JPS63262476A

JPS63262476A - パタ−ンの形成方法

Info

Publication number: JPS63262476A
Application number: JP9605387A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Hanaoka; 正幸花岡
Original assignee: MEIBAN KOGEI KK
Current assignee: MEIBAN KOGEI KK
Priority date: 1987-04-17
Filing date: 1987-04-17
Publication date: 1988-10-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（ａ）産業上の利用分野本発明は、例えば、印刷基板等の電子部品、自動車のダ
ツシュボード、エンブレムなど、プラスチック製の基板
に金属被膜を形成するパターンの形成方法に関し、特に
、基板と金属被膜との結合強度を高められるようにした
パターンの形成方法に関する。

（ｂ）従来の技術従来、電気絶縁性を有するプラスチックの基板に金属パ
ターン層を形成する方法として、基板に化学的な還元法
で金属パターン層を析出させ、必要に応じてその金属パ
ターン層に電気的なメッキを施す、いわゆる、無電解メ
ッキの技術が採用されている。

無電解メッキによってプラスチック製の基板に金属パタ
ーン層を形成する場合、その金属パターン層が特別なパ
ターンを描くように形成されることが少なくない。

例えば、印刷基板等の電子部品の場合であれば、その基
板に実装される素子同士、或いはその素子と外部回路と
を接続する導線が金属被膜で形成され、自動車のダツシ
ュボード等の場合であれば、計器、表示ランプ或いは計
器パネル等を取り囲むトリミング線が金属パターン層で
形成され、装飾用のエンブレムの場合であれば、特にデ
ザイン上金属光沢が要求される部分には金属パターン層
が形成される。

このように基板の一部分に金属パターン層を形成する方
法としては、１ｍ密な金属パターン層を形成できる、い
わゆる、エツチドホイール法と７デイテイブ法が主流を
占めている。

エツチドホイール法は、基板のパターン形成面の全面に
無電解メッキにより金属被膜を形成する金属膜形成工程
と、この金属被膜の表面に金属被膜の所要部分に対応す
る陽画パターンを有するエツチングレジスト層を付着さ
せるレジスト膜形成工程と、上記金属膜形成工程及びレ
ノスト膜形成工程を経た基板をエツチング液中に浸漬し
、エツチングレジスト膜で被覆されていない金属被膜の
不要部分をエツチングにより除去する不要部エツチング
工程と、不要５部エツチング工程において不要部分を除
去された金属被膜の表面からエツチングレジスト膜を除
去するレジスト除去工程から成っている。

アディティブ法は、基板のパターン形成面に金属被膜の
不要部分に対応する陰画バスーンを有するメツキレシス
ト膜を形成するしシスト膜形成工程と、このレジスト膜
形成工程を経た基板を無電解メッキ液中に浸漬し、その
表面の全面にわたりて金属被膜を析出、付着させる金属
被膜形成工程と、金属被膜形成工程において金属被膜を
付着させた基板から不要部分の金属被膜とメツキレシス
ト膜とを除去する不要部除去工程とから成っている。

また、これらエツチドホイール法或いはアディティブ法
によって基板の表面に形成された被膜と基板との付着力
を高めるために、基板の少なくとも表面を熱可塑性プラ
スチックスで形成し、基板とこれの表面に付着させた金
属被膜とを加熱及び加圧することによる接着する方法が
すでに提案されている（特開昭５７−１４５９９７号公
報）。

（Ｃ）発明が解決しようとする問題点上記のエツチドホイール法或いはアディティブ法では、
エツチングレノスト膜或いはメツキレシスト膜を形成す
るレジスト膜形成工程と、そのレノスト膜を除去するレ
ジスジ膜除去工程が必要とされ、工程数を少なくしてコ
ストダウンを図る上で不利になる。

また、エツチドホイール法では、エツチングレノスト膜
の周縁部でエツチングがレジスト膜の下側まで進み、所
要のパターンが細くなる、いわゆる、喰込みの発生とい
う問題点がある。

このような喰込みは、そのパターンに要求される抵抗値
等の電気的特性に影響することから、印刷基板等の電子
部品においては極力防止されねばならない。

アディティブ法では、レジスト膜の除去が不完全であれ
ば隣り合うパターンの間の誘電率等の電気的特性に影響
が生じ、また、レジスト膜の除去に際して所要のパター
ンの周縁部が剥離し、上述の喰込みと同様に、抵抗値等
の電気的特性に影響が出る。

