JPH07212008A

JPH07212008A - 回路板の形成方法

Info

Publication number: JPH07212008A
Application number: JP624994A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Okamoto; 剛岡本; Sakuo Kamata; 策雄鎌田; Yoshiyuki Uchinono; 良幸内野々; Riyuuji Ootani; 隆児大谷; Kunji Nakajima; 勲二中嶋; Toshiyuki Suzuki; 俊之鈴木; Keimei Kitamura; 啓明北村
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1994-01-25
Filing date: 1994-01-25
Publication date: 1995-08-11
Anticipated expiration: 2019-02-03
Also published as: JP3493703B2

Abstract

(57)【要約】【目的】導体厚みが厚く、高精度な分離独立した回路
パターンを有する回路が、生産性よく得られる回路板の
形成方法の提供。【構成】絶縁基板１に触媒核３を付着させ、分離独立
した回路パターン部間を通電ブリッジ部によって接続
し、連続した回路パターンとなる部分を除いてレーザを
照射し、洗浄を行い、このレーザ照射部に付着している
触媒核３を除去し、金属膜を無電解めっきによって析出
させて連続した回路パターンを形成し、通電ブリッジ部
にめっきレジスト６を形成し、電解めっきを行った後、
通電ブリッジ部のめっきレジスト６および金属膜５ａを
除去し、分離独立した回路パターンを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子部品を実装する等し
て使用される回路板の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から回路部分にのみ金属膜を形成す
る方法として、アディティブ法が知られている。この方
法では絶縁基板の回路とならない部分をレジストで覆
い、高温の強アリカリ性無電解めっき液に長時間浸漬す
る必要があった。しかしながら、このような高温で強ア
リカリ性の条件下では、レジストがダメージを受けやす
いという欠点があり、また、絶縁基板そのものも影響を
受ける可能性の高いものである。さらに、無電解めっき
による金属膜の析出速度は遅く、厚膜の回路を得ようと
すると長時間掛かるため、前記の欠点がより一層問題と
なるものであった。

【０００３】これに対して、レジストのめっき耐性を改
善した方法として、特開昭６１−６８９２号公報に記載
されたものがある。この方法では、投錨効果による密着
力を得るために、絶縁基板の表面を粗化し、全面にパラ
ジウム等の触媒核を付着させた後、回路となる部分を除
いてレーザを照射して触媒作用を消失させ、この絶縁基
板に無電解めっきを行い、分離独立した回路パターン部
間を形成している。従って、レジストを必要とせずに金
属膜の回路が得られていることから、前記のレジストが
ダメージを受ける欠点を改善している。

【０００４】また、パラジウム等の触媒核を付着させる
処理を、物理的成膜法による金属膜の形成とした方法と
して、特開平４−２６３４９０号公報に記載されたもの
がある。この方法では、物理的成膜法によって形成した
非回路部分の金属膜にレーザを照射し、金属膜を除去し
た後は、既に導電性の金属膜で回路が形成されている。
従って、この回路を連続した回路パターンとして形成し
ておくことによって、直接電解めっきすることもでき、
容易に導体回路の厚みが得られる利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例にあって、前者の特開昭６１−６８９２号公報の
方法では、無電解めっきによって導体回路を析出して形
成しようとしているため、厚膜の導体回路が得られにく
く、導体抵抗が高い回路しか得られないという問題があ
った。また、厚膜の導体回路を得ようとすれば、長時間
無電解めっき液に浸漬しておく必要があり、生産性が低
くなるという問題があった。その上、レーザによってパ
ラジウムの触媒作用を完全に消失させることは不可能で
あり、生産性を上げるために、反応性を上げた無電解め
っき液を用いようとすれば、完全に消失せずに残存する
パラジウムの触媒作用によって、非回路部分にもめっき
導体を析出する可能性もあり、回路精度が悪化する原因
となっていた。

【０００６】また、後者の特開平４−２６３４９０号公
報の方法では、直接電解めっきすることもでき、容易に
導体回路の厚みが得られるが、この回路は連続した回路
パターンであって、厚膜の分離独立した回路パターン部
間を得ようとすれば、やはり無電解めっきを行わざるを
得ず、生産性が低くなるという問題があった。またこの
方法でも、レーザによって非回路部分の金属膜を完全に
除去しきることは困難であり、回路精度を低下させる原
因になっていた。

【０００７】本発明は、以上のような問題点を解決する
ためになされたものであり、その目的とするところは、
厚膜の高精度の分離独立した回路パターン部間を有する
回路が、生産性よく得られる回路板の形成方法の提供に
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の発明は、絶縁基板に触媒核を付着させ、分離
独立した回路パターン部間を通電ブリッジ部によって接
続し、連続した回路パターンとなる部分を除いてレーザ
を照射し、洗浄を行い、このレーザ照射部に付着してい
る触媒核を除去し、金属膜を無電解めっきによって析出
させて連続した回路パターンを形成し、通電ブリッジ部
にめっきレジストを形成し、電解めっきを行った後、通
電ブリッジ部のめっきレジストおよび金属膜を除去し、
分離独立した回路パターンを形成することを特徴として
構成している。

【０００９】請求項２記載の発明は、絶縁基板に金属膜
を形成し、分離独立した回路パターン部間を通電ブリッ
ジ部によって接続し連続した回路パターンとなる部分を
除いてレーザを照射し、洗浄を行い、このレーザ照射部
の金属膜を除去して連続した回路パターンを形成し、通
電ブリッジ部にめっきレジストを形成し、電解めっきを
行った後、通電ブリッジ部のめっきレジストおよび金属
膜を除去し、分離独立した回路パターンを形成すること
を特徴として構成している。

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載の発明において、電解めっきを行った後、レーザを
照射することによって、めっきレジストと共に通電ブリ
ッジ部の金属膜を除去することを特徴として構成してい
る。

【００１１】請求項４記載の発明は、絶縁基板に金属膜
を形成し、分離独立した回路パターン部間を接続して連
続した回路パターンとしている通電ブリッジ部にめっき
レジストを形成した後、連続した回路パターンの輪郭線
にレーザを照射し、洗浄を行ってこの輪郭線部分の金属
膜を除去し、分離独立した回路パターンに電解めっきを
行った後、通電ブリッジ部のめっきレジストおよび分離
独立した回路パターンを除く金属膜を除去し、分離独立
した回路パターンを形成することを特徴として構成して
いる。

【００１２】請求項５記載の発明は、絶縁基板に触媒核
を付着させ、連続した回路パターンの輪郭線にレーザを
照射し、洗浄を行い、この輪郭線部分の触媒核を除去
し、金属膜を無電解めっきによって析出させ、分離独立
した回路パターン部間を接続して連続した回路パターン
とする通電ブリッジ部部にめっきレジストを形成し、分
離独立した回路パターン部間部分に電解めっきを行った
後、通電ブリッジ部部のレジストおよび分離独立した回
路パターン部間を除く部分の金属膜を除去し、分離独立
した回路パターン部間を形成する。

【００１３】請求項６記載の発明は、請求項１、２また
は３記載の発明において、立体形状の絶縁基板を用いる
ことを特徴として構成している。

【００１４】請求項７記載の発明は、請求項１、２また
は３記載発明において、あらかじめ回路の形成される表
面を粗化した絶縁基板を用いることを特徴として構成し
ている。

