JP3115987B2 - 多層配線板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビアホールを設け
た多層配線板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多層配線板は絶縁層を介して回路を上下
複数層に設けて形成されるものであり、上下の回路間の
接続は、貫通するスルーホールによって行なう他に、絶
縁層にビアホール（ｖｉａｈｏｌｅ）を設け、このビア
ホールによっても上下の回路間の接続を行なうようにな
っている。

【０００３】そして従来、このようなビアホールの加工
技術としてはフォトエッチングあるいはケミカルエッチ
ングのようなエッチングによるものが多い。しかしなが
らフォトエッチングを行なうためには、絶縁層の樹脂材
料に制約があり、高耐熱性の多層配線板を製造すること
ができないという問題があり、またケミカルエッチング
は絶縁層に密着マスクを形成する必要があり、製造の工
程で大きな制約を受けるという問題がある。

【０００４】そこで、レーザなどのエネルギービームを
用い、エネルギービームを絶縁層に照射することによっ
て、その熱エネルギーで絶縁層に穴加工を行なってビア
ホールを形成することが試みられている。しかし、結像
系のレーザＬは一般的に結像時のエネルギー分布が均一
になるためにマスク位置でのエネルギー分布が図２５
（ａ）に示すようなトップハット型に近いエネルギー分
布を有しており、図２５（ｂ）のように基板１の表面に
設けた絶縁層２に加工されるビアホール３は円筒型に形
成される。

【０００５】このように、ビアホール３が円筒型に形成
されると、ビアホール３内にメッキ加工を行なう際に、
メッキ液がビアホール３内へ循環し難くなり、メッキ液
の循環不足によるビアホール３内へのメッキ付き性が低
下し、図２５（ｃ）のように回路１６の周りのメッキ１
７の厚みが薄くなって、ビアホール３の底面の回路１６
の部分に応力が集中して断線が発生するおそれがあると
いう問題が生じる。従って、ビアホール３は深さ方向に
向かって小径となるテーパ穴（正テーパ穴）に形成され
ていることが望ましい。このようにビアホール３が正テ
ーパ穴に形成されていると、メッキ液がビアホール３内
に循環することが容易になり、ビアホール３内へのメッ
キ付き性が向上するのである。

【０００６】そこで、レーザのようなエネルギービーム
を用いてビアホール３を加工するにあたって、ビアホー
ル３を正テーパ穴に形成することができるようにした技
術が特開平４−２６４７９７号公報で提供されている。
図２６はその工程を示すものであり、まず図２６（ａ）
のように回路１６を形成した基板１の表面にポリイミド
による絶縁層２を設け、次に図２６（ｂ）のように第１
のマスク１９を介してエキシマレーザＬを照射してビア
ホールを形成する直前までの穴２０を加工し、次に図２
６（ｃ）のように穴１４の箇所以外の絶縁層２に第２の
マスク２１を介して紫外線Ｖを照射して露光し、この後
に絶縁層２を現像することによって、図２６（ｄ）のよ
うに深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴にビアホ
ール３を形成することができるのである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この特開平４
−２６４７９７号公報の方法では、レーザのようなエネ
ルギービームを照射する工程の他に、露光・現像の工程
が必要であり、生産性に問題を有するものであった。

【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、エネルギービームを用いて生産性高く、ビアホー
ルを正テーパ穴に形成することができる多層配線板の製
造方法を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、絶縁
層２に穴明けを行なうよう絶縁層２の厚さ方向にエネル
ギービームの照射を制御して形成したビアホール３で層
間導通の少なくとも一部を行なうようにした多層配線板
を製造するにあたって、ビアホール３の加工にエネルギ
ービームを用い、中心部より複数のスリット４を放射状
に設けてビーム通過部５を形成したマスク６にエネルギ
ービームを通過させて、加工面でのエネルギー分布を中
央位置が大に周辺位置が小になるように調整したエネル
ギービームを絶縁層２に照射することによって、ビアホ
ール３を深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に形成
することを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項２の発明は、中心の円形開口
部７の周辺に複数の周辺開口部８を同心円状に設けてビ
ーム通過部５を形成したマスク９にエネルギービームを
通過させ、このエネルギービームを絶縁層２に照射する
ことを特徴とするものである。

【００１１】請求項３の発明は、請求項１又は２に記載
のマスク６，９を用い、エネルギービームをパルス発振
させると共にマスク６，９をエネルギービームの発振と
同期させてビーム通過部５を中心に回転させ、このマス
ク６，９を通過させたエネルギービームを絶縁層２に照
射することを特徴とするものである。

【００１２】請求項４の発明は、請求項１又は２に記載
のマスク６，９を用い、エネルギービームを連続発振さ
せると共にマスク６，９をビーム通過部５を中心に回転
させ、このマスク６，９を通過させたエネルギービーム
を絶縁層２に照射することを特徴とするものである。

【００１３】請求項５の発明は、径の異なるビーム通過
部５ａ，５ｂを有する複数の各マスク１１ａ，１１ｂを
通過させたエネルギービームを絶縁層２に複数回照射す
ることによって、加工面でのエネルギービームのエネル
ギー分布が中央位置で大に周辺位置で小になるように調
整したことを特徴とするものである。

【００１４】請求項６の発明は、狭い面積の光束と広い
面積の光束の複数種のエネルギービ ームを絶縁層２に照
射することによって、加工面でのエネルギービームのエ
ネルギー分布を中央位置が大に周辺位置が小になるよう
に調整したことを特徴とするものである。

【００１５】請求項７の発明は、複数穴のビアホール３
を加工するにあたって、各ビアホール３を形成する箇所
毎にマスク１１ａ，１１ｂのビーム通過部５ａ，５ｂの
径の変更あるいはデフォーカスによってエネルギー密度
を変化させたエネルギービームの照射を複数回ずつ行な
って、深さ方向に向かって小径となるテーパ穴のビアホ
ール３を形成することを特徴とするものである。

【００１６】請求項８の発明は、マスク１１ａ，１１ｂ
のビーム通過部５ａ，５ｂの径の変更あるいはデフォー
カスによってエネルギー密度を変化させたエネルギービ
ームの照射を複数回ずつ行なって複数穴のビアホール３
を加工するにあたって、各ビアホール３を形成する箇所
にエネルギービームを順次照射し、この順次照射するエ
ネルギービームの照射をエネルギー密度を変化させて複
数回繰り返すことによって、深さ方向に向かって小径と
なるテーパ穴のビアホール３に形成することを特徴とす
るものである。

【００１７】請求項９の発明は、エネルギービームを２
分岐し、径の異なるビーム通過部５ａ，５ｂを有するマ
スク１２ａ，１２ｂにこの分岐したエネルギービームを
それぞれ通過させた後、この分岐したエネルギービーム
を重ね合わせることによって、加工面でのエネルギービ
ームのエネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を小に
なるように調整したことを特徴とするものである。

