KR970019806A - 전자파실드 및 그 형성방법 - Google Patents

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Abstract

뛰어난 전자파실드를 제공하는 것을 과제로하고 전파장해를 받을 수 있는 전자장치류의 외장을 구성하는 부도체 기판의 적어도 한쪽면에 형성되는 기초층과, 이 기초층의 표면에 형성되는 금속층으로 이루어지는 전자파실드이고, 상기 기초층은 10∼60wt%의 복합금속산화물수화물과 40∼90wt%의 바인더로 구성되어 있어, 상기 금속층은 동 및 니켈을 무전해도금하는 것에 의해 구성되는 있는 것을 특징으로 하는 전자파실드.

Description

전자파실드 및 그 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 도료조성물 A를 사용하여 부도체기판위에 형성된 기초층의 모식적 단면도,
제2도는 도료조성물 B를 사용하여 부도체기판위에 형성된 기초층의 모식적 단면도,
제3도는 도료조성물 A를 사용하여 부도체기판위에 형성된 기초층위에 다시 금속층이 형성된 상태를 나타낸 모식적 단면도,
제4도는 도료조성물 B를 사용하여 부도체기판위에 형성된 기초층위에 다시 금속층이 형성된 상태를 나타낸 모식적 단면도이다.

Claims (30)

