JP3111891B2 - 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 - Google Patents
無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法Info
- Publication number
- JP3111891B2 JP3111891B2 JP08086725A JP8672596A JP3111891B2 JP 3111891 B2 JP3111891 B2 JP 3111891B2 JP 08086725 A JP08086725 A JP 08086725A JP 8672596 A JP8672596 A JP 8672596A JP 3111891 B2 JP3111891 B2 JP 3111891B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroless plating
- photosensitive film
- copper
- palladium
- zinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
- C04B41/4535—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application applied as a solution, emulsion, dispersion or suspension
- C04B41/4541—Electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、無電解めっきの
ための活性化触媒液およびそれを用いた無電解めっき方
法に関するものである。
ための活性化触媒液およびそれを用いた無電解めっき方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、高周波用コイル、誘電体フィ
ルタ、コンデンサ、ハイブリッドＩＣなどのための導体
膜を、アルミナ基板、誘電体セラミック基板、ポリイミ
ド基板、ガラス・エポキシ基板、フェライト基板などの
基材上に、所定のパターンをもって形成するのに、無電
解めっきが適用されることがある。無電解めっきを行な
う場合、基材表面を活性化する必要があり、この活性化
のために活性化触媒液が用いられる。
ルタ、コンデンサ、ハイブリッドＩＣなどのための導体
膜を、アルミナ基板、誘電体セラミック基板、ポリイミ
ド基板、ガラス・エポキシ基板、フェライト基板などの
基材上に、所定のパターンをもって形成するのに、無電
解めっきが適用されることがある。無電解めっきを行な
う場合、基材表面を活性化する必要があり、この活性化
のために活性化触媒液が用いられる。
【０００３】活性化触媒液は、基材上に付与され、それ
によって、基材上に感光膜が形成される。このような活
性化触媒液は、基材上に付与された後、紫外線またはレ
ーザ光が照射されると、照射された領域においてのみ、
選択的に活性化が図られ、したがって特定の領域におい
てのみ選択的に無電解めっきすることが可能になること
が注目されている。このような活性化触媒液によれば、
フォトリソグラフィ技術を用いて、微細なパターンの導
体膜を能率的に基材上に形成できる。
によって、基材上に感光膜が形成される。このような活
性化触媒液は、基材上に付与された後、紫外線またはレ
ーザ光が照射されると、照射された領域においてのみ、
選択的に活性化が図られ、したがって特定の領域におい
てのみ選択的に無電解めっきすることが可能になること
が注目されている。このような活性化触媒液によれば、
フォトリソグラフィ技術を用いて、微細なパターンの導
体膜を能率的に基材上に形成できる。
【０００４】従来、上述のことを可能にする活性化触媒
液として、たとえば、パラジウムアセチルアセトナート
をクロロホルムなどの有機溶剤に溶解したものが用いら
れている。このような活性化触媒液は、適宜の基材上に
感光膜を形成するように塗布され、この感光膜にフォト
マスクを介してレーザ光または紫外線が照射される。こ
れによって、露光された領域においてのみ、基材上に金
属パラジウムが析出する。その後、フォトマスクが外さ
れ、露光されなかった領域の感光膜がクロロホルムなど
の有機溶剤で洗い流され、それによって、残された金属
パラジウムからなる膜がフォトマスクのパターンに相関
するパターンをもって現像される。そして、この基材
を、無電解めっき浴に浸漬すると、金属パラジウムが活
性化触媒として働き、基材上に無電解めっき膜が形成さ
れる（以下、「第１の従来技術」と言う。）。
液として、たとえば、パラジウムアセチルアセトナート
をクロロホルムなどの有機溶剤に溶解したものが用いら
れている。このような活性化触媒液は、適宜の基材上に
感光膜を形成するように塗布され、この感光膜にフォト
マスクを介してレーザ光または紫外線が照射される。こ
れによって、露光された領域においてのみ、基材上に金
属パラジウムが析出する。その後、フォトマスクが外さ
れ、露光されなかった領域の感光膜がクロロホルムなど
の有機溶剤で洗い流され、それによって、残された金属
パラジウムからなる膜がフォトマスクのパターンに相関
するパターンをもって現像される。そして、この基材
を、無電解めっき浴に浸漬すると、金属パラジウムが活
性化触媒として働き、基材上に無電解めっき膜が形成さ
れる（以下、「第１の従来技術」と言う。）。
【０００５】他方、シュウ酸第二鉄と塩化パラジウムと
を水酸化カリウム溶液に溶解した、活性化触媒液を用い
る選択的な無電解めっき方法が、「ザ・エレクトロケミ
カル・ソサエティ・プロシーディングズ（The Electroc
hemical Society Proceedings ）」第９４−３１巻に掲
載されたトーマス・エイチ・バウム（Thomas H. Baum）
等による「テフロンおよびエポキシ系基板の回路形成の
ための銅の選択的めっき（SELECTIVE PLATING OF COPPE
R FOR CIRCUITIZATION OF TEFLON AND EPOXY-BASED SUB
STRATES ）」に記載されている（以下、「第２の従来技
術」と言う。）。
を水酸化カリウム溶液に溶解した、活性化触媒液を用い
る選択的な無電解めっき方法が、「ザ・エレクトロケミ
カル・ソサエティ・プロシーディングズ（The Electroc
hemical Society Proceedings ）」第９４−３１巻に掲
載されたトーマス・エイチ・バウム（Thomas H. Baum）
等による「テフロンおよびエポキシ系基板の回路形成の
ための銅の選択的めっき（SELECTIVE PLATING OF COPPE
R FOR CIRCUITIZATION OF TEFLON AND EPOXY-BASED SUB
STRATES ）」に記載されている（以下、「第２の従来技
術」と言う。）。
【０００６】さらに、シュウ酸第二鉄またはシュウ酸ル