【００１８】請求項１０の発明は、エネルギービームを
２分岐し、２分岐した各エネルギービームを光学系で集
光させて、加工面に対して一方のエネルギービームをジ
ャストフォーカスに他方のエネルギービームをデフォー
カスになるように重ね合わせることによって、加工面で
のエネルギービームのエネルギー分布が中央位置を大に
周辺位置を小になるように調整したことを特徴とするも
のである。

【００１９】請求項１１の発明は、透過率が同心円状に
外側程低くなるビーム透過部１３を有するフィルター１
４にエネルギービームを通過させて、エネルギービーム
を絶縁層２に照射することを特徴とするものである。

【００２０】請求項１２の発明は、エネルギービームの
照射をジャストフォーカスで行なうと共にデフォーカス
で行なうことによって、加工面でのエネルギービームの
エネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を小になるよ
うに調整したことを特徴とするものである。

【００２１】請求項１３の発明は、エネルギービームに
よってビアホール３を加工した後、絶縁層２の表面を粗
化処理することを特徴とするものである。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００２３】基板１は例えば、片面銅張り積層板や両面
銅張り積層板などの金属箔を貼った積層板によって形成
されるものであり、金属箔をプリント配線加工すること
によって、基板１の表層には図１（ａ）のように回路１
６が形成してある。まずこの回路１６の表面をエッチン
グによって粗化処理し、図１（ｂ）のようにこの回路１
６を覆って基板１の表面に絶縁層２を設ける。ここで、
絶縁層２の材料としてはセラミックや合成樹脂が挙げら
れるが、本発明ではエネルギービームを用いることによ
って、フォトエッチングを行なう必要なくビアホール３
を形成するようにしているために、絶縁層２として合成
樹脂を用いるにあたって樹脂材料に制限がなく、エポキ
シ系樹脂などＦＲ５相当の耐熱性樹脂を塗工して乾燥硬
化（あるいは半硬化）することによって絶縁層２を形成
することが可能になり、高耐熱性の多層配線板を製造す
ることが可能になるものである。

【００２４】そして、図１（ｃ）に示すように、炭酸ガ
スレーザやエキシマレーザのような高エネルギーを有す
るエネルギービームＢを絶縁層２に照射して穴明けする
ことによって、回路１６が底面に露出するビアホール３
を形成することができる。ここで、エネルギービームＢ
を絶縁層２に照射してビアホール３を加工するにあたっ
て、エネルギービームＢは加工面（照射面）でのエネル
ギー強度が、照射の中央位置で大になり、照射の周辺位
置で小になるように、エネルギー分布を調整して使用す
るようにしてある。図４は照射するエネルギービームＢ
のエネルギー分布の例を示すものであり、縦をエネルギ
ー密度の高さとして表示している。図４（ａ）は中央部
のエネルギー密度が高く、周辺部のエネルギー密度が低
い２段階のエネルギー分布になるように調整したエネル
ギービームＢを示し、図４（ｂ）は周辺部のエネルギー
密度を中央部のエネルギー密度よりも一段低く設定する
と共にこの周辺部のエネルギー密度が外側程徐々に小さ
くなるようにエネルギー分布を調整したエネルギービー
ムＢを示し、図４（ｃ）は周辺部のエネルギー密度が中
央部のエネルギー密度と同じ密度から外側程徐々に小さ
くなるようにエネルギー分布を調整したエネルギービー
ムＢを示すものである。

【００２５】このように、加工面でのエネルギー分布を
中央位置が大に周辺位置が小になるように調整したエネ
ルギービームＢを絶縁層に照射すると、照射の中央部に
よる穴加工の速度が照射の周辺部による穴加工の速度よ
りも速いために、図１（ｄ）のように、ビアホール３を
深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴に形成するこ
とができるものである。エネルギービームＢとして断面
円形の光束を用いるとビアホール３は逆円錐台のテーパ
穴になる。ここで、ビアホール３の内周面の傾斜角度θ
（ビアホール３の穴中心線に対する角度）が１°〜４５
°の範囲になるようなテーパ穴としてビアホール３を形
成するのが好ましい。内周面の傾斜角度が１°未満のテ
ーパ穴であれば、ビアホール３にメッキ液が循環し易く
なる効果を得ることができない。逆に内周面の傾斜角度
が４５°を超えるテーパ穴であると、ビアホール３の絶
縁層２の表面での開口が大きくなって高密度実装に問題
が生じるおそれがある。

【００２６】上記のようにしてビアホール３を形成した
後、絶縁層２の表面を過マンガン酸カリウム等の薬剤で
処理して図２（ａ）のように粗化洗浄し、次に無電解メ
ッキを行なって図２（ｂ）のように無電解メッキ層２３
を形成した後に、この上にレジスト２４をコートして露
光・現像することによって、図２（ｃ）のように回路形
成をしない部分をレジスト２４で被覆し、無電解メッキ
層２３に通電して電解メッキをおこなうことによって、
図２（ｄ）のように電解メッキ層２５を厚付けして回路
１６を形成すると共にビアホール３の内部に導体層２６
を形成する。ここで、ビアホール３は上記のように正テ
ーパ穴に形成してあるために、メッキ液が容易にビアホ
ール３内に循環し、メッキ付き性が良好になるものであ
る。そして図２（ｅ）のようにレジスト２４を剥離する
と共にレジスト２４で覆われていた無電解メッキ層２３
をエッチング除去する。

【００２７】後は、上記と同様にしてこの上に絶縁層２
を形成した後、バイアホール３の加工、無電解メッキ、
レジストのコート、電解メッキ等の工程を繰り返すこと
によって、図３（ａ）のような多層配線板を得ることが
できるものである。このような多層配線板にあって、上
下複数層に設けられる回路１６はビアホール３の内周に
形成した導体層２６によって図３（ｂ）に示すように導
通接続することができるものである。

【００２８】次に、加工面でのエネルギー分布を中央位
置が大に周辺位置が小になるようにエネルギービームＢ
を調整する方法について説明する。

【００２９】図５及び図６は請求項１に係る発明の実施
の形態の一例を示すものであり、図５（ａ）に示すよう
な中心部より複数のスリット４を放射状に設けるように
してビーム通過部５を形成したマスク６を用いて、エネ
ルギービームＢを照射するようにしてある。マスク６は
ステンレスやベリリウム鋼、鋼など例えば厚み０．１ｍ
ｍ程度の金属薄板で作製されるものであり、エッチング
加工を行なってマスク６の一部を切欠することによって
ビーム通過部５が形成してあり、エネルギービームＢは
ビーム通過部５を通過することができるが、ビーム通過
部５以外の箇所は通過できないようになっている。

