JPS60149783A - 選択的メツキ方法 - Google Patents
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- JPS60149783A JPS60149783A JP611784A JP611784A JPS60149783A JP S60149783 A JPS60149783 A JP S60149783A JP 611784 A JP611784 A JP 611784A JP 611784 A JP611784 A JP 611784A JP S60149783 A JPS60149783 A JP S60149783A
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- chemical
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、合成樹脂基板やシリコンその他の磁器基板、
或いは金属酸化物等の如き２Ｆ導電性乃金は絶縁性等の
不良導電性体の表面、マスキング等を施すことなく部分
的又は選択的にメンキして、種々の複雑かつ微細な金属
析出パターンを製作する方法、特に製作速度及び能率を
向上させた製作方法に関する。
或いは金属酸化物等の如き２Ｆ導電性乃金は絶縁性等の
不良導電性体の表面、マスキング等を施すことなく部分
的又は選択的にメンキして、種々の複雑かつ微細な金属
析出パターンを製作する方法、特に製作速度及び能率を
向上させた製作方法に関する。
斯種のメンキ方法として電気メッキを用いたものに、例
えば特開昭５５−１４８．７９７号公報に記載された選
択的電気メッキ法がある。この公報によれば、電解物質
中に陰極を設け、１−記電解物質中に−に記陰極から離
して陽極を設け、上記陰極の表面の選択的にメンキすべ
き領域を加熱するためにエネルギ・ビーム（レーザ等の
゛市磁放射線）を上記領域に当て、上記陽極との間に電
圧を印加し、」−１記ヒーム・スポン）・に所定メッキ
ｅ パターンを描かせるようにビーム・スポフトと陰極
とを相対的に移動させつつメンキをすると言う先行技術
が開示されている。しかしながらこの先行技術によれば
、０．２乃至０．４ＡＬの厚さを有する幅１０μのＮ１
ラインメンキを形成するのに、アルゴン参レーザを集中
して直径２０終のビームとし、スポフトでの強度を２×
１０５Ｗ／Ｃｍ２としてＮ１蒸着険極と陽極との間に１
．５Ｖの直流メッキ電位を印加した場合、陰極に対する
実効露光時間を２０ミリ秒とすることが必要で、光源の
メンキライン進路速度はｌ ｍｍｌ ｓｅｃ （＝ ６
０ ｍｍｌ ｍｉｎ ）というものである。そしてこの
ことは、上記レーザに於てビーム・スポフトの直径を上
記の半分以下としてスボ７ ＋−での電力強度を４倍に
し、機械的チョフパによりパルス化した０、３ミリ秒の
光パルスを繰り返し照射しつつ上述と同一の条件でメン
キした場合、厚さ６牌で直径３０μのメンキ・スポット
を造るのに１秒を要することからも明らかなように高速
とは旨い難く、寧ろ低速度であり、Ｉ２記先行技術文献
が適用分野として挙げるＩＣやＬＳＸ′ｆノ各種電−ｒ
デバイス及びプリント基板等には、特別な場合等以外に
は側底適用できないものであった。
えば特開昭５５−１４８．７９７号公報に記載された選
択的電気メッキ法がある。この公報によれば、電解物質
中に陰極を設け、１−記電解物質中に−に記陰極から離
して陽極を設け、上記陰極の表面の選択的にメンキすべ
き領域を加熱するためにエネルギ・ビーム（レーザ等の
゛市磁放射線）を上記領域に当て、上記陽極との間に電
圧を印加し、」−１記ヒーム・スポン）・に所定メッキ
ｅ パターンを描かせるようにビーム・スポフトと陰極
とを相対的に移動させつつメンキをすると言う先行技術
が開示されている。しかしながらこの先行技術によれば
、０．２乃至０．４ＡＬの厚さを有する幅１０μのＮ１
ラインメンキを形成するのに、アルゴン参レーザを集中
して直径２０終のビームとし、スポフトでの強度を２×
１０５Ｗ／Ｃｍ２としてＮ１蒸着険極と陽極との間に１
．５Ｖの直流メッキ電位を印加した場合、陰極に対する
実効露光時間を２０ミリ秒とすることが必要で、光源の
メンキライン進路速度はｌ ｍｍｌ ｓｅｃ （＝ ６
０ ｍｍｌ ｍｉｎ ）というものである。そしてこの
ことは、上記レーザに於てビーム・スポフトの直径を上
記の半分以下としてスボ７ ＋−での電力強度を４倍に
し、機械的チョフパによりパルス化した０、３ミリ秒の
光パルスを繰り返し照射しつつ上述と同一の条件でメン
キした場合、厚さ６牌で直径３０μのメンキ・スポット
を造るのに１秒を要することからも明らかなように高速
とは旨い難く、寧ろ低速度であり、Ｉ２記先行技術文献
が適用分野として挙げるＩＣやＬＳＸ′ｆノ各種電−ｒ
デバイス及びプリント基板等には、特別な場合等以外に
は側底適用できないものであった。
また、４．ν開１イ（５５−１４８，７５７号公報には
、Ｊ１感光性のｌツキ浴を準備オる丁１′ｌ′、該Ｊ・
、を浴に被（・２キタ、Ｊ象物を接触させる■稈 、ｊ
ｋ接触［ｏｌを局部的に加熱し７てメッキを促進するに
十分な強度のニネルキ・ビーム（レーザ等の電磁放射線
）を１−記接触面に当てる一Ｌ程とを有し、］−記ヒビ
ー・スポントニ所定メンキ・パターンを描かせるように
ビーム・スポットと被メツキ対象物とを相対的に移動ｙ
せつつ選択的にメ一・キ（電気を用いない無電解又は化
学メッキ）をすると占う先行技術が開示されている。そ
