CN115806446A - 一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺 - Google Patents

一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN115806446A
CN115806446A CN202211509410.XA CN202211509410A CN115806446A CN 115806446 A CN115806446 A CN 115806446A CN 202211509410 A CN202211509410 A CN 202211509410A CN 115806446 A CN115806446 A CN 115806446A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plating
product
nickel
gold
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211509410.XA
Other languages
English (en)
Inventor
毛利坚
毛利彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Fengjingtuo Electronic Co ltd
Original Assignee
Kunshan Fengjingtuo Electronic Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Fengjingtuo Electronic Co ltd filed Critical Kunshan Fengjingtuo Electronic Co ltd
Priority to CN202211509410.XA priority Critical patent/CN115806446A/zh
Publication of CN115806446A publication Critical patent/CN115806446A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25Process efficiency

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明涉及陶瓷基材化学镀技术领域,具体涉及一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺;激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化,真空镀,将粗化后的陶瓷进行真空镀处理,获得基底金属层,激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,获得目标图形,得到产品,化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层,通过上述步骤实现满足陶瓷基材选择性区域的图案金属化,从而实现所需的电气性能。

Description

一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺
技术领域
本发明涉及陶瓷基材化学镀技术领域,尤其涉及一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺。
背景技术
陶瓷电镀为化学粗化后腐蚀掉部分陶瓷基材,在表面形成高低不平的凹坑结构,经钯活化和打底工序在其表面形成基底金属层,再经电镀后得到较厚的复合金属镀层,其中化学粗化是影响镀层结合力的最主要因素。
在上述步骤中,陶瓷基材电镀通过化学粗化,再通过活化、打底镍和电镀工艺金属整体金属化,无法满足选择性区域的图案金属化,而无法实现所需的电气性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,旨在解决现有技术中的陶瓷基材在化学镀过程中,无法满足选择性区域的图案金属化,而无法实现所需的电气性能的技术问题。
为实现上述目的,本发明采用的一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,包括如下步骤:
激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化;
真空镀,将粗化后的陶瓷进行真空镀处理,获得基底金属层;
激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,获得目标图形,得到产品;
化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层。
其中,其特征在于,在激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化的步骤中:
激光粗化的功率为5~7W,速度为1m/s,频率为40~60KHZ,波长为1064nm。
其中,在真空镀,将粗化后的陶瓷进行真空镀处理的步骤中:
采用物理气相沉淀真空镀方式,物理气相沉淀真空镀的氩气流速为300-400ml/s,功率为10-14KW,往复次数Ni/Gr5次,往复次数Cu9次,载板运行速率为2m/min。
其中,在激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,获得目标图形,得到产品的步骤中:
激光切割的功率为3-4W,速度为0.6m/s,频率为40-60KHZ,波长为355nm。
其中,在化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层的步骤中,化学镀铜镍金过程为:
将产品进行除油;
将除油后的产品进行酸洗;
将酸洗后的产品进行化学镀铜;
将产品进行钯活化;
将产品进行化学镀镍;
将产品进行化学镀金;
将化学镀铜镍金后的产品进行烘干。
其中,在化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层的步骤中:
除油反应条件为:除油粉浓度为30~70g/L,时间为~10min,温度为40~60℃;酸洗反应条件为:H2SO4浓度为3~5%,时间为3~5min,温度为30~50℃;化学镀铜反应条件为:NaOH为3~4g/L,HCHO为2~4g/L,Cu2+为2~3g/L,EDTA为0.1~0.14mol/L,时间为4~6H,温度为48~52℃;钯活化反应条件为:Pd+为15~25ppm,H2SO4为3~5%v/V,时间为3~5min,温度为25~35℃;化学镀镍反应条件为:Ni2+为5~6g/L,PH为4.5~5,时间为10~25min,温度为78~82℃;化学镀金反应条件为:Au+为0.2~0.5g/L,络合剂为80~120ml/L,时间为8~12min,温度为78~82℃;烘干反应条件为:时间为60~120mins,温度为70~80℃。
