CN102471889A - 成型电路部件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明中，代替化学蚀刻剂，照射激光而将基体的表面粗化，由此确保与非电解镀层之间的充分的密合强度。本发明具备下述工序：第1工序，将基体1成型；第2工序，照射第1激光2而将该基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分1a粗化；第3工序，向该基体的表面赋予催化剂3；第4工序，使该基体干燥；第5工序，向不成为电路的部分1b照射第2激光4，使该不成为电路的部分的催化剂的功能降低或消失；第6工序，对该成为电路部分的部分施以非电解镀层。

Description

成型电路部件的制造方法
技术领域
本发明涉及成型电路部件的制造方法，特别是涉及通过激光的照射将基体的表面粗化，对该粗化后的面施以非电解镀层的成型电路部件的制造方法。
背景技术
一直以来，通过对由合成树脂制成的基体的表面选择性施以非电解镀层来形成导电性电路，在成型电路部件的制造方法中，为了提高与该非电解镀层的密合性，需要预先对基体的表面进行蚀刻而粗化。该蚀刻的代表性方法是使用六价铬硫酸的化学蚀刻(例如参照专利文献1和2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-335781号公报
专利文献2：日本特开平10-335782号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，由于六价铬是有毒的，因此操作中伴有危险，而且为了安全地处理蚀刻液的废排水，需要进行将六价铬还原成三价铬后进行中和沉淀的处理，要求非常复杂的处理。因此，六价铬硫酸从环境上的观点考虑，被指定为禁止对制品使用的物质。此外，通过化学蚀刻进行的粗化中，由于基体的整个面被粗化，因此粗化后的面直接作为外装的情况下，需要通过涂装等进行装饰。
因此，本发明的目的是提供不使用化学蚀刻剂而将基体的表面粗化的成型电路部件的制造方法。
用于解决本发明课题的方法
为了解决上述课题，本申请发明人确认了通过激光的照射将由绝缘材料制成的基体的表面粗化，能够得到与非电解镀层的充分的密合性，从而发现可以解决以往的化学蚀刻带来的环境性的问题等。此外，通过仅向作为由绝缘材料制成的基体的表面的、后工序中叠层非电解镀层的成为电路的部分选择性照射激光而进行粗化，从而可以大幅度缩短粗化时间，并且通过回避不成为电路的部分的粗化，从而可以不需要通过涂装等进行装饰。
即，本发明的成型电路部件的制造方法的第1特征是，具备下述工序：第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型；第2工序，照射第1激光而将上述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化；第3工序，将上述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂；第4工序，使上述基体的表面干燥，使上述催化剂固定在该基体的表面上；第5工序，向作为所述基体的表面的、不成为电路的部分照射第2激光，使固定于该不成为电路的部分的上述催化剂的功能降低或消失；第6工序，向作为上述1的基体的表面的、上述成为电路的部分施以非电解镀层。
这里，重点是，在第2工序中，照射第1激光而仅将上述基体的表面中成为电路的部分选择性粗化的情况下，第5工序中，也需要使固定于不成为电路的部分的上述催化剂的功能降低或消失。即在第2工序中，仅将成为电路的部分选择性粗化的情况下，可以确保该被粗化后的成为电路的部分与非电解镀层的牢固密合性，而未被粗化的不成为电路的部分虽然密合性低，但是也会形成非电解镀层，因而变得难以精密地形成成为电路的部分。因此在第2工序中，即使仅将成为电路的部分选择性粗化的情况下，在第5工序中，也需要使固定于不成为电路的部分的上述催化剂的功能降低或消失。
此外，在催化剂赋予后的基体的表面中，如果使照射第2激光的范围不是上述的不成为电路的部分，而是成为电路的部分与不成为电路的部分的边界，使固定于该边界的催化剂的功能降低或消失，则通过之后的工序中的非电解镀层，不能在成为电路的部分与不成为电路的部分的边界形成非电解镀层。因此，在成为电路的部分与不成为电路的部分形成的非电解镀层通过边界而被电气分离，因此能够仅向成为电路的部分的非电解镀层通电，叠层电镀层。这里成为电路的部分的电镀层可以比非电解镀层容易增厚，因此能够通过软蚀刻等而容易地仅除去在不成为电路的部分形成的非电解镀层。