して、この先行技術のメンキ法によれは、Ｎ１を法着し
た被メツキ対象物に対してのメ、ツキ速度を、前記第１
の先行技術の条ヂ１（メッキＪγさ０２〜０．４ｇ、メ
ンキ幅ｌｏｇ）により換７Ｚ ｆると、メンキ速度は大
孔０．５〜３．６ｍｍ／ｓｅｃ （＝ ３０−２１６ｍ
ｍ／ｍｉｎ ）であって、）−２記第１の先行技術のも
のより倍程度速い条件の場合があると汀うに過ぎず、目
的とする集積回路等への適用は矢張り特別な場合等以外
は、メンキ速度が低速なため適用不可と思惟される。
、Ｊ１感光性のｌツキ浴を準備オる丁１′ｌ′、該Ｊ・
、を浴に被（・２キタ、Ｊ象物を接触させる■稈 、ｊ
ｋ接触［ｏｌを局部的に加熱し７てメッキを促進するに
十分な強度のニネルキ・ビーム（レーザ等の電磁放射線
）を１−記接触面に当てる一Ｌ程とを有し、］−記ヒビ
ー・スポントニ所定メンキ・パターンを描かせるように
ビーム・スポットと被メツキ対象物とを相対的に移動ｙ
せつつ選択的にメ一・キ（電気を用いない無電解又は化
学メッキ）をすると占う先行技術が開示されている。そ
して、この先行技術のメンキ法によれは、Ｎ１を法着し
た被メツキ対象物に対してのメ、ツキ速度を、前記第１
の先行技術の条ヂ１（メッキＪγさ０２〜０．４ｇ、メ
ンキ幅ｌｏｇ）により換７Ｚ ｆると、メンキ速度は大
孔０．５〜３．６ｍｍ／ｓｅｃ （＝ ３０−２１６ｍ
ｍ／ｍｉｎ ）であって、）−２記第１の先行技術のも
のより倍程度速い条件の場合があると汀うに過ぎず、目
的とする集積回路等への適用は矢張り特別な場合等以外
は、メンキ速度が低速なため適用不可と思惟される。
また、各種の電子デバイスやプリント板等のノに板は、
通常、絶縁体乃至は半導体であるから、金属導電性表面
領域内に所定パターン等の選択メッキを行なうものであ
る上記第１及び第２の先行技術文献に記載のものは、本
発明に於ける被メツキ対象物の基板には何等かの工夫な
しには適用できず に先行行技術に記載の選択メッキ後
に、該メッキがＳれなかったＮｉ蒸着膜部分を、好まし
くは選択的に除去する処置等をしなければ、絶縁性基板
」二に金属又は合金の導電性のパターンを有するものを
製作することができない。
通常、絶縁体乃至は半導体であるから、金属導電性表面
領域内に所定パターン等の選択メッキを行なうものであ
る上記第１及び第２の先行技術文献に記載のものは、本
発明に於ける被メツキ対象物の基板には何等かの工夫な
しには適用できず に先行行技術に記載の選択メッキ後
に、該メッキがＳれなかったＮｉ蒸着膜部分を、好まし
くは選択的に除去する処置等をしなければ、絶縁性基板
」二に金属又は合金の導電性のパターンを有するものを
製作することができない。
本発明はかかる点に鑑みて提案されたものであり、高速
メンキが可能となり、かつ絶縁性基板に対するメッキが
行なえる選択的メッキ方法を提供することを目的とする
。
メンキが可能となり、かつ絶縁性基板に対するメッキが
行なえる選択的メッキ方法を提供することを目的とする
。
この目的を達成するため、本発明においては、基板表面
にエネルギ・スポットを所定のパターンで照射すること
により照射部分を活性化させ、その後化学メッキの際析
出核となる物質を含む流体を該基板表面に接触させ、次
に化学メッキ液と接触させて化学メッキを行なうことに
より、所定パターンの選択的化学メンキがマスク等を行
なうことなく高速で行なえるようにしたことを特徴とす
るものである。
にエネルギ・スポットを所定のパターンで照射すること
により照射部分を活性化させ、その後化学メッキの際析
出核となる物質を含む流体を該基板表面に接触させ、次
に化学メッキ液と接触させて化学メッキを行なうことに
より、所定パターンの選択的化学メンキがマスク等を行
なうことなく高速で行なえるようにしたことを特徴とす
るものである。
本発明において、上記析出核となる物質としては、パラ
ジウムや錫等が用いられ、これらの塩化物等の化合物が
液体あるいはペースト状の流体中に含有されて使用され
る。また、上記化学メッキを行なう物質は一般的にはニ
ッケル、銅、金等である。すなわち本発明は、化学メン
キを行なうものであるが、化学メンキの金属析出の段階
でエネルギ・ビームを用いるのではなく、化学メッキの
前処理の前の段階でエネルビ・ビームを用い、エネルギ
・ビームの照射により、化学メッキの際の析出核の被着
形成を析出効率良く、かつ所定パターン形成と共に高速
で行なわれるようにしたことにより、爾後は所定パター
ンの析出核に対して一度に化学メッキにより金属析出を
させれば良いのであるから、全体として化学メッキによ
る選択的メッキが高速で行なわれるようになったもので
ある。
ジウムや錫等が用いられ、これらの塩化物等の化合物が
液体あるいはペースト状の流体中に含有されて使用され
る。また、上記化学メッキを行なう物質は一般的にはニ
ッケル、銅、金等である。すなわち本発明は、化学メン
キを行なうものであるが、化学メンキの金属析出の段階
でエネルギ・ビームを用いるのではなく、化学メッキの
前処理の前の段階でエネルビ・ビームを用い、エネルギ
・ビームの照射により、化学メッキの際の析出核の被着
形成を析出効率良く、かつ所定パターン形成と共に高速
で行なわれるようにしたことにより、爾後は所定パター
ンの析出核に対して一度に化学メッキにより金属析出を
させれば良いのであるから、全体として化学メッキによ
る選択的メッキが高速で行なわれるようになったもので
ある。
以下禾発明の詳細を第１図に示す実施例により説明する