【００１５】請求項８記載の発明は、請求項１、２また
は３記載発明において、レーザの照射によって、触媒核
または金属膜と共に、絶縁基板の表面の一部も除去する
ことを特徴として構成している。

【００１６】請求項９記載の発明は、請求項１、２また
は３記載発明において、あらかじめ連続した回路パター
ンの形成されない主要部の絶縁基板上に、直接触媒また
は金属膜の付着を防止するマスクを形成した絶縁基板を
用いることを特徴として構成している。

【００１７】なお、上記の主要部とは、あらかじめ連続
した回路パターンの形成されない部分の内、広い面積の
部分のことである。

【００１８】請求項１０記載の発明は、請求項１、２ま
たは３記載発明において、絶縁基板に、酸素を含むプラ
ズマによる処理を行うとともに、物理的成膜法によって
触媒核を付着または金属膜を形成することを特徴として
構成している。

【００１９】つまり、絶縁基板に、酸素を含むプラズマ
による処理を行った後、または同時に、物理的成膜法に
よって触媒核を付着または金属膜を形成する。そして、
この金属膜としては、パラジウム、銀、金、白金、銅、
ニッケル、クロムまたはこれらの合金を、物理的成膜法
として、スパッタまたは蒸着等のＰＶＤまたはＣＶＤに
よって行っている。

【００２０】請求項１１記載の発明は、請求項１、２ま
たは３記載発明において、絶縁基板に、チタン、アルミ
ニウム、クロムまたはこれらの合金を１０〜１０００オ
ングストロームの厚みにプリコート後、触媒核を付着ま
たは金属膜を形成することを特徴として構成している。

【００２１】請求項１２記載の発明は、請求項１、２ま
たは３記載発明において、絶縁基板に、プラズマによる
カップリング処理を行った後、触媒核を付着または金属
膜を形成することを特徴として構成している。

【００２２】請求項１３記載の発明は、請求項１、２ま
たは３記載発明において、絶縁基板に、銅またはニッケ
ルから成る金属膜を無電解めっきによって析出または物
理的成膜法によって形成し、連続した回路パターンとな
る部分を除いてレーザを照射することによって、このレ
ーザ照射部を酸化または塩化し、このレーザ照射部を洗
浄除去して連続した回路パターンを形成し、通電ブリッ
ジ部にめっきレジストを形成し、電解めっきを行った
後、通電ブリッジ部のめっきレジストおよび金属膜を除
去し、分離独立した回路パターンを形成することを特徴
として構成している。

【００２３】

【作用】請求項１記載の発明では、まず最初に絶縁基板
の全面に触媒核を付着させている。そして、この全面に
付着した触媒核のうち、連続した回路パターンとなる部
分を除いて、つまり連続した回路パターンの形成されな
い部分にレーザを照射し、触媒活性を低下または消失さ
せている。この後、さらに、洗浄を行ってこのレーザ照
射部に付着している触媒核を完全に除去している。つま
り、このようにすることによって、絶縁基板の連続した
回路パターンの形成される部分にのみ触媒核を付着させ
ている。

【００２４】次に、この触媒核の残っている部分に金属
膜を無電解めっきによって析出させ、金属膜から成る連
続した回路パターンを形成している。そして、分離独立
した回路パターン部間を接続して連続した回路パターン
としている通電ブリッジ部にめっきレジストを形成し、
電解めっきを行って分離独立した回路パターンの部分に
のみ金属膜の厚みを厚く形成している。この後、通電ブ
リッジ部のめっきレジストおよび金属膜を除去し、分離
独立した回路パターンを有する回路が形成されている。

【００２５】以上のように、この発明では、先ず厚みの
薄い金属膜の連続した回路パターンを、従来のように複
雑な工程のフォトレジストを使用することなく形成して
いる。そして、分離独立した回路パターンとなる部分に
のみ電解めっきを行い、導体厚みを厚くしており、分離
独立した回路パターン部間を接続して連続した回路パタ
ーンとしている通電ブリッジ部は薄いので、これを除去
することが容易になっている。さらに、電解めっきは析
出スピードが速いので、導体厚みを厚くすることは容易
である。

【００２６】また、レーザを照射して金属膜を析出させ
ない部分の触媒活性を低下または消失させ、さらに、洗
浄を行ってこのレーザ照射部に付着している触媒核を完
全に除去している。従って、このレーザ照射部に触媒核
が残っていないので、良好な絶縁信頼性が得られると共
に、活性の高い無電解めっき液を用いても回路以外の部
分に金属膜が析出することがなく、精度のよい回路が効
率よく形成できるものである。

【００２７】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
発明の連続した回路パターンを以下のようにして形成し
ている。先ず、絶縁基板全面に物理的膜形成法によって
金属膜を形成している。そして、連続した回路パターン
となる部分を除いて、つまり金属膜の不要な部分にレー
ザを照射してこのレーザ照射部の金属膜を除去し、さら
に洗浄を行ってこのレーザ照射部の金属膜を完全に除去
し、金属膜から成る連続した回路パターンを形成してい
る。

【００２８】以上のように、この発明では触媒核を付着
させる代わりに金属膜を形成し、無電解めっきを行わず
に、金属膜から成る連続した回路パターンが得られてい
る。従って、この後すぐに通電ブリッジ部にめっきレジ
ストを形成し、電解めっきをすることができる。また、
洗浄によって不要な金属膜が完全に除去されているの
で、良好な絶縁信頼性が得られると共に、回路精度が向
上している。

【００２９】請求項３記載の発明では、電解めっきによ
って分離独立した回路パターンの部分の金属膜の厚みを
厚く形成した後、不要なめっきレジストと通電ブリッジ
部の金属膜とがレーザを照射することによって、同時に
除去されている。従って、レジストを剥離してから、エ
ッチング等によってこの不要な部分の金属膜を除去する
ような二段階の工程が不要であり、工程が簡単になって
いる。

【００３０】請求項４記載の発明では、先ず、めっきレ
ジストを、金属膜が形成された絶縁基板の分離独立した
回路パターン部間を接続して連続した回路パターンとし
ている通電ブリッジ部の部分に形成している。この後、
連続した回路パターンの輪郭線にレーザを照射し、洗浄
を行ってこの輪郭線部分の金属膜を完全に除去してい
る。さらに、分離独立した回路パターンにのみ電解めっ
きを行い、この部分の金属膜の厚みを厚くした回路とし
た後、通電ブリッジ部のめっきレジストおよび分離独立
した回路パターンを除く金属膜を除去し、分離独立した
回路パターンを有する回路が形成されている。

【００３１】以上のように、この発明では、連続した回
路パターンの輪郭線の部分にのみレーザを照射している
ので、連続した回路パターンを除く部分が広い場合に
は、この広い部分全面に渡ってレーザを照射する必要が
なく、短時間でこの工程を完了することができる。ま
た、先にめっきレジストが形成されているので、この
後、レーザを照射し、洗浄することによって、不要カ所
に付いたレジストも、連続した回路パターンの輪郭線の
金属膜と共に同時に除去することができる。