即本发明的成型电路部件的制造方法的第2特征是，具备下述工序：第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型；第2工序，照射第1激光而将上述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化；第3工序，将上述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂；第4工序，使上述基体的表面干燥，使上述催化剂固定在该基体的表面上；第5工序，向作为上述基体的表面的、上述成为电路的部分与不成为电路的部分的边界照射第2激光，使固定于该边界的上述催化剂的功能降低或消失；第6工序，向作为上述基体的表面的、上述成为电路的部分和不成为电路的部分施以非电解镀层；第7工序，向作为上述基体的表面的、上述成为电路的部分的非电解镀层的表面施以电镀层，第8工序，通过蚀刻来除去作为上述基体的表面的、上述不成为电路的部分的非电解镀层。
另外，第2工序中，照射第1激光而仅将上述基体的表面中成为电路的部分选择性粗化的情况下，第5工序中，也需要使固定于成为电路的部分与不成为电路的部分的边界的上述催化剂的功能降低或消失。原因是，如上所述，如果不使固定于该边界的上述催化剂的功能降低或消失，则密合性低，在该边界也会形成非电解镀层。
此外，如果将由绝缘材料制成的基体的表面粗化并赋予催化剂后，对该基体的整个表面施以非电解镀层，仅对不成为电路的部分的非电解镀层选择性照射激光而将其除去，则可以形成由非电解镀层形成的电路。即本发明的成型电路部件的制造方法的第3特征是，具备下述工序：第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型；第2工序，照射第1激光而将上述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化；第3工序，将上述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂；第4工序，向上述基体的表面施以非电解镀层；第5工序，向作为上述基体的表面的、不成为电路的部分照射第2激光，除去该不成为电路的部分的上述非电解镀层。
另外，第2工序中，照射第1激光而仅将上述基体的表面中成为电路的部分选择性粗化的情况下，第5工序中，也需要对在不成为电路的部分形成的非电解镀层照射激光而将其除去。原因是，如上所述，在未被粗化的不成为电路的部分，虽然密合性低，但由于也形成了非电解镀层，因此需要除去该成为电路的部分的非电解镀层。
此外，如果将由绝缘材料制成的基体的表面粗化并赋予催化剂后，对该基体的整个表面施以非电解镀层，对成为电路的部分与不成为电路的部分的边界处的非电解镀层选择性照射激光而将其除去，则可以将在成为电路的部分与不成为电路的部分形成的非电解镀层电气分离。因此能够仅向成为电路的部分的非电解镀层通电，再叠层电镀层。这里，成为电路的部分的电镀层可以比非电解镀层容易增厚，因此在不成为电路的部分形成的非电解镀层可以如上所述通过软蚀刻等而容易地除去。
即本发明的成型电路部件的制造方法的第4特征是，具备下述工序：第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型；第2工序，照射第1激光而将上述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化；第3工序，将上述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂；第4工序，向上述基体的表面施以非电解镀层；第5工序，向作为上述基体的表面的、上述成为电路的部分与不成为电路的部分的边界照射第2激光，除去施于该边界的上述非电解镀层；第6工序，向作为上述基体的表面的、上述成为电路的部分的非电解镀层的表面施以电镀层；第7工序，通过蚀刻来除去作为上述基体的表面的、上述不成为电路的部分的非电解镀层。
另外第2工序中，照射第1激光而仅将上述基体的表面中成为电路的部分选择性粗化的情况下，第5工序中，也需要对在成为电路的部分与不成为电路的部分的边界形成的非电解镀层照射激光而将其除去。如上所述，在未被粗化的部分，虽然密合性低，但也形成了非电解镀层。因此由于在边界处也形成了非电解镀层，因此需要除去形成于该边界的非电解镀层，确保成为电路的部分与不成为电路的部分的电绝缘。
