JPH02190474A - 金属化のための基板の処理方法 - Google Patents
金属化のための基板の処理方法Info
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- JPH02190474A JPH02190474A JP1297812A JP29781289A JPH02190474A JP H02190474 A JPH02190474 A JP H02190474A JP 1297812 A JP1297812 A JP 1297812A JP 29781289 A JP29781289 A JP 29781289A JP H02190474 A JPH02190474 A JP H02190474A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
この発明は、後で金属化するための、セラミック及びガ
ラス基板の選択的シーディング（ｓｅｅｄｉｒｒｇ）の
ための方法に関し、より詳しくは、金属パターンを形成
するために、酸化物を含むセラミック、ガラス・セラミ
ック、及びガラス基板をシーディングするための方法に
関する。
ラス基板の選択的シーディング（ｓｅｅｄｉｒｒｇ）の
ための方法に関し、より詳しくは、金属パターンを形成
するために、酸化物を含むセラミック、ガラス・セラミ
ック、及びガラス基板をシーディングするための方法に
関する。
Ｂ、従来の技術
誘電体基板上への金属の付着は、典型的には電解液から
の電気メッキによって達成されるものであって、さまざ
まの産業分野でさまざまの目的で使用されている。マイ
クロエレクトロニクス産業の分野では、集積回路（ＩＣ
）チップや、ＩＣが電気的に搭載されるパッケージング
基板などのメッキされた電子素子の製造コストを低減す
ることに努力が続けられている。
の電気メッキによって達成されるものであって、さまざ
まの産業分野でさまざまの目的で使用されている。マイ
クロエレクトロニクス産業の分野では、集積回路（ＩＣ
）チップや、ＩＣが電気的に搭載されるパッケージング
基板などのメッキされた電子素子の製造コストを低減す
ることに努力が続けられている。
パッケージング基板は、典型的には、セラミック、ガラ
ス・セラミック、ガラスなどの酸化物含有材料から形成
されている。ＩＣは典型的には、それと同様の酸化物含
有材料から作成された上部パシベーション誘電体をもつ
。導電パターンは、典型的には、ＩＣまたは基板内部の
素子を電気的に相互接続し、あるいはＩＣまたは基板に
対する外部電気接続を与えるための手段を提供するべく
、ＩＣ及びパッケージング基板の酸化物含有表面上に形
成される。従来技術のＩＣ及び基板は、サブミクロン寸
法の幅と厚さの導電体をその表面にもつ。そして、それ
らの寸法が小さくなるにつれて、電気的断線が生じる確
率が高まる。もし他の箇所でＩＣまたは基板が欠陥がな
いとしても、たった一箇所の断線がＩＣまたは基板を利
用価１ａのないものにしてしまう。このように、素子の
棄却を必然ならしめる電気的断線は、欠陥のない素子の
製造コストを増大させてしまう。典型的には、そのよう
な断線は修理される。
ス・セラミック、ガラスなどの酸化物含有材料から形成
されている。ＩＣは典型的には、それと同様の酸化物含
有材料から作成された上部パシベーション誘電体をもつ
。導電パターンは、典型的には、ＩＣまたは基板内部の
素子を電気的に相互接続し、あるいはＩＣまたは基板に
対する外部電気接続を与えるための手段を提供するべく
、ＩＣ及びパッケージング基板の酸化物含有表面上に形
成される。従来技術のＩＣ及び基板は、サブミクロン寸
法の幅と厚さの導電体をその表面にもつ。そして、それ
らの寸法が小さくなるにつれて、電気的断線が生じる確
率が高まる。もし他の箇所でＩＣまたは基板が欠陥がな
いとしても、たった一箇所の断線がＩＣまたは基板を利
用価１ａのないものにしてしまう。このように、素子の
棄却を必然ならしめる電気的断線は、欠陥のない素子の
製造コストを増大させてしまう。典型的には、そのよう
な断線は修理される。