【００３２】請求項５記載の発明では、まず、絶縁基板
に触媒核を付着させ、連続した回路パターンの輪郭線に
レーザを照射し、洗浄を行い、この輪郭線部分の触媒核
のみを除去し、この輪郭線部分を除いて金属膜を無電解
めっきによって析出させている。この後、分離独立した
回路パターン部間を接続して連続した回路パターンとす
る通電ブリッジ部にめっきレジストを形成し、分離独立
した回路パターンにのみ電解めっきを行い、この部分の
金属膜の厚みを厚くした回路とした後、通電ブリッジ部
のレジストおよび分離独立した回路パターンを除く部分
の金属膜を除去し、分離独立した回路パターンを有する
回路が形成されている。

【００３３】以上のように、この発明では、連続した回
路パターンの輪郭線の部分にのみレーザを照射している
ので、連続した回路パターンを除く部分が広い場合に
は、この広い部分全面に渡ってレーザを照射する必要が
なく、短時間でこの工程を完了することができる。

【００３４】請求項６記載の発明では、立体形状の絶縁
基板を用いて回路が形成されているが、レジスト形成は
通電ブリッジ部の部分にのみ必要なだけである。従っ
て、従来の立体形状の全面に渡ってレジストを薄く均一
に形成する困難が回避できている。

【００３５】請求項７記載の発明では、回路の形成され
る絶縁基板の表面があらかじめ粗化されているので、こ
の部分の回路の密着力が投錨効果によって高くなってい
る。これに対して、ほかの回路の形成されない表面は凹
凸が少なく、このレーザ照射部に付着した触媒核または
このレーザ照射部に形成された金属膜が除去されやすく
なっている。従って、良好な絶縁信頼性が得られると共
に、回路精度が向上している。

【００３６】請求項８記載の発明では、レーザの照射に
よって、触媒核または金属膜と共に、絶縁基板の表面の
一部も除去するので、絶縁基板の表面の深い凹部に入っ
ている触媒核または金属膜を完全に除去することがで
き、良好な絶縁信頼性が得られると共に、回路精度が向
上する。

【００３７】請求項９記載の発明では、あらかじめ連続
した回路パターンの形成されない部分の内、広い面積の
部分の絶縁基板上に、直接触媒または金属膜の付着を防
止するマスクを形成した絶縁基板を用いており、このマ
スク形成した部分には触媒核が付着または金属膜が形成
されない。従って、このマスク形成した導体回路の形成
されない部分にレーザを照射する必要がなく、レーザを
照射する時間が少なくなっている。

【００３８】請求項１０記載の発明では、絶縁基板に酸
素を含むプラズマによる処理を行っており、微細な凹凸
と共に、酸素を含む極性基が絶縁基板表面に形成されて
いる。このような絶縁基板の表面に触媒核の付着または
金属膜の形成が行われるので、高い密着力が得られる。
また、この凹凸は深く形成されなくとも十分な密着力が
得られるので、レーザの照射による不要部の触媒核およ
び金属膜の除去は容易に行われ、不要な部分に金属膜が
形成されることがないので、良好な絶縁信頼性が得られ
ると共に、高精度な回路が得られる。

【００３９】また、このプラズマ処理とＰＶＤまたはＣ
ＶＤによる触媒核の付着または金属膜の形成とが同時に
行われることによって、効率よく回路を形成できる。

【００４０】また、触媒核または金属膜として好適なパ
ラジウム、銀、金、白金、銅、ニッケル、クロムまたは
これらの合金が用いられている。

【００４１】請求項１１記載の発明では、チタン、アル
ミニウム、クロムまたはこれらの合金を１０〜１０００
オングストロームの厚みにプリコートした絶縁基板に触
媒核を付着または金属膜を形成している。このようなプ
リコート物質は反応性が高く、触媒核または金属膜と絶
縁基板との密着を助けるので、導体回路の密着力を高め
ている。

【００４２】請求項１２記載の発明では、プラズマによ
るカップリング処理を行った絶縁基板に触媒核を付着ま
たは金属膜を形成している。このようなカップリング処
理は触媒核または金属膜と絶縁基板との密着を助けるの
で、導体回路の密着力を高めている。

【００４３】請求項１３記載の発明では、絶縁基板上の
銅またはニッケルの金属膜に、連続した回路パターンと
なる部分を除いてレーザを照射することによって、この
レーザ照射部の金属膜が酸化または塩化される。この
後、洗浄することによって、酸化または塩化された金属
膜は溶解されて除去され、連続した回路パターンが形成
されている。

【００４４】酸化または塩化は、少量のレーザの照射に
よって簡単に促進させるので、絶縁基板に損傷を与えず
金属膜を除去することができる。

【００４５】

【実施例】以下に本発明の実施例を添付図を基に説明す
る。

【００４６】実施例１の回路板の形成方法を図１ないし
図３に基づいて説明する。図１は本実施例の工程を説明
する説明図である。図２および図３は洗浄装置の説明図
である。

【００４７】図１において、（Ａ）に示す１はＡＢＳ、
ポリエーテルイミドまたは液晶ポリマー等の熱可塑性樹
脂の絶縁基板であり、この絶縁基板１の表面をクロム酸
または水酸化カリウム水溶液等によって化学的に粗化
し、投錨効果による密着力を得るための微細な凹凸２を
表面に形成する。また、絶縁基板１としては、上記した
ものの他に、フェノール、エポキシ、ポリイミド等の熱
可塑性もしくは熱硬化性の合成樹脂の基板またはアルミ
ナセラミックス、窒化アルミ等の無機基板または鉄、ア
ルミニウムもしくはステンレス鋼等の金属基板上に前記
の合成樹脂もしくは無機材料の絶縁層を形成した基板等
を用い、それぞれの材料に適した、化学的なエッチング
処理、機械的な研磨加工、物理化学的なプラズマ処理等
によって絶縁基板１の表面を粗化して用いることができ
る。

【００４８】このような処理を施した絶縁基板１を、触
媒核としてパラジウム３を含む処理液に浸漬し、（Ｂ）
に示すように、触媒核となるパラジウム３を絶縁基板１
の全面に付着させる。触媒核としては、この他に銀、白
金またはニッケル等を物理的成膜法によって非常に薄く
形成し、付着させてもよい。

【００４９】次に、最終的に得たい分離独立した回路パ
ターンの部分を通電ブリッジ部によって接続し、連続し
た回路パターンとなる部分を除き、この絶縁基板１の表
面全面にレーザを照射する。このときのレーザ照射は、
レーザをレンズで集光し、絶縁基板１とレーザとを相対
的に移動させ、必要な部分全面にレーザの照射が行われ
るようにする。レーザ照射のパターン幅の制御は、例え
ば、デフォーカス量をレンズの焦点距離または絶縁基板
１の位置を調節して、絶縁基板１の表面のビーム径を調
節することによって制御する。太いビームで描画できな
いパターンの細部は、焦点位置に絶縁基板１を一致させ
て細いビームを作ることによって描画する。レーザのパ
ワーは0.1〜１.0J/cm²となるように操作速度またはレー
ザ発振強度を調節するとよい。このように処理すること
によって、（Ｃ）に示すように、レーザ照射部４はパラ
ジウム３の大部分が除去された状態になる。