テニウムのようなシュウ酸塩と塩化パラジウムとアンモ
ニア水とを含む活性化触媒液を用いる選択的な無電解め
っき方法が、ヨーロッパ特許出願公開第６８７，１３６
号として公開されている（以下、「第３の従来技術」と
言う。）。
テニウムのようなシュウ酸塩と塩化パラジウムとアンモ
ニア水とを含む活性化触媒液を用いる選択的な無電解め
っき方法が、ヨーロッパ特許出願公開第６８７，１３６
号として公開されている（以下、「第３の従来技術」と
言う。）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した第１の従来技
術では、クロロホルムなどの有機溶剤を現像工程におい
て用いなければならない。このような有機溶剤は、多量
に用いることを安易には行なえず、そのため、露光され
なかった感光膜を完全に洗い流すことが比較的困難であ
る。このように、露光されなかった感光膜が残存する
と、以後の無電解めっきによるめっき膜のパターンの鮮
明さに欠けるという問題に遭遇する。また、感光膜を露
光するのに、たとえばエキシマレーザのような大きなエ
ネルギの光源が必要で、しかも長い露光時間が必要なた
め、露光に要するコストが高いという問題も有してい
る。
術では、クロロホルムなどの有機溶剤を現像工程におい
て用いなければならない。このような有機溶剤は、多量
に用いることを安易には行なえず、そのため、露光され
なかった感光膜を完全に洗い流すことが比較的困難であ
る。このように、露光されなかった感光膜が残存する
と、以後の無電解めっきによるめっき膜のパターンの鮮
明さに欠けるという問題に遭遇する。また、感光膜を露
光するのに、たとえばエキシマレーザのような大きなエ
ネルギの光源が必要で、しかも長い露光時間が必要なた
め、露光に要するコストが高いという問題も有してい
る。
【０００８】他方、第２または第３の従来技術では、親
水性の塩化パラジウムを用いているので、水を用いて現
像工程を実施することができる。したがって、多量の水
を用いて、露光されなかった感光膜を完全に洗い流すこ
とが容易である。しかしながら、この第２の従来技術に
よる感光膜も、露光の感度が低く、長時間の露光が必要
である。また、これを活性化触媒として無電解めっきさ
れた金属膜は、電気伝導度が比較的低くなり、そのため
高周波特性が悪くなるという欠点を有している。また、
この無電解めっきされた金属膜は、基材に対する密着強
度が比較的低いという欠点も有している。この密着強度
を高めるため、基材表面をエッチングするという対策も
可能ではあるが、基材の材質によっては、このようなエ
ッチングが困難な場合もある。
水性の塩化パラジウムを用いているので、水を用いて現
像工程を実施することができる。したがって、多量の水
を用いて、露光されなかった感光膜を完全に洗い流すこ
とが容易である。しかしながら、この第２の従来技術に
よる感光膜も、露光の感度が低く、長時間の露光が必要
である。また、これを活性化触媒として無電解めっきさ
れた金属膜は、電気伝導度が比較的低くなり、そのため
高周波特性が悪くなるという欠点を有している。また、
この無電解めっきされた金属膜は、基材に対する密着強
度が比較的低いという欠点も有している。この密着強度
を高めるため、基材表面をエッチングするという対策も
可能ではあるが、基材の材質によっては、このようなエ
ッチングが困難な場合もある。
【０００９】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な第１ないし第３の従来技術の問題を解決し得る、無電
解めっきのための活性化触媒液およびそれを用いた無電
解めっき方法を提供しようとすることである。
な第１ないし第３の従来技術の問題を解決し得る、無電
解めっきのための活性化触媒液およびそれを用いた無電
解めっき方法を提供しようとすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る無電解め
っきのための活性化触媒液は、シュウ酸亜鉛と銅塩とパ
ラジウム塩とアルカリ溶液とを含む親水性のものであ
る。好ましくは、銅塩としては、シュウ酸銅、塩化銅お
よび硫酸銅からなる群から選ばれた少なくとも１つが用
いられ、また、パラジウム塩としては、塩化パラジウム
が用いられ、また、アルカリ溶液としては、アンモニア
水が用いられる。また、シュウ酸亜鉛の一部が亜鉛塩た
とえば塩化亜鉛に置き換えられてもよい。さらに、この
ような活性化触媒液の基材上への均一な付与をより容易
にするため、たとえばポリビニルアルコールのような親
水性バインダ等が活性化触媒液に添加されることもあ
る。
っきのための活性化触媒液は、シュウ酸亜鉛と銅塩とパ
ラジウム塩とアルカリ溶液とを含む親水性のものであ
る。好ましくは、銅塩としては、シュウ酸銅、塩化銅お
よび硫酸銅からなる群から選ばれた少なくとも１つが用
いられ、また、パラジウム塩としては、塩化パラジウム
が用いられ、また、アルカリ溶液としては、アンモニア
水が用いられる。また、シュウ酸亜鉛の一部が亜鉛塩た
とえば塩化亜鉛に置き換えられてもよい。さらに、この
ような活性化触媒液の基材上への均一な付与をより容易
にするため、たとえばポリビニルアルコールのような親
水性バインダ等が活性化触媒液に添加されることもあ
る。
【００１１】この発明の他の局面では、無電解めっきの
ための活性化触媒液は、塩化亜鉛とシュウ酸銅とパラジ
ウム塩とアルカリ溶液とを含む親水性のものとされる。
ための活性化触媒液は、塩化亜鉛とシュウ酸銅とパラジ
ウム塩とアルカリ溶液とを含む親水性のものとされる。
【００１２】この発明に係る無電解めっき方法では、上
述した活性化触媒液が用いられ、これが基材上に付与さ
れ、基材上に活性化触媒液からなる感光膜が形成され
る。この感光膜には、光が照射され、これによって金属
パラジウムが基材上に析出する。そして、この金属パラ
ジウムが析出した基材が無電解めっき浴に浸漬されるこ
とによって、金属パラジウムを活性化触媒として、無電
解めっき膜が基材上に形成される。
述した活性化触媒液が用いられ、これが基材上に付与さ
れ、基材上に活性化触媒液からなる感光膜が形成され
る。この感光膜には、光が照射され、これによって金属
パラジウムが基材上に析出する。そして、この金属パラ
ジウムが析出した基材が無電解めっき浴に浸漬されるこ
とによって、金属パラジウムを活性化触媒として、無電
解めっき膜が基材上に形成される。
【００１３】上述した無電解めっき方法において、感光
膜に光を照射するにあたって、たとえば、フォトマスク
を介して紫外線等の光を照射したり、レーザ光等の光を
走査させたりして、光を感光膜の特定の領域にのみ照射
した場合、感光膜における光が照射されなかった領域を
水または水を主成分とする液体で洗い流す現像工程をさ
らに備えることが好ましい。
膜に光を照射するにあたって、たとえば、フォトマスク
を介して紫外線等の光を照射したり、レーザ光等の光を
走査させたりして、光を感光膜の特定の領域にのみ照射
