる。
従来技術３のような従来の活性化触媒を用いた方法に比
べて、メッキ膜の被メッキ物に対する密着強度が高い。
したがって、実装の際に半田付け性の良好な端子電極を
得ることができる。
【００３３】（実施例２）本発明の別の実施形態を図３
から図５を用いて説明する。図３は配列したチップ基板
の上面図、図４は図３のＸ−Ｘ線における断面図、図５
は図３のＹ−Ｙ線における断面図である。
から図５を用いて説明する。図３は配列したチップ基板
の上面図、図４は図３のＸ−Ｘ線における断面図、図５
は図３のＹ−Ｙ線における断面図である。
【００３４】この実施例では、実施例１のチップ基板に
光を照射する工程において、フォトマスクを用いて、配
列されたチップ基板に光を照射し、照射部分の感光膜に
活性なパラジウム触媒を析出させる。具体的には、図
３、図４、図５に示すように、配列させたチップ基板１
１の端面１２上に、例えば、棒状の光透過部１０を有す
るフォトマスク１３を、チップ基板の端面１２に密着ま
たは近接させて設ける。フォトマスクには、例えば、ラ
イン／スペース１４／１５が１００μｍ／１００μｍの
ものを用いる。このような形状のフォトマスクを用いて
感光膜を選択的に活性化することによって、各チップ基
板に複数の端子電極を形成することができる。また、こ
の際に設けるフォトマスクのスペースの数によって、形
成される端子電極の数が決まる。さらに、フォトマスク
のライン／スペースの形状によって、形成される端子電
極の形状が決まる。
光を照射する工程において、フォトマスクを用いて、配
列されたチップ基板に光を照射し、照射部分の感光膜に
活性なパラジウム触媒を析出させる。具体的には、図
３、図４、図５に示すように、配列させたチップ基板１
１の端面１２上に、例えば、棒状の光透過部１０を有す
るフォトマスク１３を、チップ基板の端面１２に密着ま
たは近接させて設ける。フォトマスクには、例えば、ラ
イン／スペース１４／１５が１００μｍ／１００μｍの
ものを用いる。このような形状のフォトマスクを用いて
感光膜を選択的に活性化することによって、各チップ基
板に複数の端子電極を形成することができる。また、こ
の際に設けるフォトマスクのスペースの数によって、形
成される端子電極の数が決まる。さらに、フォトマスク
のライン／スペースの形状によって、形成される端子電
極の形状が決まる。
【００３５】その他、チップ基板上に光活性化触媒液か
らなる感光膜を形成する工程、チップ基板の電極を形成
したい部分が光の照射部分となるようにチップ基板を配
置する工程、および、チップ基板を無電解メッキ浴に浸
漬し、前記活性化部分にメッキ金属を析出させる工程
は、実施例１の場合と同様に行う。
らなる感光膜を形成する工程、チップ基板の電極を形成
したい部分が光の照射部分となるようにチップ基板を配
置する工程、および、チップ基板を無電解メッキ浴に浸
漬し、前記活性化部分にメッキ金属を析出させる工程
は、実施例１の場合と同様に行う。
【００３６】以上の工程を経て、各チップ基板に複数の
端子電極を有するチップ状電子部品が完成する。
端子電極を有するチップ状電子部品が完成する。
【００３７】（実施例３）本発明の別の実施形態を図６
から図８を用いて説明する。図６は配列したチップ基板
の上面図、図７は図６のＺ−Ｚ線における断面図、図８
は図６のＷ−Ｗ線における断面図である。
から図８を用いて説明する。図６は配列したチップ基板
の上面図、図７は図６のＺ−Ｚ線における断面図、図８
は図６のＷ−Ｗ線における断面図である。
【００３８】この実施例では、実施例１のチップ基板に
光を照射する工程において、照射光として、エキシマラ
ンプではなくレーサービーム１６を用いて、配列された
チップ基板の照射部分の感光膜に活性なパラジウム触媒
を析出させる（パラジウム触媒の析出部分は太線１７で
示した）。具体的には、図６、図７、図８に示すよう
に、配列させたチップ基板１８の端面１９方向から、エ
キシマレーザー（波長：１９３ｎｍ、２４８ｎｍのいず
れか）を照射する。レーザーのビーム径は、例えば、５
０μｍとする。
光を照射する工程において、照射光として、エキシマラ
ンプではなくレーサービーム１６を用いて、配列された
チップ基板の照射部分の感光膜に活性なパラジウム触媒
を析出させる（パラジウム触媒の析出部分は太線１７で
示した）。具体的には、図６、図７、図８に示すよう
に、配列させたチップ基板１８の端面１９方向から、エ
キシマレーザー（波長：１９３ｎｍ、２４８ｎｍのいず
れか）を照射する。レーザーのビーム径は、例えば、５
０μｍとする。
【００３９】このとき、レーザービーム、または、チッ
プ基板を移動させることにより、感光膜の所望の領域を
選択的に活性化させることができる。したがって、微細
な端子電極の形成が可能となるとともに、フォトマスク
を用いることなく、レーザービームの照射領域によっ