  1. 전자파장해를 받을 수 있는 전자장치류의 외장을 구성하는 부도체기판의 적어도 한쪽면에 형성되는 기초층과, 이 기초층의 표면에 형성되는 금속층으로 이루어지는 전자파실드로서, 상기 기초층은 10∼60wt%의 복합금속산화물수화물과 40∼90wt%의 바인더로 구성되어 있고, 상기 금속층은 동 및/또는 니켈을 무전해도금하는 것에 의하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복합금속산화물수화물은 다음의 일반식, M1x·M2O3·n(H2O) (식중, M1은 Pd 또는 Ag이고, M1는 Si, Ti 또는 Zr이고, M1이 Pd일 경우, x는 1이고 M1이 Ag일 경우, x는 2이고, n은 정수이다)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 M1는 Pd이고, 상기 M2는 Si, Ti 또는 Zr인 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  4. 제1항에 있어서, 바인더는 (1)아크릴 수지도료 및/또는 우레탄 수지도료 및 수지비드로 이루어지거나, 또는 (2)폴리올도료 및 경화제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  5. 제4항에 있어서, 바인더는 아크릴 수지도료 및/또는 우레탄 수지도료 25∼89wt% 및, 수지비드 1∼15wt%로 이루어지는 조성물에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  6. 제4항에 있어서, 바인더는, 폴리올도료와 폴리이소시에네트 경화제와의 혼합물 40∼90wt%로 이루어지는 조성물에 의하여 형성되어 상기 폴리올도료와 폴리이소시아네트 경화제와의 혼합물은 폴리올도료 대 폴리이소시아네트경화제의 중량비가 10:1∼10:10의 비율로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  7. 제1항에 있어서, 기초층의 막두께는 3∼25㎛의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  8. 제1항에 있어서, 금속층의 막두께는 0.5∼45㎛의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  9. 제1항에 있어서, 부도체기판은 PE(폴리에틸렌), PVC(폴리염화비닐), PS(폴리스티렌), PP(폴리프로필렌), ABS(아크리로니트릴 부타디엔 스티렌), AS(아크리로니트릴 스티렌), PMMA(폴리 메틸 메타크릴산), PVA(폴리초산비닐), PVDC(폴리염화비니리덴), PPO(폴리페니렌 옥사이드), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트)로 이루어진 군에서 선택되는 범용플라스틱 ; PA(폴리아미드), POM(폴라아세탈), PC(폴리카보네이트), PPE(변성폴리페니렌에텔), PBT(폴리부틸렌 테레 프탈레트), GF-PET(유리섬유강화 폴리에틸렌 테레프탈레이트), UHPE(초 고분자량 폴리에틸렌)으로 이루어지는 군에서 선택되는 범용엔지니어링플라스틱 ; PSF(폴리설폰), PES(폴리에틸설폰), PPS(폴리페니렌 설파이드(polyphenylene sulphurd), PAR(폴리아리레트), PAI(폴리아미드이드), PEI(폴리에틸이미드), PEEK(폴리에틸에틸케톤), PI(폴리이미드), 불소수지(fluorine-contained resin)로 이루어지는 군에서 선택되는 슈퍼엔지니어링플라스틱 ; 페놀, 요소, 멜라민, 알키드, 불포화 폴리에스텔, 에폭시, 디알릴 프탈레이트, 폴리우레탄, 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 열경화성수지 ; 고무, 세라믹, 유리, 유리섬유, 목재, 도자기, 섬유 및 종이로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자파실드.
  10. 전자파장해를 받을 수 있는 전자장치류의 외장을 구성하는 부도체기판의 적어도 한쪽면에 복합금속산화물수화물과 바이더로 이루어지는 도료조성물을 도포하고 이 조성물을 건조하여 기초층을 형성하는 단계와, 이 기초층의 표면에 동 및/또는 니켈을 무전해도금하는 것에 의해 금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파실드의 형성방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 복합금속산화물수화물은 다음의 일반식 M1x·M2O3·n(H2O) (식중, M1은 Pd 또는 Ag이고, M2는 Si, Ti 또는 Zr이고, M1이 Pd일 경우, x는 1이고 M1이 Ag일 경우, x는 2이고, n은 정수이다)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 M1는 Pd이고, 상기 M2는 Si, Ti 또는 Zr인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 바인더는 (1)아크릴 수지도료 및/또는 우레탄 수지도료 및 수지비드로 이루어지거나, 또는 (2)폴리올도료 및 경화제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 기초층은 복합금속산화물수화물 10∼60wt%와 아크릴 수지도료 및/또는 우레탄 수지도료 25∼89wt% 및 수지비드 1∼15wt%로 이루어지는 바인더로 이루어지는 조성물을 도포하고 이 조성물을 40∼180℃의 온도에서 건조하는 것에 의해 형성되어 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 기초층은 복합금속산화물수화물 10∼60wt%와 폴리올도료와 폴리이소시아네트경화제와의 혼합물 40∼90wt%로 이루어지는 바인더로 이루어지는 조성물을 도포하고 이 조성물을 40∼180℃의 온도에서 건조하는 것에 의해 형성되어 상기 폴리올도료와 폴리이소시아네트 경화제와의 혼합물은 폴리올도료 대 폴리이소시아네트 경화제의 중량비가 10:1∼10:10의 비율로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 부도체기판은 PE(폴리에틸렌), PVC(폴리염화비닐), PS(폴리스티렌), PP(폴리프로필렌), ABS(아크리로니트릴 부타디엔 스티렌), AS(아크리로니트릴 스티렌), PMMA(폴리 메틸 메타크릴산), PVA(폴리초산비닐), PVDC(폴리염화비니리덴), PPO(폴리페니렌 옥사이드), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트)로 이루어진 군에서 선택되는 범용플라스틱 ; PA(폴리아미드), POM(폴라아세탈), PC(폴리카보네이트), PPE(변성 폴리페니렌에텔), PBT(폴리부틸렌 테레프탈레이트), GF-PET(유리섬유강화 폴리에틸렌 테레프탈레이트), UHPE(초 고분자량 폴리에틸렌)으로 이루어지는 군에서 선택되는 범용엔지니어링플라스틱 ; PSF(폴리설폰), PES(폴리에틸설폰), PPS(폴리페니렌 설파이드(polyphenylene sulphurd), PAR(폴리아리레트), PAI(폴리아미드이미드), PEI(폴리에틸이미드), PEEK(폴리에틸에틸케톤), PI(폴리이미드), 불소수지(fluorine-contained resin)로 이루어지는 군에서 선택되는 슈퍼엔지니어링플라스틱 ; 페놀, 요소, 멜라닌, 알키드, 불포화 폴리에스텔, 에폭시, 디알릴 프탈레이트, 폴리우레탄, 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 열경화성수지 ; 고무, 세라믹, 유리, 유리섬유, 목재, 도자기, 섬유 및 종이로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제10항에 있어서, 기초층의 막두께는 3∼25㎛의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제10항에 있어서, 금속층의 막두께는 0.5∼4㎛의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제10항에 있어서, 무전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 이 금속층의 표면에 전해도금법에 의해 금속도금층을 중층하는 단계를 또 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 10∼60wt%의 복합금속산화물수화물과 40∼90wt%의 바인더로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도료조성물.
  21. 제20항에 있어서, 상기 복합금속산화물수화물은 다음의 일반식 M1x·M2O3·n(H2O) (식중, M1은 Pd 또는 Ag이고, M2는 Si, Ti 또는 Zr이고, M1이 Pd일 경우, x는 1이고 M1이 Ag일 경우, x는 2이고, n은 정수이다)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 도료조성물.
  22. 제20항에 있어서, 상기 M1는 Pd이고, 상기 M2는 Si, Ti 또는 Zr인 것을 특징으로 하는 도료조성물.
  23. 제20항에 있어서, 바인더는 (1)아크릴 수지도료 및/또는 우레탄 수지도료 및 수지비드로 이루어지거나, 또는 (2)폴리올도료 및 경화제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도료조성물.
  24. 제23항에 있어서, 바인더는 아크릴 수지도료 및/또는 우레탄 수지도료 35~89wt%및 수지비드 1~15wt%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도료조성물.
  25. 제23항에 있어서, 바인더는 폴리올도료와 폴리이소시아네트 경화제와의 혼합물 40∼90wt%로 이루어지고, 상기 폴리올도료와 폴리이소시아네트경화제와의 혼합물은, 폴리도료 대 폴리이소시아네트경화제의 중량비가 10:1∼10:10의 비율로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도료조성물.
  26. Pd 및 Ag의 금속화합물류로 이루어지는 군에서 선택되는 1종류의 금속화합물을 염산에 용해하고, 이어서, Si, Ti 및 Zr로 이루어지는 군에서 선택되는 금속의 산화물을 더해 가열하고, 그 후 중화하고, 중화후 또 가열하고, 생성한 침전물을 세정하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 복합금속산화물수화물의 제조방법.
  27. 제26항에 있어서, Si, Ti 및 Zr로 이루어지는 군에서 선택되는 금속의 산화물분말에 대하여 자외선조사, 마이크로파가열 또는 가시광선조사의 전처리를 행하는 것을 다시 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제26항에 있어서, 염화파라듐을 염산에 용해하고, 이어서, 자외선조사처리된 산화실리콘, 산화티탄 또는 산화지르코늄(zirconium)을 첨가하여 가열하고, 그 후 중화하고, 중화후 또 가열하고, 생성된 침전물을 세정하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제26항에 있어서, 60∼100℃의 온도에서 가열하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제26항에 있어서, 침전생성물을 슬러리형상 그대로 보존하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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