した場合、感光膜における光が照射されなかった領域を
水または水を主成分とする液体で洗い流す現像工程をさ
らに備えることが好ましい。
【００１４】
【発明の効果】この発明に係る活性化触媒液は、親水性
であるので、有機溶剤を用いることなく、無電解めっき
のための感光膜を提供することができ、かつ、必要に応
じて現像工程を実施することができる。その結果、活性
化触媒液の準備工程から基材上への付与工程および現像
工程を経て無電解めっき工程に至るまで、すべて一貫し
て水系の処理操作とすることができる。
であるので、有機溶剤を用いることなく、無電解めっき
のための感光膜を提供することができ、かつ、必要に応
じて現像工程を実施することができる。その結果、活性
化触媒液の準備工程から基材上への付与工程および現像
工程を経て無電解めっき工程に至るまで、すべて一貫し
て水系の処理操作とすることができる。
【００１５】したがって、まず、この発明に係る活性化
触媒液を用いた無電解めっき方法を安全なものとするこ
とができる。また、有機溶剤の代わりに水を用いること
によるコストダウンが期待できる。また、現像工程が実
施されるとき、この工程において、水による洗浄を適用
できるので、多量の水を使用して、光が照射されなかっ
た感光膜を洗い流すことができる。そのため、不要な感
光膜の完全な除去を行なって、めっき膜のパターンの分
解能を高めることが容易になる。したがって、より微細
なパターンを形成することが可能となる。また、現像工
程で用いた水が残存していても、それに煩わされること
なく、次の無電解めっき工程を直ちに実施することがで
きる。したがって、無電解めっきのための一連の操作を
能率的に進めることができる。
触媒液を用いた無電解めっき方法を安全なものとするこ
とができる。また、有機溶剤の代わりに水を用いること
によるコストダウンが期待できる。また、現像工程が実
施されるとき、この工程において、水による洗浄を適用
できるので、多量の水を使用して、光が照射されなかっ
た感光膜を洗い流すことができる。そのため、不要な感
光膜の完全な除去を行なって、めっき膜のパターンの分
解能を高めることが容易になる。したがって、より微細
なパターンを形成することが可能となる。また、現像工
程で用いた水が残存していても、それに煩わされること
なく、次の無電解めっき工程を直ちに実施することがで
きる。したがって、無電解めっきのための一連の操作を
能率的に進めることができる。
【００１６】また、この発明に係る活性化触媒液は、光
に対する感度が高い。そのため、露光のための紫外線等
の光のエネルギが小さくても、あるいは露光時間が短く
ても、十分な金属パラジウムの析出反応を達成すること
ができる。たとえば、波長１７２ｎｍのエキシマランプ
を用いて、１０ｍｍＷ／cm2 の照度で照射したとき、最
適実施例では、５秒という極めて短い露光時間で、金属
パラジウムの析出が可能であることが確認されている。
これに対して、たとえば第１の従来技術では、５分以上
の露光時間が析出のために必要である。
に対する感度が高い。そのため、露光のための紫外線等
の光のエネルギが小さくても、あるいは露光時間が短く
ても、十分な金属パラジウムの析出反応を達成すること
ができる。たとえば、波長１７２ｎｍのエキシマランプ
を用いて、１０ｍｍＷ／cm2 の照度で照射したとき、最
適実施例では、５秒という極めて短い露光時間で、金属
パラジウムの析出が可能であることが確認されている。
これに対して、たとえば第１の従来技術では、５分以上
の露光時間が析出のために必要である。
【００１７】また、この発明に係る活性化触媒液を用い
て実施された無電解めっきによるめっき膜は、基材に対
して高い密着高度を有している。そのため、基材に予め
エッチングを施さなくても、十分な密着強度を与えるこ
とができるので、エッチングが困難な基材に対しても、
無電解めっきを適用して、十分な密着強度をもって、め
っき膜を形成することができる。
て実施された無電解めっきによるめっき膜は、基材に対
して高い密着高度を有している。そのため、基材に予め
エッチングを施さなくても、十分な密着強度を与えるこ
とができるので、エッチングが困難な基材に対しても、
無電解めっきを適用して、十分な密着強度をもって、め
っき膜を形成することができる。
【００１８】また、この発明に係る活性化触媒液を用い
て実施された無電解めっきによるめっき膜は、めっき膜
を構成する金属本来が有する電気伝導度を維持すること
ができる。したがって、高周波回路の形成に対しても、
このめっき膜を問題なく適用することができる。
て実施された無電解めっきによるめっき膜は、めっき膜
を構成する金属本来が有する電気伝導度を維持すること
ができる。したがって、高周波回路の形成に対しても、
このめっき膜を問題なく適用することができる。
【００１９】
【実験例１】試料１〜５に係る活性化触媒液１０ｍｌを
それぞれ準備するため、シュウ酸亜鉛〔Ｚｎ（ＣＯＯ）
2 ・２Ｈ2 Ｏ〕、シュウ酸銅〔Ｃｕ（ＣＯＯ）2 ・１／
２Ｈ2 Ｏ〕および塩化パラジウム〔ＰｄＣｌ2 〕を以下
の表１に示すような組成比をもって２ｍｌのアンモニア
水（２８％）で溶解した後、８ｍｌの水で希釈し、この
混合液を、０．４５μｍのミリポアフィルターで濾過し
た。
それぞれ準備するため、シュウ酸亜鉛〔Ｚｎ（ＣＯＯ）
2 ・２Ｈ2 Ｏ〕、シュウ酸銅〔Ｃｕ（ＣＯＯ）2 ・１／
２Ｈ2 Ｏ〕および塩化パラジウム〔ＰｄＣｌ2 〕を以下
の表１に示すような組成比をもって２ｍｌのアンモニア
水（２８％）で溶解した後、８ｍｌの水で希釈し、この
混合液を、０．４５μｍのミリポアフィルターで濾過し
た。
【００２０】
【表１】
【００２１】次に、上記試料１〜５に係る活性化触媒液
の各々を、１０００ｒｐｍの回転速度で、３０秒間、ア
ルミナ基板上にスピンコートして、感光膜を形成した。
次いで、石英・クロムフォトマスクを介して、感光膜上
に、エキシマランプ（波長：１７２ｎｍ）からの紫外線
を、１０ｍｍＷ／cm2 の照度で、３０秒間または６０秒
間照射した後、水洗を行ない、以下の組成を含有する１
リットルの無電解めっき浴（６０℃）に１０分間浸漬
し、無電解めっきを行なった。
の各々を、１０００ｒｐｍの回転速度で、３０秒間、ア
ルミナ基板上にスピンコートして、感光膜を形成した。
次いで、石英・クロムフォトマスクを介して、感光膜上
に、エキシマランプ（波長：１７２ｎｍ）からの紫外線
を、１０ｍｍＷ／cm2 の照度で、３０秒間または６０秒
間照射した後、水洗を行ない、以下の組成を含有する１
リットルの無電解めっき浴（６０℃）に１０分間浸漬
し、無電解めっきを行なった。
【００２２】 ＮｉＳＯ4 ・６Ｈ2 Ｏ ………………… ３０ｇ 次亜リン酸ソーダ ……………………… １０ｇ 酢酸ソーダ（無水） …………………… １０ｇ このようにして得られた試料１〜５につき、ニッケル無
電解めっき膜の析出状態を観察した。その結果を以下の
表２に示す。
電解めっき膜の析出状態を観察した。その結果を以下の