て、形成される端子電極の数や形状を決定することがで
きる。
プ基板を移動させることにより、感光膜の所望の領域を
選択的に活性化させることができる。したがって、微細
な端子電極の形成が可能となるとともに、フォトマスク
を用いることなく、レーザービームの照射領域によっ
て、形成される端子電極の数や形状を決定することがで
きる。
【００４０】その他、チップ基板上に光活性化触媒液か
らなる感光膜を形成する工程、チップ基板の電極を形成
したい部分が光の照射部分となるようにチップ基板を配
置する工程、および、チップ基板を無電解メッキ浴に浸
漬し、前記活性化部分にメッキ金属を析出させる工程
は、実施例１の場合と同様に行う。
らなる感光膜を形成する工程、チップ基板の電極を形成
したい部分が光の照射部分となるようにチップ基板を配
置する工程、および、チップ基板を無電解メッキ浴に浸
漬し、前記活性化部分にメッキ金属を析出させる工程
は、実施例１の場合と同様に行う。
【００４１】以上の工程を経て、各チップ基板に複数の
端子電極を有するチップ状電子部品が完成する。
端子電極を有するチップ状電子部品が完成する。
【００４２】（実施例４）本発明の別の実施形態を図９
および図１０を用いて説明する。
および図１０を用いて説明する。
【００４３】まず、チタン酸バリウムや酸化チタン等の
セラミックからなるチップ基板を親水性の光活性化触媒
液に浸漬し、あるいはチップ基板に親水性の光活性化触
媒液を霧状にして吹き付けることにより塗布し、乾燥さ
せ、光活性化触媒液からなる感光膜を形成する。光活性
化触媒液としては、例えば、シュウ酸亜鉛または乳酸亜
鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、および
アンモニア水からなる親水性の活性化触媒液を用いるこ
とができる。
セラミックからなるチップ基板を親水性の光活性化触媒
液に浸漬し、あるいはチップ基板に親水性の光活性化触
媒液を霧状にして吹き付けることにより塗布し、乾燥さ
せ、光活性化触媒液からなる感光膜を形成する。光活性
化触媒液としては、例えば、シュウ酸亜鉛または乳酸亜
鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、および
アンモニア水からなる親水性の活性化触媒液を用いるこ
とができる。
【００４４】次いで、チップ基板の電極を形成したい部
分が光の照射部分となるようにチップ基板を配置する。
すなわち、図９に示す通り、複数のチップ基板２１を端
子電極を形成すべき端面２２が同一方向に向くように配
列させるとともに、チップ基板２１の一方主面２３の各
一部分を露出させるように、複数のチップ基板２１の各
主面２３を配列方向に対して傾けた状態で隙間なく配列
させ、ホルダー２５に固定する。
分が光の照射部分となるようにチップ基板を配置する。
すなわち、図９に示す通り、複数のチップ基板２１を端
子電極を形成すべき端面２２が同一方向に向くように配
列させるとともに、チップ基板２１の一方主面２３の各
一部分を露出させるように、複数のチップ基板２１の各
主面２３を配列方向に対して傾けた状態で隙間なく配列
させ、ホルダー２５に固定する。
【００４５】続いて、配列された各チップ基板２１の上
方からチップ基板に光を照射し、照射部分の感光膜に活
性なパラジウム触媒を析出させる（パラジウム触媒の析
出部分は太線２６で示した）。具体的には、エキシマラ
ンプ（波長：１７２ｎｍ、２２２ｎｍ、３０８ｎｍのい
ずれか）からの紫外光を、５０ｍＪ／ｃｍ2の露光量で
照射する。
方からチップ基板に光を照射し、照射部分の感光膜に活
性なパラジウム触媒を析出させる（パラジウム触媒の析
出部分は太線２６で示した）。具体的には、エキシマラ
ンプ（波長：１７２ｎｍ、２２２ｎｍ、３０８ｎｍのい
ずれか）からの紫外光を、５０ｍＪ／ｃｍ2の露光量で
照射する。
【００４６】次に、図１０に示すように、チップ基板２
１の端子電極を形成したい部分を上方に向けたまま、チ
ップ基板の光を照射した前記主面２３と対向するもう一
方の主面２４が光の照射部分となるようチップ基板の傾
きを逆転させる。次いで、チップ基板２１の上方から光
を再び照射し、照射部分の感光膜にパラジウム触媒を析
出させる。光の照射は前記の場合と同様の方法で行う。
１の端子電極を形成したい部分を上方に向けたまま、チ
ップ基板の光を照射した前記主面２３と対向するもう一
方の主面２４が光の照射部分となるようチップ基板の傾
きを逆転させる。次いで、チップ基板２１の上方から光
を再び照射し、照射部分の感光膜にパラジウム触媒を析
出させる。光の照射は前記の場合と同様の方法で行う。
【００４７】次に、チップ基板のもう一方の端面にも同
様の光の照射を行うため、もう一方の端面が上方に向く
ようチップ基板を反転させる。次いで、チップ基板の上
