JP2000183501A - 成形品への導電性パターンの形成方法 - Google Patents
成形品への導電性パターンの形成方法Info
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- JP2000183501A JP2000183501A JP10359279A JP35927998A JP2000183501A JP 2000183501 A JP2000183501 A JP 2000183501A JP 10359279 A JP10359279 A JP 10359279A JP 35927998 A JP35927998 A JP 35927998A JP 2000183501 A JP2000183501 A JP 2000183501A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程が少なく、使用可能な成形材料が制
限されず安価で、しかも高精度な導電性パターンが形成
できる成形品への導電性パターンの形成方法を提供す
る。 【解決手段】 成形品を成形する工程と、その成形品の
表面にレーザ光吸収膜を形成する工程と、そのレーザ光
吸収膜の上に反応性メッキ触媒層を形成する工程と、前
記レーザ光吸収膜を硬化する工程と、前記硬化したレー
ザ光吸収膜ならびに反応性メッキ触媒層のうちの導電性
パターン以外の不要部分をレーザ光の照射で消失して所
望のパターンを形成する工程と、残った反応性メッキ触
媒層の上にメッキにより導電膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする。
限されず安価で、しかも高精度な導電性パターンが形成
できる成形品への導電性パターンの形成方法を提供す
る。 【解決手段】 成形品を成形する工程と、その成形品の
表面にレーザ光吸収膜を形成する工程と、そのレーザ光
吸収膜の上に反応性メッキ触媒層を形成する工程と、前
記レーザ光吸収膜を硬化する工程と、前記硬化したレー
ザ光吸収膜ならびに反応性メッキ触媒層のうちの導電性
パターン以外の不要部分をレーザ光の照射で消失して所
望のパターンを形成する工程と、残った反応性メッキ触
媒層の上にメッキにより導電膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば回路基板や
コネクタなどのような成形品への導電性パターンの形成
方法に関するものである。
コネクタなどのような成形品への導電性パターンの形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】射出成形部品と導電性パターンの複合化
は、ＭＩＤ（Moldcd Interconncct Dcvice）技術として
知られている。このＭＩＤとして１ショット法と２ショ
ット法があり、１ショット法は成形品の表面全体にメッ
キを施し、レジストにより選択的に導電性パターンを形
成する方法である。一方、２ショット法にはＳＫＷ法や
ＰＣＫ法があり、ＳＫＷ法はメッキグレードの樹脂で１
次成形を行ない、次に化学エッチングをして触媒を塗布
し、これをインサート側として２次成形を行なう方法で
ある。またＰＣＫ法は触媒入りの成形材料で１次成形を
行ない、引続き２次成形を行なう方法である。
は、ＭＩＤ（Moldcd Interconncct Dcvice）技術として
知られている。このＭＩＤとして１ショット法と２ショ
ット法があり、１ショット法は成形品の表面全体にメッ
キを施し、レジストにより選択的に導電性パターンを形
成する方法である。一方、２ショット法にはＳＫＷ法や
ＰＣＫ法があり、ＳＫＷ法はメッキグレードの樹脂で１
次成形を行ない、次に化学エッチングをして触媒を塗布
し、これをインサート側として２次成形を行なう方法で
ある。またＰＣＫ法は触媒入りの成形材料で１次成形を
行ない、引続き２次成形を行なう方法である。
【０００３】この関連技術として例えば特開昭５７−１
０８１３８号公報、特開昭６４−４６９９７号公報、特
開平１−２０７９８９号公報などが挙げられる。
０８１３８号公報、特開昭６４−４６９９７号公報、特
開平１−２０７９８９号公報などが挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の１ショ
ット法は工程数が多く、生産効率が悪い。また２ショッ
ト法では導電性パターンのピッチやパターン長は１次成
形、２次成形とも使用する合成樹脂材料の流動性に大き
く左右されるため、特殊材料の使用が前提となり、使用
可能な成形材料が制限されるばかりでなく、コスト高に
なるという欠点を有している。
ット法は工程数が多く、生産効率が悪い。また２ショッ
ト法では導電性パターンのピッチやパターン長は１次成
形、２次成形とも使用する合成樹脂材料の流動性に大き
く左右されるため、特殊材料の使用が前提となり、使用
可能な成形材料が制限されるばかりでなく、コスト高に
なるという欠点を有している。
【０００５】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、製造工程が少なく、使用可能な成形材料が