従来技術は、基板上に金属をメッキするための方法を教
示する。基板上に金属を選択的にメッキするためのよく
知られた方法は、画定パターンに対するマスクを採用す
ることである。メッキ処理には、複数の工程が必要であ
る。典型的には、基板表面にレジスト状の材料が付着さ
れる。このレジスト状の材料は、基板表面を選択的に露
出させるようにマスクを選択的に除去される。そして、
金属が、この選択的に露出された基板表面上にメッキさ
れる。最後に、マスクが除去される。
示する。基板上に金属を選択的にメッキするためのよく
知られた方法は、画定パターンに対するマスクを採用す
ることである。メッキ処理には、複数の工程が必要であ
る。典型的には、基板表面にレジスト状の材料が付着さ
れる。このレジスト状の材料は、基板表面を選択的に露
出させるようにマスクを選択的に除去される。そして、
金属が、この選択的に露出された基板表面上にメッキさ
れる。最後に、マスクが除去される。
従来技術はまた、レジスト材料を使用することなく金属
を選択的にメッキする方法を教示する。
を選択的にメッキする方法を教示する。
特開昭６１−１０４０８３号公報は、選択的金属メッキ
のために基板の表面を活性化するための方法を記載する
。これにおいては、基板表面が溶液に浸漬され、選択的
にレーザで輻射される。そのあと、基板の選択的に輻射
された部分に無電解的にメッキが行なわれる。
のために基板の表面を活性化するための方法を記載する
。これにおいては、基板表面が溶液に浸漬され、選択的
にレーザで輻射される。そのあと、基板の選択的に輻射
された部分に無電解的にメッキが行なわれる。
米国特許第４２３９７８９号は、基板上にマスクなしで
メッキする方法を説明する。これにおいては、基板はメ
ッキ溶液に浸漬され、選択的に光で輻射され、これによ
り基板の輻射領域に溶液のメッキからの金属がもたらさ
れる。
メッキする方法を説明する。これにおいては、基板はメ
ッキ溶液に浸漬され、選択的に光で輻射され、これによ
り基板の輻射領域に溶液のメッキからの金属がもたらさ
れる。
米国特許第４５７４０９５号は、基板を有機パラジウム
蒸気に接触させながら基板を光で輻射することにより基
板上にＰｄシートを付着させる処理を記述する。この蒸
気は、光によって熱的または光化学的に分解されてシー
トを付着させる。
蒸気に接触させながら基板を光で輻射することにより基
板上にＰｄシートを付着させる処理を記述する。この蒸
気は、光によって熱的または光化学的に分解されてシー
トを付着させる。
極めて驚くべきことに、本発明によれば、セラミックま
たはガラス基板の場合、特に酸化物を含有する基板の場
合、薄い基板層を選択的に溶かすことができ（例えば、
集光されたレーザ・ビームによって）ることか見出され
た。そして、そのあと基板がシーディング溶液中に配置
される。また、基板がシーディング溶液中に配置された
とき、選択的に溶かされた基板部分のみに金属が付着す
ることが見出された。本発明によれば、上記の引用従来
技術のように、シートまたは金属がレーザで付着される
訳ではない。
たはガラス基板の場合、特に酸化物を含有する基板の場
合、薄い基板層を選択的に溶かすことができ（例えば、
集光されたレーザ・ビームによって）ることか見出され
た。そして、そのあと基板がシーディング溶液中に配置
される。また、基板がシーディング溶液中に配置された
とき、選択的に溶かされた基板部分のみに金属が付着す
ることが見出された。本発明によれば、上記の引用従来
技術のように、シートまたは金属がレーザで付着される
訳ではない。
米国特許第４５７８１５７号及び同第４５７８１５５号
は、メッキ溶液中で基板をレーザにより輻射することに
より、メッキを行うことを記述する。
は、メッキ溶液中で基板をレーザにより輻射することに
より、メッキを行うことを記述する。
米国特許第４６１６９０７号は、ポリ（硫化アリレン）
基板にメッキするための処理を記述する。
基板にメッキするための処理を記述する。
これにおいては、まず、基板がレーザにより選択的に照
射されてこれにより、基板の非輻射部分に対して基板の
輻射部分を変性する。このときの輻射の強度は、基板表