。第１図（Ａ）に示すように、ＮＣ装置１により位置制
御されるＸＹテーブル２に選択的メッキを施こすべき基
板３をセットする。なお、該基板３は、例えば第２図（
Ａ）に示すように、カラス１１３Ａの表面をエポキシ樹
脂３Ｂによりコーティングしたものであり、セットの前
に中性洗剤で洗浄し、水で中性洗剤を良く洗い落とし、
その後電気炉並びに天火で乾燥させたものである。該基
板３の表面に対して、変調器を含むレーザ装置６より凸
レンズ７により直径１ｍｍに集束させた１ 、 ５ Ｘ
Ｉ Ｏ” Ｗ／ｃｍ２のレーザ書ビーム８を、好まし
くは減圧若しくは真空中、又は清浄気体中で照射するこ
とにより、基板３の表面にＮＣ装置ｌにより発生される
数値に基づく線＠１ｍｍの活性化した所定の画線を描く
。
。第１図（Ａ）に示すように、ＮＣ装置１により位置制
御されるＸＹテーブル２に選択的メッキを施こすべき基
板３をセットする。なお、該基板３は、例えば第２図（
Ａ）に示すように、カラス１１３Ａの表面をエポキシ樹
脂３Ｂによりコーティングしたものであり、セットの前
に中性洗剤で洗浄し、水で中性洗剤を良く洗い落とし、
その後電気炉並びに天火で乾燥させたものである。該基
板３の表面に対して、変調器を含むレーザ装置６より凸
レンズ７により直径１ｍｍに集束させた１ 、 ５ Ｘ
Ｉ Ｏ” Ｗ／ｃｍ２のレーザ書ビーム８を、好まし
くは減圧若しくは真空中、又は清浄気体中で照射するこ
とにより、基板３の表面にＮＣ装置ｌにより発生される
数値に基づく線＠１ｍｍの活性化した所定の画線を描く
。
ここでレーザ・ビームを含むエネルギ・ビームによる活
性化について説明すると、エネルギ・ビームを合成樹脂
等の高分子、酸化物等のセラミ、クス、金属等の表面に
局部的に照射すると、照射された部分に温度」二昇を生
し、或いは表面の吸着物（薄い分子層の酸化物、水、塵
芥、油脂等）が飛び出し、エネルギ的或いは化学的に清
浄な表面が出現する。固体の物質におけるこの清浄化さ
れた最外面の表面原子は前記吸着物で覆われた部分に比
較して電子構造的に極めて不安定ないわば「尻丸出し」
の状態にあると群って良く、この状態を解消しようとし
て分子、原子をくっつけたいと常に指向する一種の興奮
状態を形成しており、エネルギ的に表面下の原子に比較
して高い状態にある。このような局部的に活性な状態を
、エネルギ・ビームの照射によって希望する場所に形成
する訳である。第２図（Ａ）はレーザ・ビーム８の照射
によって基板３の表面に活性点３ａが形成される状態を
示している。
性化について説明すると、エネルギ・ビームを合成樹脂
等の高分子、酸化物等のセラミ、クス、金属等の表面に
局部的に照射すると、照射された部分に温度」二昇を生
し、或いは表面の吸着物（薄い分子層の酸化物、水、塵
芥、油脂等）が飛び出し、エネルギ的或いは化学的に清
浄な表面が出現する。固体の物質におけるこの清浄化さ
れた最外面の表面原子は前記吸着物で覆われた部分に比
較して電子構造的に極めて不安定ないわば「尻丸出し」
の状態にあると群って良く、この状態を解消しようとし
て分子、原子をくっつけたいと常に指向する一種の興奮
状態を形成しており、エネルギ的に表面下の原子に比較
して高い状態にある。このような局部的に活性な状態を
、エネルギ・ビームの照射によって希望する場所に形成
する訳である。第２図（Ａ）はレーザ・ビーム８の照射
によって基板３の表面に活性点３ａが形成される状態を
示している。
なお、前述のような活性点（線）は、活性度は上記のも
の程高くはないものの、例えばダイヤモンドバイト等に
よる基板３の表面層の削り取りによっても露出形成でき
るもので、必要に応じて本発明を適用できるものである
。
の程高くはないものの、例えばダイヤモンドバイト等に
よる基板３の表面層の削り取りによっても露出形成でき
るもので、必要に応じて本発明を適用できるものである
。
このようにして活性点３ａないしはその連続でなる線を
形成した後、第１図（Ｂ）に示すように、ただちに基板
３を活性化処理漕４内に入れて塩化パラジウム溶液５に
浸漬する。第２図（Ｂ）（Ｃ）は塩化パラジウム溶液５
の存在下で基板３の表面の凹状の活性点３ａにノくラジ
ウムによる析出核９が形成される様子を示している。
形成した後、第１図（Ｂ）に示すように、ただちに基板
３を活性化処理漕４内に入れて塩化パラジウム溶液５に
浸漬する。第２図（Ｂ）（Ｃ）は塩化パラジウム溶液５
の存在下で基板３の表面の凹状の活性点３ａにノくラジ
ウムによる析出核９が形成される様子を示している。
ここで使用した塩化パラジウム溶液５としてｉｆＦ記の
組成のものを使用した。
組成のものを使用した。
ＰｄＣ交２ ０．２５〜１２．５ｇ／９゜３６％ＨＣＭ
２．５−１２５ｍＭ／ＱＣ３Ｈ８０３０〜２００ ｍ
ｌ ／ ＩＣ２Ｈ５０Ｈペース なお、ト記ＨＣｆｌはＰｄ０文２をエタノール（Ｃ２Ｈ
５ＯＨ）に溶解させるために、また、グリセリン（Ｃ３
Ｈ８０ｚ ）は溶液の粘性を高め、溶液５か基板３に湿
潤する効果を持たせるためにそれぞれ添加したものであ
り、ベースとしてエタノールを用いたのは、これが−［
−記エポキシ樹脂でコーティングした基板３をエンチン
グする効果を持ち、また法発熱が小さいため、レーザ壷
パワーを小さくする効果を合わせ持つからである。なお
、溶液５は、必要に応じ、例六−ば約５０〜６０°Ｃ前
後に加熱しておいて塩化パラジウムの還元による活性点
３ａへの析出か円滑迅速に行なわれるようにするのが良
く、又−ｆ＝記ベースとしては、この他にアセトンや水