表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】上記表２に示すように、シュウ酸亜鉛、シ
ュウ酸銅、塩化パラジウムおよびアンモニア水を含む活
性化触媒液によれば、紫外線の照射時間を６０秒間にす
ると、試料１〜５のすべてにおいて、ニッケル無電解め
っき膜が析出し、また、試料１および２では、早期の析
出が可能であった。また、紫外線の照射時間を３０秒間
というように短くしても、試料１および２のような組成
比とすることにより、ニッケル無電解めっき膜の析出が
可能であった。
ュウ酸銅、塩化パラジウムおよびアンモニア水を含む活
性化触媒液によれば、紫外線の照射時間を６０秒間にす
ると、試料１〜５のすべてにおいて、ニッケル無電解め
っき膜が析出し、また、試料１および２では、早期の析
出が可能であった。また、紫外線の照射時間を３０秒間
というように短くしても、試料１および２のような組成
比とすることにより、ニッケル無電解めっき膜の析出が
可能であった。
【００２５】
【実験例２】上記実験例１の結果に基づき、シュウ酸亜
鉛およびシュウ酸銅のより好ましい組成比を見出すた
め、これらシュウ酸亜鉛およびシュウ酸銅の組成比を、
以下の表３に示すように、種々に変えた試料６〜１１に
係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、そ
れぞれ用意した。
鉛およびシュウ酸銅のより好ましい組成比を見出すた
め、これらシュウ酸亜鉛およびシュウ酸銅の組成比を、
以下の表３に示すように、種々に変えた試料６〜１１に
係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、そ
れぞれ用意した。
【００２６】
【表３】
【００２７】次に、上記試料６〜１１に係る活性化触媒
液の各々について、実験例１と同様の方法により、スピ
ンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上に、
同様の紫外線を、５秒間、１０秒間または２５秒間照射
した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に１０分
間浸漬し、無電解めっきを行なった。
液の各々について、実験例１と同様の方法により、スピ
ンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上に、
同様の紫外線を、５秒間、１０秒間または２５秒間照射
した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に１０分
間浸漬し、無電解めっきを行なった。
【００２８】このようにして得られた試料６〜１１につ
き、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。そ
の結果を以下の表４に示す。
き、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。そ
の結果を以下の表４に示す。
【００２９】
【表４】
【００３０】上記表４に示すように、紫外線の照射時間
を２５秒間にすると、試料６〜１１のすべてにおいて、
ニッケル無電解めっき膜が析出し、また、紫外線の照射
時間を１０秒間にすると、試料７ないし１１において、
ニッケル無電解めっき膜が析出し、また、紫外線の照射
時間を５秒間と短くしても、試料８ないし１０において
は、ニッケル無電解めっき膜の析出が見られた。このこ
とから、シュウ酸亜鉛およびシュウ酸銅の組成比を選ぶ
ことにより、照射時間をたとえば５秒間というように短
くしても、析出が可能であることがわかる。
を２５秒間にすると、試料６〜１１のすべてにおいて、
ニッケル無電解めっき膜が析出し、また、紫外線の照射
時間を１０秒間にすると、試料７ないし１１において、
ニッケル無電解めっき膜が析出し、また、紫外線の照射
時間を５秒間と短くしても、試料８ないし１０において
は、ニッケル無電解めっき膜の析出が見られた。このこ
とから、シュウ酸亜鉛およびシュウ酸銅の組成比を選ぶ
ことにより、照射時間をたとえば５秒間というように短
くしても、析出が可能であることがわかる。
【００３１】たとえば、試料１０の活性化触媒液を用い
て、１０秒間の紫外線照射を行なって得られた試料で
は、基板上に、厚み０．３μｍで解像度（ライン／スペ
ース）が２５μｍのＮｉパターンの形成が確認された。
て、１０秒間の紫外線照射を行なって得られた試料で
は、基板上に、厚み０．３μｍで解像度（ライン／スペ
ース）が２５μｍのＮｉパターンの形成が確認された。
【００３２】
【実験例３】上記実験例２では、シュウ酸亜鉛およびシ
ュウ酸銅の組成比を種々に変えたが、この実験例３で
は、塩化パラジウムの組成比を、以下の表５に示すよう
に、種々に変えた試料１２〜１６に係る活性化触媒液
を、実験例１と同様の方法により、それぞれ用意した。
ュウ酸銅の組成比を種々に変えたが、この実験例３で
は、塩化パラジウムの組成比を、以下の表５に示すよう
に、種々に変えた試料１２〜１６に係る活性化触媒液
を、実験例１と同様の方法により、それぞれ用意した。
【００３３】
【表５】
【００３４】次に、上記試料１２〜１６に係る活性化触
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
【００３５】このようにして得られた試料１２〜１６に
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果を以下の表６に示す。
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果を以下の表６に示す。
【００３６】
【表６】
【００３７】上記表６に示すように、紫外線の照射時間
を３０秒間、２０秒間、１０秒間というように短くなっ
ても、試料１２〜１６のすべてにおいて、ニッケル無電
解めっき膜が析出した。なお、試料１２において照射時
間「１０秒」、「２０秒」、および試料１３において照
射時間「１０秒」とされたものについては、「遅れて析
出」と表示されているが、これは、無電解めっき浴に浸
漬後、２〜３分してから析出し始めたことを示すもの
で、１０分間の浸漬の結果では、あくまでも良好なニッ
ケル無電解めっき膜の析出が見られた。
を３０秒間、２０秒間、１０秒間というように短くなっ
ても、試料１２〜１６のすべてにおいて、ニッケル無電
解めっき膜が析出した。なお、試料１２において照射時
間「１０秒」、「２０秒」、および試料１３において照
射時間「１０秒」とされたものについては、「遅れて析
出」と表示されているが、これは、無電解めっき浴に浸
漬後、２〜３分してから析出し始めたことを示すもの
で、１０分間の浸漬の結果では、あくまでも良好なニッ
ケル無電解めっき膜の析出が見られた。
【００３８】
【実験例４】上記実験例１〜３では、銅塩として、シュ
ウ酸銅を用いたが、この実験例４では、塩化銅〔ＣｕＣ
ｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ〕を用いた。シュウ酸亜鉛、塩化銅およ