更に、通常、基板の表面は平滑面に形成されているので
、金属被膜と基板との親和性ひいては金属被膜の基板へ
の付着強度を高める上で不利である。

基板を熱可塑性プラスチ−ツクスで形成し、基板とこれ
の表面に形成された金属パターン層とを加熱加圧によっ
て接着させる技術によれば、基板と金属被膜とが接着に
よって強固に結合されることになるはずであるが、実際
には、金属被膜と基板との熱膨張率或いは熱収縮率の差
異によって金属被膜と基板との境界に破断が発生したり
、いわゆるカールが発生し、信頼性が欠けることが分か
った。

本発明は、上記の事情を考慮してなされたものであって
、正確なパターンに金属層を形成でき、金属パターン層
と基板との接合強度が者しく高く、しかも、信頼性が高
められるようにしたパターンの形成方法を提供すること
を目的とする。

（ｄ）問題点を解決するための手段即ち、本願路１の発明は、基板のパターン形成面に物理的エツチングにより所要の
パターンの粗荒面を形成するパターン形成工程（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）を経て得られた基板を無電
解メッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形
成させる金属パターン形成工程（Ｂ）、よりなることを
特徴とするものである。

又、本Ｍｆ５２の発明は、基板のパターン形成面に物理的エツチングにより所要の
パターンの粗荒面を形成するパターン形成工程（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）において形成された粗荒面
に無電解メッキ用触媒を付着させる触媒付与工程（Ｂ）
、上記触媒付与工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解メ
ッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成さ
せる金属パターン形成工程（Ｃ）、よりなることを特徴
とするものである。

更に、本願第３の発明は、基板のパターン形成面に物理的エツチングにより所要の
パターンの粗荒面を形成するパターン形成工程（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）を経て得られた基板を無電
解メッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形
成させる金属パターン形成工程（Ｂ）、上記金属パター
ン形成工程（Ｂ）において形成させた金属メッキ層に電
解メッキにより該金属メッキ層と同種又は異種の金属を
析出させる電解メッキ工程（Ｃ）、よりなることを特徴とするものである。

本願第４の発明は基板のパターン形成面に物理的エツチングにより所要の
パターンの粗荒面を形成するパターン形成工程（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）においで形成された粗荒面
に無電解メッキ用触媒を付着させる触媒付与工程（Ｂ）
、上記触媒付与工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解メ
ッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成さ
せる金属パターン形成工程（Ｃ）、上記金属パターン形
成工程（Ｃ）において形成させた金属メッキ層に電解メ
ッキにより該金属メッキ層と同種又は異種の金属を析出
させる電解メッキ工程（Ｄ）、よりなることを特徴とするものである。

以下、先ず本Ｈ第１の発明について詳細に説明する。

本発明においては、先ず、基板のパターン形成面に物理
的エツチングにより所要のパターンの粗荒面を形成する
パターン形成工程（Ａ）を実施する。

本発明において、基板に使用される素材としては特に限
定されるものではなく、プラスチックス或いはプラスチ
ックスとγラスとの複合材料などが挙げられるが、具体
的には、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹
脂、ガラスエポキシ系樹脂、ガラステフロン系樹脂、ポ
リアミドイミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエ
チレン１ｆｆ（脂、ポリテトラフルオロエチレン等のフ
ッ素系樹脂等のプラスチック或いはプラスチックスとガ
ラス等の複合材料を挙げることができる。