不过，优选如下构成：上述第2工序中，照射上述第1激光而仅将上述基体的表面中成为电路的部分粗化的情况下，上述第5工序中，从上述成为电路的部分的周缘向着该成为电路的部分的内侧重叠规定宽度的方式照射上述第2激光。
即第2工序中，仅将成为电路的部分粗化，然后在第5工序中，向不成为电路的部分、或成为电路的部分与不成为电路的部分的边界再次照射第2激光的情况下，需要沿着该被粗化后的成为电路的部分的周缘，准确地照射第2激光。即第2激光从被粗化后的成为电路的部分的周缘向外侧偏离而照射的情况下，该向外侧偏离的部分中，催化剂的功能不降低或不消失，或者不能除去非电解镀层，因此难以形成精密的导电性电路。另一方面，沿着被粗化后的成为电路的部分的周缘，准确地照射第2激光是极其困难的。
因此，再次照射第2激光的情况下，如果以从被粗化后的成为电路的部分的周缘向内侧侵入某种程度宽度的方式照射，则可以容易并且确实地防止未被粗化的部分中产生未照射的部分。因此，如果将从被粗化后的成为电路的部分的周缘向内侧侵入某种程度宽度的范围预先设定为成为电路的部分，则可以在新的成为电路的部分准确并且容易地形成导电性电路。
这里“由绝缘材料制成的基体”的“绝缘材料”适合为例如合成树脂、陶瓷或玻璃。作为合成树脂，优选为热塑性树脂，也可以是热固性树脂，作为上述树脂，适合为例如芳香族系液晶聚合物、聚醚醚酮、聚砜、聚醚聚砜、聚芳基砜、聚醚酰亚胺、聚酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚树脂、聚酰胺、改性聚苯醚树脂、降冰片烯树脂、酚树脂、环氧树脂。
“基体”是指可以在其表面上形成导电性电路的部件，无论其形状如何均可。适合为例如膜状基体、平板状基体、多边形块状基体、表面为曲面状的基体、或棒状基体，也包括包含多个部件的情况。此外，不限于基体本身由绝缘性材料制成的情况，也包括用绝缘性材料覆盖导电性部件表面而成的基体。“第1激光”和“第1激光”可以并用相同的激光的照射装置，只要能够进行划线(scribing)、精修(trimming)等微量除去，则无论其种类如何均可。适合例如YAG激光、二次谐波激光、CO2激光和Ar激光等。
“基体的表面”是指基体的整个表面。“粗化”是指通过上述的第1激光使基体的表面层熔融或升华，更具体而言，是指用透镜将第1激光聚光得到的光束呈脉冲状照射，同时沿着基体的表面扫描，从而在基体的表面层中使微小部分熔融或升华，形成细的凹凸。“催化剂赋予”是指例如在锡、钯系的混合催化剂液中浸渍了基体后，用盐酸、硫酸等酸活化，使钯析出到表面，或者，使氯化亚锡等较强还原剂吸附于表面，浸渍在包含金等贵金属离子的催化剂液中，使金析出到表面。“使催化剂的功能降低或消失”是指照射第2激光，将附着于基体表面的催化剂的一部分或全部升华而除去。
作为“非电解镀层”，可以使用公知的非电解镀层，镀层金属适合为例如铜、镍、镍合金、或银、金等贵金属。此外，也包括再次镀敷同种金属或异种金属的情况。作为“电镀层”，可以使用公知的电镀层，镀层金属适合为例如铜、镍、金、银、或它们的合金。此外，也包括再次镀敷同种金属或异种金属的情况。“通过蚀刻来除去非电解镀层”的“蚀刻”方法只要是可以溶解非电解镀层的镀层金属的方法即可，适合为例如浸渍在溶解了氯化铁的硫酸的水溶液、过硫酸钠的水溶液中。
发明的效果
通过向由绝缘材料制成的基体的表面照射激光而粗化，可获得与非电解镀层的充分的密合性，并且可以解决以往的化学蚀刻带来的环境性的问题。此外，后工序中，通过仅向叠层非电解镀层的成为电路的部分选择性照射激光而粗化，可以使粗化时间大幅度缩短，并且通过回避不成为电路的部分的粗化，能够不需要通过涂装等进行加饰。
将基体的表面粗化后赋予催化剂，再向成为电路的部分与不成为电路的部分的边界照射第2激光，使该边界的部分的催化剂功能降低或消失，从而将在成为电路的部分成型的非电解镀层与在不成为电路的部分成型的非电解镀层电绝缘。因此，可以仅对在成为电路的部分成型的非电解镀层的表面准确并且容易地叠层电镀层。
将基体的表面粗化后赋予催化剂，在整个表面形成非电解镀层，残留成为电路的部分，照射第2激光而除去不成为电路的部分的非电解镀层，从而可以准确并且容易地成型由非电解镀层形成的导电性电路。此外，在基体的整个表面形成非电解镀层，对成为电路的部分与不成为电路的部分的边界的部分，通过照射第2激光而除去非电解镀层，从而能够将在成为电路的部分成型的非电解镀层与在不成为电路的部分成型的非电解镀层电绝缘。因此，可以仅在成为电路的部分成型的非电解镀层的表面准确并且容易地叠层电镀层。
此外，照射第1激光而仅将基体的表面中成为电路的部分选择性粗化的情况下，向不成为电路的部分、或成为电路的部分与不成为电路的部分的边界再次照射第2激光，从而可以防止在未被粗化的部分成型或残存与基体的密合性低的非电解镀层。此外，照射第1激光而仅将基体的表面中成为电路的部分选择性粗化的情况下，从成为电路的部分的周缘向着该成为电路的部分的内侧以规定宽度重叠的方式照射第2激光，从而可以准确并且容易地形成导电性电路。
附图说明
图1是显示成型电路部件的制造方法的工序图。
图2是显示成型电路部件的制造方法的其它工序图。
图3是显示成型电路部件的制造方法的其它工序图。
图4是显示成型电路部件的制造方法的其它工序图。
图5是显示以相对于成为电路的部分重叠的方式照射第2激光的原因的说明图。
符号的说明
1、101～301      基体
1a、101a 301a    成为电路的部分
1b、101b～301b   不成为电路的部分
101c、301c       边界
1e               重叠
2、102～302      第1激光
3、103～303      催化剂
4、104～304      第2激光
5、105～305      非电解镀层
106、306         电镀层
具体实施方式
参照图1图5说明本发明的成型电路部件的制造方法。如图1所示，本发明的成型电路部件的制造方法具备第1工序～第6工序((图A)～(图F))。第1工序(图A)中，将作为热塑性树脂的聚醚酮(例如，Victrex社的商品“Victrex#450”)注射成型，成型基体1。接下来在第2工序(图B)中，照射第1激光2，仅将基体1的表面中成为电路的部分1a选择性粗化。另外，可以照射第1激光2而将基体1的整个表面粗化。这里第1激光2为例如二次谐波，并在输出功率6W、扫描速度1000mm/秒、Q转换频率30kHz的条件下扫描3次。粗化后的面从基体1的表面凹下深12μm左右。
接下来的第3工序(图C)中，将基体1浸渍在催化剂液中，向该基体的整个表面赋予用于非电解镀层的催化剂3。另外，催化剂3的赋予能够使用公知的方法，例如，在锡、钯系的混合催化剂液中浸渍基体1后，用盐酸、硫酸等酸活化，使钯析出到表面。或者，可以使氯化亚锡等较强还原剂吸附于表面，浸渍在包含金等贵金属离子的催化剂液中，使金析出到表面。接下来的第4工序(图D)中，作为再接下来的第5工序中干式加工的第2激光4的照射的前工序，使赋予了催化剂3的基体1的表面干燥，使该催化剂固定于该基体的表面。
第5工序(图E)中，向作为基体1的表面的、不成为电路的部分1b照射第2激光4，使固定于该不成为电路的部分的催化剂3消失。这里第2激光4，如图E的局部放大图所示，从成为电路的部分1a的周缘向着该成为电路的部分的内侧以规定宽度重叠1e的方式照射。另外关于其理由等，在下文中详述。第2激光4例如为第二谐波，并在输出功率6W、扫描速度500mm/秒、Q转换频率30kHz的条件下扫描3次。照射了第2激光4的面从基体1的表面凹下深42μm左右。
最后的第6工序(图F)中，向保持催化剂3的功能的成为电路的部分1a施以非电解镀层5。另外对于不成为电路的部分1b，通过前工序中的第2激光4的照射，从而催化剂3消失，因此非电解镀层5不析出。这里非电解镀层5可以使用公知的方法。例如非电解镀铜的情况下，将作为金属盐的硫酸铜5～15g/升、作为还原剂的福尔马林的37体积％的溶液8～12毫升/升、作为络合材料的罗谢尔盐20～25g/升、以及作为碱性剂的氢氧化钠5～12g/升混合而成的镀敷液保持在温度20℃而使用。另外，可以代替非电解镀铜而进行非电解镀镍。此外，也可以容易地在非电解镀层上再次进行其它金属的非电解镀层或电镀层。
图2显示本发明的成型电路部件的其它制造方法。该制造方法具备第1工序～第8工序((图A)～(图H))，第1工序至第4工序((图A)～(图D))与图1所示的第1工序至第4工序是相同的。另外为了方便参照等，与图1所示的部件或部位相同的部件或部位其编号为在图1所示的部件编号上一律加上100(图3和图4中也是同样地，编号为在图1所示的部件编号上一律加上200和300。)。
此外，第5工序(图E)中，如E的局部放大图所示，向作为基体101的表面的、成为电路的部分101a与不成为电路的部分101b的边界101c照射第2激光104，使固定于该边界的催化剂103消失。另外，第2激光104的规格、作用与图1中说明的第2激光4是相同的。此外，第2激光104以进入成为电路的部分101a的方式重叠照射。