等を用いることができる。
２．５−１２５ｍＭ／ＱＣ３Ｈ８０３０〜２００ ｍ
ｌ ／ ＩＣ２Ｈ５０Ｈペース なお、ト記ＨＣｆｌはＰｄ０文２をエタノール（Ｃ２Ｈ
５ＯＨ）に溶解させるために、また、グリセリン（Ｃ３
Ｈ８０ｚ ）は溶液の粘性を高め、溶液５か基板３に湿
潤する効果を持たせるためにそれぞれ添加したものであ
り、ベースとしてエタノールを用いたのは、これが−［
−記エポキシ樹脂でコーティングした基板３をエンチン
グする効果を持ち、また法発熱が小さいため、レーザ壷
パワーを小さくする効果を合わせ持つからである。なお
、溶液５は、必要に応じ、例六−ば約５０〜６０°Ｃ前
後に加熱しておいて塩化パラジウムの還元による活性点
３ａへの析出か円滑迅速に行なわれるようにするのが良
く、又−ｆ＝記ベースとしては、この他にアセトンや水
等を用いることができる。
上記のようにして析出核９を形成させた後、第１図（Ｃ
）に示すようにノズル１０から１０％塩酸水溶液を基板
３の表面に流ドさせて伺着している塩化パラジウム溶液
を洗い流［７１次いで水で塩酸溶液を洗い流した後、第
１図（Ｄ）に示すように該基板３を銅あるいはニッケル
の無電解メンキ溶液１１中に浸漬して無電解メッキ（化
学メンキ）を行なう。この無電解メン主においては、第
２図（Ｄ）に示すように、上記パラジウムでなる析出核
９［二に銅またはニッケル１４が析出することになる。
）に示すようにノズル１０から１０％塩酸水溶液を基板
３の表面に流ドさせて伺着している塩化パラジウム溶液
を洗い流［７１次いで水で塩酸溶液を洗い流した後、第
１図（Ｄ）に示すように該基板３を銅あるいはニッケル
の無電解メンキ溶液１１中に浸漬して無電解メッキ（化
学メンキ）を行なう。この無電解メン主においては、第
２図（Ｄ）に示すように、上記パラジウムでなる析出核
９［二に銅またはニッケル１４が析出することになる。
ここで、本実施例において無電解メッキに使用した銅メ
ンキ液は水中に下記の星の物質を含むものである。
ンキ液は水中に下記の星の物質を含むものである。
硫酸銅 ７ ｇ ／ ９゜
ロンシェル１３．１ ２０ ｇ ７文
）ン耐ナトリウム ２ｇ／文
水酸化すトリウム ５ｇ／文
ホル１、アルデヒド４０％水溶ｍ ２５ｍｕ／文またに
・ンケルメツキ液としては下記の組成のものを使用した
。
・ンケルメツキ液としては下記の組成のものを使用した
。
塩化ニッケル ４５ｇ／９゜
次亜リン酸ナトリウム １１ ｇ−７文クエン酸ナトリ
ウム ｔｏｏｇ／文 堪化ア文子化アンモニウム ５０ｇ／父その後、第１図
（Ｅ）に示すように、ノズル１２により基板３に水を流
下させて洗浄し、メ・ツキｊ１がさらに必要な場合には
第１図（Ｆ）のように電気メンキ靜１３中に基板３を浸
漬して電気メッキを行なうつこの電気メッキは化学メ、
ツキと同じ金属のみならず、例えば銀や金等のような異
なる金属について行なってもよい。
ウム ｔｏｏｇ／文 堪化ア文子化アンモニウム ５０ｇ／父その後、第１図
（Ｅ）に示すように、ノズル１２により基板３に水を流
下させて洗浄し、メ・ツキｊ１がさらに必要な場合には
第１図（Ｆ）のように電気メンキ靜１３中に基板３を浸
漬して電気メッキを行なうつこの電気メッキは化学メ、
ツキと同じ金属のみならず、例えば銀や金等のような異
なる金属について行なってもよい。
■−述のようにレーザ・ビームを用いてパラジウム析出
の活性点（線）３ａ形成のｔｉｉｊ処理を行なった場合
、約１８０ｍ／ｍｉｎ （３、０ｍ／ｓｅｃ ）以下の
ビーム走査速度であれば、爾後の処理（第１図Ｂ）でパ
ラジウムを析出させることができた。
の活性点（線）３ａ形成のｔｉｉｊ処理を行なった場合
、約１８０ｍ／ｍｉｎ （３、０ｍ／ｓｅｃ ）以下の
ビーム走査速度であれば、爾後の処理（第１図Ｂ）でパ
ラジウムを析出させることができた。
基板３にパラジウムによるパターンを描いた後は、無電
解メンキによるメンキであるが、これは能率アンプの七
で問題となることはない。なぜならば、この無電解メッ
キは析出核を寄り所として高速に進行する−し、多数の
基板３をメンキ槽に浸漬しておくことによってメンキを
進行させることができるからである。
解メンキによるメンキであるが、これは能率アンプの七
で問題となることはない。なぜならば、この無電解メッ
キは析出核を寄り所として高速に進行する−し、多数の
基板３をメンキ槽に浸漬しておくことによってメンキを
進行させることができるからである。
ここで、−１−記パラジウム溶静の代わりに、硝酸アン
モニウムおよび亜硝酸ナトリウムを含むアンモニア水中
にＰｄ （ＮＨＩ ）２ （ＮＯ２）２を００４Ｍ含有
させたＰＨ８，５，４５°Ｃの溶液を用いた場合にもほ
ぼ同様の結果を得た。
モニウムおよび亜硝酸ナトリウムを含むアンモニア水中
にＰｄ （ＮＨＩ ）２ （ＮＯ２）２を００４Ｍ含有
させたＰＨ８，５，４５°Ｃの溶液を用いた場合にもほ
ぼ同様の結果を得た。
また、別の実施例として、出力ビームの直径が０．６ｃ
ｍ、出力１０Ｗ、波長１０ 、６ メＬｃｒ） ＣＯ２
レーザを用い、パラジウム溶液５として、水中に０１％
の塩化パラジウムと０．３％の塩化水素とを加えた溶液
を使用し、基板３の表面に０．１〜１ｍｍの液層ができ
るように、第３図に示すように流出口１５から塩化パラ
ジウム溶液５をｉｃｅ／Ｓｅｃの流量で流してパラジウ
ムの析出を行なわせた場合、３６ ｃｍ／ｌｌｌ１ｎ以
下のビーム走査速度であればパラジウム析出を行なわせ
ることが可能であった。従って、１分間にパラジウムを