制限されず安価で、しかも高精度な導電性パターンが形
成できる成形品への導電性パターンの形成方法を提供す
ることにある。
点を解消し、製造工程が少なく、使用可能な成形材料が
制限されず安価で、しかも高精度な導電性パターンが形
成できる成形品への導電性パターンの形成方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、成形品を成形する工程と、その成形品の
表面にレーザ光吸収膜を形成する工程と、そのレーザ光
吸収膜の上に反応性メッキ触媒層を形成する工程と、前
記レーザ光吸収膜を硬化する工程と、前記硬化したレー
ザ光吸収膜ならびに反応性メッキ触媒層のうちの導電性
パターン以外の不要部分をレーザ光の照射で消失して所
望のパターンを形成する工程と、残った反応性メッキ触
媒層の上にメッキにより導電膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とするものである。
め、本発明は、成形品を成形する工程と、その成形品の
表面にレーザ光吸収膜を形成する工程と、そのレーザ光
吸収膜の上に反応性メッキ触媒層を形成する工程と、前
記レーザ光吸収膜を硬化する工程と、前記硬化したレー
ザ光吸収膜ならびに反応性メッキ触媒層のうちの導電性
パターン以外の不要部分をレーザ光の照射で消失して所
望のパターンを形成する工程と、残った反応性メッキ触
媒層の上にメッキにより導電膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は前述のような構成になっ
ており、成形品の表面全体にメッキを施して、レジスト
により選択的に導電性パターンを形成する１ショット法
に比べて製造工程が少なく、生産効率の向上が図れる。
また１ショット法に比べてレーザ加工によるパターンニ
ングのため、導電性パターンの３次元化、高精度化が可
能である。
ており、成形品の表面全体にメッキを施して、レジスト
により選択的に導電性パターンを形成する１ショット法
に比べて製造工程が少なく、生産効率の向上が図れる。
また１ショット法に比べてレーザ加工によるパターンニ
ングのため、導電性パターンの３次元化、高精度化が可
能である。
【０００８】さらに二色成形を利用した２ショット法に
比べて成形品の材料に特殊材料を使用する必要がなく、
使用可能な成形材料が制限されず安価である。
比べて成形品の材料に特殊材料を使用する必要がなく、
使用可能な成形材料が制限されず安価である。
【０００９】以下、本発明の実施の形態に係る成形品へ
の導電性パターンの形成方法を図１（Ａ）〜（Ｇ）とと
もに説明する。まず同図（Ａ）に示すように導電性パタ
ーンを形成すべき成形品１を射出成形などにより形成す
る。成形品１の材料は特に限定されず何でも使用可能
で、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポ
リフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）など一般的な材料
が使用でき、単一の合成樹脂のみならず、他の合成樹脂
との複合材料あるいはガラス、チタン酸カリウム、タル
クなどの繊維状あるいは粒子状のフィラーを混入するこ
ともできる。
の導電性パターンの形成方法を図１（Ａ）〜（Ｇ）とと
もに説明する。まず同図（Ａ）に示すように導電性パタ
ーンを形成すべき成形品１を射出成形などにより形成す
る。成形品１の材料は特に限定されず何でも使用可能
で、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポ
リフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）など一般的な材料
が使用でき、単一の合成樹脂のみならず、他の合成樹脂
との複合材料あるいはガラス、チタン酸カリウム、タル
クなどの繊維状あるいは粒子状のフィラーを混入するこ
ともできる。
【００１０】その成形品１の回路形成面に、同図（Ｂ）
に示すようにアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂またはエ
ポキシ系樹脂のレーザ光吸収膜２が形成される。この黒
色のレーザ光吸収膜塗料の組成例を示せば下記の通り
で、これを成形品１の回路形成面にスプレー塗布し、膜
厚は５〜２０μｍ程度である。
に示すようにアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂またはエ
ポキシ系樹脂のレーザ光吸収膜２が形成される。この黒
色のレーザ光吸収膜塗料の組成例を示せば下記の通り
で、これを成形品１の回路形成面にスプレー塗布し、膜
厚は５〜２０μｍ程度である。
【００１１】 ＜レーザ光吸収膜塗料の組成例＞ アクリル系樹脂 ２０．９重量％ カーボンブラック ４．２重量％ 他の顔料 ７．０重量％ 有機溶剤 ６７．９重量％ このレーザ光吸収膜２が乾燥しないうちに、同図（Ｃ）
に示すようにその上に反応性メッキ触媒層３を形成す