本发明的一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,通过激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化,使用激光粗化代替化学粗化,减少了对环境的污染;真空镀,将粗化后的陶瓷进行真空镀处理,获得基底金属层;激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,获得目标图形,得到产品;化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层,实现了多个非连接区域的塑胶金属化,满足陶瓷基材选择性区域的图案金属化,从而实现所需的电气性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺的步骤流程图。
图2是本发明的产品进行化学镀铜镍金的步骤流程图。
具体实施方式
请参阅图1和图2,其中图1是基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺的步骤流程图,图2是产品进行化学镀铜镍金的步骤流程图。
本发明提供了一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,包括如下步骤:
S1:激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化,激光粗化的功率为5~7W,速度为1m/s,频率为40~60KHZ,波长为1064nm;
S2:真空镀,将粗化后的陶瓷采用物理气相沉淀真空镀方式进行真空镀处理,物理气相沉淀真空镀的氩气流速为300-400ml/s,功率为10-14KW,往复次数Ni/Gr5次,往复次数Cu9次,载板运行速率为2m/min,获得基底金属层;
S3:激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,激光切割的功率为3-4W,速度为0.6m/s,频率为40-60KHZ,波长为355nm,获得目标图形,得到产品;
S4:化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层。
在本实施方式中,首先进行激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化,激光粗化的功率为5~7W,速度为1m/s,频率为40~60KHZ,波长为1064nm,使用激光粗化代替化学粗化,减少了对环境的污染,然后进行真空镀,将粗化后的陶瓷采用物理气相沉淀真空镀方式进行真空镀处理,物理气相沉淀真空镀的氩气流速为300-400ml/s,功率为10-14KW,往复次数Ni/Gr5次,往复次数Cu9次,载板运行速率为2m/min,获得基底金属层,再进行激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,激光切割的功率为3-4W,速度为0.6m/s,频率为40-60KHZ,波长为355nm,获得目标图形,得到产品,最进行化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层,实现了多个非连接区域的塑胶金属化,满足陶瓷基材选择性区域的图案金属化,从而实现所需的电气性能。
进一步地,在化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层的步骤中:
S41:将产品进行除油,除油反应条件为:除油粉浓度为30~70g/L,时间为~10min,温度为40~60℃;
S42:将除油后的产品进行酸洗,酸洗反应条件为:H2SO4浓度为3~5%,时间为3~5min,温度为30~50℃;
S43:将酸洗后的产品进行化学镀铜,化学镀铜反应条件为:NaOH为3~4g/L,HCHO为2~4g/L,Cu2+为2~3g/L,EDTA为0.1~0.14mol/L,时间为4~6H,温度为48~52℃;
S44:将产品进行钯活化,钯活化反应条件为:Pd+为15~25ppm,H2SO4为3~5%v/V,时间为3~5min,温度为25~35℃;
S45:将产品进行化学镀镍,化学镀镍反应条件为:Ni2+为5~6g/L,PH为4.5~5,时间为10~25min,温度为78~82℃;
S46:将产品进行化学镀金,化学镀金反应条件为:Au+为0.2~0.5g/L,络合剂为80~120ml/L,时间为8~12min,温度为78~82℃;
S47:将化学镀铜镍金后的产品进行烘干,烘干反应条件为:时间为60~120mins,温度为70~80℃。
在本实施方式中,首先将产品进行除油,除油反应条件为:除油粉浓度为30~70g/L,时间为~10min,温度为40~60℃,再将除油后的产品进行酸洗,酸洗反应条件为:H2SO4浓度为3~5%,时间为3~5min,温度为30~50℃,然后将酸洗后的产品进行化学镀铜,化学镀铜反应条件为:NaOH为3~4g/L,HCHO为2~4g/L,Cu2+为2~3g/L,EDTA为0.1~0.14mol/L,时间为4~6H,温度为48~52℃,再将产品进行钯活化,钯活化反应条件为:Pd+为15~25ppm,H2SO4为3~5%v/V,时间为3~5min,温度为25~35℃,再将产品进行化学镀镍,化学镀镍反应条件为:Ni2+为5~6g/L,PH为4.5~5,时间为10~25min,温度为78~82℃,接着将产品进行化学镀金,化学镀金反应条件为:Au+为0.2~0.5g/L,络合剂为80~120ml/L,时间为8~12min,温度为78~82℃,最后将化学镀铜镍金后的产品进行烘干,烘干反应条件为:时间为60~120mins,温度为70~80℃,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层,实现了多个非连接区域的塑胶金属化,满足陶瓷基材选择性区域的图案金属化,从而实现所需的电气性能。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本发明权利要求所作的等同变化,仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (6)