析出できる面積は、 ０．６Ｘ３６＝２１．６ｃｍ２７ｍ１ｎとなる。ここで
ビームを０ 、０６ｃｍ （０、６ｍｍ）に縮ったとす
れば、 ２１．６÷０ 、０６ ＝ ３６０ｃｍ／ｍｉｎの走査
速度を実現することが可能である。同しビーム直径でレ
ーザ出力をｉｏ倍、即ち１００Ｗとすると、走査速度は
レーザ出力に比例する関係から、走査速度も最大で１０
倍、すなわち３６００ｃｍ／ ｌｌ１ｉｎ （３６ｍ／
ｍｉｎ ）となり、秒速に換算すると約Ｑ、６ｍ／ｓｅ
ｃとなる。なお上記走査速度は前記塩化パラジウム溶液
の温度や供給量にも比例する。
ｍ、出力１０Ｗ、波長１０ 、６ メＬｃｒ） ＣＯ２
レーザを用い、パラジウム溶液５として、水中に０１％
の塩化パラジウムと０．３％の塩化水素とを加えた溶液
を使用し、基板３の表面に０．１〜１ｍｍの液層ができ
るように、第３図に示すように流出口１５から塩化パラ
ジウム溶液５をｉｃｅ／Ｓｅｃの流量で流してパラジウ
ムの析出を行なわせた場合、３６ ｃｍ／ｌｌｌ１ｎ以
下のビーム走査速度であればパラジウム析出を行なわせ
ることが可能であった。従って、１分間にパラジウムを
析出できる面積は、 ０．６Ｘ３６＝２１．６ｃｍ２７ｍ１ｎとなる。ここで
ビームを０ 、０６ｃｍ （０、６ｍｍ）に縮ったとす
れば、 ２１．６÷０ 、０６ ＝ ３６０ｃｍ／ｍｉｎの走査
速度を実現することが可能である。同しビーム直径でレ
ーザ出力をｉｏ倍、即ち１００Ｗとすると、走査速度は
レーザ出力に比例する関係から、走査速度も最大で１０
倍、すなわち３６００ｃｍ／ ｌｌ１ｉｎ （３６ｍ／
ｍｉｎ ）となり、秒速に換算すると約Ｑ、６ｍ／ｓｅ
ｃとなる。なお上記走査速度は前記塩化パラジウム溶液
の温度や供給量にも比例する。
Ｌ記実施例においては、塩化パラジウム溶液を基板に対
して浸漬あるいた流下することにより供給するようにし
たが、第４図に示すようにノズル１５°から噴霧させる
ようにしてもよく、また上記流体は液体ではなくペース
ト状をなすものであっても良く、その場合には第５図に
示すようにペースト状のパラジウム化合物を含む流体５
をホッパー１６から塗布用ローラー１７を介して基板３
の表面に塗布する等の塗布機構が採用できる。
して浸漬あるいた流下することにより供給するようにし
たが、第４図に示すようにノズル１５°から噴霧させる
ようにしてもよく、また上記流体は液体ではなくペース
ト状をなすものであっても良く、その場合には第５図に
示すようにペースト状のパラジウム化合物を含む流体５
をホッパー１６から塗布用ローラー１７を介して基板３
の表面に塗布する等の塗布機構が採用できる。
第６図は本発明の他の実施例であり、本実施例は、上記
パラジウム等の析出を促進するために、超音波発生装Ｍ
ｌ ８から基板３に対して例えばＩＯ〜５０ｋＨｚの
超音波を当てながらＬ記溶液５を基板表面に接触させる
ものであり、本実施例によれば、第１図の実施例と同様
の溶液５の組成、供給量、レーザ・ビーム強度等の条件
下で約２倍の析出速度を得ることができた。また、超音
波を基板３に当てることにより、レーザ・ビーム出力を
烏にしても同じ析出速度を得ることができた。
パラジウム等の析出を促進するために、超音波発生装Ｍ
ｌ ８から基板３に対して例えばＩＯ〜５０ｋＨｚの
超音波を当てながらＬ記溶液５を基板表面に接触させる
ものであり、本実施例によれば、第１図の実施例と同様
の溶液５の組成、供給量、レーザ・ビーム強度等の条件
下で約２倍の析出速度を得ることができた。また、超音
波を基板３に当てることにより、レーザ・ビーム出力を
烏にしても同じ析出速度を得ることができた。
第７図は本発明の他の実施例であり、本実施例は５基板
２０として、帯状をなす可撓性を有する合成樹脂材を用
いるか、帯状基材に基板を貼り付けることにより、連続
処理ができるようにしたものである。第７図において、
供給リール２１から繰り出される適宜の洗浄処理が為さ
れている基板２０は、ＮＣ装Ｒ１の相対位置制御により
レーザ装置６によるレーザ・ビーム８の照射を受け、そ
の後活性化処理槽２２内のローラ２３にガイドされ、パ
ラジウム化合物溶液５に浸漬されることにより、」−記
したように予め決められたパターンで表面に金属パラジ
ウムにより画線される。
２０として、帯状をなす可撓性を有する合成樹脂材を用
いるか、帯状基材に基板を貼り付けることにより、連続
処理ができるようにしたものである。第７図において、
供給リール２１から繰り出される適宜の洗浄処理が為さ
れている基板２０は、ＮＣ装Ｒ１の相対位置制御により
レーザ装置６によるレーザ・ビーム８の照射を受け、そ
の後活性化処理槽２２内のローラ２３にガイドされ、パ
ラジウム化合物溶液５に浸漬されることにより、」−記
したように予め決められたパターンで表面に金属パラジ
ウムにより画線される。
その後槽外のカイトローラ２４．２５間でノズル２６か
も噴出する水により水洗し、次にガイドローラ２７．２
８でガイドして化学メンキ槽２９中のニッケルや銅の無
電解メッ−キ液１１に浸漬して無電解メッキを行なわせ
る。この場合イオン制御槽３０と化学メッキ槽２９との
間でメ・ツキ液ｌｌを循環させ、ニッケルあるいは銅イ
オンの濃度が一定になるように陽極にニッケルあるいは
銅３１を接続して電解する。次に槽外のカイトローラ３
２．３３間でノズル２６から噴出する水により水洗し、
次にガイドローラ３４．３５でガイドして電解メッキ槽
３６中のニッケルや銅、金銀等の電気メツキ液１３に浸
漬し、接触ローラ３７を介して析出金属を陰極に接続し