【００３０】そしてエネルギービームＢとして炭酸ガス
レーザを用い、マスク６を通過させたエネルギービーム
Ｂをレンズ２８等の結像光学系で絶縁層２の表面の加工
面２ａに縮小結像させるようにして図５（ａ）や図６
（ａ）のように照射することによって、絶縁層２に穴明
けを行なうことができる。穴明けの速度は材料のエネル
ギービーム吸収率とエネルギービームによる材料の飛ば
し易さであるエッチレートによって決まる。そして赤外
線レーザの場合、吸収率は樹脂が大きく銅は小さく、ま
たエッチレートも樹脂が大きく銅は小さい。従って赤外
線レーザをエネルギービームＢとして絶縁層２に照射す
ると、樹脂が飛ばされて絶縁層２に穴明けをすることが
できると共に銅の回路１６で穴明けが止まり、絶縁層２
にのみ穴明けを行なう制御を簡単に行なうことができ
る。紫外線レーザを用いる場合は吸収率は樹脂と銅とで
殆ど差がないが、エッチレートの差によって同様に銅の
回路１６で穴明けが止まり、絶縁層２にのみ穴明けを行
なう制御を簡単に行なうことができる。このようにし
て、エネルギービームＢを絶縁層２に照射することによ
って、絶縁層２にビアホール３を加工することができる
ものである。尚、エネルギービームを用いた穴明けは、
エネルギービームの発生装置の出力、照射されるパルス
ショット数（照射時間）、結像の縮小率、マスクのビー
ム通過部の径等によって容易に制御するとができる。

【００３１】ここで、中心部より複数のスリット４を放
射状に設けて形成したビーム通過部５を通過することに
よって、エネルギービームＢは中央位置でエネルギー密
度が大に周辺位置でエネルギー密度が小になる図５
（ｂ）のようなエネルギー分布になっており（図５
（ｂ）において縦軸はエネルギー強度）、ビアホール３
を図６（ｂ）のような深さ方向に向かって小径となる正
テーパ穴に形成することができるものである。中心部よ
り複数のスリット４を放射状に設けたビーム通過部５と
しては、図７（ａ）のような形状の他に、図７（ｂ）の
ような形状として形成することもできる。

【００３２】図８は請求項２に係る発明に用いるマスク
９を示すものであり、中心の円形の開口部７の周辺に複
数の周辺開口部８を同心円状に設けてビーム通過部５を
形成するようにしてある。図８（ａ）の例では周辺開口
部８を小さい円形孔として形成し、中心の円形開口部７
の周りに周辺開口部８を一定間隔で多数設けるようにし
てあり、図８（ｂ）の例では周辺開口部８を円弧状のス
リットとして形成し、中心の円形開口部７の周りに同一
円周上に並ぶように周辺開口部８を複数設けるようにし
てある。このマスク９を図５（ａ）や図６（ａ）と同様
にして用いてビアホール３の加工を行なうものであり、
ビーム通過部５を通過したエネルギービームＢは中央開
口部７を通過する中央位置でエネルギー密度が大に、周
辺開口部８を通過する周辺位置でエネルギー密度が小に
なるエネルギー分布になって加工面２ａに照射され、ビ
アホール３を図６（ｂ）のような深さ方向に向かって小
径となる正テーパ穴に形成することができるものであ
る。

【００３３】図９は請求項３に係る発明の実施の形態の
一例を、また図１０は請求項４に係る発明の実施の形態
の一例をそれぞれ示すものであり、スリット４を放射状
に設けてビーム通過部５を形成した図７のようなマスク
６、あるいは中心の円形開口部７の周辺に複数の周辺開
口部８を同心円状に設けてビーム通過部５を形成した図
８のようなマスク９を用いる（尚、図９及び図１０の実
施の形態では図７（ａ）のマスク６を用いた例で説明す
る）。またエネルギービームＢとしては、炭酸ガスレー
ザやエキシマレーザなどを用いることができ、図５
（ａ）の場合と同様にしてエネルギービームＢをマスク
６を通過させた後に、レンズ２８等の結像光学系で絶縁
層２の表面の加工面２ａに縮小結像させ、ビアホール３
を加工するようにしてある。

【００３４】そして請求項３の発明では図９（ｂ）のよ
うにエネルギービームＢをパルス発振させて断続的に照
射させるようにしてあり、エネルギービームＢの発振と
同期させてマスク６をビーム通過部５の中央部を中心と
して回転させるようにしてある。すなわち、図９
（ａ），（ｂ）のように、エネルギービームＢを照射し
ている間はマスク６の回転を停止させ、エネルギービー
ムＢの照射が停止している間にマスク６を回転させて次
のマスク６の回転位置で停止させるようにし、このマス
ク６を通過させたエネルギービームＢを絶縁層２に照射
するようにしてある。図５（ｂ）の場合には、エネルギ
ービームＢの照射の周辺部ではスリット４に対応する部
分でだけ加工面２ａにエネルギーが作用し、周辺部での
エネルギー分布が不均一になり、また周辺部への熱影響
も大きくなるが、マスク６をこのように回転させると、
スリット４の位置が図９（ａ）の（イ）〜（ホ）のよう
に移動するために、図９（ｃ）の（イ）〜（ホ）にみら
れるように、絶縁層２の加工面２ａへのエネルギービー
ムＢの照射の周辺部で照射部分２９が広がり、周辺部で
のエネルギー分布が円周方向に均一になり、周辺部への
熱影響も小さくなるものである。

【００３５】また請求項４の発明では、図１０（ｂ）の
ようにエネルギービームＢを連続発振させて連続照射さ
せるようにしてあり、図１０（ａ）のようにエネルギー
ビームＢを照射している間、マスク６を連続して高速回
転させるようにしてある。このものにあっても、上記図
９の場合と同様に、マスク６を回転させるとスリット４
の位置が図１０（ａ）の（イ）〜（ホ）のように移動す
るために、図１０（ｃ）の（イ）〜（ホ）にみられるよ
うに、絶縁層２の加工面２ａへのエネルギービームＢの
照射の周辺部で照射部分２９が広がり、周辺部でのエネ
ルギー分布が円周方向に均一になるものである。

【００３６】図１１は請求項５に係る発明の実施の形態
の一例を示すものであり、エネルギービームＢとして炭
酸ガスレーザやエキシマレーザなどを用い、エネルギー
ビームＢをマスク１１のビーム通過部５を通過させた後
に、レンズ２８等の結像光学系で絶縁層２の表面の加工
面２ａに縮小結像させ、絶縁層２にビアホール３を加工
するようにしてある。そして請求項５の発明は、径の異
なるビーム通過部５ａ，５ｂを有する複数のマスク１１
ａ，１１ｂを用い、各マスク１１ａ，１１ｂを通過させ
たエネルギービームＢで複数回照射することによって、
加工面２ａでのエネルギービームＢのエネルギー分布が
中央位置で大に周辺位置で小になるように調整するよう
にしてある。