び塩化パラジウムを、以下の表７に示すように、種々に
変えた試料１７〜１９に係る活性化触媒液を、実験例１
と同様の方法により、それぞれ用意した。
ウ酸銅を用いたが、この実験例４では、塩化銅〔ＣｕＣ
ｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ〕を用いた。シュウ酸亜鉛、塩化銅およ
び塩化パラジウムを、以下の表７に示すように、種々に
変えた試料１７〜１９に係る活性化触媒液を、実験例１
と同様の方法により、それぞれ用意した。
【００３９】
【表７】
【００４０】次に、上記試料１７〜１９に係る活性化触
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
【００４１】このようにして得られた試料１７〜１９に
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を３０秒間、２０秒間、１
０秒間というように短くなっても、試料１７〜１９のす
べてにおいて、ニッケル無電解めっき膜が析出した。
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を３０秒間、２０秒間、１
０秒間というように短くなっても、試料１７〜１９のす
べてにおいて、ニッケル無電解めっき膜が析出した。
【００４２】なお、銅塩として、塩化銅に代えて、硫酸
銅を用いた場合でも、同様の結果が得られた。
銅を用いた場合でも、同様の結果が得られた。
【００４３】
【実験例５】この実験例５は、この発明の範囲外に属す
るものである。
るものである。
【００４４】この実験例５では、上記実験例４における
シュウ酸亜鉛に代えて、塩化亜鉛〔ＺｎＣｌ2 〕を用
い、この塩化亜鉛、塩化銅および塩化パラジウムを、以
下の表８に示すように、種々に変えた試料２０〜２２に
係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、そ
れぞれ用意した。
シュウ酸亜鉛に代えて、塩化亜鉛〔ＺｎＣｌ2 〕を用
い、この塩化亜鉛、塩化銅および塩化パラジウムを、以
下の表８に示すように、種々に変えた試料２０〜２２に
係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、そ
れぞれ用意した。
【００４５】
【表８】
【００４６】次に、上記試料２０〜２２に係る活性化触
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
【００４７】このようにして得られた試料２０〜２２に
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を１０秒間、２０秒間およ
び３０秒間としたいずれの場合においても、ニッケル無
電解めっき膜は析出しなかった。この実験例５から、シ
ュウ酸亜鉛が、良好な無電解めっきを実施するために、
重要な意義を有していることがわかる。
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を１０秒間、２０秒間およ
び３０秒間としたいずれの場合においても、ニッケル無
電解めっき膜は析出しなかった。この実験例５から、シ
ュウ酸亜鉛が、良好な無電解めっきを実施するために、
重要な意義を有していることがわかる。
【００４８】
【実験例６】この実験例６も、この発明の範囲外に属す
るものである。
るものである。
【００４９】この実験例６は、上記実験例４における組
成に対して、シュウ酸塩ではなくシュウ酸〔ＨＯ2 ＣＣ
Ｏ2 Ｈ・２Ｈ2 Ｏ〕を加えたものである。すなわち、塩
化亜鉛、塩化銅、シュウ酸および塩化パラジウムを、以
下の表９に示すように、種々に変えた試料２３〜２５に
係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、そ
れぞれ用意した。
成に対して、シュウ酸塩ではなくシュウ酸〔ＨＯ2 ＣＣ
Ｏ2 Ｈ・２Ｈ2 Ｏ〕を加えたものである。すなわち、塩
化亜鉛、塩化銅、シュウ酸および塩化パラジウムを、以
下の表９に示すように、種々に変えた試料２３〜２５に
係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、そ
れぞれ用意した。
【００５０】
【表９】
【００５１】次に、上記試料２３〜２５に係る活性化触
媒液の各々を用いて、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
媒液の各々を用いて、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
【００５２】このようにして得られた試料２３〜２５に
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を１０秒間、２０秒間およ
び３０秒間としたいずれの場合においても、ニッケル無
電解めっき膜が析出しなかった。この実験例６から、た
とえシュウ酸と塩化亜鉛とが存在しても、シュウ酸亜鉛
が存在しない限り、良好な無電解めっきを実施できない
ことがわかる。
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を１０秒間、２０秒間およ
び３０秒間としたいずれの場合においても、ニッケル無
電解めっき膜が析出しなかった。この実験例６から、た
とえシュウ酸と塩化亜鉛とが存在しても、シュウ酸亜鉛
が存在しない限り、良好な無電解めっきを実施できない
ことがわかる。
【００５３】
【実験例７】この実験例７も、この発明の範囲外に属す
るものである。
るものである。
【００５４】この実験例７では、シュウ酸亜鉛は含有す
るが、銅塩は含有しない。すなわち、シュウ酸亜鉛およ
び塩化パラジウムを、以下の表１０に示すように、種々
に変えた試料２６〜２８に係る活性化触媒液を、実験例
１と同様の方法により、それぞれ用意した。
るが、銅塩は含有しない。すなわち、シュウ酸亜鉛およ
び塩化パラジウムを、以下の表１０に示すように、種々
に変えた試料２６〜２８に係る活性化触媒液を、実験例
１と同様の方法により、それぞれ用意した。
【００５５】
【表１０】
【００５６】次に、上記試料２６〜２８に係る活性化触
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１分間、３分間または５分間照射
した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に１０分
間浸漬し、無電解めっきを行なった。
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１分間、３分間または５分間照射
した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に１０分
間浸漬し、無電解めっきを行なった。