接下来的第6工序(图F)中，向作为基体101的表面的、成为电路的部分101a与不成为电路的部分101b施以非电解镀层105。这里成为电路的部分101a与不成为电路的部分101b的边界101c，由于在前工序中催化剂103消失，因此不能形成非电解镀层105，该成为电路的部分与不成为电路的部分为电绝缘状态。因此接下来的第7工序(图G)中，向作为基体101的表面的、成为电路的部分101a的非电解镀层105的表面通电，施以电镀层106。另外，电镀层106可以使用公知的方法，例如电镀铜的情况下，镀浴组成为例如CuSO4·5H2O(75g)/lH2SO4(190g)/lCl(60ppm)/添加剂(适量)。此外，使阳极材料为含磷铜，将镀浴温度设定为25℃，使阴极电流密度为2.5A/dm2。
最后的第8工序(图H)中，通过蚀刻来除去作为基体101的表面的、不成为电路的部分101b的非电解镀层105。即前工序中的电镀层106，与非电解镀层105相比，可以容易地增厚。因此，如果使电镀层106的镀层厚度相对于非电解镀层105为充分大，则可以通过蚀刻来仅除去厚度薄的非电解镀层。这里作为蚀刻，例如将基体101在过硫酸钠水溶液中浸渍1分钟。
接下来的图3显示本发明的成型电路部件的其它制造方法。该制造方法具备第1工序～第5工序((图A)～(图E))，第1工序至第3工序((图A)～(图C))与图1所示的第1工序至第3工序是相同的。此外，第4工序(图D)中，对基体201的整个表面施以非电解镀层205。另外，非电解镀层205的方法与图1中说明的方法是相同的。
然后第5工序(图E)中，仅向不成为电路的部分201b选择性照射第2激光204，而除去在该不成为电路的部分成型的非电解镀层205。另外第2激光204的规格和作用与图1中说明的第2激光是相同的。此外，第2激光204以进入成为电路的部分201a的方式重叠照射。而且也可以容易地在形成于成为电路的部分201a的非电解镀层205上再次叠层电镀层。
接下来的图4显示本发明的成型电路部件的其它制造方法。该制造方法具备第1工序～第7工序((图A)～(图G))，第1工序至第4工序((图A)～(图D))与图3所示第1工序至第4工序是相同的。此外，第5工序(图E)中，向作为基体301的表面的、成为电路的部分301a与不成为电路的部分301b的边界301c照射第2激光304，除去施于该边界处的非电解镀层305。另外第2激光304的规格和作用与图1中说明的第2激光是相同的。此外，第2激光304以进入成为电路的部分301a的方式重叠照射。
接下来的第6工序(图F)中，向与不成为电路的部分301b电绝缘的、成为电路的部分301a的非电解镀层305通电，再次施以电镀层306。另外电镀层306的方法与图2中说明的方法是相同的。此外，电镀层306以与非电解镀层305相比为充分的镀层厚度形成。最后的第8工序(图H)中，通过蚀刻来除去不成为电路的部分301b的非电解镀层305。另外蚀刻的方法与图2中说明的方法是相同的。
最后参照图5再次说明通过第1激光2等的照射而仅将基体1等的表面中成为电路的部分1a等选择性粗化的情况下，将后工序中的第2激光4等与该成为电路的部分重叠照射的技术意义。即如图5(A)所示，通过第1激光2的照射，仅将基体1的表面中成为电路的部分1a选择性粗化，后工序中照射第2激光4的情况下，沿着通过该第1激光的照射而粗化后的成为电路的部分的周缘，准确地照射第2激光4是极其困难的。
因此如图5(B)所示，关于第2激光4的照射范围，从通过第1激光2的照射而粗化后的成为电路的部分1a向外侧偏离，在该粗化后的成为电路的部分的周缘与第2激光4的照射范围之间残留未照射的部分1d的可能性高。上述情况下，由于未照射的部分1d中的催化剂功能未消失，因此在该部分析出非电解镀层，或者在该未照射的部分残存非电解镀层5。这样，如果未照射的部分1d存在非电解镀层，则产生难以形成精密的导电性电路的问题等。
因此如图5(C)所示，照射第2激光4的情况下，如果以从被粗化后的成为电路的部分1a的周缘向内侧侵入某种程度宽度的方式重叠1e地照射，则可以容易并且确实地防止产生作为未被粗化的部分的、未照射的部分。因此，如果将从被粗化后的成为电路的部分1a的周缘除去了重叠1e后的剩下部分预先设定为成为电路的部分1a，则可以在新的成为电路的部分准确并且容易地形成导电性电路。