【００３７】すなわち、まず図１１（ａ）のように径の
大きいビーム通過部５ａを設けて形成したマスク１１ａ
を用てエネルギービームＢを照射することによって、加
工面２ａに広い面積でエネルギービームＢを照射し、図
１１（ｂ）のように広い穴３０を絶縁層２に形成する。
次に図１１（ｃ）のように径の小さいビーム通過部５ｂ
を設けて形成したマスク１１ｂにオートマスクチェンジ
ャーなどで交換してエネルギービームＢを照射すること
によって、レンズ２８や縮小率を変化させる必要なく、
図１１（ａ）で照射した部分の中央部において加工面２
ａに狭い面積でエネルギービームＢが照射されるように
する。この結果、図１２（ａ）のように１回目と２回目
のエネルギービームＢの照射の累積によるエネルギービ
ームＢのエネルギー分布は中央位置で大に周辺位置で小
になり、図１１（ｄ）に示すように深さ方向に向かって
小径となる正テーパ穴のビアホール３を加工することが
できるものである。

【００３８】図１２は縦方向をエネルギービームＢのエ
ネルギー強度（エネルギー密度）、横方向をエネルギー
ビームＢの照射幅（照射面積）として示した図であり、
図１２（ａ）のように一回目の照射を低いエネルギー密
度で広い面積に行ない、二回目の照射を一回目の照射の
中心位置において高いエネルギー密度で狭い面積に行な
う他に、図１２（ｂ）のように一回目の照射を高いエネ
ルギー密度で狭い面積に行なうと共に二回目の照射を低
いエネルギー密度で広い面積に行なうようにしても、図
１２（ｃ）のように一回目の照射を低いエネルギー密度
で広い面積に、二回目の照射を高いエネルギー密度で狭
い面積に、三回目の照射を低いエネルギー密度で広い面
積に行なうようにしても、図１２（ｄ）のように一回目
の照射を高いエネルギー密度で狭い面積に、二回目の照
射を低いエネルギー密度で広い面積に、三回目の照射を
高いエネルギー密度で狭い面積に行なうようにしても、
いずれも合計したエネルギービームＢのエネルギー分布
が中央位置で大に周辺位置で小になるようにすることが
できる。

【００３９】図１３はエネルギービームＢのエネルギー
分布が中央位置で大に周辺位置で小になるようにする他
の一例を示すものであり、エネルギービームＢとして炭
酸ガ スレーザやエキシマレーザなどを用い、エネルギー
ビームＢをマスク１０のビーム通過部５を通過させた後
に、レンズ２８等の結像光学系で絶縁層２の表面の加工
面２ａに縮小結像させ、絶縁層２にビアホール３を加工
するようにしてある。そして、同一のマスク１０を通過
させたエネルギービームＢの加工面でのエネルギー密度
を変化させて複数回照射することによって、加工面２ａ
でのエネルギービームＢのエネルギー分布が中央位置で
大に周辺位置で小になるように調整したものであるが、
図１３の例ではマスク１０−レンズ２８−加工面２ａの
距離の比を変化させることによって、エネルギービーム
Ｂの縮小率を変化させてエネルギー分布の調整を行なう
ようにしてある。

【００４０】すなわち、まず図１３（ａ）のようにマス
ク１０−レンズ２８−加工面２ａの距離を調整してエネ
ルギービームＢを照射することによって、加工面２ａに
広い面積でエネルギービームＢが照射されるようにす
る。このときはエネルギービームＢのエネルギーは広い
面積に分散するためにエネルギービームＢの照射の単位
面積当たりのエネルギー密度は低く、従って図１３
（ｂ）のように広く浅い穴３０が絶縁層２に形成され
る。次に図１３（ｃ）のようにマスク１０−レンズ２８
−加工面２ａの距離の比を変化させてエネルギービーム
Ｂを照射することによって、図１３（ａ）で照射した部
分の中央部において加工面２ａに狭い面積でエネルギー
ビームＢが照射されるようにする。このときはエネルギ
ービームＢのエネルギーは狭い面積に集中するために、
エネルギービームＢの照射の単位面積当たりのエネルギ
ー密度は高い。従って、図１４（ａ）のように１回目と
２回目のエネルギービームＢの照射の累積によるエネル
ギービームＢのエネルギー分布は中央位置で大に周辺位
置で小になり、図１３（ｄ）に示すように深さ方向に向
かって小径となる正テーパ穴のビアホール３を加工する
ことができるものである。

【００４１】図１４は縦方向をエネルギービームＢのエ
ネルギー強度（エネルギー密度）、横方向をエネルギー
ビームＢの照射幅（照射面積）として示した図であり、
上記の例では図１４（ａ）のように一回目の照射を低い
エネルギー密度で広い面積に行ない、二回目の照射を一
回目の照射の中心位置において高いエネルギー密度で 狭
い面積に行なうことによって、合計したエネルギービー
ムＢのエネルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小に
なるようにしたが、図１４（ｂ）のように一回目の照射
を高いエネルギー密度で狭い面積に行なうと共に二回目
の照射を低いエネルギー密度で広い面積に行なうように
しても、図１４（ｃ）のように一回目の照射を低いエネ
ルギー密度で広い面積に、二回目の照射を高いエネルギ
ー密度で狭い面積に、三回目の照射を低いエネルギー密
度で広い面積に行なうようにしても、図１４（ｄ）のよ
うに一回目の照射を高いエネルギー密度で狭い面積に、
二回目の照射を低いエネルギー密度で広い面積に、三回
目の照射を高いエネルギー密度で狭い面積に行なうよう
にしても、いずれも合計したエネルギービームＢのエネ
ルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小になるように
することができる。

【００４２】図１５は請求項６に係る発明の実施の形態
を示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガス
レーザＢ１を用い、レンズ２８等の結像光学系を用いて
この炭酸ガスレーザＢ１を絶縁層２に照射してビアホー
ル３を加工するにあたって、まず図１５（ａ）のように
狭い面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１を用いることによ
って絶縁層２に浅い穴３１を加工し、次に図１５（ｂ）
のように広い面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１を用いる
ことによってビアホール３を加工するようにしてある。
このように狭い面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１と広い
面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１の複数種のエネルギー
ビームＢを用いることによって、合計したエネルギービ
ームＢのエネルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小
になるものであり、深さ方向に向かって小径となる正テ
ーパ穴のビアホール３を加工することができるものであ
る。またこのように炭酸ガスレーザＢ１を用いてビアホ
ール３を加工した後、エネルギービームＢとしてエキシ
マレーザＢ２を用いて図１５（ｃ）のように照射するこ
とによって、穴底の再加工や穴周囲の付着物を除去する
ことができ、絶縁層２に高品位のビアホール３を形成す
ることができるようにしてある。

【００４３】図１６及び図１７は請求項７に係る発明の
実施の形態を示すものであり、前記図１１や図１３のよ
うにエネルギービームＢを複数回照射することによっ
て、深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホ
ール３を加工するにあたって、一穴毎にこの複数回の照
射を行なって、基板１に多数のビアホール３を順次形成
するようにしたものである。