【００５０】さらに、この絶縁基板１をエタノール、ア
セトン、トルエンまたはメチルエチルケトン等の有機溶
剤を用いて洗浄することによって、上記のレーザ照射部
４に僅かに残っているパラジウム３ａは、（Ｄ）に示す
ように、レーザ照射によって変質した絶縁基板１の表面
層と共に除去される。このとき，超音波洗浄を併用する
とより一層効果がある。また、溶剤をしみ込ませた不織
布によって拭き取ってもよい。また、50〜70℃にした 1
00〜500g/lの水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ液を用
いてもよく、絶縁基板１の表面層も含めた除去により一
層効果がある。

【００５１】この後、無電解めっきによって金属膜を析
出させる。この無電解めっきは、一般のプリント配線板
用の無電解銅めっき液に浸漬処理することによって、
（Ｅ）に示すように、金属膜として無電解銅皮膜５を析
出させ、連続した回路パターンを形成することができ
る。

【００５２】さらに、（Ｆ）に示すように、分離独立し
た回路パターン部間を接続して連続した回路パターンと
している通電ブリッジ部の部分に、めっきレジスト６を
塗布する。このめっきレジスト６の塗布は、インクジェ
ット方式によって行えば、必要カ所にうまくめっきレジ
スト６を塗布することができる。つぎに、（Ｇ）に示す
ように、電解銅めっきを行い、電解銅皮膜７を無電解銅
皮膜５の上に積み上げ、分離独立した回路パターンの厚
みを厚く形成する。なお、無電解めっきおよび電解めっ
きする金属としては、銅の他、ニッケル、金等、種々の
回路板用の金属を使用することができる。

【００５３】この後、（Ｈ）に示すように、この絶縁基
板１に形成されためっきレジスト６をレジスト剥離液に
よって除去する。さらに、（Ｉ）に示すように、エッチ
ング液に浸漬する等して処理し、通電ブリッジ部の無電
解銅皮膜５ａを除去し、絶縁基板１上に分離独立した回
路パターンを形成している。

【００５４】この場合、エッチング液に浸漬したときに
は、通電ブリッジ部の部分だけでなく、電解銅皮膜７の
表面並びに電解銅皮膜７および無電解銅皮膜５の側面も
同時に同じ量エッチングされるが、無電解銅皮膜５を薄
く形成してあるので、回路厚みおよび回路幅にはほとん
ど影響がないものである。また、このエッチング液とし
ては、極めて薄い無電解銅皮膜５をエッチングするのみ
であるので、過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチング
スピードの遅い液を用いて簡単に行うことができる。

【００５５】なお、めっきレジスト６は、通電ブリッジ
部だけでなく連続した回路パターンの一部にも形成し、
通電ブリッジ部のめっきレジスト６だけを剥離してエッ
チングすることもできる。このようにすれば、薄膜と厚
膜の混成した分離独立した回路パターンを形成すること
ができる。そして、このとき二種類の溶解性の異なるレ
ジストを使うようにすれば、通電ブリッジ部の部分だけ
を剥離することは容易である。

【００５６】以上のように、この実施例によれば、先ず
厚みの薄い無電解銅皮膜から成る金属膜の連続した回路
パターンを、従来のように複雑な工程のフォトレジスト
を使用することなく形成している。そして、分離独立し
た回路パターンとなる部分にのみ電解銅めっきを行い、
回路厚みを厚くしており、分離独立した回路パターンを
接続して連続した回路パターンとしている通電ブリッジ
部は薄いままである。従って、これを極めて弱くエッチ
ッグするだけで容易に除去することができる。さらに、
電解銅めっきは析出スピードが速いので、回路厚みを厚
くすることは容易であり、効率的に回路を形成できる。

【００５７】また、レーザを照射し、さらに洗浄を行
い、このレーザ照射部に付着している触媒核となるパラ
ジウム３を完全に除去している。従って、このレーザ照
射部に触媒核が残らず、良好な絶縁信頼性が得られると
共に、活性の高い無電解銅めっき液を用いても回路以外
の部分に金属膜が析出することもなく、精度のよい回路
板を効率よく形成できるものである。

【００５８】なお、（Ｃ）に示すレーザ照射を、最終的
に得たい分離独立した回路パターンを通電ブリッジ部に
よって接続した連続した回路パターンの、輪郭線の外周
部を含む比較的狭い部分にのみ行うこともできる。この
ようにした場合、（Ｇ）に示す電解銅めっきは連続した
回路パターンの部分にのみ通電するようにし、この部分
にのみ電解銅皮膜７を無電解銅皮膜５の上に積み上げ、
回路の厚みを厚く形成するようにする。そして、（Ｈ）
に示すめっきレジスト６をレジスト剥離液によって除去
し、エッチング液に絶縁基板１を浸漬することによっ
て、通電ブリッジ部と連続した回路パターンの外周の部
分の無電解銅皮膜５ａを除去し、（Ｉ）に示すような分
離独立した回路パターンを形成することができる。

【００５９】このようにすれば、レーザの照射面積が少
なくなるため、この工程を短時間で完了することがで
き、効率的に回路板を形成することができる。

【００６０】また、レーザの照射エネルギーを 5〜50J/
cm² とし、パラジウムと共に絶縁基板１の表面の一部も
除去するようにしてもよい。このようにすることによっ
て、絶縁基板１の表面の深い凹部に入っているパラジウ
ム３も完全に除去することができ、絶縁信頼性が向上す
ると共に、精度のよい回路が得ることができる。

【００６１】また、レーザ照射後の洗浄は、上記の有機
溶剤またはアルカリによる方法の他、以下のような種々
の方法を用いることができる。

【００６２】その第一のものを、図２の装置を示した説
明図に基づいて以下に説明する。図２において、１はレ
ーザ照射後の図１（Ｃ）に示す絶縁基板である。この絶
縁基板１を真空チャンバー33内の放電用電極34に載せ、
アース電極35との間に13.56MHzの高周波を 0.5〜5W/cm²
加えてプラズマを発生させ、このプラズマによって洗浄
するものである。また、真空チャンバー33内には、水素
ガスおよびアルゴンガスが10〜50パスカルに減圧されて
導入されている。

【００６３】第二のものを、図３の装置を示した説明図
に基づいて以下に説明する。図３に示すように、レーザ
照射後の図１（Ｃ）に示す絶縁基板１は、上部に紫外線
透過ガラス36を有するチャンバー37内に置かれ、水銀ラ
ンプ38（またはキセノンランプ）より発生する紫外線を
照射される。また、チャンバー37内には、オゾンを３〜
70％含む窒素ガス等が導入されており、オゾンの結合お
よび炭素の結合に相当する波長 185nmおよび 254nmの紫
外線を照射することによって、洗浄するものである。

【００６４】その他、ウォータージェットのノズルを操
作し、レーザ照射部に当てて、除去してもよい。このと
き微細な砥粒としてシリカまたはアルミナ等の粉末を含
む懸濁液を用いると効果的である。また、全面に照射す
ることも可能であるが、強度を２〜 10Kgf/cm²と弱くす
る必要がある。

【００６５】また、エキシマレーザまたは紫外線レーザ
を 0.1〜 1J/cm²のエネルギーで照射し、除去すること
も可能である。この場合、全面に照射してもよく、この
レーザ照射は連続した回路パターンの部分のパラジウム
３に影響しない。