面を水に対して濡れ可能にするには十分であるが、ポリ
マ表面の劣化を引き起こすには十分でない程度のもので
ある。輻射された基板は、輻射された基板上に金属をメ
ッキするためにメッキ溶液と接触されるか、または後の
無電解メッキのために、触媒、例えばＰ ｄ ／ Ｓ
ｎと接触される。この米国特許は、基板を劣化すること
なくメッキ金属被覆の接着性を改善するために基板の粗
さを改変するべく低いレーザ出力で特定のポリマをレー
ザで輻射することを教示する。それの例で述べられてい
るように、処理済みと未処理の両方の基板がメッキされ
る。そのレーザ処理の効果は、メッキ全屈の接着性の改
善である。
射されてこれにより、基板の非輻射部分に対して基板の
輻射部分を変性する。このときの輻射の強度は、基板表
面を水に対して濡れ可能にするには十分であるが、ポリ
マ表面の劣化を引き起こすには十分でない程度のもので
ある。輻射された基板は、輻射された基板上に金属をメ
ッキするためにメッキ溶液と接触されるか、または後の
無電解メッキのために、触媒、例えばＰ ｄ ／ Ｓ
ｎと接触される。この米国特許は、基板を劣化すること
なくメッキ金属被覆の接着性を改善するために基板の粗
さを改変するべく低いレーザ出力で特定のポリマをレー
ザで輻射することを教示する。それの例で述べられてい
るように、処理済みと未処理の両方の基板がメッキされ
る。そのレーザ処理の効果は、メッキ全屈の接着性の改
善である。
米国特許第４３４８２６３号は、レーザまたは電子ビー
ムを使用して薄い表面層を溶かすことにより、金属表面
の表面不均一を最小限にする方法を記述する。このこと
は、金属表面の粒状構造と滑かさを改変し、後でメッキ
される保護金属層の粒状構造と滑かさを改善させる。こ
の金属表面は、表面を溶かすことなくメッキすることが
できる。
ムを使用して薄い表面層を溶かすことにより、金属表面
の表面不均一を最小限にする方法を記述する。このこと
は、金属表面の粒状構造と滑かさを改変し、後でメッキ
される保護金属層の粒状構造と滑かさを改善させる。こ
の金属表面は、表面を溶かすことなくメッキすることが
できる。
その表面の溶融は、金属表面にメッキされる金属の品質
を向上する。
を向上する。
しかし、上記どの米国特許も、シートを基板上に付着さ
せるために、基板をシート媒体と接触させる前に、セラ
ミックまたはガラス基板を選択的に溶融することを示唆
しない。
せるために、基板をシート媒体と接触させる前に、セラ
ミックまたはガラス基板を選択的に溶融することを示唆
しない。
Ｃ０発明が解決しようとする課題
この発明の目的は、表面層を選択的に溶融することによ
って、シーディングのためにセラミックまたはガラス基
板を選択的に処理することにある。
って、シーディングのためにセラミックまたはガラス基
板を選択的に処理することにある。
この発明の他の目的は、表面層を選択的に溶融すること
によって、シーディングのために酸化物含有表面を選択
的に処理することにある。
によって、シーディングのために酸化物含有表面を選択
的に処理することにある。
この発明のさらに他の目的は、光ビームで表面層を選択
的に溶融させることにある。
的に溶融させることにある。
０１課題を解決するための手段
本発明の方法は、先ず基板の表面層を選択的に溶融させ
ることによって、後の金属化のためにセラミックまたは
ガラス酸化物表面を選択的に処理するものである。その
後、基板は、溶融された基板表面の領域にシートを付着
させるために、シーディング媒体と接触される。
ることによって、後の金属化のためにセラミックまたは
ガラス酸化物表面を選択的に処理するものである。その
後、基板は、溶融された基板表面の領域にシートを付着
させるために、シーディング媒体と接触される。
本発明のより具体的な側面によれば、セラミックまたは
ガラス表面は、酸化物含有表面である。
ガラス表面は、酸化物含有表面である。
本発明のさらに具体的な側面によれば、基板表面は、集
光された光ビームによって選択的に溶融される。
光された光ビームによって選択的に溶融される。
本発明のさらに具体的な側面によれば、金属は、シート