【００５７】このようにして得られた試料２６〜２８に
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を１分間、３分間、５分間
と長くしても、ニッケル無電解めっき膜が析出しなかっ
た。この実験例６から、たとえシュウ酸亜鉛を含有して
も、銅塩を含有しない限り、良好な無電解めっきを実施
できないことがわかる。
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果、紫外線の照射時間を１分間、３分間、５分間
と長くしても、ニッケル無電解めっき膜が析出しなかっ
た。この実験例６から、たとえシュウ酸亜鉛を含有して
も、銅塩を含有しない限り、良好な無電解めっきを実施
できないことがわかる。
【００５８】
【実験例８】この実験例８は、この発明の範囲内に属す
るものである。
るものである。
【００５９】この実験例８では、シュウ酸亜鉛は含有し
ないが、塩化亜鉛を含有し、代わりに、銅塩として、シ
ュウ酸塩でもあるシュウ酸銅を含有している。すなわ
ち、塩化亜鉛、シュウ酸銅および塩化パラジウムを、以
下の表１１に示すように、種々に変えた試料２９〜３１
に係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、
それぞれ用意した。
ないが、塩化亜鉛を含有し、代わりに、銅塩として、シ
ュウ酸塩でもあるシュウ酸銅を含有している。すなわ
ち、塩化亜鉛、シュウ酸銅および塩化パラジウムを、以
下の表１１に示すように、種々に変えた試料２９〜３１
に係る活性化触媒液を、実験例１と同様の方法により、
それぞれ用意した。
【００６０】
【表１１】
【００６１】次に、上記試料２９〜３１に係る活性化触
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
媒液の各々について、実験例１と同様の方法により、ス
ピンコートして感光膜を形成し、次いで、各感光膜上
に、同様の紫外線を、１０秒間、２０秒間または３０秒
間照射した後、水洗を行ない、同様の無電解めっき浴に
１０分間浸漬し、無電解めっきを行なった。
【００６２】このようにして得られた試料２９〜３１に
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果を以下の表１２に示す。
つき、ニッケル無電解めっき膜の析出状態を観察した。
その結果を以下の表１２に示す。
【００６３】
【表１２】
【００６４】上記表１２に示すように、紫外線の照射時
間を１０秒間としたときには、試料２９〜３１のいずれ
においても、ニッケル無電解めっき膜が析出しなかった
が、照射時間を２０秒としたときには、試料２９におい
て、ニッケル無電解めっき膜が析出し、また、照射時間
を３０秒としたときには、試料３０において、ニッケル
無電解めっき膜が析出した。この実験例８によれば、シ
ュウ酸亜鉛を用いない場合であっても、銅塩としてシュ
ウ酸銅を用いれば、紫外線の照射時間を選ぶことによ
り、ニッケル無電解めっき膜を析出させ得ることがわか
る。
間を１０秒間としたときには、試料２９〜３１のいずれ
においても、ニッケル無電解めっき膜が析出しなかった
が、照射時間を２０秒としたときには、試料２９におい
て、ニッケル無電解めっき膜が析出し、また、照射時間
を３０秒としたときには、試料３０において、ニッケル
無電解めっき膜が析出した。この実験例８によれば、シ
ュウ酸亜鉛を用いない場合であっても、銅塩としてシュ
ウ酸銅を用いれば、紫外線の照射時間を選ぶことによ
り、ニッケル無電解めっき膜を析出させ得ることがわか
る。
【００６５】さらに、亜鉛塩として、塩化亜鉛に代え
て、硫酸亜鉛を用いた場合でも、同様の結果が得られ
た。
て、硫酸亜鉛を用いた場合でも、同様の結果が得られ
た。
【００６６】
【他の実施例】この発明の範囲内に属する実験例１〜４
および８に係る活性化触媒液の組成は、一例にすぎな
い。たとえば、シュウ酸亜鉛の含有量は、活性化触媒液
１０ｍｌにおいて、０．０１〜０．３０ｇの範囲で変更
することができ、銅塩の含有量は、０．００３〜０．０
５ｇの範囲で変更することができ、塩化パラジウムの含
有量は、０．０１〜０．１５ｇの範囲で変更することが
でき、アンモニア水（２８％）の含有量は、１〜５ｍｌ
の範囲で変更することができる。また、塩化パラジウム
に代えて、他の親水性のパラジウム塩、たとえば、パラ
ジウムの硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩などを用いることもで
きる。
および８に係る活性化触媒液の組成は、一例にすぎな
い。たとえば、シュウ酸亜鉛の含有量は、活性化触媒液
１０ｍｌにおいて、０．０１〜０．３０ｇの範囲で変更
することができ、銅塩の含有量は、０．００３〜０．０
５ｇの範囲で変更することができ、塩化パラジウムの含
有量は、０．０１〜０．１５ｇの範囲で変更することが
でき、アンモニア水（２８％）の含有量は、１〜５ｍｌ
の範囲で変更することができる。また、塩化パラジウム
に代えて、他の親水性のパラジウム塩、たとえば、パラ
ジウムの硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩などを用いることもで
きる。
【００６７】また、活性化触媒液の基材上への均一な付
与をより容易にするため、たとえばポリビニルアルコー
ルのような親水性バインダ等を活性化触媒液に添加して
もよい。
与をより容易にするため、たとえばポリビニルアルコー
ルのような親水性バインダ等を活性化触媒液に添加して
もよい。
【００６８】また、感光膜に照射される光の波長として
は、１００〜４００ｎｍの範囲で変更することができ
る。
は、１００〜４００ｎｍの範囲で変更することができ
る。
【００６９】また、上述した実験例では、ニッケルの無
電解めっきを行なったが、銅、パラジウム、金など、他
の金属の無電解めっきを行なう場合にも、この発明を適
用することができる。
電解めっきを行なったが、銅、パラジウム、金など、他
の金属の無電解めっきを行なう場合にも、この発明を適
用することができる。
【００７０】また、無電解めっき処理される基材として
は、上述したアルミナ基板に限らず、誘電体セラミック
基板、ポリイミド基板、ガラス・エポキシ基板、フェラ
イト基板など、他の基材であってもよい。
は、上述したアルミナ基板に限らず、誘電体セラミック
基板、ポリイミド基板、ガラス・エポキシ基板、フェラ
イト基板など、他の基材であってもよい。
【００７１】また、この発明に係る無電解めっき方法
は、上述した水洗による現像工程を省略して実施するこ
ともできる。たとえば、感光膜の特定領域のみの選択的
露光を行なわず、全領域の露光を行なった場合はもちろ
ん、特定領域のみの選択的露光を行なった場合でも、形
成すべきめっき膜の分解能をそれほど高くする必要がな
いときは、現像工程を省略してもよい。このように現像
工程の省略を可能にするのは、前述の第１の従来技術と
は異なり、活性化触媒液が親水性であるためである。