る。この反応性メッキ触媒層３には、例えばパラジウ
ム、金、銀、白金などの無電解メッキ用の金属系触媒が
含まれており、反応性メッキ触媒として例えば塩化パラ
ジウム分散液を挙げることができ、乾燥しないレーザ光
吸収膜２の上に反応性メッキ触媒層３を塗布することに
より両者の界面レベルで一体化して密着し、塩化パラジ
ウム粒子が表面近傍に存在してレーザ光吸収膜２中に沈
降することを防止する。
に示すようにその上に反応性メッキ触媒層３を形成す
る。この反応性メッキ触媒層３には、例えばパラジウ
ム、金、銀、白金などの無電解メッキ用の金属系触媒が
含まれており、反応性メッキ触媒として例えば塩化パラ
ジウム分散液を挙げることができ、乾燥しないレーザ光
吸収膜２の上に反応性メッキ触媒層３を塗布することに
より両者の界面レベルで一体化して密着し、塩化パラジ
ウム粒子が表面近傍に存在してレーザ光吸収膜２中に沈
降することを防止する。
【００１２】次に同図（Ｄ）に示すように加熱４してレ
ーザ光吸収膜２を硬化させるとともに塩化パラジウムを
パラジウムに還元して、表面近傍にパラジウムが析出し
た硬化膜５を形成する。本実施の形態では加熱により硬
化したが、この他紫外線照射によって硬化処理すること
もできる。
ーザ光吸収膜２を硬化させるとともに塩化パラジウムを
パラジウムに還元して、表面近傍にパラジウムが析出し
た硬化膜５を形成する。本実施の形態では加熱により硬
化したが、この他紫外線照射によって硬化処理すること
もできる。
【００１３】次いで同図（Ｅ）に示すようにＹＡＧレー
ザなどの高エネルギーのレーザ光６を硬化膜５に部分的
に照射して、形成すべき導電性パターン以外の不要部分
を消失して、パターンニングを行なう。その後に同図
（Ｆ）に示すように残った硬化膜５上に無電解メッキに
より無電解メッキ膜７を形成する。無電解メッキ浴の具
体的な組成とメッキ条件を示せば次の通りである。
ザなどの高エネルギーのレーザ光６を硬化膜５に部分的
に照射して、形成すべき導電性パターン以外の不要部分
を消失して、パターンニングを行なう。その後に同図
（Ｆ）に示すように残った硬化膜５上に無電解メッキに
より無電解メッキ膜７を形成する。無電解メッキ浴の具
体的な組成とメッキ条件を示せば次の通りである。
【００１４】 ＜無電解メッキ浴の組成例とメッキ条件＞ 硫酸ニッケル ２２ｇ／ｌ 酢酸ナトリウム ７ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム １０ｇ／ｌ クエン酸ナトリウム ５ｇ／ｌ 乳酸 ３ｍｌ／ｌ ｐＨ ４．５〜６．０ 温度 ５０〜６５℃ 必要に応じて同図（Ｇ）に示すように、無電解メッキ膜
７上に電気メッキ８を施して、完成品とすることもでき
る。
７上に電気メッキ８を施して、完成品とすることもでき
る。
【００１５】前記実施の形態ではレーザ光吸収膜が乾燥
しないうちに反応性メッキ触媒層を塗布する例を示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばレ
ーザ光吸収膜を塗布乾燥（半乾燥も含む）して表面に微
細で適性な凹凸を形成し、そのレーザ光吸収膜の凹凸表
面に前記反応性メッキ触媒層を塗布して、レーザ光吸収
膜の凹部に反応性メッキ触媒成分を確実に保持してアン
カー効果を発揮して無電解メッキをすることも可能であ
る。
しないうちに反応性メッキ触媒層を塗布する例を示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばレ
ーザ光吸収膜を塗布乾燥（半乾燥も含む）して表面に微
細で適性な凹凸を形成し、そのレーザ光吸収膜の凹凸表
面に前記反応性メッキ触媒層を塗布して、レーザ光吸収
膜の凹部に反応性メッキ触媒成分を確実に保持してアン
カー効果を発揮して無電解メッキをすることも可能であ
る。
【００１６】本発明の製造方法は、例えば回路基板やコ
ネクタなどの各種電気部品の製造に適用できる。
ネクタなどの各種電気部品の製造に適用できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は前述のような構成になってお
り、成形品の表面全体にメッキを施して、レジストによ
り選択的に導電性パターンを形成する１ショット法に比
べて製造工程が少なく、生産効率の向上が図れる。また
１ショット法に比べてレーザ加工によるパターンニング
のため、導電性パターンの３次元化、高精度化が可能で
ある。
り、成形品の表面全体にメッキを施して、レジストによ
り選択的に導電性パターンを形成する１ショット法に比
べて製造工程が少なく、生産効率の向上が図れる。また
１ショット法に比べてレーザ加工によるパターンニング
のため、導電性パターンの３次元化、高精度化が可能で
ある。
【００１８】さらに二色成形を利用した２ショット法に
比べて成形品の材料に特殊材料を使用する必要がなく、
使用可能な成形材料が制限されず安価であるなどの特長
を有している。
比べて成形品の材料に特殊材料を使用する必要がなく、
使用可能な成形材料が制限されず安価であるなどの特長
を有している。