が付着される基板表面の部分に、無電解的に付着される
。
が付着される基板表面の部分に、無電解的に付着される
。
Ｅ、実施例
本発明によれば、基板をシーディング媒体と接触させる
前に、基板を化学的試薬で処理する必要がなく、メッキ
によって金属化するために、セラミック及びガラス基板
、特に酸化物含有セラミック、ガラス及びガラス−セラ
ミック基板を処理するための方法が提供される。
前に、基板を化学的試薬で処理する必要がなく、メッキ
によって金属化するために、セラミック及びガラス基板
、特に酸化物含有セラミック、ガラス及びガラス−セラ
ミック基板を処理するための方法が提供される。
典型的な基板は、セラミックス、ガラス−セラミックス
及びガラスである。セラミックスの例としては、アルミ
ナがある。ガラス−セラミックスの例としては、スポジ
ューメン・ムライト、及びコージライト・タイプのガラ
ス・セラミックスがある。ガラスの例としては、はうけ
い酸ガラスがある。溶融された領域は、１ミクロン程度
の小さい厚さを有していてよいことが分かった。溶融さ
れた領域の厚さは、０．０３ないし０．０５ミクロン程
度の薄さでよいと考えられる。溶融された領域は、連続
である必要はない。溶融された表面層のアイランドでも
、本発明を実施するには十分である。このアイランドは
、金属がアイランドに付着されたシート上にメッキされ
るとき、メッキされた金属がアイランド間で互いに連結
する程度に十分に近接して配置される。
及びガラスである。セラミックスの例としては、アルミ
ナがある。ガラス−セラミックスの例としては、スポジ
ューメン・ムライト、及びコージライト・タイプのガラ
ス・セラミックスがある。ガラスの例としては、はうけ
い酸ガラスがある。溶融された領域は、１ミクロン程度
の小さい厚さを有していてよいことが分かった。溶融さ
れた領域の厚さは、０．０３ないし０．０５ミクロン程
度の薄さでよいと考えられる。溶融された領域は、連続
である必要はない。溶融された表面層のアイランドでも
、本発明を実施するには十分である。このアイランドは
、金属がアイランドに付着されたシート上にメッキされ
るとき、メッキされた金属がアイランド間で互いに連結
する程度に十分に近接して配置される。
基板表面を溶融する好適な方法は、基板表面の薄い皮層
を溶融させるように十分に集光された光ビームを使用す
ることである。−量的に利用可能なレーザは、光ビーム
として使用することができ、約１ミクロンから約１０ミ
クロンの溶融領域を容易に形成することが分かった。光
ビームは、好適には、薄い表面層の溶融をもたらすよう
にその表面で吸収される波長をもつ。そして、光ビーム
がより効率的に吸収される程、表面の溶融をもたらすた
めに必要なビーム電力と集光は低くてよいことになる。
を溶融させるように十分に集光された光ビームを使用す
ることである。−量的に利用可能なレーザは、光ビーム
として使用することができ、約１ミクロンから約１０ミ
クロンの溶融領域を容易に形成することが分かった。光
ビームは、好適には、薄い表面層の溶融をもたらすよう
にその表面で吸収される波長をもつ。そして、光ビーム
がより効率的に吸収される程、表面の溶融をもたらすた
めに必要なビーム電力と集光は低くてよいことになる。
本発明の方法を実施するために十分な光ビームは、レー
ザ・ビームによって提供することができる。光ビームを
集光させ、基板表面の予定のパターンを溶融するために
慣用的な装置を使用してそのビームを走査することによ
り、基板表面の選択された領域を溶融することができる
。選択される光の波長は、輻射される基板に依存する。
ザ・ビームによって提供することができる。光ビームを
集光させ、基板表面の予定のパターンを溶融するために
慣用的な装置を使用してそのビームを走査することによ
り、基板表面の選択された領域を溶融することができる
。選択される光の波長は、輻射される基板に依存する。
波長は、その基板によって吸収されるものが選択される
。特定の基板に対して、適切な波長を選択することは、
当業者の技術範囲である。また、使用される光の特定の