【００６６】実施例２の回路板の形成方法を図４に基づ
いて説明する。図４は本実施例の工程を説明する説明図
である。

【００６７】この実施例では実施例１の連続した回路パ
ターンを、以下に説明するように無電解めっきによら
ず、スパッタ等の物理的成膜法によって形成している。

【００６８】図４において、（Ａ）に示す１は実施例１
に示すような絶縁基板である。この絶縁基板１の表面に
プラズマ処理によって、微細な凹凸を形成する。プラズ
マ処理によれば、機械的な研磨による粗化に比較して非
常に微細な凹凸を形成することができる。次に、（Ｂ）
に示すように、スパッタ等の物理的成膜法によって、金
属膜としてスパッタ銅皮膜８を 0.1〜 2.0μｍの厚みに
形成している。この金属膜としては、銅の他にニッケ
ル、パラジウム、銀、金、白金およびクロム等の皮膜を
形成することができる。

【００６９】このようにした後、最終的に得たい分離独
立した回路パターン部間を通電ブリッジ部によって接続
した連続した回路パターンの部分を除いてレーザを照射
する。このレーザはＱスイッチＹＡＧレーザ等を用いる
ことができる。また、レーザの照射エネルギーは10〜 3
00μJ/pulse とする。このように処理することによっ
て、（Ｃ）に示すように、レーザ照射部４はスパッタ銅
皮膜８の大部分が除去された状態になる。絶縁基板１の
表面層を薄くスパッタ銅皮膜８と共に除去するように条
件設定すれば、スパッタ銅皮膜８の除去をより確実に行
うことができる。

【００７０】さらに、この絶縁基板１をエタノール等の
有機溶剤によって洗浄することにより、上記のレーザ照
射部４にわずかに残っているスパッタ銅皮膜８ａは、
（Ｄ）に示すように、レーザ照射によって変質した絶縁
基板１の表面層と共に除去される。このとき，超音波洗
浄を併用するとより一層効果がある。この他、実施例１
で述べたような種々の洗浄方法を行うことができる。

【００７１】以上のようにして、スパッタ銅皮膜８から
成る連続した回路パターンを形成することができる。こ
の後、実施例１における図１の（Ｆ）以降の方法によっ
て、通電ブリッジ部にめっきレジスト６を塗布し、連続
した回路パターンにのみ通電することによって、分離独
立した回路パターンにのみ電解銅皮膜７をスパッタ銅皮
膜８の上に積み上げ、回路厚みを厚く形成することがで
きる。

【００７２】以上のように、この実施例では、スパッタ
等の物理的成膜法によって連続した回路パターンが得ら
れているので、面倒な触媒核を付着させる工程が不要で
あり、工程が簡単になり、生産の効率が高いものであ
る。また、洗浄によって不要な金属膜が完全に除去され
ているので、良好な絶縁信頼性が得られると共に、回路
精度が向上している。

【００７３】実施例３を以下に説明する。この実施例で
は、実施例１または実施例２の図１（Ｇ）に示す電解銅
めっきを終了した状態の後、通電ブリッジ部にＱスイッ
チＹＡＧレーザを照射エネルギー10〜 300μJ/pulse で
照射している。このように処理することによって、通電
ブリッジ部のめっきレジスト６と共に無電解銅皮膜５が
除去され、（Ｈ）の状態を経ずに、（Ｉ）に示す分離独
立した回路パターンを形成することができている。

【００７４】従って、工程が簡単になり、効率よく回路
板を形成できるものである。実施例４を、図５を基に以
下に説明する。図５は本実施例の工程を説明する説明図
である。

【００７５】図５において、実施例２と同ように、
（Ａ）に示す絶縁基板１に金属膜としてスパッタ銅皮膜
８を 0.1〜 2.0μｍの厚みに形成し、（Ｂ）に示す状態
の絶縁基板１を得ている。この後、（Ｃ）に示すよう
に、インクジェット方式またはデスペンサ等によって、
通電ブリッジ部にめっきレジスト６を塗布する。

【００７６】次に、連続した回路パターンの輪郭線の外
周部を含む比較的狭い部分にのみレーザを照射する。こ
のレーザ照射はＱスイッチＹＡＧレーザ等を用い、ガル
バノミラー等によって操作し、照射エネルギーは10〜 3
00μJ/pulse とする。このとき、下地の絶縁基板1 の表
面層も同時に除去するようにして、スパッタ銅皮膜８の
除去を完全にすることもできる。レーザのスポット径は
約 100μm であり、最小この程度の回路のライン間隔が
描かれることになる。このようにして、（Ｄ）に示すよ
うな、連続した回路パターンの輪郭線外周部のスパッタ
銅皮膜８が除去された状態のスパッタ銅皮膜８から成る
回路が得られる。この回路のうち８ａは連続した回路パ
ターンの外周にある部分であり、最終的に除去される部
分である。また、８ｂは最終的に得たい分離独立した回
路パターンであり、８ｃは通電ブリッジ部である。

【００７７】この後エタノール等の有機溶剤で洗浄した
のち、実施例１における図１の（Ｆ）以降の方法によっ
て、通電ブリッジ部にめっきレジスト６を塗布し、連続
した回路パターンにのみ通電することによって、分離独
立した回路パターンにのみ電解銅皮膜７をスパッタ銅皮
膜８の上に積み上げ、回路厚みを厚く形成することがで
きる。なお、本実施例において、図１の（Ｇ）に示す電
解銅めっきの工程では、連続した回路パターンの外周部
を除いた比較的広い部分のスパッタ銅皮膜８には通電し
ないようにしている。従って、この部分に電解銅皮膜７
は積み上げられず、このため、通電ブリッジ部の部分８
ｃと共に、この比較的広い部分のスパッタ銅皮膜８ａも
エッチング除去され、（Ｇ）に示すような分離独立した
回路パターンを形成することができる。

【００７８】なお、（Ｃ）に示した通電ブリッジ部にめ
っきレジスト６を塗布する工程は、光ＣＶＤによって形
成することもできる。この場合、前工程のスパッタに続
いて処理することができる。絶縁膜としてはシランガス
と酸素とを原料ガスとして形成する酸化シリコン膜およ
びエチレンを原料ガスとして形成するポリエチレン膜等
を用いることができる。

【００７９】また、必要に応じて、ソルダーレジスト、
ニッケルめっきまたは金めっき等を施すこともできる。
例えば、電解銅めっきの後、ソルダーレジストを塗布
し、めっきレジストのパターンを形成し、ニッケルめっ
きまたは金めっきの必要な部分を露出してニッケルまた
は金のめっき皮膜を形成することもできる。

【００８０】以上のようにこの実施例では、レーザを照
射する部分は、連続した回路パターンの輪郭線の外周の
部分のみであって、連続した回路パターンを除く部分が
広い場合にも、この広い部分全面に渡ってレーザを照射
する必要がなく、短時間にこの工程を行うことができ
る。また、このとき不要カ所に付いためっきレジスト６
も、連続した回路パターンの輪郭線外周部のスパッタ銅
皮膜８ととも同時に除去することができる。

【００８１】実施例５を、図６ないし図10に基づいて以
下に説明する。図６はこの実施例の工程を説明する説明
図である。図７ないし図９はレーザ照射の方法を説明す
る斜視図であり、図10はレーザ照射の方法を説明する説
明図である。