方から光を照射し、チップ基板上の感光膜に活性化触媒
を析出させる。チップ基板の配列方法、光の照射方法は
前記の場合と同様とする。なお、チップ基板を反転させ
ずに、チップ基板の上下両方向から露光を行うことによ
っても、チップ基板の両端面に活性化触媒を析出させる
ことができる。なお、露光は上下両方向から同時に行っ
てもよい。
様の光の照射を行うため、もう一方の端面が上方に向く
ようチップ基板を反転させる。次いで、チップ基板の上
方から光を照射し、チップ基板上の感光膜に活性化触媒
を析出させる。チップ基板の配列方法、光の照射方法は
前記の場合と同様とする。なお、チップ基板を反転させ
ずに、チップ基板の上下両方向から露光を行うことによ
っても、チップ基板の両端面に活性化触媒を析出させる
ことができる。なお、露光は上下両方向から同時に行っ
てもよい。
【００４８】次いで、感光膜の照射光が照射されなかっ
た部分を水により洗い流す。
た部分を水により洗い流す。
【００４９】続いて、チップ基板を無電解ニッケルメッ
キ浴に１０分間浸漬して、前記パラジウム触媒が析出し
た部分に無電解メッキを行い、次いで、無電解銅メッキ
浴に１０分間浸漬して前記ニッケルメッキ部分に無電解
メッキを行う。最後に、無電解銀メッキ浴に５分間浸漬
して、前記銅メッキ部分に無電解メッキを行い、両端部
にコ字状の端子電極を有するチップ状電子部品が完成す
る。
キ浴に１０分間浸漬して、前記パラジウム触媒が析出し
た部分に無電解メッキを行い、次いで、無電解銅メッキ
浴に１０分間浸漬して前記ニッケルメッキ部分に無電解
メッキを行う。最後に、無電解銀メッキ浴に５分間浸漬
して、前記銅メッキ部分に無電解メッキを行い、両端部
にコ字状の端子電極を有するチップ状電子部品が完成す
る。
【００５０】このように、本実施例によれば、フォトマ
スクを用いることなく、チップ基板の配列方法を工夫す
ることによって、感光膜の所望する領域を選択的に活性
化させることができ、チップ基板にコ字状の端子電極を
形成することができる。また、本実施例では、チップ基
板を配列する傾きを調節することにより、チップ基板の
側面部分に形成される電極の面積を自在に変化させるこ
とができる。
スクを用いることなく、チップ基板の配列方法を工夫す
ることによって、感光膜の所望する領域を選択的に活性
化させることができ、チップ基板にコ字状の端子電極を
形成することができる。また、本実施例では、チップ基
板を配列する傾きを調節することにより、チップ基板の
側面部分に形成される電極の面積を自在に変化させるこ
とができる。
【００５１】
【発明の効果】このように、この発明では、チップ状電
子部品表面に端子電極を均一に薄く形成することがで
き、端子電極の微細化が可能で、電子部品表面にダメー
ジを与えることがない。
子部品表面に端子電極を均一に薄く形成することがで
き、端子電極の微細化が可能で、電子部品表面にダメー
ジを与えることがない。
【００５２】また、この発明では、チップ基板の電極を
形成したい部分が光の照射部分となるようにチップ基板
を配置し、該照射部分に無電解メッキを行い電極を形成
する。このように、チップ基板の配列方法を工夫するこ
とによって、チップ基板にコ字状の端子電極を形成する
ことができ、工程が非常に簡単となる。
形成したい部分が光の照射部分となるようにチップ基板
を配置し、該照射部分に無電解メッキを行い電極を形成
する。このように、チップ基板の配列方法を工夫するこ
とによって、チップ基板にコ字状の端子電極を形成する
ことができ、工程が非常に簡単となる。
【図１】この発明の一実施形態によるチップ状電子部品
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す断面図である。
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態によるチップ状電子部品
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す断面図である。
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す断面図である。
【図３】この発明の一実施形態によるチップ状電子部品
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す上面図である。
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す上面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図５】図３のＹ−Ｙ線における断面図である。
【図６】この発明の一実施形態によるチップ状電子部品
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す上面図である。