关于上述的非电解镀层5等与通过第1激光2的照射而被粗化后的基体1等的密合强度，进行剥离强度试验，结果剥离强度为1.5～2.0kg/cm，确认了与现有技术的通过化学蚀刻进行的粗化具有相同的密合强度。
产业可利用性
为了能够确保与非电解镀层之间充分的密合强度，可以不使用化学蚀刻剂而将基体的表面粗化。因此可以广泛用于与电子设备等相关的产业。

Claims (5)

1.一种成型电路部件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型，
第2工序，照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化，
第3工序，将所述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂，
第4工序，使所述基体的表面干燥，使所述催化剂固定在该基体的表面上，
第5工序，向作为所述基体的表面的、不成为电路的部分照射第2激光，使固定于该不成为电路的部分的所述催化剂的功能降低或消失，
第6工序，向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分施以非电解镀层。
2.一种成型电路部件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型，
第2工序，照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化，
第3工序，将所述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂，
第4工序，使所述基体的表面干燥，使所述催化剂固定在该基体的表面上，
第5工序，向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分与不成为电路的部分的边界照射第2激光，使固定于该边界的所述催化剂的功能降低或消失，
第6工序，向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分和不成为电路的部分施以非电解镀层，
第7工序，向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分的非电解镀层的表面施以电镀层，
第8工序，通过蚀刻来除去作为所述基体的表面的、所述不成为电路的部分的非电解镀层。
3.一种成型电路部件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型，
第2工序，照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化，
第3工序，将所述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂，
第4工序，向所述基体的表面施以非电解镀层，
第5工序，向作为所述基体的表面的、不成为电路的部分照射第2激光，除去该不成为电路的部分的所述非电解镀层。
4.一种成型电路部件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
第1工序，将由绝缘材料制成的基体成型，
第2工序，照射第1激光而将所述基体的表面粗化或仅将该表面中成为电路的部分粗化，
第3工序，将所述基体浸渍在催化剂液中，向该基体的表面赋予用于非电解镀层的催化剂，
第4工序，向所述基体的表面施以非电解镀层，
第5工序，向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分与不成为电路的部分的边界照射第2激光，除去施于该边界的所述非电解镀层，
第6工序，向作为所述基体的表面的、所述成为电路的部分的非电解镀层的表面施以电镀层，
第7工序，通过蚀刻来除去作为所述基体的表面的、所述不成为电路的部分的非电解镀层。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的成型电路部件的制造方法，其特征在于，在所述第2工序中，照射所述第1激光而仅将所述基体的表面中成为电路的部分粗化，
在所述第5工序中，以从所述成为电路的部分的周缘向着该成为电路的部分的内侧重叠规定宽度的方式照射所述第2激光。
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