【００４４】すなわち、まず最初のビアホール３を加工
する箇所において、前記図１１（ａ）あるいは図１３
（ａ）のようにエネルギービームＢを広い面積に照射し
て、図１６（ａ）のように浅い穴３０を加工し、次にマ
スク１０−レンズ２８−加工面２ａの距離の比を変化さ
せるかあるいはビーム通過部５ａ，５ｂの径が異なるマ
スク１１ａ，１１ｂをオートマスクチェンジャーで交換
して、前記図１１（ｃ）あるいは図１３（ｃ）のように
エネルギービームＢを狭い面積に照射して、図１６
（ｂ）のように深さ方向に向かって小径となる正テーパ
穴のビアホール３を加工する。このようにして最初のビ
アホール３を加工した後、基板１を移動させて次のビア
ホール３を加工する箇所において同様に図１６（ｃ），
（ｄ）のように複数回のエネルギービームＢの照射をお
こなって、この箇所に同様なビアホール３を加工し、以
後同様にして図１７（ａ），（ｂ）、さらに図１７
（ｃ），（ｄ）のように順次、複数回ずつのエネルギー
ビームＢの照射をおこなって、順次ビアホール３を加工
する。

【００４５】この操作をさらに繰り返すことによって、
基板１に多数のビアホール３を加工することができるも
のであり、この請求項７の発明では、ビアホール３を加
工する箇所毎に複数回のエネルギービームＢの照射をお
こなうようにしているために、エネルギービームＢの各
照射の位置合わせが容易になって、照射の重ね合わせの
精度が高くなるものである。

【００４６】図１８及び図１９は請求項８に係る発明の
実施の形態を示すものであり、前記図１１や図１３のよ
うにエネルギービームＢを複数回照射することによっ
て、深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホ
ール３を加工するにあたって、基板１にビアホール３を
設ける多数の箇所において、まず１回目のエネルギービ
ームＢの照射を順次行ない、１回目のエネルギービーム
Ｂの照射が終了した後に、１回目のエネルギービームＢ
の照射した箇所に２回目のエネルギービームＢの照射を
順次行なうというように、複数回のエネルギービームＢ
の照射を各回毎にビアホール３を設ける多数の箇所にお
いて行ない、基板１に多数のビアホール３を形成するよ
うにしたものである。

【００４７】すなわち、まず前記図１１（ａ）あるいは
図１３（ａ）のようにエネルギービームＢを広い面積に
照射して、図１８（ａ）のようにビアホール３を形成す
る箇所において浅い穴３０を加工し、基板１を移動させ
て以下同様にして同じエネルギービームＢの照射を基板
１のビアホールを形成する箇所において順次行ない、図
１８（ｂ）〜（ｅ）のように浅い穴３０を順次加工す
る。次にマスク１０−レンズ２８−加工面２ａの距離の
比を変化させるかあるいはビーム通過部５ａ，５ｂの径
が異なるマスク１１ａ，１１ｂをオートマスクチェンジ
ャーで交換し、最後に加工した浅い穴３０において、前
記図１１（ｃ）あるいは図１３（ｃ）のようにエネルギ
ービームＢを狭い面積に照射して、図１９（ａ）のよう
に深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホー
ル３を加工する。以下、図１８（ａ）〜（ｅ）と逆の方
向に基板１を移動させて各浅い穴３０に同じエネルギー
ビームＢの照射を順次行ない、図１９（ｂ）〜（ｅ）の
ようにビアホール３を加工する。

【００４８】このようにして基板１に多数のビアホール
３を加工することができるものであり、この請求項８の
発明では、各ビアホール３を形成する箇所にエネルギー
ビームＢを順次照射し、この順次照射するエネルギービ
ームＢの照射を複数回繰り返すようにしているために、
請求項７の発明の場合のようにエネルギービームＢの照
射毎にマスク１１ａ，１１ｂを変更したりしてエネルギ
ービームＢの照射を変更するような必要がなくなり、加
工時間を短縮することができるものである。尚、基板１
に設けるビアホール３に複数のパターンがある場合は、
パターン毎に図１８や図１９の操作が適用されるもので
ある。

【００４９】図２０は請求項９の発明の実施の形態を示
すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガスレー
ザを用い、まずエネルギービームＢを第１のビームスプ
リッター３３に通して、エネルギービームＢのうち半分
を反射させると共に残り半分を透過させるようにして２
分岐する。ビームスプリッター３３で反射されたエネル
ギービームＢ１は大きな径のビーム通過部３５ａを設け
て形成したマスク３６ａを通過させ、またビームスプリ
ッター３３を透過したエネルギービームＢ２は第１の全
反射ミラー３４で反射させた後に小さな径のビーム通過
部３５ｂを設けて形成したマスク３６ｂを通過させるよ
うにしてあり、さらにエネルギービームＢ１は第２のビ
ームスプリッター３８に通過させ、エネルギービームＢ
２は第２の全反射ミラー３７で反射させると共に第２の
ビームスプリッター３８で反射させるようにしてあり、
ここでエネルギービームＢ１，Ｂ２を重合させ、そして
レンズ２８で結像させて絶縁層２に照射させるようにし
てある。

【００５０】このとき、２分岐されたうち、径の大きい
ビーム通過部３５ａを有するマスク３６ａを通過したエ
ネルギービームＢ１はイのように光束の面積が大きく、
また径の小さいビーム通過部３５ｂを有するマスク３６
ｂを通過したエネルギービームＢ２はロのように光束の
面積が小さく、従ってこのエネルギービームＢ１、Ｂ２
を重合させるとエネルギービームＢはハのようにエネル
ギー分布は中央位置が大に周辺位置が小になっており、
深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホール
３を加工することができるものである。このようにし
て、一回のエネルギービームＢの照射で中央位置が大に
周辺位置が小になったエネルギー分布で照射を行なうこ
とができ、一回のエネルギービームＢの照射で正テーパ
穴のビアホール３を加工することができるものである。

【００５１】図２１は請求項１０の発明の実施の形態を
示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガスレ
ーザを用い、まずエネルギービームＢを第１のビームス
プリッター３３に通して、エネルギービームＢのうち半
分を反射させると共に残り半分を透過させるようにして
２分岐する。ビームスプリッター３３で反射されたエネ
ルギービームＢ１はレンズ３９に通して集光させた後、
第２のビームスプリッター３８に通過させて絶縁層２に
照射させる。またビームスプリッター３３を透過したエ
ネルギービームＢ２は第１の全反射ミラー３４で反射さ
せた後にレンズ４０に通して集光させ、第２の全反射ミ
ラー３７で反射させた後に第２のビームスプリッター３
８で反射させ、ここでエネルギービームＢ１と重合させ
て絶縁層２に照射させるようにしてある。