は、上述した水洗による現像工程を省略して実施するこ
ともできる。たとえば、感光膜の特定領域のみの選択的
露光を行なわず、全領域の露光を行なった場合はもちろ
ん、特定領域のみの選択的露光を行なった場合でも、形
成すべきめっき膜の分解能をそれほど高くする必要がな
いときは、現像工程を省略してもよい。このように現像
工程の省略を可能にするのは、前述の第１の従来技術と
は異なり、活性化触媒液が親水性であるためである。
【００７２】また、現像工程が実施される場合、水に代
えて、水を主成分とする液体を用いて洗浄することもで
きる。さらに、他の液体を用いることを妨げるものでは
ない。
えて、水を主成分とする液体を用いて洗浄することもで
きる。さらに、他の液体を用いることを妨げるものでは
ない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/00 - 18/54
Claims (9)
- 【請求項１】 シュウ酸亜鉛と銅塩とパラジウム塩とア
ルカリ溶液とを含む親水性の無電解めっきのための活性
化触媒液。 - 【請求項２】 前記パラジウム塩は塩化パラジウムであ
る、請求項１に記載の無電解めっきのための活性化触媒
液。 - 【請求項３】 前記アルカリ溶液はアンモニア水であ
る、請求項１または２に記載の無電解めっきのための活
性化触媒液。 - 【請求項４】 前記シュウ酸亜鉛の一部が亜鉛塩に置き
換えられた、請求項１ないし３のいずれかに記載の無電
解めっきのための活性化触媒液。 - 【請求項５】 前記亜鉛塩は、塩化亜鉛および硫酸亜鉛
の少なくとも１つである、請求項４に記載の無電解めっ
きのための活性化触媒液。 - 【請求項６】 前記銅塩は、シュウ酸銅、塩化銅および
硫酸銅からなる群から選ばれた少なくとも１つである、
請求項１ないし４のいずれかに記載の無電解めっきのた
めの活性化触媒液。 - 【請求項７】 亜鉛塩とシュウ酸銅とパラジウム塩とア
ルカリ溶液とを含む親水性の無電解めっきのための活性
化触媒液。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の活
性化触媒液を基材上に付与して、基材上に活性化触媒液
からなる感光膜を形成し、 前記感光膜に光を照射して金属パラジウムを前記基材上
に析出させ、 前記金属パラジウムが析出した前記基材を無電解めっき
浴に浸漬し、前記金属パラジウムを活性化触媒として無
電解めっきを施す、各工程を備える、無電解めっき方
法。 - 【請求項９】 前記感光膜に光を照射する工程におい
て、前記光は前記感光膜の特定の領域にのみ照射され、
さらに、前記感光膜における前記光が照射されなかった
領域を水または水を主成分とする液体で洗い流す工程を
備える、請求項７に記載の無電解めっき方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08086725A JP3111891B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 |
| DE19714721A DE19714721C2 (de) | 1996-04-09 | 1997-04-09 | Aktivierende katalytische Lösung für eine stromlose Metallisierung und Verfahren zum stromlosen Metallisieren |
| US08/839,432 US5746809A (en) | 1996-04-09 | 1997-04-10 | Activating catalytic solution for electroless plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08086725A JP3111891B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09272980A JPH09272980A (ja) | 1997-10-21 |
| JP3111891B2 true JP3111891B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=13894848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08086725A Expired - Fee Related JP3111891B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5746809A (ja) |
| JP (1) | JP3111891B2 (ja) |
| DE (1) | DE19714721C2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3058063B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2000-07-04 | 株式会社村田製作所 | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 |
| DE19716356A1 (de) * | 1996-04-26 | 1997-10-30 | Murata Manufacturing Co | Verfahren zur Herstellung von monolithischen elektronischen Teilen |
| JP3409714B2 (ja) | 1998-10-20 | 2003-05-26 | 株式会社村田製作所 | チップ状電子部品の製造方法 |
| JP3535418B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2004-06-07 | 富士通株式会社 | 導体パターン形成方法 |
| US7765691B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-08-03 | Intel Corporation | Method and apparatus for a printed circuit board using laser assisted metallization and patterning of a substrate |
| US7666471B2 (en) * | 2006-03-22 | 2010-02-23 | Mark Wojtaszek | Polyimide substrate and method of manufacturing printed wiring board using the same |
| US20190053381A1 (en) * | 2014-11-28 | 2019-02-14 | Industrial Technology Research Institute | Structure of conductive lines and method of manufacturing the same |