この場合、上記樹脂に、（１）添加型、有機物 ■リン化合物、例えばリン酸エステル、トリフレノルホ
スファ−）（ＴＣＰ）、）リフェニルホス７アート（Ｔ
　Ｐ　Ｐ　）、トリキシレンホスフｒ−）（ＴＸＰ）、
塩素化有機ポリホス７アート、トリクロロプロピルホス
７アー）　（ＴＣＰＰ）、１ｉ化有機リン酸塩 ■ハロゲン化炭化水素、例えば塩素化ポリエチレン、塩
素化パラフィン、塩素化炭化水素、臭素化有機物（芳香
族）、１．１．２．２−テトラブロモエタン（Ｔ　Ｂ　
Ｅ　）、１．２．３．４−テトラブロモエタン（Ｔ　Ｂ
　Ｂ　）、１，２，３−）リプロモプロパン（ＴＢＰ）
、臭素化高分子化合物、更にトリアルキル−Ｍロン−エ
ステル、エチレン−ビニルクロライド−ラテックス、（２）添加型、無機物例えば水酸化アルミニウム、二酸化アンチモン、アンモ
ニウム−フルオロポレート、アンチモン酸ナトリウム、
メタホウ酸バリウム、オルトリン酸ナンモニウム、（３）反応型、有機物例えばシー（ポリオキシエチレン）ヒドロメチルホスフ
ェート、ジブロモブチンジオール、ジプロモブテンノオ
ールーノアセテート、ジブロモネオペンチル−グリコー
ル、トリブロモネオペンチル−アルコール、テトラブロ
モ−ビスフェノールＡ（Ｔ　Ｂ　Ｐ　Ａ　’）、テトラ
クロロ−ビスフェノールＡ（ＴＣＢ　Ａ　）、臭化ビニ
ル、ジアリル−クロロエンデート、リン含有ポリオール
（Ｔ　ＣＥ　Ｐ　Ｌテトラクロロ７クリツクーアンヒド
リド、トリフェニル−ホスファイト、テトラクロロ無水
７タル酸、テトラブロモ無水７タル酸、ホウ酸ジポリオ
キシエチレンヒドロメチル、等のを混合し、これを成形して難燃性の基板としたり、
或いは、上記基板を上記難燃剤で処理して難燃性の基板
としたものでもよいのである。

又、基板の形態としては、物理的エツチングにより所要
のパター′ンの粗荒面が形成しうるものであれば特に限
定されるものではなく、フィルムやシート或いは板体等
、任意のものが挙げられる。

上記物理的エツチングとしてはグミ−放電、スパッタエ
ツチング又はイオンプレーテング等の方法が挙げられる
が、これらのうちスパッタエツチングが最も好ましいの
である。

そして、スパッタエツチング処理の方法としては、耐圧
容器内で減圧雰囲気下に陰・陽電極部に高周波電圧を印
加し、放電域のイオンエネルギーの大きい陰極暗部にお
いて、放電によって生じた陽イオンを加速して陰極上の
成形物表面に衝突させて処理するのである。

このための装置は耐圧容器内に陰極と陽極が対向して配
設され、陰極はインピーダンス整合器を介して高周波型
−に接続され、陽極は高周波電源のアース側に接続され
て構成されている。

陰極の外側にはシールド電極が配設され、アース電位に
保たれる。

上記基板のエツチング処理は、装置により、バッチ式、
連続式のいずれも可能である。

スパッタエツチング処理は、通常、常温で行なわれる。

用いられる高周波電力の周波数は、数百ＫＨｚ〜数十Ｍ
Ｈｚにわたって使用可能であるが、実用上は工業割当周
波数である１３．５６ＭＨｚを用いるのが好都合である
。

電極間匪離は雰囲気圧の平方根の逆数に比例して定めら
れ、例えば、雰囲気圧が０．００５７ｏｒｒのとき、３
０ＩＩ１１以上とされる。雰囲気としては、通常、空気
や水蒸気を用いるが、この他にも窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等の不活性ガスや炭酸ガス等も用いることができる
。

そして、上記基板の表面をスパッタエツチング処理する
には、具体的に、０．０００５〜５Ｔｏｒｒの雰囲気圧
下で処理電力密度と処理時間との積で定義される放電路
Ｊ！ｌ量が０．０１〜２００ｗａｔｔ・秒／ｃ−２、好
ましくは１〜１８０ｗａｔｔ・秒／ｃ−２の範囲内で行
なわれるのであり、用いられる基板の物性に応じてその
条件が設定される。

このような条件下で基板の片面或いは両面にスパッタエ
ツチング処理を施すことにより、所要のパターンの粗荒
面を形成しうるのである。

そして、本発明の好ましい実施態様としては、基板のパ
ターン形成面に物理的エツチングにより所要のパターン
の粗荒面を形成するにあたり、この工程（Ａ）が、基板
上に所要のパターンのマスクを積層するマスク積層工程
（Ａ１）と、このマスク積層工程（Ａ１）で得られた基
板においてそのマスク側から物理的エツチングを施すエ
ツチング工程（Ａ２）、からなるものである。

上記マスクを行うには基板の片面或いは両面に、所要の
パターンを形成した金属板やプラスチック板を積層する
などの方法が採用される。

本発明においては、次に、上記パターン形成工程（Ａ）
を経で得られた基板を無電解メッキ液に浸漬し、上記粗
荒面上に金属メッキ層を形成させる金属パターン形成工
程（Ｂ）を実施する。