て電気メッキを行なわせる。次にガイトローチ３８を介
して引上だ部分でノズル３９等から噴出する温風等によ
り乾燥させた後に巻取リリール４０に巻取る等の手段に
よりまとめる。
も噴出する水により水洗し、次にガイドローラ２７．２
８でガイドして化学メンキ槽２９中のニッケルや銅の無
電解メッ−キ液１１に浸漬して無電解メッキを行なわせ
る。この場合イオン制御槽３０と化学メッキ槽２９との
間でメ・ツキ液ｌｌを循環させ、ニッケルあるいは銅イ
オンの濃度が一定になるように陽極にニッケルあるいは
銅３１を接続して電解する。次に槽外のカイトローラ３
２．３３間でノズル２６から噴出する水により水洗し、
次にガイドローラ３４．３５でガイドして電解メッキ槽
３６中のニッケルや銅、金銀等の電気メツキ液１３に浸
漬し、接触ローラ３７を介して析出金属を陰極に接続し
て電気メッキを行なわせる。次にガイトローチ３８を介
して引上だ部分でノズル３９等から噴出する温風等によ
り乾燥させた後に巻取リリール４０に巻取る等の手段に
よりまとめる。
なお、本実施例で用いた活性化処理用の溶液は、塩化パ
ラジウム溶液の場合には、 ＫＣＭ ３．３ｇ ＰｄＣｕ ２ｇ ３６％ＨＣＭ ２５ｍＭ を水１文に溶解したものを用いた。またこの他に。
ラジウム溶液の場合には、 ＫＣＭ ３．３ｇ ＰｄＣｕ ２ｇ ３６％ＨＣＭ ２５ｍＭ を水１文に溶解したものを用いた。またこの他に。
塩化錫の溶液を用い、この場合には、
５ｎＣＪ１２’Ｈ２０２５，Ｚｇ
ＫＣ文２ ２．５ｇ
３６％ＨＣ文 ２５ｍＪｌｊ
をｉ １９−に溶解したものを用いた。また、活性化処
理の場合に、増感剤としてＡｇＮＯ３を１．５ｇ加えた
所、約２０％析出速度をＬげることができた。
理の場合に、増感剤としてＡｇＮＯ３を１．５ｇ加えた
所、約２０％析出速度をＬげることができた。
また、１−記無電解メンキ液としては、二・ンケルを含
むものとしては、 クエン酸すトリウへ ０．７Ｍ ホウ酸 ０．５Ｍ 次ｌｌ１１鉛酸すｉ・リウム ０．２ＭイＩ？を酸二ン
ケル ０．１Ｍ を含むＰＨ８，７０°Ｃの溶液を用い、銅を含むものと
しては、 ホルムアルデヒド ０．３Ｍ 硫酸銅 ０．１Ｍ を含むＰＨＩＩ、２５°Ｃの溶液を用いた。
むものとしては、 クエン酸すトリウへ ０．７Ｍ ホウ酸 ０．５Ｍ 次ｌｌ１１鉛酸すｉ・リウム ０．２ＭイＩ？を酸二ン
ケル ０．１Ｍ を含むＰＨ８，７０°Ｃの溶液を用い、銅を含むものと
しては、 ホルムアルデヒド ０．３Ｍ 硫酸銅 ０．１Ｍ を含むＰＨＩＩ、２５°Ｃの溶液を用いた。
１、記のような連続処理とすれば、自動的に作業をイ）
なう事かでき、省力化か容易となる。
なう事かでき、省力化か容易となる。
未発明を実施する場合、基板３，２０としては、ＡＢＳ
、ポリプロピレン、エポキシ、ポリエステル、フェノー
ル、ホリフェニレンオキシド、ポリビニル、ウレタン、
アクリル等の合成樹脂やソリコン、カラス、アルミナ等
の磁器等を用いることができる。また、エネルギ・ビー
ムとし−Ｃは、１００ にＨｚ以−１−の電磁波を用い
ることができる。
、ポリプロピレン、エポキシ、ポリエステル、フェノー
ル、ホリフェニレンオキシド、ポリビニル、ウレタン、
アクリル等の合成樹脂やソリコン、カラス、アルミナ等
の磁器等を用いることができる。また、エネルギ・ビー
ムとし−Ｃは、１００ にＨｚ以−１−の電磁波を用い
ることができる。
以」二述べたように、本発明によれば、化学メンキの金
属析出の段階でエネルギ・ビームを用いるのではなく、
パラジウム等の化学メッキ析出核の形成の前処理の段階
でエネルビ・ビームを用いるようにしたので、活性化処
理に用いられるパラジウム等の析出が所定パターン等の
選択メッキの模様形成に能率良く行なわれ、また析出核
によって化学メンキが高速で行なわれるので、全体１程
として絶縁性草根に対して選択的メンキを高速で行なう
ことができる。また、本発明によれば、化学メンキ用の
核析出溶液及び金属析出用無電解メッキ掖の使用損耗量
が、所定パターン等の選択的メッキ量に対応するもので
あるから無駄がなく、極めて経済的である。また、活性
点（線）の形成には、前述のようにダイヤモンＩ・バイ
ト等によるノ１（根表面の削り取りによっても露出形成
させることができ、そのようにして実施することもでき
る。
属析出の段階でエネルギ・ビームを用いるのではなく、
パラジウム等の化学メッキ析出核の形成の前処理の段階
でエネルビ・ビームを用いるようにしたので、活性化処
理に用いられるパラジウム等の析出が所定パターン等の
選択メッキの模様形成に能率良く行なわれ、また析出核
によって化学メンキが高速で行なわれるので、全体１程
として絶縁性草根に対して選択的メンキを高速で行なう
ことができる。また、本発明によれば、化学メンキ用の
核析出溶液及び金属析出用無電解メッキ掖の使用損耗量
が、所定パターン等の選択的メッキ量に対応するもので
あるから無駄がなく、極めて経済的である。また、活性
点（線）の形成には、前述のようにダイヤモンＩ・バイ
ト等によるノ１（根表面の削り取りによっても露出形成
させることができ、そのようにして実施することもでき
る。
第１図は本発明の一実施例を示す上程図、第２図は本発
明の方法を実施した場合の原理図、第３図ないし第６図
は本発明における基板と流体との接触の４１方の別の例
を示す図、第７図は本発明の他の実施例を示すＬ秤量で
ある。 ■・・・ＮＣ装欝、２・・・ＸＹテーブル、３．２０・
・・基板、４・・・活性化槽、５・・・塩化パラジウム