1.一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,其特征在于,包括如下步骤:
激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化;
真空镀,将粗化后的陶瓷进行真空镀处理,获得基底金属层;
激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,获得目标图形,得到产品;
化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层。
2.如权利要求1所述的基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,其特征在于,在激光粗化,通过激光镭射对陶瓷表面进行物理粗化的步骤中:
激光粗化的功率为5~7W,速度为1m/s,频率为40~60KHZ,波长为1064nm。
3.如权利要求1所述的基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,其特征在于,在真空镀,将粗化后的陶瓷进行真空镀处理的步骤中:
采用物理气相沉淀真空镀方式,物理气相沉淀真空镀的氩气流速为300-400ml/s,功率为10-14KW,往复次数Ni/Gr5次,往复次数Cu9次,载板运行速率为2m/min。
4.如权利要求1所述的基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,其特征在于,在激光切割,使用激光切割除去基底金属层中不需要的图案,获得目标图形,得到产品的步骤中:
激光切割的功率为3-4W,速度为0.6m/s,频率为40-60KHZ,波长为355nm。
5.如权利要求1所述的基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,其特征在于,在化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层的步骤中,化学镀铜镍金过程为:
将产品进行除油;
将除油后的产品进行酸洗;
将酸洗后的产品进行化学镀铜;
将产品进行钯活化;
将产品进行化学镀镍;
将产品进行化学镀金;
将化学镀铜镍金后的产品进行烘干。
6.如权利要求5所述的基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺,其特征在于,在化学镀铜镍金,将产品进行化学镀铜、镍、金,获得对应厚度的金属层的步骤中:
除油反应条件为:除油粉浓度为30~70g/L,时间为~10min,温度为40~60℃;酸洗反应条件为:H2SO4浓度为3~5%,时间为3~5min,温度为30~50℃;化学镀铜反应条件为:NaOH为3~4g/L,HCHO为2~4g/L,Cu2+为2~3g/L,EDTA为0.1~0.14mol/L,时间为4~6H,温度为48~52℃;钯活化反应条件为:Pd+为15~25ppm,H2SO4为3~5%v/V,时间为3~5min,温度为25~35℃;化学镀镍反应条件为:Ni2+为5~6g/L,PH为4.5~5,时间为10~25min,温度为78~82℃;化学镀金反应条件为:Au+为0.2~0.5g/L,络合剂为80~120ml/L,时间为8~12min,温度为78~82℃;烘干反应条件为:时间为60~120mins,温度为70~80℃。
CN202211509410.XA 2022-11-29 2022-11-29 一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺 Pending CN115806446A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211509410.XA CN115806446A (zh) 2022-11-29 2022-11-29 一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211509410.XA CN115806446A (zh) 2022-11-29 2022-11-29 一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115806446A true CN115806446A (zh) 2023-03-17

Family

ID=85484577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211509410.XA Pending CN115806446A (zh) 2022-11-29 2022-11-29 一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115806446A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117966136A (zh) * 2024-01-31 2024-05-03 南京航空航天大学 一种激光辅助化学镀制备精细陶瓷电路板的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120107522A1 (en) * 2009-07-10 2012-05-03 Sankyo Kasei Co., Ltd. Method for producing formed circuit component

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120107522A1 (en) * 2009-07-10 2012-05-03 Sankyo Kasei Co., Ltd. Method for producing formed circuit component

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
赵时璐 著,冶金工业出版社: "《高性能刀具及涂层刀具材料的切削性能》" *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117966136A (zh) * 2024-01-31 2024-05-03 南京航空航天大学 一种激光辅助化学镀制备精细陶瓷电路板的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5461988B2 (ja) 金属積層ポリイミド基盤及びその製造方法
AU2002216953A1 (en) Method for electroless nickel plating
CN115806446A (zh) 一种基于陶瓷基材选择性区域化学镀工艺
TW200930561A (en) Metal covered polyimide composite, process for producing the composite, and apparatus for producing the composite
CN111472030A (zh) 锰锌铁氧体化学粗化电镀工艺
CN111635261A (zh) 一种陶瓷导电材料及其制备方法
CN112376098B (zh) 一种钼铜合金表面电镀的方法
CN112725796A (zh) 一种提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、提高镀层制备效率的工艺
JP3615033B2 (ja) 2層フレキシブル基板の製造方法
CN108866548B (zh) 一种金属镀层及其制备方法和应用
JPH11220255A (ja) 多層プリント回路板の製造方法
CN113584537A (zh) 一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔及其制造方法
CN113463071A (zh) 化镀方法
CN110029331B (zh) 一种用于非金属材料化学镀铜的敏化液及其敏化工艺
CN212741167U (zh) 一种介电陶瓷元件
CN112323049A (zh) 一种高温共烧陶瓷的二次金属化工艺
CN101974741A (zh) 一种在聚四氟乙烯薄膜表面化学镀的方法
CN103233212A (zh) 一种木材表面镀镍铜磷三元合金的方法
CN113774366B (zh) 一种铝合金表面镀敷工艺
CN113831154B (zh) 一种介电陶瓷表面金属化的方法及采用该方法制备的介电陶瓷元件
CN101960055B (zh) Rf装置的镀覆方法以及用该方法制造的rf装置
CN115896761A (zh) 一种基于普通塑胶选择性区域化学镀工艺
JP2003253454A (ja) 電子部品のめっき方法、及び電子部品
CN115449875A (zh) 一种基于普通塑胶选择性区域电镀工艺
CN109989078B (zh) 一种铝基材上电镀铜前处理的Ag活化方法及电镀铜的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20230317