この金属パターン形成工程（Ｂ）において形成される金
属メッキ層の材質は無電解メッキにより析出する金属で
あれば特に限定されるものではな（、例えば、金、銀、
銅、ニッケル、錫、カドミウム、コバルト、亜鉛或いは
これらをマトリックスとする合金等がその例として挙げ
られるが、これらのうち安価で比較的安定なニッケルが
好ましい。

以下、ニッケルメッキを形成する場合を例にとって説明
するが、無電解メッキ液の組成成分や水素イオン濃度等
は、メッキ速度、作業温度、析出ニッケルメッキ層の純
度等を考慮して適宜選定すればよい。

金属にッケル等）パターン形成工程において使用される
無電解メッキ液の浴種は、酸性浴であってもアルカリ性
浴であっても、中和浴であってもよい。

酸性浴としては、例えば、グリコール酸浴、コハク酸浴
等が例として挙げられる。アルカリ性浴としてはアンモ
ニアアルカリ性浴、カセイアルカリ性浴等が例として挙
げられる。

これらの浴種の中では、析出された金属にッケル）層へ
のリン等の不純物が比較的少ない７ンモニアアルカリ性
浴が推奨される。

メッキ液中の還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ素化合物、ヒドラジン等の公知の還元剤を使用すれば
よい。

次亜リン酸塩を使用するものは、温度８０℃以上の高温
で使用されるものが多いが、基板への熱影響をできるだ
けなくすために低温度で比較的大きいメッキ速度が得ら
れるものを使用することが好ましく、例えば、第１表に
示すような処方のものを使用することがで！、７＋ａ（以下余白）水素化ホウ素化合物とその誘導体は水溶液中で酸化する
速度が次亜リン酸塩のそれに比してやや速いので、低温
における還元剤としては一層好ましい、この種の無電解
ニッケルメッキ液としては第２表に示すような処方のも
のが例として挙げられる。

（以下余白）ヒドラジンを還元剤とするメッキ液は、メッキ速度が遅
いが、得られる金属メッキ層の純度が高くなる点で有利
である。ヒドラジンを還元剤とする無電解ニッケルメッ
キ液としては、第３表に示すものが例として挙げられる
。

（以下余白）又、本願路２の発明について詳細に説明する。

本８第２の発明は、本Ｘ１ｍ１の発明の改良にかかるも
のであり、その要旨は、基板のパターン形成面に物理的
エツチングにより所要のパターンの粗荒面を形成するパ
ターン形成工程（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）に
おいて形成された粗荒面に無電解メッキ用触媒を付着さ
せる触媒付与工程（Ｂ）、上記触媒付与工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解メ
ッキ液に浸漬し、上記ネ…荒面上に金属メッキ層を形成
させる金属パターン形成工程（Ｃ）、よりなることを特
徴とするものである。

即ち、本願路２の発明は金属パターン形成前にパターン
形成工程で得られた粗荒面上への金属メッキ層の形成を
促進或いは抑制するために、無電解メッキ用触媒を付着
させる触媒付与工程を付加したものであり、基板や物理
的エツチング等の他の要件は本願路１の発明と同様であ
る。

メッキ速度を速める触媒としては、金属イオンの還元性
を高めたり、金属イオンの吸着性を向上させたり或いは
これらの特性を兼備するものであれば特に限定されるも
のではない。

又、メッキ速度を遅らせる触媒は、金属メッキ層の膜厚
を特に精密に形成する場合、金属被膜の純度を高める場
合、無電解メッキ液の金属イオンが金、銀等の賞金属イ
オンであり、還元性が高過ぎる場合のように極めて特殊
なときに用いられる。

次に、本願路３の発明について詳細に説明する。

本願路３の発明は、本願路１の発明の改良にかかるもの
であり、その要旨は、基板のパターン形成面に物理的エ
ツチングにより所要のパターンの粗荒面を形成するパタ
ーン形成工程（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）を経
て得られた基板を無電解メッキ液に浸漬し、上記粗荒面
上に金属メッキ層を形成させる金属パターン形成工程（
Ｂ）、上記金属パターン形成工程（Ｂ）において形成さ
せた金属メッキ層に電解メッキにより該金属メッキ層と
同種又は異種の金属を析出させる電解メッキ工程（Ｃ）
、よりなることを特徴とするものである。

即ち、本Ｍ第３の発明は、本Ｍ第ｌの発明において、金
属パターン形成工程（Ｂ）で得られた無電解メッキ層の
膜厚を大きくしたり、金属メッキ層の緻密性を向上させ
るために、上記金属パターン形成工程（Ｂ）後において
その金属メッキ層に電解メッキにより該金属メッキ層と
同種又は異種の金属を析出させる電解メッキ工程（Ｃ）
を付加させたものであり、基板や物理的エツチング等の
他の要件は本Ｍ第１の発明と同様である。

この場合の電解メッキは特別な条件が要求されるもので
はなく、通常の電解メッキ液を用い、通常の電解条件下
で行なわれる。

具体的には、一般に、金属塩の濃度が１０〜３００ｇ／
ｌ、電解温度が室温〜８５℃、ｐＨ１〜１３、電流密度
０．５〜１２ＯＡ／ｄｍ；で行なわれる。

この電解メッキに際し、金属パターン形成工程（Ｂ）で
得られた基板を陰極とし、金属板やカーボン板などの導
電性板体を陽極とし、これに所定の電解液を流動、シャ
ワリングしつつ所定の電解条件で電解し、これによって
、所謂ヤケの問題を生じる事なく所望の金属のパターン
を形成しうるのである。

ところで、この発明において、無電解により形成した金
属メッキ層と同種又は異種の金属を電解メッキにより析
出させる、とは例えば無電解により、先ずニッケルメッ
キ層を形成し、その後、電解メッキ１こよりそのニッケ
ルメッキ層の上にニッケルメッキ層を形成したり、或い
は無電解により形成したニッケルメッキ層上に電解によ
りｔＡ／ツキ層を形成する場合などをいい、無電解によ
って形成された金属層（合金も含む）上にこれと同一の
金属層（合金も含む）或いはこれと異なる金属Ｎ（合金
も含む）を電解メッキで形成することをいう。

更に、本Ｈ４の発明について詳細に説明する。

本願第４の発明は、本願第１の発明の改良にかかるもの
であり、その要旨は、基板のパターン形成面に物理的エ
ツチングにより所要のパターンの粗荒面を形成するパタ
ーン形成工程（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）にお
いて形成された粗荒面に無電解メッキ用触媒を付着させ
る触媒付与工程（Ｂ）、上記触媒付与工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解メ
ッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成さ
せる金属パターン形成工程（Ｃ）、上記金属パターン形
成工程（Ｃ）において形成させた金属メッキ層に電解メ
ッキにより該金属メッキ層と同種又は異種の金属を析出
させる電解メッキ工程（Ｄ）、よりなることを特徴とするものである。

即ち、本ＩＲ第４の発明は、本願第１の発明の改良にか
かるものであり、本願第１の発明に、触媒付与工程（Ｃ
）及び電解メッキ工程（Ｄ）を付加したものであり、基
板や物理的エツチング等の他の要件は本願第１の発明と
同様である。

又、このように構成することによって金属パターンを効
率よ（形成しうるのである。

この場合の触媒付与工程（Ｃ）は特別な条件が要求され
るものではな（、本ｌＩＩ第２の発明と同様の方法で行
なわれる。

又、電解メッキ工程（Ｄ）についても特別な条件が要求
されるものではなく、本願第３の発明と同様に行えば良
いのである。

（ｅ）作用本発明に係るパターンの形成方法では、上述のように、
パターン形成工程において物理的エツチングにより所要
のパターンの粗荒面が形成される。

この粗荒面は、素地のままの平滑面に比べると表面積が
格段に広（なっており、その部分に金属イオンが吸着さ
れ、当該箇所の金属イオン濃度が極めて高くなっている
。従って、その後の金属パターン形成工程では、粗荒面
にのみ金属メッキ層が形成されることになる。その結果
、金属のパターン層が非常に正確に形成される作用を有
するのである。

また、その粗荒面に形成された凹凸面状の凹部にも金属
が析出し、金属メッキ層が、いわゆる投錨作用により当
該粗荒面に機械的に結合されるので、その金属メッキ層
と粗荒面との結合が強固になされる作用を有する。

その上、エッチング工程或いは金属パターン形成工程の
前にレジスト膜を形成する必要がなく、また、金属パタ
ーン形成工程後のレジスト膜の剥離をする必要がないの
で、工程数を少なくして生産性を向上させることができ
る作用を有するのである。