【００８２】図６において、（Ａ）の９は前述の実施例
２等と同様の材料で形成される立体形状を有する絶縁基
板である。この絶縁基板９の表面はプラズマ処理等によ
って表面に微細な凹凸が形成されている。以下、この絶
縁基板９に実施例１ないし３の各工程と同じ処理を行
い、（Ｂ）の立体形状の表面に分離独立した回路パター
ン10を有する回路板を形成することができる。この実施
例においても、めっきレジスト６は、通電ブリッジ部に
のみ形成すればよい。従って、従来のアディティブ法の
ように、立体形状の角部を含めて、このめっきレジスト
６を形成する必要はなく、立体形状の平面部にのみ形成
すればよいので、このレジスト形成は簡単にできる。ま
た、立体形状の全面にレジストのパターンを形成するに
は、通常、全面に薄く均一にレジスト膜を形成し、露光
し、現像しなければならない。ところが、このような立
体形状の上に全面に薄く均一にレジスト膜を形成するこ
とは困難であり、さらに露光することも立体形状全面を
一度にマスクすることが困難である。この実施例では、
以上の困難な作業が必要なく、簡単に立体回路板を形成
できる。

【００８３】以下に、この実施例におけるレーザの照射
方法について説明する。図７は上記のような立体形状の
絶縁基板９に、レーザを照射する方法および構成を説明
する斜視図である。この図において、20はレーザを発生
させるＹＡＧレーザであり、ここで発生したレーザはＸ
軸、Ｙ軸のガルバノミラー21を経由し、集光レンズ22よ
って集光され、ダイクロックミラー23を経て、立体形状
の絶縁基板９に照射される。このときＸＹテーブル24を
移動させ、想像線にて示したように、絶縁基板９を動か
すことによって、影になる面も含めて必要な部分にレー
ザを照射している。

【００８４】図８は上記とは異なるレーザの照射方法を
示したものである。この図において、25はハーフミラー
であり、このハーフミラー25を介し、ＹＡＧレーザ20よ
り出たレーザは二方向に分けられ、絶縁基板９を動かさ
ずに、立体形状の影になる部分にも照射することができ
ている。

【００８５】図９は、さらに上記とは異なる例を示した
ものであり、ガルバノミラー21を操作してレーザを二方
向に分け、絶縁基板９を動かさずに、集光レンズ22およ
びＺミラー26を介して立体形状の影になる部分にも照射
することができている。

【００８６】図10は、絶縁基板９の立体形状の段差Ｄと
集光レンズ22の焦点距離Ｓの関係を説明するもので、集
光レンズ22の焦点距離Ｓは、絶縁基板９の段差Ｄの約60
倍にすることによって、絶縁基板９上に形成されたスパ
ッタ銅皮膜８を完全に除去することが可能である。

【００８７】実施例６を図11および図12に基づいて以下
に説明する。図11はこの実施例の工程を説明する説明図
であり、図12は比較例の説明図である。この実施例では
絶縁基板１のあらかじめ分離独立した回路パターン部間
の形成されるべき表面のみを粗化し、実施例１ないし３
と同様な処理工程を経て分離独立した回路パターン部間
を形成するものである。

【００８８】図11において、（Ａ）はあらかじめ分離独
立した回路パターンの形成される部分の絶縁基板１の表
面のみを粗化した状態を示したものであり、この粗化す
る部分にＡｒＦエキシマレーザを 0.1〜0.5J/cm²の強度
で照射することによって得られる。このときの平均表面
粗度は 0.1〜 0.5μm 程度になる。また、成形金型によ
ってこの粗化パターンを得るようにしてもよい。

【００８９】このようにした後、実施例１と同様な処理
工程を行う。つまり、（Ｂ）に示すようにパラジウム３
を付着させ、（Ｃ）に示すように連続した回路パターン
の形成される部分を除いてレーザを照射し、（Ｄ）に示
す洗浄を行いこのレーザ照射部のパラジウム３ａを除去
し、無電解銅めっきを行うことによって（Ｅ）に示すよ
うに回路の形成される部分にのみ無電解銅めっき皮膜５
を形成することができる。この後さらに、めっきレジス
ト６の塗布、電解銅めっき、エッチングと行うことによ
って、分離独立した回路パターンを形成することができ
る。この他、実施例２または３の処理工程によってもよ
い。

【００９０】なお、連続した回路パターンの部分のみを
粗化することもでき、通電ブリッジ部が狭いときはこの
方が合理的である。

【００９１】（Ｆ）は（Ｅ）の想像線で示した部分の拡
大図である。図12の実施例１のように全面を粗化した例
と比べると、絶縁基板１の粗化は回路が形成されるべき
部分だけになされ、この部分の回路の密着力が高くなる
と共に、他の部分に付着したパラジウム３は深い凹凸２
に入り込んでいないため完全に除去されている。従っ
て、本実施例の回路板では、絶縁信頼性が向上すると共
に、不要部に金属膜を形成することがなく、精度のよい
回路が形成できている。

【００９２】実施例７を図13に基づいて以下に説明す
る。この実施例では、絶縁基板１のあらかじめ回路の形
成される表面とこの周辺を含んだ部分とを露出して、マ
スク形成し、回路を形成するようにしたものである。図
13はこの実施例の工程を説明する説明図である。

【００９３】図13において、（Ａ）に示すように、上記
のマスクとして金属マスク30が粗化された絶縁基板１に
施されており、この絶縁基板１にスパッタ等によって連
続した回路パターンを形成するための金属膜として，ス
パッタ銅皮膜８を形成する。以下、実施例２に示す工程
に従って、金属マスク30の除去とレーザ照射、洗浄を行
い、（Ｃ）に示すような連続した回路パターンを得た
後、めっきレジスト形成、電解めっき、エッチングを行
い、（Ｄ）に示す電解銅めっき皮膜７を主とする分離独
立した回路パターンを得ることができる。

【００９４】また、実施例１のように、無電解めっき皮
膜から成る連続した回路パターンを形成する方法による
こともでき、実施例３のようにして、分離独立した回路
パターンを形成してもよい。

【００９５】以上のように、この実施例では回路の形成
されない広い部分がマスク形成され、この部分にスパッ
タによる金属膜が形成されないので、この部分にレーザ
を照射する必要がない。従って、レーザを照射するトー
タル時間が少なくてすむので、効率よく回路を形成でき
る。

【００９６】実施例８を図14に基づいて以下に説明す
る。この実施例では、絶縁基板１の表面を酸素を含むプ
ラズマによって処理し、回路を形成するようにしたもの
である。図14はこの実施例の工程を説明する説明図であ
る。

【００９７】図14において、（Ａ）に示す絶縁基板１
を、酸素を含むプラズマとしてアルゴン／酸素＝1/1 〜
1/4 としたガスを 2〜10パスカルで導入した容器内でプ
ラズマ処理し、（Ｂ）に示すように、絶縁基板１の表面
に微細な凹凸２を形成する。この後大気にさらすことな
く、スパッタ等によって金属膜としてスパッタ銅皮膜８
を形成し、（Ｃ）の状態を得ることができる。この後、
実施例１ないし３と同様にして連続した回路パターンを
形成し、電解銅めっき等を行い、分離独立した回路パタ
ーンを形成することができる。

【００９８】また、プラズマ処理の途中からスパッタに
切替えてもよい。このようにすれば、金属膜形成の初期
には酸素が金属膜中に取り込まれ、密着力を向上させる
ことができる。