溶液、６・・・レーザ装置、７・・・凸レンズ、８・・
・レーザ拳ビーム、９・・・析出核、１０．１２・・・
ノズル、１１・・・化″゛／゛／゛メンキ液・・・電気
メンキ液、１４・・・ニッケルまたは銅、１８・・・超
音波発生装置特訪出願入 株式会着井上ジャパンクス研
究所代理人 弁理士 若ＬＬ＋勝− 第１図 第２図 （Ａ’） （Ｂ） 、（Ｃ） （Ｄ） 第３図 第５図 ）第４図 第６図
明の方法を実施した場合の原理図、第３図ないし第６図
は本発明における基板と流体との接触の４１方の別の例
を示す図、第７図は本発明の他の実施例を示すＬ秤量で
ある。 ■・・・ＮＣ装欝、２・・・ＸＹテーブル、３．２０・
・・基板、４・・・活性化槽、５・・・塩化パラジウム
溶液、６・・・レーザ装置、７・・・凸レンズ、８・・
・レーザ拳ビーム、９・・・析出核、１０．１２・・・
ノズル、１１・・・化″゛／゛／゛メンキ液・・・電気
メンキ液、１４・・・ニッケルまたは銅、１８・・・超
音波発生装置特訪出願入 株式会着井上ジャパンクス研
究所代理人 弁理士 若ＬＬ＋勝− 第１図 第２図 （Ａ’） （Ｂ） 、（Ｃ） （Ｄ） 第３図 第５図 ）第４図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）被メツキ対象物である絶縁性基板の表面にエネル
ギ・ビームを照射し、このエネルギ・ビームの照射を基
板表面の所定部分に行なった後、化学メッキの際に析出
核となる物質を化合物の状態で含有する流体を上記絶縁
性基板の表面に接触させ、前記基板を洗浄して残存する
前記流体を除去し、次いで前記エネルギ・ビームの照射
面を所定の化学メッキ液と接触させて前記被着物質部分
に化学メンキにより金属を析出させることを特徴とする
選択的メッキ方法。 （２） 前記エネルギ・ビームがレーザ・ビームである
特許請求の範囲第１項記載の選択的メッキ方法。 （３）前記化学メンキの際に析出核となる物質がパラジ
ウムで、該物質の化合物が塩化パラジウムである特許請
求の範囲第１項記載の選択的メッキ方法。 （４）前記化学メッキの際に析出核となる物質を化合物
の状態で含有する物質が、前記化合物を溶解含有する水
溶液である特許請求の範囲第１項記載の選択的メッキ方
法。 （５）前記流体がペースト状物である特許請求の範囲第
１項記載の選択的メッキ方法。 （６）前記流体の基板表面への接触が、前記流体を基板
表面に沿って層状に流すことにより行なわれる特許請求
の範囲第１項記載の選択的メッキ方法。 （７）前記流体の基板表面への接触が、前記流体を基板
表面へ層状に塗着することによって行なわれる特許請求
の範囲第１項記載の選択的メッキ方法。 （８）前記流体の基板表面への接触が、前記流体を基板
表面へ噴霧することによって行なわれる特許請求の範囲
第１項記載の選択的メッキ方法。 （９）前記基板表面に前記流体を接触させる際に、超音
波により基板を振動させる特許請求の範囲第１項記載の
選択的メンキ方法。 （１０）前記絶縁性基板が長尺帯状板から成り、前記メ
７．キが長さ方向に順次行なわれるものである特許請求
の範囲第１項記載の選択的メッキ方法。 （ＩＩ）ｊｉｉｊ記絶縁性基板が合成樹脂である特許請
求の範囲第１項記載の選択的メンキ方法。 （１２）前記絶縁性基板が磁器である特許請求の範囲第
１項記載の選択的メッキ方法。 （１３）前記化学メンキがニッケル・メッキである特許
請求の範囲第１項記載の選択的メッキ方法。 （１４）前記化学メンキが銅メンキである特許請求の範
囲第１ ｑＮ記載の逆折的メンキ方法。 （１５）前記エネルギ・ビームの基板表面の所定部分へ
の照射が、ビームと基板との相対的な数値制御移動によ
り行なわれるものである特許請求の範囲第１項記戦の選
択的メンキ方法。 （Ｉ ｆｌ ） ＋ｉｉｊ記化学メンキにより金属を析
出させた基板をさらに電気メンキする特許請求の範囲第
１項記載の選択的メンキ方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP611784A JPS60149783A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 選択的メツキ方法 |
| US06/691,877 US4639378A (en) | 1984-01-17 | 1985-01-16 | Auto-selective metal deposition on dielectric surfaces |
| EP85100466A EP0151413A3 (en) | 1984-01-17 | 1985-01-17 | Auto-selective metal deposition on dielectric surfaces |
| US06/882,498 US4822633A (en) | 1984-01-17 | 1986-07-07 | Auto-selective metal deposition on dielectric surfaces |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP611784A JPS60149783A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 選択的メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149783A true JPS60149783A (ja) | 1985-08-07 |