【００５２】ここで、レンズ３９で集光されたエネルギ
ービームＢ１が加工面２ａに至るまでの光路長と、レン
ズ４０で集光されたエネルギービームＢ２が加工面２ａ
に至るまでの光路長とは異なり、エネルギービームＢ１
は加工面２ａで焦点を結ばないデフォーカスになるよう
に、エネルギービームＢ２は加工面２ａで焦点を結ぶジ
ャストフォーカスになるようにしてある。従ってエネル
ギービームＢ１ の光束の中央部にエネルギービームＢ
２の光束が重合されて加工面２ａに照射されるようにな
って、ニのようにエネルギー分布は中央位置が大に周辺
位置が小になり、深さ方向に向かって小径となる正テー
パ穴のビアホール３を加工することができるものであ
る。このようにして、一回のエネルギービームＢの照射
で中央位置が大に周辺位置が小になったエネルギー分布
で照射を行なうことができ、一回のエネルギービームＢ
の照射で正テーパ穴のビアホール３を加工することがで
きるものであり、しかもマスクを用いる必要がなくなる
ものである。

【００５３】図２２は請求項１１の発明の実施の形態を
示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガスレ
ーザやエキシマレーザなどを用い、エネルギービームＢ
をマスク６のビーム通過部５を通過させた後に、フィル
ター１４を透過させるようにしてある。フィルター１４
にはエネルギービームＢの透過率が中心から周囲へと同
心円状に減衰するビーム透過部１３が設けてある。図２
２（ａ）の例では、中央に開口穴４２を設け、この開口
穴４２の周囲の透過率が同心円状に減衰するようにして
ある。このフィルター１４にエネルギービームＢを通す
と、ビーム透過部１３を透過したエネルギービームＢは
図２２（ｂ）のように中央位置が大に周辺位置が小にな
ったエネルギー分布をしている（図２２（ｂ）は横方向
にエネルギービームＢの強さを、縦方向にエネルギービ
ームＢの面積を示す）。従って、エネルギービームＢを
レンズ２８等の結像光学系を通して絶縁層２の表面の加
工面２ａに縮小結像させ、絶縁層２にビアホール３を加
工するようにあたって、深さ方向に向かって小径となる
正テーパ穴のビアホール３を加工することができるもの
である。このようにフィルター１４を用いることによっ
て、一回のエネルギービームＢの照射で中央位置が大に
周辺位置が小になったエネルギー分布で照射を行なうこ
とができ、一回のエネルギービームＢの照射で正テーパ
穴のビアホール３を加工することができるものである。

【００５４】図２３は請求項１２に係る発明の実施の形
態を示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガ
スレーザやエキシマレーザなどを用い、エネルギービー
ムＢをレンズ２８等の結像光学系を通して絶縁層２の表
面の加工面２ａに縮小結像させ、絶縁層２にビアホール
３を加工するようにしてある。そしてこの請求項１２の
発明では、まずレンズ２８と加工面２ａとの間の距離を
調整する等して図２３（ａ）のように加工面２ａにエネ
ルギービームＢの照射の焦点を合わせるジャストフォー
カスで照射を行ない、次にレンズ２８と加工面２ａとの
間の距離を調整する等して図２３（ｂ）のように加工面
２ａからエネルギービームＢの照射の焦点が外れるデフ
ォーカスで照射を行なう。このようにエネルギービーム
Ｂの照射を焦点が加工面２ａに合うジャストフォーカス
から焦点が加工面２ａから外れるデフォーカスにする
と、ジャストフォーカスの際のエネルギービームＢの照
射は中央部に集中すると共にデフォーカスの際のエネル
ギービームＢ照射は周辺部にも及ぶために、エネルギー
ビームＢの照射によるエネルギー分布は中央位置が大に
周辺位置が小になり、ジャストフォーカスのエネルギー
ビームＢで形成される穴４３の開口縁が除去されて、深
さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホール３
を加工することができるものである。

【００５５】図２４は請求項１３に係る発明の実施の形
態を示すものであり、以上の各方法でビアホール３を加
工した後に、絶縁層２の表面を過マンガン酸カリウム等
の薬剤で粗化洗浄するようにしてある。このように粗化
洗浄処理することによって、図２４（ａ）のように表面
に付着する付着物４４を除去することができると共にビ
アホール３の穴底洗浄を行なうことができ、さらに絶縁
層２の表面へのメッキの密着力を向上させることができ
るものであり、しかも図２４（ｂ）のようにビアホール
３のテーパ角度を安定させることができるものである。

【００５６】

【発明の効果】上記のように本発明に係る多層配線板の
製造方法は、絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚さ
方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビア
ホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにした
多層配線板を製造するにあたって、ビアホールをその内
周面が傾斜し深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に
形成するようにしたので、ビアホールへのメッキ液の循
環が良好になってビアホール内部へのメッキ付き性が向
上するものである。

【００５７】そして請求項１に係る多層配線板の製造方
法は、ビアホールの加工にエネルギービームを用い、加
工面でのエネルギー分布を中央位置が大に周辺位置が小
になるように調整したエネルギービームを絶縁層に照射
することによって、ビアホールを深さ方向に向かって小
径となるテーパ穴に形成するようにしたので、エネルギ
ービームを用いて正テーパ穴形状のビアホールを形成す
ることができるものであり、絶縁層の樹脂材料に制約を
受けることなく、また生産性良くビアホールの加工を行
なうことができるものである。

【００５８】さらに請求項１に係る多層配線板の製造方
法は、中心部より複数のスリットを放射状に設けてビー
ム通過部を形成したマスクにエネルギービームを通過さ
せ、このエネルギービームを絶縁層に照射するようにし
たので、エネルギービームをマスクに通すだけでエネル
ギービームの加工面でのエネルギー分布を中央位置が大
に周辺位置が小になるように調整することができるもの
である。

【００５９】また請求項２に係る多層配線板の製造方法
は、中心の円形開口部の周辺に複数の周辺開口部を同心
円状に設けてビーム通過部を形成したマスクにエネルギ
ービームを通過させ、このエネルギービームを絶縁層に
照射するようにしたので、エネルギービームをマスクに
通すだけでエネルギービームの加工面でのエネルギー分
布を中央位置が大に周辺位置が小になるように調整する
ことができるものである。

【００６０】また請求項３に係る多層配線板の製造方法
は、請求項１又は２に記載のマスクを用い、エネルギー
ビームをパルス発振させると共にマスクをエネルギービ
ームの発振と同期させてビーム通過部を中心に回転さ
せ、このマスクを通過させたエネルギービームを絶縁層
に照射するようにしたので、ビーム通過部の形状のまま
エネルギービームが加工面に照射されることがなくな
り、周辺部でのエネルギー分布が均一になるものであ
る。