【００９９】このプラズマ処理によれば、絶縁基板１の
表面の凹凸２は深く形成されず、非常に微細に形成され
るので、強い密着力が得られると共に、不要部の金属膜
の除去は容易に行われ、このため、絶縁信頼性が高くな
ると共に、高精度な回路が得られる。なお、プラズマ処
理後、大気にさらすことなく金属膜を形成することによ
って、より強い密着力が得られる。

【０１００】実施例９を図15に基づいて以下に説明す
る。この実施例では、絶縁基板１の表面にクロム層31を
形成し、回路を形成するようにしたものである。図15は
この実施例の工程を説明する説明図である。

【０１０１】図15において、（Ａ）に示す絶縁基板１は
実施例８に示したプラズマ処理によって凹凸２を形成し
たものである。この後、（Ｂ）に示すように、スパッタ
等によってクロム層31を50〜 250オングストロームの厚
みにプリコートし、さらに、大気にさらすことなくスパ
ッタ等によって、金属膜としてスパッタ銅皮膜８を形成
し、（Ｃ）の状態を得ることができる。この後、実施例
１ないし３と同様にして連続した回路パターンを形成
し、電解銅めっき等を行い、分離独立した回路パターン
を形成することができる。

【０１０２】このようなプリコート処理によって、絶縁
基板１の表面と、金属膜との間に強い密着力を得ること
ができる。なお、プリコート後、大気にさらすことなく
金属膜を形成することによって、より強い密着力が得ら
れる。

【０１０３】実施例10を図16に基づいて以下に説明す
る。この実施例では、絶縁基板１の表面にカップリング
層32を形成し、回路を形成するようにしたものである。
図16はこの実施例の工程を説明する説明図である。

【０１０４】図16において、（Ａ）に示す絶縁基板１は
実施例８に示したプラズマ処理によって凹凸２を形成し
たものである。この後、（Ｂ）に示すように、スパッタ
等によってカップリング層32を10〜 1000 オングストロ
ームの厚みに形成し、さらに、大気にさらすことなく、
スパッタ等によって金属膜としてスパッタ銅皮膜８を形
成し、（Ｃ）の状態を得ることができる。この後、実施
例１ないし３と同ようにして連続した回路パターンを形
成し、電解銅めっき等を行い、分離独立した回路パター
ンを形成することができる。なお、カップリング層32の
形成は、アルゴン等のプラズマ中にシラン系カップリン
グ剤のモノマーを気化して導入し、形成することができ
る。

【０１０５】このようなカップリング処理によっも、絶
縁基板１の表面と、金属膜との間に強い密着力を得るこ
とができる。

【０１０６】実施例11を図17および図18に基づいて以下
に説明する。この実施例では、絶縁基板１の表面に形成
した銅またはニッケルの金属膜を、酸化または塩化し、
さらに洗浄して除去し、連続した回路パターンを形成す
るようにしている。図17および図18はこの実施例の工程
を説明する説明図である。

【０１０７】図17において、（Ａ）の図は粗化による凹
凸２を有する絶縁基板１にスパッタ等によってスパッタ
ニッッケル皮膜33を形成したものである。この後、
（Ｂ）に示すように、連続した回路パターンを除く部分
に、塩酸溶液中でＹＡＧレーザを１〜 10J/cm²の照射エ
ネルギーで照射し、このレーザ照射部を塩化し、塩化ニ
ッケル33ａとしている。そして、水等で洗浄することに
よって、このレーザ照射部を溶解させて除去し、連続し
た回路パターンを形成し、（Ｃ）の状態を得ることがで
きる。この後、実施例１ないし３と同様にして電解銅め
っき等を行い、分離独立した回路パターンを形成するこ
とができる。

【０１０８】図18は上記とは異なる連続した回路パター
ンの形成方法を示したものである。この図に示すよう
に、上記のスパッタニッケル皮膜33をスパッタ銅皮膜８
とし、レーザ照射を、大気中で0.1 〜 1J/cm² の照射エ
ネルギーで照射し、このレーザ照射部を酸化銅８ａとし
ている。そして、塩酸等で洗浄することによって、この
レーザ照射部を溶解させて除去し、連続した回路パター
ンを形成している。

【０１０９】以上のように、この実施例では、レーザの
照射エネルギーを小さくしても不要部の金属膜を除去で
きるので、絶縁基板１に損傷を与えることなく短時間で
金属膜を除去し、効率よく連続した回路パターンを形成
できる。

【０１１０】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、フォトレジスト
を使用せず、簡単に全体の回路パターンが得られると共
に、電解めっきを用いることによって、導体厚みを厚く
した独立した回路パターンを含む回路を容易に形成する
ことができる。

【０１１１】また、レーザを照射し、さらに洗浄を行っ
て付着している触媒核を完全に除去しているので、良好
な絶縁信頼性が得られると共に、精度のよい回路を効率
よく形成できる。

【０１１２】請求項２記載の発明は、無電解めっきを行
わずに、金属膜から成る連続した回路パターンが得られ
るので、工程が簡単であり、従って生産の効率が高い。
また、洗浄によって不要な金属膜が完全に除去されてい
るので、良好な絶縁信頼性が得られると共に、精度のよ
い回路が得られている。

【０１１３】請求項３記載の発明は、不要なめっきレジ
ストと通電ブリッジ部の金属膜とが同時に除去されてお
り、レジストを剥離してから、エッチング等によってこ
の部分の金属膜を除去するような二段階の工程が不要で
ある。従って、工程が簡単になっており、効率よく回路
を形成できる。

【０１１４】請求項４記載の発明は、レーザを照射する
部分は、連続した回路パターンの輪郭線の部分のみであ
って、連続した回路パターンを除く部分が広い場合に
も、この広い部分全面に渡ってレーザを照射する必要が
なく、短時間にこの工程を行うことができる。また、不
要カ所に付いためっきレジストも、連続した回路パター
ンの輪郭線の金属膜ととも同時に除去することができ
る。

【０１１５】請求項５記載の発明は、連続した回路パタ
ーンの輪郭線の部分にのみレーザを照射しているので、
連続した回路パターンを除く部分が広い場合にも、この
広い部分全面に渡ってレーザを照射する必要がなく、短
時間でこの工程を完了することができる。

【０１１６】請求項６記載の発明は、レジスト形成は通
電ブリッジ部にのみ必要であるから、立体形状の全面に
渡ってレジストを薄く均一に形成する必要がなく、簡単
に立体基板に回路を形成できる。

【０１１７】請求項７記載の発明は、絶縁基板の粗化は
回路が形成されるべき部分だけになされている。従っ
て、この部分の回路の密着力が高くなると共に、ほかの
部分に付着した触媒核およびこの部分に形成された金属
膜が深い凹凸に入り込んでいないため除去されやすく、
絶縁信頼性が向上すると共に、不要部に金属膜を形成す
ることがなく精度のよい回路が形成できる。

【０１１８】請求項８記載の発明は、絶縁基板の表面の
深い凹部に入っている触媒核または金属膜をも完全に除
去することができるため、絶縁信頼性が向上すると共
に、精度のよい回路が得られる。

【０１１９】請求項９記載の発明は、導体回路の形成さ
れない広い部分がマスク形成され、この部分に触媒核が
付着または金属膜が形成されないので、この部分にレー
ザを照射する必要がなく、レーザを照射するトータル時
間が少なくてすむので、効率よく回路を形成できる。