| CN108456002B (zh) * | 2018-02-08 | 2021-03-16 | 广东工业大学 | 一种适用于自修复/自增强的基于光固化成型的3d打印陶瓷部件的方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3791340A (en) * | 1972-05-15 | 1974-02-12 | Western Electric Co | Method of depositing a metal pattern on a surface |
| US4425378A (en) * | 1981-07-06 | 1984-01-10 | Sprague Electric Company | Electroless nickel plating activator composition a method for using and a ceramic capacitor made therewith |
| DE3337790A1 (de) * | 1983-10-18 | 1985-04-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur chemischen metallisierung |
| US4806159A (en) * | 1987-07-16 | 1989-02-21 | Sprague Electric Company | Electro-nickel plating activator composition, a method for using and a capacitor made therewith |
| TW312079B (ja) * | 1994-06-06 | 1997-08-01 | Ibm | |
| JP3058063B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2000-07-04 | 株式会社村田製作所 | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 |
-
1996
- 1996-04-09 JP JP08086725A patent/JP3111891B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-09 DE DE19714721A patent/DE19714721C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-10 US US08/839,432 patent/US5746809A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19714721A1 (de) | 1997-11-06 |
| US5746809A (en) | 1998-05-05 |
| DE19714721C2 (de) | 2001-08-23 |
| JPH09272980A (ja) | 1997-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4753821A (en) | Process for the partial metallization of substrate surfaces | |
| US5158860A (en) | Selective metallization process | |
| EP0098346B1 (en) | A method for depositing a metal layer on polyesters | |
| KR100815376B1 (ko) | 신규한 금속패턴 제조방법 및 이를 이용한 평판표시소자 | |
| JPH07336018A (ja) | 基板を選択的に金属被覆する方法 | |
| US5043244A (en) | Process for defined etching of substrates | |
| JPH07188936A (ja) | 無電解プロセスにおける電気絶縁基板上への金属パターンの製造方法 | |
| JP3058063B2 (ja) | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 | |
| US4328298A (en) | Process for manufacturing lithography masks | |
| KR100959751B1 (ko) | 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터 | |
| JPH09260808A (ja) | 光触媒反応による金属配線の形成方法及び基材 | |
| JP3111891B2 (ja) | 無電解めっきのための活性化触媒液および無電解めっき方法 | |
| KR20060007503A (ko) | 가요성 기판 상의 고전도성 금속 패턴 형성 방법 및 이를이용한 전자파 차폐 필터 | |
| US3791340A (en) | Method of depositing a metal pattern on a surface | |
| KR100709446B1 (ko) | 저저항 금속패턴 형성 방법 | |
| KR100292652B1 (ko) | 무전해도금용활성화촉매액및무전해도금방법 | |
| US7488570B2 (en) | Method of forming metal pattern having low resistivity | |
| JP3161407B2 (ja) | 無電解めっきのための活性化触媒液、および無電解めっき方法 | |
| JP2003082469A (ja) | 金属膜パターンの形成方法 | |
| US3791939A (en) | Method of selectively depositing a metal on a surface | |
| JP2006526889A (ja) | ポリマー支持体材料およびセラミック支持体材料の構造化された金属被覆の方法、および当該方法に用いられる活性化可能な化合物 | |
| JPS6177393A (ja) | 基板表面を部分金属化する方法 | |
| JP4132311B2 (ja) | 感光性パラジウム高分子キレート化合物、無電解メッキ用塗布液、および金属微細線パターンの形成方法 | |
| JP2000144437A (ja) | 無電解めっき方法、無電解めっき装置、配線基板の製造方法及び配線基板の製造装置 | |
| JPH06136547A (ja) | 光利用めっき方法およびめっき膜形成体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |