JPH0983146A

JPH0983146A - 多層配線板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0983146A
Application number: JP7237391A
Authority: JP
Inventors: Koichi Yoshioka; 浩一吉岡; Tokuo Yoshida; 徳雄吉田; Yuichi Uchida; 雄一内田; Kenichiro Tanaka; 健一郎田中
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1995-09-14
Filing date: 1995-09-14
Publication date: 1997-03-28
Anticipated expiration: 2015-09-14
Also published as: JP3115987B2

Abstract

(57)【要約】【課題】エネルギービームを用いて生産性高く、ビア
ホールを正テーパ穴に形成することができるようにす
る。【解決手段】絶縁層２に穴明けを行なうよう絶縁層２
の厚さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成し
たビアホール３で層間導通の少なくとも一部を行なうよ
うにした多層配線板を製造する。ビアホール３の加工に
エネルギービームを用い、加工面でのエネルギー分布を
中央位置が大に周辺位置が小になるように調整してエネ
ルギービームを絶縁層２に照射する。このことによっ
て、ビアホール３を深さ方向に向かって小径となるテー
パ穴に形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビアホールを設け
た多層配線板及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多層配線板は絶縁層を介して回路を上下
複数層に設けて形成されるものであり、上下の回路間の
接続は、貫通するスルーホールによって行なう他に、絶
縁層にビアホール（ｖｉａｈｏｌｅ）を設け、このビア
ホールによっても上下の回路間の接続を行なうようにな
っている。

【０００３】そして従来、このようなビアホールの加工
技術としてはフォトエッチングあるいはケミカルエッチ
ングのようなエッチングによるものが多い。しかしなが
らフォトエッチングを行なうためには、絶縁層の樹脂材
料に制約があり、高耐熱性の多層配線板を製造すること
ができないという問題があり、またケミカルエッチング
は絶縁層に密着マスクを形成する必要があり、製造の工
程で大きな制約を受けるという問題がある。

【０００４】そこで、レーザなどのエネルギービームを
用い、エネルギービームを絶縁層に照射することによっ
て、その熱エネルギーで絶縁層に穴加工を行なってビア
ホールを形成することが試みられている。しかし、結像
系のレーザＬは一般的に結像時のエネルギー分布が均一
になるためにマスク位置でのエネルギー分布が図２５
（ａ）に示すようなトップハット型に近いエネルギー分
布を有しており、図２５（ｂ）のように基板１の表面に
設けた絶縁層２に加工されるビアホール３は円筒型に形
成される。

【０００５】このように、ビアホール３が円筒型に形成
されると、ビアホール３内にメッキ加工を行なう際に、
メッキ液がビアホール３内へ循環し難くなり、メッキ液
の循環不足によるビアホール３内へのメッキ付き性が低
下し、図２５（ｃ）のように回路１６の周りのメッキ１
７の厚みが薄くなって、ビアホール３の底面の回路１６
の部分に応力が集中して断線が発生するおそれがあると
いう問題が生じる。従って、ビアホール３は深さ方向に
向かって小径となるテーパ穴（正テーパ穴）に形成され
ていることが望ましい。このようにビアホール３が正テ
ーパ穴に形成されていると、メッキ液がビアホール３内
に循環することが容易になり、ビアホール３内へのメッ
キ付き性が向上するのである。

【０００６】そこで、レーザのようなエネルギービーム
を用いてビアホール３を加工するにあたって、ビアホー
ル３を正テーパ穴に形成することができるようにした技
術が特開平４−２６４７９７号公報で提供されている。
図２６はその工程を示すものであり、まず図２６（ａ）
のように回路１６を形成した基板１の表面にポリイミド
による絶縁層２を設け、次に図２６（ｂ）のように第１
のマスク１９を介してエキシマレーザＬを照射してビア
ホールを形成する直前までの穴２０を加工し、次に図２
６（ｃ）のように穴１４の箇所以外の絶縁層２に第２の
マスク２１を介して紫外線Ｖを照射して露光し、この後
に絶縁層２を現像することによって、図２６（ｄ）のよ
うに深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴にビアホ
ール３を形成することができるのである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この特開平４
−２６４７９７号公報の方法では、レーザのようなエネ
ルギービームを照射する工程の他に、露光・現像の工程
が必要であり、生産性に問題を有するものであった。本
発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、エネルギ
ービームを用いて生産性高く、ビアホールを正テーパ穴
に形成することができる多層配線板及びその製造方法を
提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、絶縁
層２に穴明けを行なうよう絶縁層２の厚さ方向にエネル
ギービームの照射を制御して形成したビアホール３で層
間導通の少なくとも一部を行なうようにした多層配線板
において、ビアホール３をその内周面が傾斜し深さ方向
に向かって小径となるテーパ穴に形成して成ることを特
徴とするものである。

【０００９】また請求項２の発明は、絶縁層２に穴明け
を行なうよう絶縁層２の厚さ方向にエネルギービームの
照射を制御して形成したビアホール３で層間導通の少な
くとも一部を行なうようにした多層配線板を製造するに
あたって、ビアホール３の加工にエネルギービームを用
い、加工面でのエネルギー分布を中央位置が大に周辺位
置が小になるように調整してエネルギービームを絶縁層
２に照射することによって、ビアホール３を深さ方向に
向かって小径となるテーパ穴に形成することを特徴とす
るものである。

【００１０】また、請求項３の発明は、中心部より複数
のスリット４を放射状に設けてビーム通過部５を形成し
たマスク６にエネルギービームを通過させ、このエネル
ギービームを絶縁層２に照射することを特徴とするもの
である。請求項４の発明は、中心の円形開口部７の周辺
に複数の周辺開口部８を同心円状に設けてビーム通過部
５を形成したマスク９にエネルギービームを通過させ、
このエネルギービームを絶縁層２に照射することを特徴
とするものである。

【００１１】請求項５の発明は、請求項３又は４に記載
のマスク６，９を用い、エネルギービームをパルス発振
させると共にマスク６，９をエネルギービームの発振と
同期させてビーム通過部５を中心に回転させ、このマス
ク６，９を通過させたエネルギービームを絶縁層２に照
射することを特徴とするものである。請求項６の発明
は、請求項３又は４に記載のマスク６，９を用い、エネ
ルギービームを連続発振させると共にマスク６，９をビ
ーム通過部５を中心に回転させ、このマスク６，９を通
過させたエネルギービームを絶縁層２に照射することを
特徴とするものである。

【００１２】請求項７の発明は、ビーム通過部５を有す
るマスク１０を通過させてエネルギービームを絶縁層２
に照射するにあたって、同一のマスク１０を通過させた
エネルギービームの加工面での結像の縮小率を変えるこ
とによってエネルギー密度を変化させて複数回照射し、
加工面でのエネルギービームのエネルギー分布が中央位
置で大に周辺位置で小になるように調整したことを特徴
とするものである。

【００１３】請求項８の発明は、ビーム通過部５を有す
るマスク１１を通過させてエネルギービームを絶縁層２
に照射するにあたって、径の異なるビーム通過部５ａ，
５ｂを有する複数のマスク１１ａ，１１ｂを用い、各マ
スク１１ａ，１１ｂを通過させたエネルギービームで複
数回照射することによって、加工面でのエネルギービー
ムのエネルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小にな
るように調整したことを特徴とするものである。

【００１４】請求項９の発明は、エネルギービームとし
て２種類以上のものを用いることを特徴とするものであ
る。請求項１０の発明は、複数穴のビアホール３を加工
するにあたって、各ビアホール３を形成する箇所毎にマ
スク１１ａ，１１ｂのビーム通過部ビーム通過部５ａ，
５ｂの径の変更あるいはデフォーカスによってエネルギ
ー密度を変化させたエネルギービームの照射を複数回ず
つ行なって、深さ方向に向かって小径となるテーパ穴の
ビアホール３を形成することを特徴とするものである。

【００１５】請求項１１の発明は、マスク１１ａ，１１
ｂのビーム通過部ビーム通過部５ａ，５ｂの径の変更あ
るいはデフォーカスによってエネルギー密度を変化させ
たエネルギービームの照射を複数回ずつ行なって複数穴
のビアホール３を加工するにあたって、各ビアホール３
を形成する箇所にエネルギービームを順次照射し、この
順次照射するエネルギービームの照射をエネルギー密度
を変化させて複数回繰り返すことによって、深さ方向に
向かって小径となるテーパ穴のビアホール３を形成する
ことを特徴とするものである。

【００１６】請求項１２の発明は、エネルギービームを
２分岐し、径の異なるビーム通過部５ａ，５ｂを有する
マスク１２ａ，１２ｂに分岐したエネルギービームをそ
れぞれ通過させた後、この分岐したエネルギービームを
重ね合わせることによって、加工面でのエネルギービー
ムのエネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を小にな
るように調整したことを特徴とするものである。

【００１７】請求項１３の発明は、エネルギービームを
２分岐し、２分岐した各エネルギービームを光学系で集
光させて、加工面に対して一方のエネルギービームをジ
ャストフォーカスに他方のエネルギービームをデフォー
カスになるように重ね合わせることによって、加工面で
のエネルギービームのエネルギー分布が中央位置を大に
周辺位置を小になるように調整したことを特徴とするも
のである。

【００１８】請求項１４の発明は、透過率が同心円状に
外側程低くなるビーム透過部１３を有するフィルター１
４にエネルギービームを通過させて、エネルギービーム
を絶縁層２に照射することを特徴とするものである。請
求項１５の発明は、エネルギービームを加工面でデフォ
ーカスさせて照射することによって、加工面でのエネル
ギービームのエネルギー分布が中央位置を大に周辺位置
を小になるように調整したことを特徴とするものであ
る。

【００１９】請求項１６の発明は、エネルギービームに
よってビアホール３を加工した後、絶縁層２の表面を粗
化処理することを特徴とするものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。基板１は例えば、片面銅張り積層板や両面銅張り
積層板などの金属箔を貼った積層板によって形成される
ものであり、金属箔をプリント配線加工することによっ
て、基板１の表層には図１（ａ）のように回路１６が形
成してある。まずこの回路１６の表面をエッチングによ
って粗化処理し、図１（ｂ）のようにこの回路１６を覆
って基板１の表面に絶縁層２を設ける。ここで、絶縁層
２の材料としてはセラミックや合成樹脂が挙げられる
が、本発明ではエネルギービームを用いることによっ
て、フォトエッチングを行なう必要なくビアホール３を
形成するようにしているために、絶縁層２として合成樹
脂を用いるにあたって樹脂材料に制限がなく、エポキシ
系樹脂などＦＲ５相当の耐熱性樹脂を塗工して乾燥硬化
（あるいは半硬化）することによって絶縁層２を形成す
ることが可能になり、高耐熱性の多層配線板を製造する
ことが可能になるものである。

【００２１】そして、図１（ｃ）に示すように、炭酸ガ
スレーザやエキシマレーザのような高エネルギーを有す
るエネルギービームＢを絶縁層２に照射して穴明けする
ことによって、回路１６が底面に露出するビアホール３
を形成することができる。ここで、エネルギービームＢ
を絶縁層２に照射してビアホール３を加工するにあたっ
て、エネルギービームＢは加工面（照射面）でのエネル
ギー強度が、照射の中央位置で大になり、照射の周辺位
置で小になるように、エネルギー分布を調整して使用す
るようにしてある。図４は照射するエネルギービームＢ
のエネルギー分布の例を示すものであり、縦をエネルギ
ー密度の高さとして表示している。図４（ａ）は中央部
のエネルギー密度が高く、周辺部のエネルギー密度が低
い２段階のエネルギー分布になるように調整したエネル
ギービームＢを示し、図４（ｂ）は周辺部のエネルギー
密度を中央部のエネルギー密度よりも一段低く設定する
と共にこの周辺部のエネルギー密度が外側程徐々に小さ
くなるようにエネルギー分布を調整したエネルギービー
ムＢを示し、図４（ｃ）は周辺部のエネルギー密度が中
央部のエネルギー密度と同じ密度から外側程徐々に小さ
くなるようにエネルギー分布を調整したエネルギービー
ムＢを示すものである。

【００２２】このように、加工面でのエネルギー分布を
中央位置が大に周辺位置が小になるように調整したエネ
ルギービームＢを絶縁層に照射すると、照射の中央部に
よる穴加工の速度が照射の周辺部による穴加工の速度よ
りも速いために、図１（ｄ）のように、ビアホール３を
深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴に形成するこ
とができるものである。エネルギービームＢとして断面
円形の光束を用いるとビアホール３は逆円錐台のテーパ
穴になる。ここで、ビアホール３の内周面の傾斜角度θ
（ビアホール３の穴中心線に対する角度）が１°〜４５
°の範囲になるようなテーパ穴としてビアホール３を形
成するのが好ましい。内周面の傾斜角度が１°未満のテ
ーパ穴であれば、ビアホール３にメッキ液が循環し易く
なる効果を得ることができない。逆に内周面の傾斜角度
が４５°を超えるテーパ穴であると、ビアホール３の絶
縁層２の表面での開口が大きくなって高密度実装に問題
が生じるおそれがある。

【００２３】上記のようにしてビアホール３を形成した
後、絶縁層２の表面を過マンガン酸カリウム等の薬剤で
処理して図２（ａ）のように粗化洗浄し、次に無電解メ
ッキを行なって図２（ｂ）のように無電解メッキ層２３
を形成した後に、この上にレジスト２４をコートして露
光・現像することによって、図２（ｃ）のように回路形
成をしない部分をレジスト２４で被覆し、無電解メッキ
層２３に通電して電解メッキをおこなうことによって、
図２（ｄ）のように電解メッキ層２５を厚付けして回路
１６を形成すると共にビアホール３の内部に導体層２６
を形成する。ここで、ビアホール３は上記のように正テ
ーパ穴に形成してあるために、メッキ液が容易にビアホ
ール３内に循環し、メッキ付き性が良好になるものであ
る。そして図２（ｅ）のようにレジスト２４を剥離する
と共にレジスト２４で覆われていた無電解メッキ層２３
をエッチング除去する。

【００２４】後は、上記と同様にしてこの上に絶縁層２
を形成した後、バイアホール３の加工、無電解メッキ、
レジストのコート、電解メッキ等の工程を繰り返すこと
によって、図３（ａ）のような多層配線板を得ることが
できるものである。このような多層配線板にあって、上
下複数層に設けられる回路１６はビアホール３の内周に
形成した導体層２６によって図３（ｂ）に示すように導
通接続することができるものである。

【００２５】次に、加工面でのエネルギー分布を中央位
置が大に周辺位置が小になるようにエネルギービームＢ
を調整する方法について説明する。図５及び図６は請求
項３に係る発明の実施の形態の一例を示すものであり、
図５（ａ）に示すような中心部より複数のスリット４を
放射状に設けるようにしてビーム通過部５を形成したマ
スク６を用いて、エネルギービームＢを照射するように
してある。マスク６はステンレスやベリリウム鋼、鋼な
ど例えば厚み０．１ｍｍ程度の金属薄板で作製されるも
のであり、エッチング加工を行なってマスク６の一部を
切欠することによってビーム通過部５が形成してあり、
エネルギービームＢはビーム通過部５を通過することが
できるが、ビーム通過部５以外の箇所は通過できないよ
うになっている。

【００２６】そしてエネルギービームＢとして炭酸ガス
レーザを用い、マスク６を通過させたエネルギービーム
Ｂをレンズ２８等の結像光学系で絶縁層２の表面の加工
面２ａに縮小結像させるようにして図５（ａ）や図６
（ａ）のように照射することによって、絶縁層２に穴明
けを行なうことができる。穴明けの速度は材料のエネル
ギービーム吸収率とエネルギービームによる材料の飛ば
し易さであるエッチレートによって決まる。そして赤外
線レーザの場合、吸収率は樹脂が大きく銅は小さく、ま
たエッチレートも樹脂が大きく銅は小さい。従って赤外
線レーザをエネルギービームＢとして絶縁層２に照射す
ると、樹脂が飛ばされて絶縁層２に穴明けをすることが
できると共に銅の回路１６で穴明けが止まり、絶縁層２
にのみ穴明けを行なう制御を簡単に行なうことができ
る。紫外線レーザを用いる場合は吸収率は樹脂と銅とで
殆ど差がないが、エッチレートの差によって同様に銅の
回路１６で穴明けが止まり、絶縁層２にのみ穴明けを行
なう制御を簡単に行なうことができる。このようにし
て、エネルギービームＢを絶縁層２に照射することによ
って、絶縁層２にビアホール３を加工することができる
ものである。尚、エネルギービームを用いた穴明けは、
エネルギービームの発生装置の出力、照射されるパルス
ショット数（照射時間）、結像の縮小率、マスクのビー
ム通過部の径等によって容易に制御するとができる。

【００２７】ここで、中心部より複数のスリット４を放
射状に設けて形成したビーム通過部５を通過することに
よって、エネルギービームＢは中央位置でエネルギー密
度が大に周辺位置でエネルギー密度が小になる図５
（ｂ）のようなエネルギー分布になっており（図５
（ｂ）において縦軸はエネルギー強度）、ビアホール３
を図６（ｂ）のような深さ方向に向かって小径となる正
テーパ穴に形成することができるものである。中心部よ
り複数のスリット４を放射状に設けたビーム通過部５と
しては、図７（ａ）のような形状の他に、図７（ｂ）の
ような形状として形成することもできる。

【００２８】図８は請求項４に係る発明に用いるマスク
９を示すものであり、中心の円形の開口部７の周辺に複
数の周辺開口部８を同心円状に設けてビーム通過部５を
形成するようにしてある。図８（ａ）の例では周辺開口
部８を小さい円形孔として形成し、中心の円形開口部７
の周りに周辺開口部８を一定間隔で多数設けるようにし
てあり、図８（ｂ）の例では周辺開口部８を円弧状のス
リットとして形成し、中心の円形開口部７の周りに同一
円周上に並ぶように周辺開口部８を複数設けるようにし
てある。このマスク９を図５（ａ）や図６（ａ）と同様
にして用いてビアホール３の加工を行なうものであり、
ビーム通過部５を通過したエネルギービームＢは中央開
口部７を通過する中央位置でエネルギー密度が大に、周
辺開口部８を通過する周辺位置でエネルギー密度が小に
なるエネルギー分布になって加工面２ａに照射され、ビ
アホール３を図６（ｂ）のような深さ方向に向かって小
径となる正テーパ穴に形成することができるものであ
る。

【００２９】図９は請求項５に係る発明の実施の形態の
一例を、また図１０は請求項６に係る発明の実施の形態
の一例をそれぞれ示すものであり、スリット４を放射状
に設けてビーム通過部５を形成した図７のようなマスク
６、あるいは中心の円形開口部７の周辺に複数の周辺開
口部８を同心円状に設けてビーム通過部５を形成した図
８のようなマスク９を用いる（尚、図９及び図１０の実
施の形態では図７（ａ）のマスク６を用いた例で説明す
る）。またエネルギービームＢとしては、炭酸ガスレー
ザやエキシマレーザなどを用いることができ、図５
（ａ）の場合と同様にしてエネルギービームＢをマスク
６を通過させた後に、レンズ２８等の結像光学系で絶縁
層２の表面の加工面２ａに縮小結像させ、ビアホール３
を加工するようにしてある。

【００３０】そして請求項５の発明では図９（ｂ）のよ
うにエネルギービームＢをパルス発振させて断続的に照
射させるようにしてあり、エネルギービームＢの発振と
同期させてマスク６をビーム通過部５の中央部を中心と
して回転させるようにしてある。すなわち、図９
（ａ），（ｂ）のように、エネルギービームＢを照射し
ている間はマスク６の回転を停止させ、エネルギービー
ムＢの照射が停止している間にマスク６を回転させて次
のマスク６の回転位置で停止させるようにし、このマス
ク６を通過させたエネルギービームＢを絶縁層２に照射
するようにしてある。図５（ｂ）の場合には、エネルギ
ービームＢの照射の周辺部ではスリット４に対応する部
分でだけ加工面２ａにエネルギーが作用し、周辺部での
エネルギー分布が不均一になり、また周辺部への熱影響
も大きくなるが、マスク６をこのように回転させると、
スリット４の位置が図９（ａ）の（イ）〜（ホ）のよう
に移動するために、図９（ｃ）の（イ）〜（ホ）にみら
れるように、絶縁層２の加工面２ａへのエネルギービー
ムＢの照射の周辺部で照射部分２９が広がり、周辺部で
のエネルギー分布が円周方向に均一になり、周辺部への
熱影響も小さくなるものである。

【００３１】また請求項６の発明では、図１０（ｂ）の
ようにエネルギービームＢを連続発振させて連続照射さ
せるようにしてあり、図１０（ａ）のようにエネルギー
ビームＢを照射している間、マスク６を連続して高速回
転させるようにしてある。このものにあっても、上記図
９の場合と同様に、マスク６を回転させるとスリット４
の位置が図１０（ａ）の（イ）〜（ホ）のように移動す
るために、図１０（ｃ）の（イ）〜（ホ）にみられるよ
うに、絶縁層２の加工面２ａへのエネルギービームＢの
照射の周辺部で照射部分２９が広がり、周辺部でのエネ
ルギー分布が円周方向に均一になるものである。

【００３２】図１１は請求項７に係る発明の実施の形態
の一例を示すものであり、エネルギービームＢとして炭
酸ガスレーザやエキシマレーザなどを用い、エネルギー
ビームＢをマスク１０のビーム通過部５を通過させた後
に、レンズ２８等の結像光学系で絶縁層２の表面の加工
面２ａに縮小結像させ、絶縁層２にビアホール３を加工
するようにしてある。そして請求項７の発明は、同一の
マスク１０を通過させたエネルギービームＢの加工面で
のエネルギー密度を変化させて複数回照射することによ
って、加工面２ａでのエネルギービームＢのエネルギー
分布が中央位置で大に周辺位置で小になるように調整し
たものであるが、図１１の実施形態ではマスク１０−レ
ンズ２８−加工面２ａの距離の比を変化させることによ
って、エネルギービームＢの縮小率を変化させてエネル
ギー分布の調整を行なうようにしてある。

【００３３】すなわち、まず図１１（ａ）のようにマス
ク１０−レンズ２８−加工面２ａの距離を調整してエネ
ルギービームＢを照射することによって、加工面２ａに
広い面積でエネルギービームＢが照射されるようにす
る。このときはエネルギービームＢのエネルギーは広い
面積に分散するためにエネルギービームＢの照射の単位
面積当たりのエネルギー密度は低く、従って図１１
（ｂ）のように広く浅い穴３０が絶縁層２に形成され
る。次に図１１（ｃ）のようにマスク１０−レンズ２８
−加工面２ａの距離の比を変化させてエネルギービーム
Ｂを照射することによって、図１１（ａ）で照射した部
分の中央部において加工面２ａに狭い面積でエネルギー
ビームＢが照射されるようにする。このときはエネルギ
ービームＢのエネルギーは狭い面積に集中するために、
エネルギービームＢの照射の単位面積当たりのエネルギ
ー密度は高い。従って、図１２（ａ）のように１回目と
２回目のエネルギービームＢの照射の累積によるエネル
ギービームＢのエネルギー分布は中央位置で大に周辺位
置で小になり、図１１（ｄ）に示すように深さ方向に向
かって小径となる正テーパ穴のビアホール３を加工する
ことができるものである。このように請求項７の発明で
は、図７や図８のような複雑な形状にビーム通過部５を
形成したマスク６を用いるような必要なく、エネルギー
分布を調整することができるものである。

【００３４】図１２は縦方向をエネルギービームＢのエ
ネルギー強度（エネルギー密度）、横方向をエネルギー
ビームＢの照射幅（照射面積）として示した図であり、
上記の例では図１２（ａ）のように一回目の照射を低い
エネルギー密度で広い面積に行ない、二回目の照射を一
回目の照射の中心位置において高いエネルギー密度で狭
い面積に行なうことによって、合計したエネルギービー
ムＢのエネルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小に
なるようにしたが、図１２（ｂ）のように一回目の照射
を高いエネルギー密度で狭い面積に行なうと共に二回目
の照射を低いエネルギー密度で広い面積に行なうように
しても、図１２（ｃ）のように一回目の照射を低いエネ
ルギー密度で広い面積に、二回目の照射を高いエネルギ
ー密度で狭い面積に、三回目の照射を低いエネルギー密
度で広い面積に行なうようにしても、図１２（ｄ）のよ
うに一回目の照射を高いエネルギー密度で狭い面積に、
二回目の照射を低いエネルギー密度で広い面積に、三回
目の照射を高いエネルギー密度で狭い面積に行なうよう
にしても、いずれも合計したエネルギービームＢのエネ
ルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小になるように
することができる。

【００３５】図１３は請求項８に係る発明の実施の形態
の一例を示すものであり、図１１の場合と同様に、エネ
ルギービームＢとして炭酸ガスレーザやエキシマレーザ
などを用い、エネルギービームＢをマスク１１のビーム
通過部５を通過させた後に、レンズ２８等の結像光学系
で絶縁層２の表面の加工面２ａに縮小結像させ、絶縁層
２にビアホール３を加工するようにしてある。そして請
求項８の発明は、径の異なるビーム通過部５ａ，５ｂを
有する複数のマスク１１ａ，１１ｂを用い、各マスク１
１ａ，１１ｂを通過させたエネルギービームＢで複数回
照射することによって、加工面２ａでのエネルギービー
ムＢのエネルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小に
なるように調整するようにしてある。

【００３６】すなわち、まず図１３（ａ）のように径の
大きいビーム通過部５ａを設けて形成したマスク１１ａ
を用てエネルギービームＢを照射することによって、加
工面２ａに広い面積でエネルギービームＢを照射し、図
１３（ｂ）のように広い穴３０を絶縁層２に形成する。
次に図１３（ｃ）のように径の小さいビーム通過部５ｂ
を設けて形成したマスク１１ｂにオートマスクチェンジ
ャーなどで交換してエネルギービームＢを照射すること
によって、レンズ２８や縮小率を変化させる必要なく、
図１３（ａ）で照射した部分の中央部において加工面２
ａに狭い面積でエネルギービームＢが照射されるように
する。この結果、図１４（ａ）のように１回目と２回目
のエネルギービームＢの照射の累積によるエネルギービ
ームＢのエネルギー分布は中央位置で大に周辺位置で小
になり、図１３（ｄ）に示すように深さ方向に向かって
小径となる正テーパ穴のビアホール３を加工することが
できるものである。

【００３７】図１４は図１２と同様な内容の図であり、
図１４（ａ）のように一回目の照射を低いエネルギー密
度で広い面積に行ない、二回目の照射を一回目の照射の
中心位置において高いエネルギー密度で狭い面積に行な
う他に、図１４（ｂ）のように一回目の照射を高いエネ
ルギー密度で狭い面積に行なうと共に二回目の照射を低
いエネルギー密度で広い面積に行なうようにしても、図
１４（ｃ）のように一回目の照射を低いエネルギー密度
で広い面積に、二回目の照射を高いエネルギー密度で狭
い面積に、三回目の照射を低いエネルギー密度で広い面
積に行なうようにしても、図１４（ｄ）のように一回目
の照射を高いエネルギー密度で狭い面積に、二回目の照
射を低いエネルギー密度で広い面積に、三回目の照射を
高いエネルギー密度で狭い面積に行なうようにしても、
いずれも合計したエネルギービームＢのエネルギー分布
が中央位置で大に周辺位置で小になるようにすることが
できる。

【００３８】図１５は請求項９に係る発明の実施の形態
を示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガス
レーザＢ１を用い、レンズ２８等の結像光学系を用いて
この炭酸ガスレーザＢ１を絶縁層２に照射してビアホー
ル３を加工するにあたって、まず図１５（ａ）のように
狭い面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１を用いることによ
って絶縁層２に浅い穴３１を加工し、次に図１５（ｂ）
のように広い面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１を用いる
ことによってビアホール３を加工するようにしてある。
このように狭い面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１と広い
面積の光束の炭酸ガスレーザＢ１の複数種のエネルギー
ビームＢを用いることによって、合計したエネルギービ
ームＢのエネルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小
になるものであり、深さ方向に向かって小径となる正テ
ーパ穴のビアホール３を加工することができるものであ
る。またこのように炭酸ガスレーザＢ１を用いてビアホ
ール３を加工した後、エネルギービームＢとしてエキシ
マレーザＢ２を用いて図１５（ａ）のように照射するこ
とによって、穴底の再加工や穴周囲の付着物を除去する
ことができ、絶縁層２に高品位のビアホール３を形成す
ることができるようにしてある。

【００３９】図１６及び図１７は請求項１０に係る発明
の実施の形態を示すものであり、請求項７や請求項８の
発明のようにエネルギービームＢを複数回照射すること
によって、深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴の
ビアホール３を加工するにあたって、一穴毎にこの複数
回の照射を行なって、基板１に多数のビアホール３を順
次形成するようにしたものである。

【００４０】すなわち、まず最初のビアホール３を加工
する箇所において、前記図１１（ａ）あるいは図１３
（ａ）のようにエネルギービームＢを広い面積に照射し
て、図１６（ａ）のように浅い穴３０を加工し、次にマ
スク１０−レンズ２８−加工面２ａの距離の比を変化さ
せるかあるいはビーム通過部５ａ，５ｂの径が異なるマ
スク１１ａ，１１ｂをオートマスクチェンジャーで交換
して、前記図１１（ｃ）あるいは図１３（ｃ）のように
エネルギービームＢを狭い面積に照射して、図１６
（ｂ）のように深さ方向に向かって小径となる正テーパ
穴のビアホール３を加工する。このようにして最初のビ
アホール３を加工した後、基板１を移動させて次のビア
ホール３を加工する箇所において同様に図１６（ｃ），
（ｄ）のように複数回のエネルギービームＢの照射をお
こなって、この箇所に同様なビアホール３を加工し、以
後同様にして図１７（ａ），（ｂ）、さらに図１７
（ｃ），（ｄ）のように順次、複数回ずつのエネルギー
ビームＢの照射をおこなって、順次ビアホール３を加工
する。

【００４１】この操作をさらに繰り返すことによって、
基板１に多数のビアホール３を加工することができるも
のであり、この請求項１０の発明では、ビアホール３を
加工する箇所毎に複数回のエネルギービームＢの照射を
おこなうようにしているために、エネルギービームＢの
各照射の位置合わせが容易になって、照射の重ね合わせ
の精度が高くなるものである。

【００４２】図１８及び図１９は請求項１１に係る発明
の実施の形態を示すものであり、請求項７や請求項８の
発明のようにエネルギービームＢを複数回照射すること
によって、深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴の
ビアホール３を加工するにあたって、基板１にビアホー
ル３を設ける多数の箇所において、まず１回目のエネル
ギービームＢの照射を順次行ない、１回目のエネルギー
ビームＢの照射が終了した後に、１回目のエネルギービ
ームＢの照射した箇所に２回目のエネルギービームＢの
照射を順次行なうというように、複数回のエネルギービ
ームＢの照射を各回毎にビアホール３を設ける多数の箇
所において行ない、基板１に多数のビアホール３を形成
するようにしたものである。

【００４３】すなわち、まず前記図１１（ａ）あるいは
図１３（ａ）のようにエネルギービームＢを広い面積に
照射して、図１８（ａ）のようにビアホール３を形成す
る箇所において浅い穴３０を加工し、基板１を移動させ
て以下同様にして同じエネルギービームＢの照射を基板
１のビアホールを形成する箇所において順次行ない、図
１８（ｂ）〜（ｅ）のように浅い穴３０を順次加工す
る。次にマスク１０−レンズ２８−加工面２ａの距離の
比を変化させるかあるいはビーム通過部５ａ，５ｂの径
が異なるマスク１１ａ，１１ｂをオートマスクチェンジ
ャーで交換し、最後に加工した浅い穴３０において、前
記図１１（ｃ）あるいは図１３（ｃ）のようにエネルギ
ービームＢを狭い面積に照射して、図１０（ａ）のよう
に深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホー
ル３を加工する。以下、図１８（ａ）〜（ｅ）と逆の方
向に基板１を移動させて各浅い穴３０に同じエネルギー
ビームＢの照射を順次行ない、図１９（ｂ）〜（ｅ）の
ようにビアホール３を加工する。

【００４４】このようにして基板１に多数のビアホール
３を加工することができるものであり、この請求項１１
の発明では、各ビアホール３を形成する箇所にエネルギ
ービームＢを順次照射し、この順次照射するエネルギー
ビームＢの照射を複数回繰り返すようにしているため
に、請求項１０の発明の場合のようにエネルギービーム
Ｂの照射毎にマスク１１ａ，１１ｂを変更したりしてエ
ネルギービームＢの照射を変更するような必要がなくな
り、加工時間を短縮することができるものである。尚、
基板１に設けるビアホール３に複数のパターンがある場
合は、パターン毎に図１８や図１９の操作が適用される
ものである。

【００４５】図２０は請求項１２の発明の実施の形態を
示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガスレ
ーザを用い、まずエネルギービームＢを第１のビームス
プリッター３３に通して、エネルギービームＢのうち半
分を反射させると共に残り半分を透過させるようにして
２分岐する。ビームスプリッター３３で反射されたエネ
ルギービームＢ₁は大きな径のビーム通過部３５ａを設
けて形成したマスク３６ａを通過させ、またビームスプ
リッター３３を透過したエネルギービームＢ₂は第１の
全反射ミラー３４で反射させた後に小さな径のビーム通
過部３５ｂを設けて形成したマスク３６ｂを通過させる
ようにしてあり、さらにエネルギービームＢ₁は第２の
ビームスプリッター３８に通過させ、エネルギービーム
Ｂ₂は第２の全反射ミラー３７で反射させると共に第２
のビームスプリッター３８で反射させるようにしてあ
り、ここでエネルギービームＢ₁，Ｂ₂を重合させ、そ
してレンズ２８で結像させて絶縁層２に照射させるよう
にしてある。このとき、２分岐されたうち、径の大きい
ビーム通過部３５ａを有するマスク３６ａを通過したエ
ネルギービームＢ₁はイのように光束の面積が大きく、
また径の小さいビーム通過部３５ｂを有するマスク３６
ｂを通過したエネルギービームＢ₂はロのように光束の
面積が小さく、従ってこのエネルギービームＢ₁，Ｂ ₂
を重合させるとエネルギービームＢはハのようにエネル
ギー分布は中央位置が大に周辺位置が小になっており、
深さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホール
３を加工することができるものである。このようにし
て、一回のエネルギービームＢの照射で中央位置が大に
周辺位置が小になったエネルギー分布で照射を行なうこ
とができ、一回のエネルギービームＢの照射で正テーパ
穴のビアホール３を加工することができるものである。