【００６１】また請求項４に係る多層配線板の製造方法
は、請求項１又は２に記載のマスクを用い、エネルギー
ビームを連続発振させると共にマスクをビーム通過部を
中心に回転させ、このマスクを通過させたエネルギービ
ームを絶縁層に照射するようにしたので、ビーム通過部
の形状のままエネルギービームが加工面に照射されるこ
とがなくって、周辺部でのエネルギー分布が均一になる
ものであり、しかもエネルギービームの発振とマスクの
回転との同期制御を行なうことが不要になるものであ
る。

【００６２】また請求項５に係る多層配線板の製造方法
は、径の異なるビーム通過部を有する複数の各マスクを
通過させたエネルギービームを絶縁層に複数回照射する
ことによって、加工面でのエネルギービームのエネルギ
ー分布が中央位置で大に周辺位置で小になるように調整
したので、複雑な形状のビーム通過部を形成したマスク
を用いる必要なく、複数回の照射エネルギーの累積によ
ってエネルギービームのエネルギー分布の調整が可能に
なるものである。

【００６３】また請求項６に係る多層配線板の製造方法
は、狭い面積の光束と広い面積の光束の複数種のエネル
ギービームを絶縁層に照射することによって、加工面で
のエネルギービームのエネルギー分布を中央位置が大に
周辺位置が小になるように調整するようにしたので、エ
ネルギービームの組み合わせで品質の良いビアホールを
形成することが可能になるものである。

【００６４】また請求項７に係る多層配線板の製造方法
は、複数穴のビアホールを加工するにあたって、各ビア
ホールを形成する箇所毎にマスクのビーム通過部の径の
変更あるいはデフォーカスによってエネルギー密度を変
化させたエネルギービームの照射を複数回ずつ行なっ
て、深さ方向に向かって小径となるテーパ穴のビアホー
ルを形成するようにしたので、ビアホールを加工する箇
所毎に複数回のエネルギービームの照射をおこなうこと
によって、各照射の位置合わせが容易になって、照射の
重ね合わせの精度が高くなるものである。

【００６５】また請求項８に係る多層配線板の製造方法
は、マスクのビーム通過部の径の変更あるいはデフォー
カスによってエネルギー密度を変化させたエネルギービ
ームの照射を複数回ずつ行なって複数穴のビアホールを
加工するにあたって、各ビアホールを形成する箇所にエ
ネルギービームを順次照射し、この順次照射するエネル
ギービームの照射をエネルギー密度を変化させて複数回
繰り返すことによって、深さ方向に向かって小径となる
テーパ穴のビアホールを形成するようにしたので、エネ
ルギービームの照射毎にマスクを変更したりしてエネル
ギービームの照射を変更するような必要がなくなり、加
工時間を短縮することができるものである。

【００６６】また請求項９に係る多層配線板の製造方法
は、エネルギービームを２分岐し、径の異なるビーム通
過部を有するマスクに分岐したエネルギービームをそれ
ぞれ通過させた後、この分岐したエネルギービームを重
ね合わせることによって、加工面でのエネルギービーム
のエネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を小になる
ように調整したので、複雑な形状のビーム通過部を形成
したマスクを用いる必要なく、エネルギービームのエネ
ルギー分布の調整が可能になり、しかもエネルギービー
ムの１回の照射でビアホールを加工することができるも
のである。

【００６７】また請求項１０に係る多層配線板の製造方
法は、エネルギービームを２分岐し、２分岐した各エネ
ルギービームを光学系で集光させて、加工面に対して一
方のエネルギービームをジャストフォーカスに他方のエ
ネルギービームをデフォーカスになるように重ね合わせ
ることによって、加工面でのエネルギービームのエネル
ギー分布が中央位置を大に周辺位置を小になるように調
整したので、マスクを用いる必要なくエネルギービーム
のエネルギー分布を調整することが可能になり、しかも
エネルギービームの１回の照射でビアホールを加工する
ことができるものである。

【００６８】また請求項１１に係る多層配線板の製造方
法は、透過率が同心円状に外側程低くなるビーム透過部
を有するフィルターにエネルギービームを通過させて、
エネルギービームを絶縁層に照射するようにしたので、
フィルターを通過させるだけでエネルギービームの加工
面でのエネルギー分布を中央位置が大に周辺位置が小に
なるように調整することができ、しかもエネルギービー
ムの１回の照射でビアホールを加工することができるも
のである。

【００６９】また請求項１２に係る多層配線板の製造方
法は、エネルギービームの照射をジャストフォーカスで
行なうと共にデフォーカスで行なうことによって、加工
面でのエネルギービームのエネルギー分布が中央位置を
大に周辺位置を小になるように調整したので、焦点を移
動させる操作でエネルギービームの加工面でのエネルギ
ー分布を中央位置が大に周辺位置が小になるように調整
することができ、しかもエネルギービームの１回の照射
でビアホールを加工することができるものである。

【００７０】また請求項１３に係る多層配線板の製造方
法は、エネルギービームによってビアホールを加工した
後、絶縁層の表面を粗化処理するようにしたので、粗化
処理によって絶縁層の表面の洗浄と同時にビアホールの
穴内の洗浄も同時に行なうことができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）は多層配線板の製造の各工程の
断面図、（ｄ）は（ｃ）の一部の拡大した断面図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｅ）は多層配線板の製造の各工程の断面図
である。

【図３】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）は多層配線板の断面図、（ｂ）は多層配線板の一
部の拡大した断面図である。

【図４】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれエネルギービームの
強度分布を示す図である。

【図５】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）はエネルギービームの一部を省略して示した斜視
図、（ｂ）はエネルギービームの強度分布を示す図であ
る。

【図６】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）は断面図である。

【図７】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はマスクの正面図である。

【図８】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はマスクの正面図である。

【図９】本発明の実施の形態の一例を示す図であり、
（ａ）はマスクを、（ｂ）はエネルギービームの出力の
ＯＮ−ＯＦＦとマスクの回転のＯＮ−ＯＦＦを、（ｃ）
は加工面を示すものである。

【図１０】本発明の実施の形態の一例を図であり、
（ａ）はマスクを、（ｂ）はエネルギービームの出力の
ＯＮ−ＯＦＦを、（ｃ）は加工面を示すものである。

【図１１】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１２】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）はエネルギービームの強度分布を
示す図である。

【図１３】エネルギービームのエネルギー分布が中央位
置で大に周辺位置で小になるようにする一例を示すもの
であり、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１４】同上の一例を示すものであり、（ａ）乃至
（ｄ）はエネルギービームの強度分布を示す図である。

【図１５】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｃ）は断面図である。

【図１６】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１７】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１８】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｅ）は断面図である。

【図１９】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｅ）は断面図である。

【図２０】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。

【図２１】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図２２】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）はフィルター部分の断面図、（ｂ）はエネル
ギー強度の分布を示す図である。