（ｆ）実施例以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

実施例第１図〜第３図は本発明の一実施例を工程の順を迫って
示す各模式図であり、この実施例に係るパターンの形成
方法は、第１図に示すように、基板（１）のパターン形
成面（２）に物理的エツチングにより所要のパターンの
粗荒面（３）を形成するパターン形成工程（Ａ＞と、第
２図に示すよるに、パターン形成工程（Ａ）を経た基板
（１）を図示しない無電解、メッキ用触媒に浸漬しで、
上記粗荒面（３）上に触媒層（４）を形成する触媒付与
工程（Ｂ）と、第３図に示すように、上記各工程（Ａ）
、（Ｂ）を経た基板（１）を図示しない無電解メッキ液
に浸漬し、上記粗荒面（３）上に金属メッキ層（５）を
形成する金属パターン形成工程（Ｃ）とからなる。

上記基板（１）に使用されるプラスチックスとしては、
例えば、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、〃ラ
スエポキシ系樹脂、〃ラステフロン系樹脂、ポリアミド
イミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエチレン系
樹脂、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂等
のプラスチック或いはプラスチックスと〃ラス等の複合
材料を挙げることができるが、ここでは電気的特性が着
しく優れるポリテトラプルオロエチレン製シートで基板
（１）が形成されている。

上記パターン形成工程（Ａ）において、形成される粗荒
面（３）は、特に限定されるものではないが、スパッタ
エツチングにより形成した。

即ち、厚さ０．３ｍ−の幼削ポリテトラフルオロエチレ
ン（以下ＰＴＦＥという）シートをスパッタエツチング
装置に電極間距離が１００ｍｍになるようにセットし、
真空ポンプでＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ以下にした後、
アルゴンを導入して雰囲気圧５×１０　”’Ｔｏｒｒに
保った。

次に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、放電電圧
を４　、０　Ｗａｔｔ／　ａｍ’になるように１４整し
て３０秒間スパッタエツチング処理し、電源を切って容
器内にパルプより空気を入れて常圧にもどしで片面に所
要のパターンの粗荒面（３）を得た。

得られたＰＴＦＥシートの処理面の外観は肉眼では未処
理のものと全く変わらなかった。

この後、触媒付与工程（Ｂ）が実施される。

触媒は、メッキ速度を速めるものと、遅らせるものとが
考えられるが、ここでは、金属メッキ層の形成を短時間
で行うためにメッキ速度を速める触媒が使用された。

この触媒は、還元性を高めたり、金属イオン吸着性を向
上させたり或いはこれらの特性を兼備するものであれば
特に限定されるものではない。

この実施例では市販品（商品名：Ａ−３０キヤタリスト
、奥野製薬工業株式会社製）を８０ｍ１、製塩ｆＩ１１
５０ｍｌを純水１リツ）ル中に含む水溶液を（ａ温約４
０℃）触媒液として使用した。

上記の触媒液への浸漬は１〜１５分間に亘って行なわれ
、この後、基板（１）を水洗浄してから、液温３５℃の
塩酸水溶１１　（１００＠ｌ／　ｌＮ：　２分間浸漬し
、触媒を活性化させる。そして、もう−炭水洗浄してか
ら、次の金属パターン形成工程（Ｃ）に移る。

金属パターン形成工程（Ｃ）においで形成される金属メ
ッキ層の材質は無電解メッキにより析出する金属であれ
ば特に限定されるものではな（、例えば、金、銀、銅、
ニッケル、錫、或いはこれらをマトリックスとする合金
等がその例として挙げられる。

この実施例ではニッケルメッキ層が形成されるので、以
下、ニッケルメッキ層を形成する場合を例にとって説明
するが、その他の金属のメッキ層を形成する場合でも、
無電解メッキ液の組成成分や水素イオン濃度等は、メッ
キ速度、作業温度、析出金属被膜の純度等を考慮して適
宜選択すればよい。

金属パターン形成工程（Ｃ）において使用される無電解
メッキ液の浴種は、酸性浴であっても、アルカリ性浴で
あっても、中性浴であってもよい。

酸性浴としては、例えば、グリコール酸浴、コハク酸浴
等が例として挙げられる。

アルカリ性浴としては、アンモニアアルカリ性浴、カセ
イアルカリ性浴等が例として挙げられる。

これらの浴様の中では析出された金属被膜へのリン等の
不純物が比較的少ないアンモニアアルカリ性浴が推奨さ
れる。

メッキ液中の還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ酸化合物、ヒドラジン等の公知の還元剤を使用すれば
よい。

この実施例では市販品（商品名：ＴＭＰ化学ニッケルメ
ッキ液、奥野製薬工業株式会社製）が無電解メッキ液と
して使用され、約４０℃の液温で１５分間処理された。

この、ような手順を踏むと、上記パターン形成工程（Ａ
）において得られた所要のパターンが粗荒面（３）に形
成されているから、素地そのままの平滑面に比べると表
面積が格段に広くなっており金属イオンが吸着され易く
なっている。従って、金属パターン形成工程（Ｃ）で無
電解メッキ液中に基板（１）を浸漬させると、メッキ液
中の金属イオンはイオン吸着性の高い粗荒面（３）に集
中的に吸着され、イオン吸着性が低く平滑な基板（１）
の表面には金属イオンが付着し難くなり、しかも、上記
粗荒面（３）上に無電解メッキ用触媒からなる触媒層（
４）が形成されている結果、上記粗荒面（３）め表面の
みに金属メッキ層（５）を形成することができ、金属メ
ッキ層（５）のパターンが非常に正確に形成されること
になる。

実施例２上記実施例１と同様にパターン形成工程（Ａ）及び触媒
付与工程（Ｂ）を行った後に、金属パターン形成工程（
Ｃ）において、市販の無電解銅メッキ液（商品名：化学
銅１００、奥野製薬工業株式会社製）を使用することに
より、粗荒面（３）の表面のみに銅皮膜（５）を得るこ
とができた。

実施例３上記実施例２と同様にパターン形成工程（Ａ）、触媒付
与工程（Ｂ）、金属パターン形成工程（Ｃ）を行った後
、この工程（Ｃ）で得た金属パターン上に電解ニッケル
メッキ法により膜厚が大で、しかも１［なニッケルメッ
キ層（５）を得た。

この場合、ニッケルメッキ液及び電解条件としては、硫
酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、酢
酸ニッケル４５ｇ／ｌ、ホウＲ３０ｇ／ｌ、硫酸アンモ
ニウム２．５ｇ／ｌ、ホルムアルデヒド１　ｇ／ｌ、　
ｐＨ２〜４、温度６０〜７０℃、電流密度２〜４Ａ／ｄ
輸２で１５分間行った。

比較例１〜３上記実施例１〜３においでその各々の物理的エツチング
を除いたも゛のを用いた。

上記各実施例の金属メッキ層の基板に対する接着強度は
５３０ｇ／ａｍ以上であったのに対し比較例のものは５
０〜８０ｇ／ａｍであり、本願発明のもののｖ着性は極
めて良好であることが認められた。

又、各比較例のものを温度８０〜２００℃で熱処理をし
たところ、カールが生じると共に金属パターン層のエツ
ジ部に剥離が認められた。

更に、各実施例のものと、熱処理をして成る各比較例品
を温度２０℃と温度６０℃、相対湿度８５％の雰囲気下
、熱サイクル試験を５００時間行ったところ、各実施例
のものは異常が認められなかったが、比較例のものはカ
ールが一層激しくなり、しかも剥離の進行が認められた
。

し）発明の効果以上のように、本発明のパターンの形成方法によれば、
メッキレノス）ＩＩＩ或いはエツチングレノスト膜を形
成したり、それを除去したいする必要がないので、工程
数が少なく、生産性が向上してコストダウンを図ること
ができる効果を有するのである。

また、基板と金属メッキ層とが、加熱、加圧することな
（、基板と粗荒面との間の結合力と、該粗荒面と金属メ
ッキ層との間の結合力によって強固に基板に結合されて
いるので、熱膨張率或いは熱収縮率の差異によって金属
メッキ層が基板から剥離するおそれがなく、基板と金属
メッキ層との間に強固で信頼性の高い結合構造が得られ
る効果を有するのである。

更に、従来のように、エツチング液による金属メッキ層
の周縁部への喰込みがなく、しがも、粗荒面のみに金属
メッキ層を形成させることができるので、所要のパター
ンを極めて正確に形成することができ、その結果、例え
ば、印刷基板等の電子部品に本発明を適用すれば、回路
線の抵抗値、回路線間の誘電率等の電気的特性を正確に
設定することができ、極めて信頼性の高い電子部品を作
ることができる効果を有するのである。

【図面の簡単な説明】

第１図ないしＰ！ＩＪ３図は本発明の一実施例を工程の
順を迫って示す各模式図であり、第１図はパターン形成
工程の模式図、第２図は触媒付与工程の模式図、第３図
は金属パターン形成工程の模式図である。（１）・・・基板、（２）・・・パターン形成面、（３
）・・・粗荒面、（４）・・・触媒層、（５）・・・金
属メッキ層。１・−・基虻２・−−ノペｉｇ−Ａノらこｊ１６３・・・忍を面４−・触ＩＬ７ｆ５−−一タトＢらノッＡアｔ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板のパターン形成面に物理的エッチングにより
所要のパターンの粗荒面を形成するパターン形成工程（
Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）を経て得られた基板を無電
解メッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形
成させる金属パターン形成工程（Ｂ）、よりなることを
特徴とするパターンの形成方法。
（２）上記物理的エッチングがグロー放電、スパッタエ
ッチング又はイオンプレーテングである特許請求の範囲
第１項に記載のパターンの形成方法。
（３）上記パターン形成工程（Ａ）が、基板上に所要の
パターンのマスクを積層するマスク積層工程（Ａ１）と
、このマスク積層工程（Ａ１）で得られた基板においてそ
のマスク側から物理的エッチングを施すエッチング工程
（Ａ２）、からなる特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のパタ
ーンの形成方法。
（４）基板のパターン形成面に物理的エッチングにより
所要のパターンの粗荒面を形成するパターン形成工程（
Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）において形成された粗荒面
に無電解メッキ用触媒を付着させる触媒付与工程（Ｂ）
、上記触媒付与工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解メ
ッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成さ
せる金属パターン形成工程（Ｃ）、よりなることを特徴
とするパターンの形成方法。
（５）上記物理的エッチングがグロー放電、スパッタエ
ッチング又はイオンプレーテングである特許請求の範囲
第４項に記載のパターンの形成方法。
（６）上記パターン形成工程（Ａ）が、基板上に所要の
パターンのマスクを積層するマスク積層工程（Ａ１）と
、このマスク積層工程（Ａ１）で得られた基板においてそ
のマスク側から物理的エッチングを施すエッチング工程
（Ａ２）、からなる特許請求の範囲第４項又は第５項に記載のパタ
ーンの形成方法。
（７）基板のパターン形成面に物理的エッチングにより
所要のパターンの粗荒面を形成するパターン形成工程（
Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）を経て得られた基板を無電
解メッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形
成させる金属パターン形成工程（Ｂ）、上記金属パター
ン形成工程（Ｂ）において形成させた金属メッキ層に電
解メッキにより該金属メッキ層と同種又は異種の金属を
析出させる電解メッキ工程（Ｃ）、よりなることを特徴とするパターンの形成方法。
（８）上記物理的エッチングがグロー放電、スパッタエ
ッチング又はイオンプレーテングである特許請求の範囲
第７項に記載のパターンの形成方法。
（９）上記パターン形成工程（Ａ）が、基板上に所要の
パターンのマスクを積層するマスク積層工程（Ａ１）と
、このマスク積層工程（Ａ１）で得られた基板においてそ
のマスク側から物理的エッチングを施すエッチング工程
（Ａ２）、からなる特許請求の範囲第７項又は第８項に記載のパタ
ーンの形成方法。
（１０）基板のパターン形成面に物理的エッチングによ
り所要のパターンの粗荒面を形成するパターン形成工程
（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）において形成された粗荒面
に無電解メッキ用触媒を付着させる触媒付与工程（Ｂ）
、上記触媒付与工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解メ
ッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成さ
せる金属パターン形成工程（Ｃ）、上記金属パターン形
成工程（Ｃ）において形成させた金属メッキ層に電解メ
ッキにより該金属メッキ層と同種又は異種の金属を析出
させる電解メッキ工程（Ｄ）、よりなることを特徴とするパターンの形成方法。
（１１）上記物理的エッチングがグロー放電、スパッタ
エッチング又はイオンプレーテングである特許請求の範
囲第１０項に記載のパターンの形成方法。
（１２）上記パターン形成工程（Ａ）が、基板上に所要
のパターンのマスクを積層するマスク積層工程（Ａ１）
と、このマスク積層工程（Ａ１）で得られた基板においてそ
のマスク側から物理的エッチングを施すエッチング工程
（Ａ２）、からなる特許請求の範囲第１０項又は第１１項に記載の
パターンの形成方法。