| JPH0534428B2 JPH0534428B2 (ja) | 1993-05-24 |
Family
ID=11629560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP611784A Granted JPS60149783A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 選択的メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149783A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262476A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Meiban Kogei Kk | パタ−ンの形成方法 |
| JPH0681153A (ja) * | 1992-03-10 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザによる金属の析出方法 |
| JPWO2017187930A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
| KR20190046821A (ko) * | 2016-09-13 | 2019-05-07 | 발스티비니스 모크슬리니우 티리무 인스티투타스 피지니우 아이알 테크놀로기요스 모크슬루 첸트라스 | 폴리머 물품 표면 상에 전기-전도성 트레이스들의 형성을 위한 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4920030A (ja) * | 1972-06-15 | 1974-02-22 | ||
| JPS515626A (ja) * | 1974-07-04 | 1976-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ryuryoseigyoki |
| JPS5362176A (en) * | 1976-11-15 | 1978-06-03 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of forming printed circuit |
| JPS5562156A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-10 | Schering Ag | Manufacture of metal pattern on electric insulating supporter by photochemical method |
| JPS55148797A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Ibm | Selective electroplating method |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP611784A patent/JPS60149783A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4920030A (ja) * | 1972-06-15 | 1974-02-22 | ||
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262476A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Meiban Kogei Kk | パタ−ンの形成方法 |
| JPH0681153A (ja) * | 1992-03-10 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザによる金属の析出方法 |
| JPWO2017187930A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
| US11821090B2 (en) | 2016-04-26 | 2023-11-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing ceramic electronic component |
| KR20190046821A (ko) * | 2016-09-13 | 2019-05-07 | 발스티비니스 모크슬리니우 티리무 인스티투타스 피지니우 아이알 테크놀로기요스 모크슬루 첸트라스 | 폴리머 물품 표면 상에 전기-전도성 트레이스들의 형성을 위한 방법 |
| JP2019526711A (ja) * | 2016-09-13 | 2019-09-19 | バルスティビニス モクスリニウ トリム インスティチュータス フィジニウ アイアール テクノロジジョス モクスル セントラス | ポリマー物品表面に導電性トレースを形成する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534428B2 (ja) | 1993-05-24 |
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