【図２３】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）及び（ｂ）は断面図である。

【図２４】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）及び（ｂ）は断面図である。

【図２５】従来例を示すものであり、（ａ）はエネルギ
ー強度の分布を示す図、（ｂ）は穴明けした基板の断面
図、（ｃ）はメッキを施した基板の断面図である。

【図２６】他の従来例を示すものであり、（ａ）乃至
（ｄ）は断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 絶縁層 ３ ビアホール ４ スリット ５ ビーム通過部 ６ マスク ７ 円形開口部 ８ 周辺開口部 ９ マスク １０ マスク １１ マスク １２ マスク １３ ビーム通過部 １４ フィルター

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 健一郎 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−27795（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−173497（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−142089（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−143492（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/46 H05K 3/00

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
   さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
   アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
   た多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加工
   にエネルギービームを用い、中心部より複数のスリット
   を放射状に設けてビーム通過部を形成したマスクにエネ
   ルギービームを通過させて、加工面でのエネルギー分布
   を中央位置が大に周辺位置が小になるように調整したエ
   ネルギービームを絶縁層に照射することによって、ビア
   ホールを深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に形成
   することを特徴とする多層配線板の製造方法。
2. 【請求項２】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
   さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
   アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
   た多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加工
   にエネルギービームを用い、中心の円形開口部の周辺に
   複数の周辺開口部を同心円状に設けてビーム通過部を形
   成したマスクにエネルギービームを通過させて、加工面
   でのエネルギー分布を中央位置が大に周辺位置が小にな
   るように調整したエネルギービームを絶縁層に照射する
   ことによって、ビアホールを深さ方向に向かって小径と
   なるテーパ穴に形成することを特徴とする多層配線板の
   製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のマスクを用い、
   エネルギービームをパルス発振させると共にマスクをエ
   ネルギービームの発振と同期させてビーム通過部を中心
   に回転させ、このマスクを通過させたエネルギービーム
   を絶縁層に照射することを特徴とする請求項１又は２に
   記載の多層配線板の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１又は２に記載のマスクを用い、
   エネルギービームを連続発振させると共にマスクをビー
   ム通過部を中心に回転させ、このマスクを通過させたエ
   ネルギービームを絶縁層に照射することを特徴とする請
   求項１又は２に記載の多層配線板の製造方法。
5. 【請求項５】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
   さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
   アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
   た多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加工
   にエネルギービームを用い、径の異なるビーム通過部を
   有する複数の各マスクを通過させたエネルギービームを
   絶縁層に複数回照射することによって、加工面でのエネ
   ルギー分布を中央位置が大に周辺位置が小になるように
   調整したエネルギービームで、ビアホールを深さ方向に
   向かって小径となるテーパ穴に形成することを特徴とす
   る多層配線板の製造方法。
6. 【請求項６】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
   さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
   アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
   た多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加工
   にエネルギービームを用い、狭い面積の光束と広い面積
   の光束の複数種のエネルギービームを絶縁層に照射する
   ことによって、加工面でのエネルギー分布を中央位置が
   大に周辺位置が小になるように調整したエネルギービー
   ムで、ビアホールを深さ方向に向かって小径となるテー
   パ穴に形成することを特徴とする多層配線板の製造方
   法。
7. 【請求項７】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
   さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
   アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
   た多層配線板を製造するに際して、ビアホールの加工に
   エネルギービームを用いると共に、複数穴のビアホール
   を加工するにあたって、各ビアホールを形成する箇所毎
   にマスクのビーム通過部の径の変更あるいはデフォーカ
   スによってエネルギー密度を変化させたエネルギービー
   ムの照射を複数回ずつ行なって、加工面でのエネルギー
   分布を中央位置が大に周辺位置が小になるように調整し
   たエネルギービームで、ビアホールを深さ方向に向かっ
   て小径となるテーパ穴に形成することを特徴とする多層
   配線板の製造方法。
8. 【請求項８】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
   さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
   アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
   た多層配線板を製造するに際して、ビアホールの加工に
   エネルギービームを用いると共に、マスクのビーム通過
   部の径の変更あるいはデフォーカスによってエネルギー
   密度を変化させたエネルギービームの照射を複数回ずつ
   行なって複数穴のビアホールを加工するにあたって、各
   ビアホールを形成する箇所にエネルギービームを順次照
   射し、この順次照射するエネルギービームの照射をエネ
   ルギー密度を変化させて複数回繰り返すことによって、
   加工面でのエネルギー分 布を中央位置が大に周辺位置が
   小になるように調整したエネルギービームで、ビアホー
   ルを深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に形成する
   ことを特徴とする多層配線板の製造方法。
9. 【請求項９】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
   さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
   アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
   た多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加工
   にエネルギービームを用い、エネルギービームを２分岐
   すると共に径の異なるビーム通過部を有するマスクにこ
   の分岐したエネルギービームをそれぞれ通過させた後、
   この分岐したエネルギービームを重ね合わせることによ
   って、加工面でのエネルギー分布を中央位置が大に周辺
   位置が小になるように調整したエネルギービームを絶縁
   層に照射して、ビアホールを深さ方向に向かって小径と
   なるテーパ穴に形成することを特徴とする多層配線板の
   製造方法。
10. 【請求項１０】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の
    厚さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成した
    ビアホールで層間導通の少なくとも一部を行なうように
    した多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加
    工にエネルギービームを用い、エネルギービームを２分
    岐すると共に２分岐した各エネルギービームを光学系で
    集光させて、加工面に対して一方のエネルギービームを
    ジャストフォーカスに他方のエネルギービームをデフォ
    ーカスになるように重ね合わせることによって、加工面
    でのエネルギー分布を中央位置が大に周辺位置が小にな
    るように調整したエネルギービームを絶縁層に照射し
    て、ビアホールを深さ方向に向かって小径となるテーパ
    穴に形成することを特徴とする多層配線板の製造方法。
11. 【請求項１１】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の
    厚さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成した
    ビアホールで層間導通の少なくとも一部を行なうように
    した多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加
    工にエネルギービームを用い、透過率が同心円状に外側
    程低くなるビーム透過部を有するフィルターにエネルギ
    ービームを通過させて、加工面でのエネルギー分布を中
    央位置が大に周辺位置が小になるように調整したエネル
    ギービームを絶縁層に照射することによって、ビアホー
    ルを深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に形成する
    ことを特徴とする多層配線板の製造方法。
12. 【請求項１２】 絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の
    厚さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成した
    ビアホールで層間導通の少なくとも一部を行なうように
    した多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加
    工にエネルギービームを用い、エネルギービームの照射
    をジャストフォーカスで行なうと共にデフォーカスで行
    なうことによって、加工面でのエネルギー分布を中央位
    置が大に周辺位置が小になるように調整したエネルギー
    ビームを絶縁層に照射して、ビアホールを深さ方向に向
    かって小径となるテーパ穴に形成することを特徴とする
    多層配線板の製造方法。
13. 【請求項１３】 エネルギービームによってビアホール
    を加工した後、絶縁層の表面を粗化処理することを特徴
    とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の多層配線板
    の製造方法。