【００４６】図２１は請求項１３の発明の実施の形態を
示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガスレ
ーザを用い、まずエネルギービームＢを第１のビームス
プリッター３３に通して、エネルギービームＢのうち半
分を反射させると共に残り半分を透過させるようにして
２分岐する。ビームスプリッター３３で反射されたエネ
ルギービームＢ₁はレンズ３９に通して集光させた後、
第２のビームスプリッター３８に通過させて絶縁層２に
照射させる。またビームスプリッター３３を透過したエ
ネルギービームＢ₂は第１の全反射ミラー３４で反射さ
せた後にレンズ４０に通して集光させ、第２の全反射ミ
ラー３７で反射させた後に第２のビームスプリッター３
８で反射させ、ここでエネルギービームＢ₁と重合させ
て絶縁層２に照射させるようにしてある。

【００４７】ここで、レンズ３９で集光されたエネルギ
ービームＢ₁が加工面２ａに至るまでの光路長と、レン
ズ４０で集光されたエネルギービームＢ₂が加工面２ａ
に至るまでの光路長とは異なり、エネルギービームＢ₁
は加工面２ａで焦点を結ばないデフォーカスになるよう
に、エネルギービームＢ₂は加工面２ａで焦点を結ぶジ
ャストフォーカスになるようにしてある。従ってエネル
ギービームＢ₁の光束の中央部にエネルギービームＢ₂
の光束が重合されて加工面２ａに照射されるようになっ
て、ニのようにエネルギー分布は中央位置が大に周辺位
置が小になり、深さ方向に向かって小径となる正テーパ
穴のビアホール３を加工することができるものである。
このようにして、一回のエネルギービームＢの照射で中
央位置が大に周辺位置が小になったエネルギー分布で照
射を行なうことができ、一回のエネルギービームＢの照
射で正テーパ穴のビアホール３を加工することができる
ものであり、しかもマスクを用いる必要がなくなるもの
である。

【００４８】図２２は請求項１４の発明の実施の形態を
示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガスレ
ーザやエキシマレーザなどを用い、エネルギービームＢ
をマスク６のビーム通過部５を通過させた後に、フィル
ター１４を透過させるようにしてある。フィルター１４
にはエネルギービームＢの透過率が中心から周囲へと同
心円状に減衰するビーム透過部１３が設けてある。図２
２（ａ）の例では、中央に開口穴４２を設け、この開口
穴４２の周囲の透過率が同心円状に減衰するようにして
ある。このフィルター１４にエネルギービームＢを通す
と、ビーム透過部１３を透過したエネルギービームＢは
図２２（ｂ）のように中央位置が大に周辺位置が小にな
ったエネルギー分布をしている（図２２（ｂ）は横方向
にエネルギービームＢの強さを、縦方向にエネルギービ
ームＢの面積を示す）。従って、エネルギービームＢを
レンズ２８等の結像光学系を通して絶縁層２の表面の加
工面２ａに縮小結像させ、絶縁層２にビアホール３を加
工するようにあたって、深さ方向に向かって小径となる
正テーパ穴のビアホール３を加工することができるもの
である。このようにフィルター１４を用いることによっ
て、一回のエネルギービームＢの照射で中央位置が大に
周辺位置が小になったエネルギー分布で照射を行なうこ
とができ、一回のエネルギービームＢの照射で正テーパ
穴のビアホール３を加工することができるものである。

【００４９】図２３は請求項１５に係る発明の実施の形
態を示すものであり、エネルギービームＢとして炭酸ガ
スレーザやエキシマレーザなどを用い、エネルギービー
ムＢをレンズ２８等の結像光学系を通して絶縁層２の表
面の加工面２ａに縮小結像させ、絶縁層２にビアホール
３を加工するようにしてある。そしてこの請求項１５の
発明では、まずレンズ２８と加工面２ａとの間の距離を
調整する等して図２３（ａ）のように加工面２ａにエネ
ルギービームＢの照射の焦点を合わせるジャストフォー
カスで照射を行ない、次にレンズ２８と加工面２ａとの
間の距離を調整する等して図２３（ｂ）のように加工面
２ａからエネルギービームＢの照射の焦点が外れるデフ
ォーカスで照射を行なう。このようにエネルギービーム
Ｂの照射を焦点が加工面２ａに合うジャストフォーカス
から焦点が加工面２ａから外れるデフォーカスにする
と、ジャストフォーカスの際のエネルギービームＢの照
射は中央部に集中すると共にデフォーカスの際のエネル
ギービームＢ照射は周辺部にも及ぶために、エネルギー
ビームＢの照射によるエネルギー分布は中央位置が大に
周辺位置が小になり、ジャストフォーカスのエネルギー
ビームＢで形成される穴４３の開口縁が除去されて、深
さ方向に向かって小径となる正テーパ穴のビアホール３
を加工することができるものである。

【００５０】図２４は請求項１６に係る発明の実施の形
態を示すものであり、以上の各方法でビアホール３を加
工した後に、絶縁層２の表面を過マンガン酸カリウム等
の薬剤で粗化洗浄するようにしてある。このように粗化
洗浄処理することによって、図２４（ａ）のように表面
に付着する付着物４４を除去することができると共にビ
アホール３の穴底洗浄を行なうことができ、さらに絶縁
層２の表面へのメッキの密着力を向上させることができ
るものであり、しかも図２４（ｂ）のようにビアホール
３のテーパ角度を安定させることができるものである。

【００５１】

【発明の効果】上記のように本発明に係る多層配線板
は、絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚さ方向にエ
ネルギービームの照射を制御して形成したビアホールで
層間導通の少なくとも一部を行なうようにした多層配線
板において、ビアホールをその内周面が傾斜し深さ方向
に向かって小径となるテーパ穴に形成して成ることを特
徴とするものであり、ビアホールへのメッキ液の循環が
良好になってビアホール内部へのメッキ付き性が向上す
るものである。

【００５２】また本発明の請求項２に係る多層配線板の
製造方法は、絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚さ
方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビア
ホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにした
多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加工に
エネルギービームを用い、加工面でのエネルギー分布を
中央位置が大に周辺位置が小になるように調整してエネ
ルギービームを絶縁層に照射することによって、ビアホ
ールを深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に形成す
るようにしたので、エネルギービームを用いて正テーパ
穴形状のビアホールを形成することができるものであ
り、絶縁層の樹脂材料に制約を受けることなく、また生
産性良くビアホールの加工を行なうことができるもので
ある。

【００５３】また請求項３に係る多層配線板の製造方法
は、中心部より複数のスリットを放射状に設けてビーム
通過部を形成したマスクにエネルギービームを通過さ
せ、このエネルギービームを絶縁層に照射するようにし
たので、エネルギービームをマスクに通すだけでエネル
ギービームの加工面でのエネルギー分布を中央位置が大
に周辺位置が小になるように調整することができるもの
である。

【００５４】また請求項４に係る多層配線板の製造方法
は、中心の円形開口部の周辺に複数の周辺開口部を同心
円状に設けてビーム通過部を形成したマスクにエネルギ
ービームを通過させ、このエネルギービームを絶縁層に
照射するようにしたので、エネルギービームをマスクに
通すだけでエネルギービームの加工面でのエネルギー分
布を中央位置が大に周辺位置が小になるように調整する
ことができるものである。

【００５５】また請求項５に係る多層配線板の製造方法
は、請求項３又は４に記載のマスクを用い、エネルギー
ビームをパルス発振させると共にマスクをエネルギービ
ームの発振と同期させてビーム通過部を中心に回転さ
せ、このマスクを通過させたエネルギービームを絶縁層
に照射するようにしたので、ビーム通過部の形状のまま
エネルギービームが加工面に照射されることがなくな
り、周辺部でのエネルギー分布が均一になるものであ
る。

【００５６】また請求項６に係る多層配線板の製造方法
は、請求項３又は４に記載のマスクを用い、エネルギー
ビームを連続発振させると共にマスクをビーム通過部を
中心に回転させ、このマスクを通過させたエネルギービ
ームを絶縁層に照射するようにしたので、ビーム通過部
の形状のままエネルギービームが加工面に照射されるこ
とがなくって、周辺部でのエネルギー分布が均一になる
ものであり、しかもエネルギービームの発振とマスクの
回転との同期制御を行なうことが不要になるものであ
る。

【００５７】また請求項７に係る多層配線板の製造方法
は、ビーム通過部を有するマスクを通過させてエネルギ
ービームを絶縁層に照射するにあたって、同一のマスク
を通過させたエネルギービームの加工面での結像の縮小
率を変えることによってエネルギー密度を変化させて複
数回照射し、加工面でのエネルギービームのエネルギー
分布が中央位置で大に周辺位置で小になるように調整し
たので、複雑な形状のビーム通過部を形成したマスクを
用いる必要なく、複数回の照射エネルギーの累積によっ
てエネルギービームのエネルギー分布の調整が可能にな
るものである。

【００５８】また請求項８に係る多層配線板の製造方法
は、ビーム通過部を有するマスクを通過させてエネルギ
ービームを絶縁層に照射するにあたって、径の異なるビ
ーム通過部を有する複数のマスクを用い、各マスクを通
過させたエネルギービームで複数回照射することによっ
て、加工面でのエネルギービームのエネルギー分布が中
央位置で大に周辺位置で小になるように調整したので、
複雑な形状のビーム通過部を形成したマスクを用いる必
要なく、複数回の照射エネルギーの累積によってエネル
ギービームのエネルギー分布の調整が可能になるもので
ある。

【００５９】また請求項９に係る多層配線板の製造方法
は、エネルギービームとして２種類以上のものを用いる
ようにしたので、エネルギービームの組み合わせで品質
の良いビアホールを形成することが可能になるものであ
る。また請求項１０に係る多層配線板の製造方法は、複
数穴のビアホールを加工するにあたって、各ビアホール
を形成する箇所毎にマスクのビーム通過部の径の変更あ
るいはデフォーカスによってエネルギー密度を変化させ
たエネルギービームの照射を複数回ずつ行なって、深さ
方向に向かって小径となるテーパ穴のビアホールを形成
するようにしたので、ビアホールを加工する箇所毎に複
数回のエネルギービームの照射をおこなうことによっ
て、各照射の位置合わせが容易になって、照射の重ね合
わせの精度が高くなるものである。

【００６０】また請求項１１に係る多層配線板の製造方
法は、マスクのビーム通過部の径の変更あるいはデフォ
ーカスによってエネルギー密度を変化させたエネルギー
ビームの照射を複数回ずつ行なって複数穴のビアホール
を加工するにあたって、各ビアホールを形成する箇所に
エネルギービームを順次照射し、この順次照射するエネ
ルギービームの照射をエネルギー密度を変化させて複数
回繰り返すことによって、深さ方向に向かって小径とな
るテーパ穴のビアホールを形成するようにしたので、エ
ネルギービームの照射毎にマスクを変更したりしてエネ
ルギービームの照射を変更するような必要がなくなり、
加工時間を短縮することができるものである。

【００６１】また請求項１２に係る多層配線板の製造方
法は、エネルギービームを２分岐し、径の異なるビーム
通過部を有するマスクに分岐したエネルギービームをそ
れぞれ通過させた後、この分岐したエネルギービームを
重ね合わせることによって、加工面でのエネルギービー
ムのエネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を小にな
るように調整したので、複雑な形状のビーム通過部を形
成したマスクを用いる必要なく、エネルギービームのエ
ネルギー分布の調整が可能になり、しかもエネルギービ
ームの１回の照射でビアホールを加工することができる
ものである。

【００６２】また請求項１３に係る多層配線板の製造方
法は、エネルギービームを２分岐し、２分岐した各エネ
ルギービームを光学系で集光させて、加工面に対して一
方のエネルギービームをジャストフォーカスに他方のエ
ネルギービームをデフォーカスになるように重ね合わせ
ることによって、加工面でのエネルギービームのエネル
ギー分布が中央位置を大に周辺位置を小になるように調
整したので、マスクを用いる必要なくエネルギービーム
のエネルギー分布を調整することが可能になり、しかも
エネルギービームの１回の照射でビアホールを加工する
ことができるものである。

【００６３】また請求項１４に係る多層配線板の製造方
法は、透過率が同心円状に外側程低くなるビーム透過部
を有するフィルターにエネルギービームを通過させて、
エネルギービームを絶縁層に照射するようにしたので、
フィルターを通過させるだけでエネルギービームの加工
面でのエネルギー分布を中央位置が大に周辺位置が小に
なるように調整することができ、しかもエネルギービー
ムの１回の照射でビアホールを加工することができるも
のである。

【００６４】また請求項１５に係る多層配線板の製造方
法は、エネルギービームを加工面でデフォーカスさせて
照射することによって、加工面でのエネルギービームの
エネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を小になるよ
うに調整したので、焦点を移動させる操作でエネルギー
ビームの加工面でのエネルギー分布を中央位置が大に周
辺位置が小になるように調整することができ、しかもエ
ネルギービームの１回の照射でビアホールを加工するこ
とができるものである。

【００６５】また請求項１６に係る多層配線板の製造方
法は、エネルギービームによってビアホールを加工した
後、絶縁層の表面を粗化処理するようにしたので、粗化
処理によって絶縁層の表面の洗浄と同時にビアホールの
穴内の洗浄も同時に行なうことができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）は多層配線板の製造の各工程の
断面図、（ｄ）は（ｃ）の一部の拡大した断面図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｅ）は多層配線板の製造の各工程の断面図
である。

【図３】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）は多層配線板の断面図、（ｂ）は多層配線板の一
部の拡大した断面図である。

【図４】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれエネルギービームの
強度分布を示す図である。

【図５】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）はエネルギービームの一部を省略して示した斜視
図、（ｂ）はエネルギービームの強度分布を示す図であ
る。

【図６】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）は断面図である。

【図７】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はマスクの正面図である。

【図８】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はマスクの正面図である。

【図９】本発明の実施の形態の一例を示す図であり、
（ａ）はマスクを、（ｂ）はエネルギービームの出力の
ＯＮ−ＯＦＦとマスクの回転のＯＮ−ＯＦＦを、（ｃ）
は加工面を示すものである。

【図１０】本発明の実施の形態の一例を図であり、
（ａ）はマスクを、（ｂ）はエネルギービームの出力の
ＯＮ−ＯＦＦを、（ｃ）は加工面を示すものである。

【図１１】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１２】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）はエネルギービームの強度分布を
示す図である。

【図１３】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１４】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）はエネルギービームの強度分布を
示す図である。

【図１５】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｃ）は断面図である。

【図１６】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１７】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。

【図１８】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｅ）は断面図である。

【図１９】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｅ）は断面図である。

【図２０】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。

【図２１】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図２２】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）はフィルター部分の断面図、（ｂ）はエネル
ギー強度の分布を示す図である。

【図２３】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）及び（ｂ）は断面図である。

【図２４】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）及び（ｂ）は断面図である。

【図２５】従来例を示すものであり、（ａ）はエネルギ
ー強度の分布を示す図、（ｂ）は穴明けした基板の断面
図、（ｃ）はメッキを施した基板の断面図である。

【図２６】他の従来例を示すものであり、（ａ）乃至
（ｄ）は断面図である。

【符号の説明】

１基板２絶縁層３ビアホール４スリット５ビーム通過部６マスク７円形開口部８周辺開口部９マスク１０マスク１１マスク１２マスク１３ビーム通過部１４フィルター

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中健一郎大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
た多層配線板において、ビアホールをその内周面が傾斜
し深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に形成して成
ることを特徴とする多層配線板。
【請求項２】絶縁層に穴明けを行なうよう絶縁層の厚
さ方向にエネルギービームの照射を制御して形成したビ
アホールで層間導通の少なくとも一部を行なうようにし
た多層配線板を製造するにあたって、ビアホールの加工
にエネルギービームを用い、加工面でのエネルギー分布
を中央位置が大に周辺位置が小になるように調整してエ
ネルギービームを絶縁層に照射することによって、ビア
ホールを深さ方向に向かって小径となるテーパ穴に形成
することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項３】中心部より複数のスリットを放射状に設
けてビーム通過部を形成したマスクにエネルギービーム
を通過させ、このエネルギービームを絶縁層に照射する
ことを特徴とする請求項２に記載の多層配線板の製造方
法。
【請求項４】中心の円形開口部の周辺に複数の周辺開
口部を同心円状に設けてビーム通過部を形成したマスク
にエネルギービームを通過させ、このエネルギービーム
を絶縁層に照射することを特徴とする請求項２に記載の
多層配線板の製造方法。
【請求項５】請求項３又は４に記載のマスクを用い、
エネルギービームをパルス発振させると共にマスクをエ
ネルギービームの発振と同期させてビーム通過部を中心
に回転させ、このマスクを通過させたエネルギービーム
を絶縁層に照射することを特徴とする請求項２に記載の
多層配線板の製造方法。
【請求項６】請求項３又は４に記載のマスクを用い、
エネルギービームを連続発振させると共にマスクをビー
ム通過部を中心に回転させ、このマスクを通過させたエ
ネルギービームを絶縁層に照射することを特徴とする請
求項２に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項７】ビーム通過部を有するマスクを通過させ
てエネルギービームを絶縁層に照射するにあたって、同
一のマスクを通過させたエネルギービームの加工面での
結像の縮小率を変えることによってエネルギー密度を変
化させて複数回照射し、加工面でのエネルギービームの
エネルギー分布が中央位置で大に周辺位置で小になるよ
うに調整したことを特徴とする請求項２に記載の多層配
線板の製造方法。
【請求項８】ビーム通過部を有するマスクを通過させ
てエネルギービームを絶縁層に照射するにあたって、径
の異なるビーム通過部を有する複数のマスクを用い、各
マスクを通過させたエネルギービームで複数回照射する
ことによって、加工面でのエネルギービームのエネルギ
ー分布が中央位置で大に周辺位置で小になるように調整
したことを特徴とする請求項２に記載の多層配線板の製
造方法。
【請求項９】エネルギービームとして２種類以上のも
のを用いることを特徴とする請求項２乃至８のいずれか
に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１０】複数穴のビアホールを加工するにあた
って、各ビアホールを形成する箇所毎にマスクのビーム
通過部の径の変更あるいはデフォーカスによってエネル
ギー密度を変化させたエネルギービームの照射を複数回
ずつ行なって、深さ方向に向かって小径となるテーパ穴
のビアホールを形成することを特徴とする請求項７又は
８に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１１】マスクのビーム通過部の径の変更ある
いはデフォーカスによってエネルギー密度を変化させた
エネルギービームの照射を複数回ずつ行なって複数穴の
ビアホールを加工するにあたって、各ビアホールを形成
する箇所にエネルギービームを順次照射し、この順次照
射するエネルギービームの照射をエネルギー密度を変化
させて複数回繰り返すことによって、深さ方向に向かっ
て小径となるテーパ穴のビアホールを形成することを特
徴とする請求項７又は８に記載の多層配線板の製造方
法。
【請求項１２】エネルギービームを２分岐し、径の異
なるビーム通過部を有するマスクに分岐したエネルギー
ビームをそれぞれ通過させた後、この分岐したエネルギ
ービームを重ね合わせることによって、加工面でのエネ
ルギービームのエネルギー分布が中央位置を大に周辺位
置を小になるように調整したことを特徴とする請求項２
に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１３】エネルギービームを２分岐し、２分岐
した各エネルギービームを光学系で集光させて、加工面
に対して一方のエネルギービームをジャストフォーカス
に他方のエネルギービームをデフォーカスになるように
重ね合わせることによって、加工面でのエネルギービー
ムのエネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を小にな
るように調整したことを特徴とする請求項２に記載の多
層配線板の製造方法。
【請求項１４】透過率が同心円状に外側程低くなるビ
ーム透過部を有するフィルターにエネルギービームを通
過させ、このエネルギービームを絶縁層に照射すること
を特徴とする請求項２に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１５】エネルギービームを加工面でデフォー
カスさせて照射することによって、加工面でのエネルギ
ービームのエネルギー分布が中央位置を大に周辺位置を
小になるように調整したことを特徴とする請求項２に記
載の多層配線板の製造方法。
【請求項１６】エネルギービームによってビアホール
を加工した後、絶縁層の表面を粗化処理することを特徴
とする請求項２乃至１５のいずれかに記載の多層配線板
の製造方法。