【図１】本発明の実施の形態に係る成形品への導電性パ
ターンの形成方法を説明するための断面図である。
ターンの形成方法を説明するための断面図である。
１ 成形品 ２ レーザ光吸収膜 ３ 反応性メッキ触媒層 ４ 加熱 ５ 硬化膜 ６ レーザ光 ７ 無電解メッキ ８ 電気メッキ
Claims (5)
- 【請求項１】 成形品を成形する工程と、 その成形品の表面にレーザ光吸収膜を形成する工程と、 そのレーザ光吸収膜の上に反応性メッキ触媒層を形成す
る工程と、 前記レーザ光吸収膜を硬化する工程と、 前記硬化したレーザ光吸収膜ならびに反応性メッキ触媒
層のうちの導電性パターン以外の不要部分をレーザ光の
照射で消失して所望のパターンを形成する工程と、 残った反応性メッキ触媒層の上にメッキにより導電膜を
形成する工程とを含むことを特徴とする成形品への導電
性パターンの形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記レーザ光吸
収膜がアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂またはエポキシ
樹脂を主体とする膜であることを特徴とする成形品への
導電性パターンの形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記レーザ光吸
収膜が乾燥しないうちに前記反応性メッキ触媒層を塗布
することを特徴とする成形品への導電性パターンの形成
方法。 - 【請求項４】 請求項１記載において、前記レーザ光吸
収膜を塗布乾燥して表面に微細な凹凸を形成し、そのレ
ーザ光吸収膜の凹凸表面に前記反応性メッキ触媒層を塗
布することを特徴とする成形品への導電性パターンの形
成方法。 - 【請求項５】 請求項１記載において、前記レーザ光吸
収膜を硬化する工程が加熱工程または紫外線照射工程で
あることを特徴とする成形品への導電性パターンの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359279A JP2000183501A (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 成形品への導電性パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359279A JP2000183501A (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 成形品への導電性パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183501A true JP2000183501A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18463692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10359279A Pending JP2000183501A (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 成形品への導電性パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183501A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04356993A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-10 | Hitachi Seiko Ltd | プリント基板の製造方法 |
| JPH0766533A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の製造方法 |
| JPH07212008A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の形成方法 |
-
1998
- 1998-12-17 JP JP10359279A patent/JP2000183501A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04356993A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-10 | Hitachi Seiko Ltd | プリント基板の製造方法 |
| JPH0766533A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の製造方法 |
| JPH07212008A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板の形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051101 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060307 |