【０１２０】請求項１０記載の発明は、酸素を含むプラ
ズマ処理によって、導体回路の密着力が向上している。
また、絶縁基板の表面の凹凸は深く形成されないので、
不要部の触媒核および金属膜の除去は容易に行われ、絶
縁信頼性が高くなると共に、高精度な回路が得られる。

【０１２１】また、このプラズマ処理と触媒核の付着ま
たは金属膜の形成とが同時に行われることによって、効
率よく回路を形成することができる。

【０１２２】また、触媒核または金属膜として好適なパ
ラジウム、銀、金、白金、銅、ニッケル、クロムまたは
これらの合金が用いられ、品質のよい導体回路が形成さ
れる。

【０１２３】請求項１１記載の発明は、プリコート処理
によって、触媒核または金属膜と絶縁基板との密着がよ
くなるので、導体回路の密着力を高くできる。

【０１２４】請求項１２記載の発明は、カップリング処
理によって、触媒核または金属膜と絶縁基板との密着が
よくなるので、導体回路の密着力を高くできる。

【０１２５】請求項１３記載の発明は、少量のレーザの
照射によって、絶縁基板に損傷を与えず金属膜を除去す
ることができるので、レーザの照射は短時間で済み、効
率よく回路を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の工程の説明図である。

【図２】同上実施例の洗浄装置の説明図である。

【図３】同上実施例の洗浄装置の説明図である。

【図４】実施例２の工程の説明図である。

【図５】実施例４の工程の説明図である。

【図６】実施例５の工程の説明図である。

【図７】同上実施例のレーザ照射方法を説明する斜視図
である。

【図８】同上実施例のレーザ照射方法を説明する斜視図
である。

【図９】同上実施例のレーザ照射方法を説明する斜視図
である。

【図10】同上実施例のレーザ照射方法を説明する説明図
である。

【図11】実施例６の工程の説明図である。

【図12】同上実施例に対する比較例の説明図である。

【図13】実施例７の工程の説明図である。

【図14】実施例８の工程の説明図である。

【図15】実施例９の工程の説明図である。

【図16】実施例10の工程の説明図である。

【図17】実施例11の工程の説明図である。

【図18】同上実施例の別な工程の説明図である。

【符号の説明】

１絶縁基板２凹凸３パラジウム４レーザ照射部５無電解銅皮膜６めっきレジスト７電解銅皮膜８スパッタ銅皮膜９絶縁基板 10 回路パターン 21 ＹＡＧレーザ 22 ガルバノミラー 23 集光レンズ 24 ＸＹテーブル 25 ハーフミラー 26 Ｚミラー 30 メタルマスク 31 クロム層 32 カップリング層 33 真空チャンバー 34 放電用電極 35 アース電極 36 紫外線透過ガラス 37 チャンバー 38 水銀ランプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大谷隆児大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者中嶋勲二大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者鈴木俊之大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者北村啓明大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板に触媒核を付着させ、分離独立
した回路パターン部間を通電ブリッジ部によって接続
し、連続した回路パターンとなる部分を除いてレーザを
照射し、洗浄を行い、このレーザ照射部に付着している
触媒核を除去し、金属膜を無電解めっきによって析出さ
せて連続した回路パターンを形成し、通電ブリッジ部に
めっきレジストを形成し、電解めっきを行った後、通電
ブリッジ部のめっきレジストおよび金属膜を除去し、分
離独立した回路パターンを形成することを特徴とする回
路板の形成方法。
【請求項２】絶縁基板に金属膜を形成し、分離独立し
た回路パターン部間を通電ブリッジ部によって接続し、
連続した回路パターンとなる部分を除いてレーザを照射
し、洗浄を行い、このレーザ照射部の金属膜を除去して
連続した回路パターンを形成し、通電ブリッジ部にめっ
きレジストを形成し、電解めっきを行った後、通電ブリ
ッジ部のめっきレジストおよび金属膜を除去し、分離独
立した回路パターンを形成することを特徴とする回路板
の形成方法。
【請求項３】電解めっきを行った後、レーザを照射す
ることによって、めっきレジストと共に通電ブリッジ部
の金属膜を除去することを特徴とする請求項１または２
記載の回路板の形成方法。
【請求項４】絶縁基板に金属膜を形成し、分離独立し
た回路パターン部間を接続して連続した回路パターンと
している通電ブリッジ部にめっきレジストを形成した
後、連続した回路パターンの輪郭線にレーザを照射し、
洗浄を行い、この輪郭線部分の金属膜を除去し、分離独
立した回路パターンに電解めっきを行った後、通電ブリ
ッジ部のめっきレジストおよび分離独立した回路パター
ンを除く部分の金属膜を除去し、分離独立した回路パタ
ーンを形成することを特徴とする回路板の形成方法。
【請求項５】絶縁基板に触媒核を付着させ、連続した
回路パターンの輪郭線にレーザを照射し、洗浄を行い、
この輪郭線部分の触媒核を除去し、金属膜を無電解めっ
きによって析出させ、分離独立した回路パターン部間を
接続して連続した回路パターンとする通電ブリッジ部に
めっきレジストを形成し、分離独立した回路パターン部
に電解めっきを行った後、通電ブリッジ部のレジストお
よび分離独立した回路パターンを除く部分の金属膜を除
去し、分離独立した回路パターンを形成することを特徴
とする回路板の形成方法。
【請求項６】立体形状の絶縁基板を用いることを特徴
とする請求項１、２または３記載の回路板の形成方法。
【請求項７】あらかじめ回路の形成される表面を粗化
した絶縁基板を用いることを特徴とする請求項１、２ま
たは３記載の回路板の形成方法。
【請求項８】レーザの照射によって、触媒核または金
属膜と共に、絶縁基板の表面の一部も除去することを特
徴とする請求項１、２または３記載の回路板の形成方
法。
【請求項９】あらかじめ連続した回路パターンの形成
されない主要部の絶縁基板上に、直接触媒または金属膜
の付着を防止するマスクを形成した絶縁基板を用いるこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の回路板の形
成方法。
【請求項１０】絶縁基板に、酸素を含むプラズマによ
る処理を行うとともに、物理的成膜法によって触媒核を
付着または金属膜を形成することを特徴とする請求項
１、２または３記載の回路板の形成方法。
【請求項１１】絶縁基板に、チタン、アルミニウム、
クロムまたはこれらの合金を１０〜１０００オングスト
ロームの厚みにプリコート後、触媒核を付着または金属
膜を形成することを特徴とする請求項１、２または３記
載の回路板の形成方法。
【請求項１２】絶縁基板に、プラズマによるカップリ
ング処理を行った後、触媒核を付着または金属膜を形成
することを特徴とする請求項１、２または３記載の回路
板の形成方法。
【請求項１３】絶縁基板に、銅またはニッケルから成
る金属膜を無電解めっきによって析出または物理的成膜
法によって形成し、連続した回路パターンとなる部分を
除いてレーザを照射することによって、このレーザ照射
部を酸化または塩化し、このレーザ照射部を洗浄除去し
て連続した回路パターンを形成し、通電ブリッジ部にめ
っきレジストを形成し、電解めっきを行った後、通電ブ
リッジ部のめっきレジストおよび金属膜を除去し、分離
独立した回路パターンを形成することを特徴とする回路
板の形成方法。