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す上面図である。
【図７】図６のＺ−Ｚ線における断面図である。
【図８】図６のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図９】この発明の一実施形態によるチップ状電子部品
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す断面図である。
の製造方法において、配列された複数のチップ基板に光
を照射する工程を示す断面図である。
【図１０】この発明の一実施形態によるチップ状電子部
品の製造方法において、配列された複数のチップ基板に
光を照射する工程を示す断面図である。
品の製造方法において、配列された複数のチップ基板に
光を照射する工程を示す断面図である。
１ チップ基板
２ チップ基板の端面
３ ホルダー
４ チップ基板の側面
５ パラジウム触媒の析出部分
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−272980（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−236784（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−80374（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−202672（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−164293（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−115395（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 18/28
C23C 18/31
H01G 4/30 311
Claims (6)
- 【請求項１】 チップ基板にシュウ酸亜鉛または乳酸亜
鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、および
アンモニアからなる親水性の光活性化触媒液を塗布し
て、チップ基板上に光活性化触媒液からなる感光膜を形
成する工程と、 チップ基板に光を照射して、照射部分の感光膜を活性化
する工程と、 チップ基板を無電解メッキ浴に浸漬し、前記活性化部分
にメッキ金属を析出させる工程と、を有し、前記チップ
基板を配置する工程は、複数のチップ基板を同一方向に
向けて隙間なく配列させるとともに、各チップ基板の端
面を同一方向に向けて露出させた状態とする工程である
ことを特徴とするチップ状電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 チップ基板にシュウ酸亜鉛または乳酸亜
鉛、シュウ酸銅または乳酸銅、塩化パラジウム、および
アンモニア水からなる親水性の光活性化触媒液を塗布し
て、チップ基板上に光活性化触媒液からなる感光膜を形
成する工程と、 チップ基板の電極を形成したい部分が光の照射部分とな
るようにチップ基板を配置する工程と、 チップ基板に光を照射して、照射部分の感光膜を活性化
する工程と、 チップ基板を無電解メッキ浴に浸漬し、前記活性化部分
にメッキ金属を析出させる工程と、を有し、前記チップ
基板を配置する工程は、複数のチップ基板を同一方向に
向けて隙間なく配列させるとともに、チップ基板の一方
主面の各一部分を露出させるように、各チップ基板の主
面を配列方向に対して傾けた状態とする工程であること
を特徴とするチップ状電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記チップ基板に光を照射する工程は、
照射光に平行光、または、非常に平行に近い光を用いる
ことによって、感光膜を活性化することを特徴とする請
求項１または請求項２記載のチップ状電子部品の製造方
法。 - 【請求項４】 前記チップ基板に光を照射する工程は、
照射光に紫外光を用いることによって、感光膜を活性化
することを特徴とする請求項３記載のチップ状電子部品
の製造方法。 - 【請求項５】 前記チップ基板に光を照射する工程は、
フォトマスクを用いて、感光膜を選択的に活性化するこ
とを特徴とする請求項４記載のチップ状電子部品の製造
方法。 - 【請求項６】 前記チップ基板に光を照射する工程は、
照射光にレーザービームを用いることによって、感光膜
を選択的に活性化することを特徴とする請求項４記載の
チップ状電子部品の製造方法。
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