波長に対して十分なスポット・サイズとエネルギ密度を
達成するように光ビームを集光するために適切な光学装
置を選択することも当業者の技術範囲である。基板表面
が選択的に溶融された後、溶融された領域は、シーディ
ング媒体と接触される。典型的なシーディング媒体は、
塩化物溶液であり、白金族金属の塩化物、例えば、Ｒｕ
、Ｒｈ、Ｏｓ及びＩｒの塩化物や、ＰｄＣ１゜及びＡｕ
Ｃ１ａである。これは、単なる例示であって、本発明を
限定するものではない。好適なシーディング媒体は、レ
ーザ書込み領域にパラジウム触媒シートを付着させる塩
化パラジウム溶液である。金属は、銅、ニッケル、金、
白金族金属、及びコバルトのメッキ溶液などの一般的に
使用されるメッキ溶液を使用してシート領域上に無電解
的に付着される。これもまた、単なる例示であって、本
発明を限定するものではない。好適なメッキ溶液は、ニ
ッケル・メッキ溶液である。
。特定の基板に対して、適切な波長を選択することは、
当業者の技術範囲である。また、使用される光の特定の
波長に対して十分なスポット・サイズとエネルギ密度を
達成するように光ビームを集光するために適切な光学装
置を選択することも当業者の技術範囲である。基板表面
が選択的に溶融された後、溶融された領域は、シーディ
ング媒体と接触される。典型的なシーディング媒体は、
塩化物溶液であり、白金族金属の塩化物、例えば、Ｒｕ
、Ｒｈ、Ｏｓ及びＩｒの塩化物や、ＰｄＣ１゜及びＡｕ
Ｃ１ａである。これは、単なる例示であって、本発明を
限定するものではない。好適なシーディング媒体は、レ
ーザ書込み領域にパラジウム触媒シートを付着させる塩
化パラジウム溶液である。金属は、銅、ニッケル、金、
白金族金属、及びコバルトのメッキ溶液などの一般的に
使用されるメッキ溶液を使用してシート領域上に無電解
的に付着される。これもまた、単なる例示であって、本
発明を限定するものではない。好適なメッキ溶液は、ニ
ッケル・メッキ溶液である。
■
１０．６μｍの波長と８５乃至１００μｓの持続期間を
もつレーザ・パルスが、低速軸流Ｃ０２レーザによって
反復レート１乃至２のｋＨｚで発生され、パルス・エネ
ルギは、全レーザ・ビーム電力４乃至８Ｗをもたらすよ
うに調節された。このビームは、アルミナ・シート・サ
ンプル上に５００乃至１００μｍのスポット・サイズで
集光された。サンプルは、集光されたビームの下で１乃
至２インチ／秒（秒速２５．４乃至５０．８ｍｍ）の速
度で、モータ駆動移動ステージによって移動され、これ
により、狭い、溶融された、視覚的に連続する線がサン
プル表面上に形成された。約２４時間またはそれ以上の
後、レーザ書込みされたアルミナ・サンプルは、水ジェ
ツト（ＫＯＨまたはＫＦｅ （ＣＮ）ｅ溶液を使用して
もよい）によって洗浄され、脱イオン水中でリンスされ
、（０，１重量％のＰｄＣｌ２を含む）脱イオン水中の
ＰｄＣｌ２シーディング溶液と１ｍｌ／ｌｔｆ’Ｊ度の
ＨＣｌに約１分間配置された。次に、５体積％のＨＣｌ
中に４分間、及びホットランニング脱イオン水中に４分
間配置された。その濡れた基板は、無電解Ｎｉメッキ浴
に５５分間移送され、０．４％のほう素をもつ約５μｍ
のＮｉが付着された。
もつレーザ・パルスが、低速軸流Ｃ０２レーザによって
反復レート１乃至２のｋＨｚで発生され、パルス・エネ
ルギは、全レーザ・ビーム電力４乃至８Ｗをもたらすよ
うに調節された。このビームは、アルミナ・シート・サ
ンプル上に５００乃至１００μｍのスポット・サイズで
集光された。サンプルは、集光されたビームの下で１乃
至２インチ／秒（秒速２５．４乃至５０．８ｍｍ）の速
度で、モータ駆動移動ステージによって移動され、これ
により、狭い、溶融された、視覚的に連続する線がサン
プル表面上に形成された。約２４時間またはそれ以上の
後、レーザ書込みされたアルミナ・サンプルは、水ジェ
ツト（ＫＯＨまたはＫＦｅ （ＣＮ）ｅ溶液を使用して
もよい）によって洗浄され、脱イオン水中でリンスされ
、（０，１重量％のＰｄＣｌ２を含む）脱イオン水中の
ＰｄＣｌ２シーディング溶液と１ｍｌ／ｌｔｆ’Ｊ度の
ＨＣｌに約１分間配置された。次に、５体積％のＨＣｌ
中に４分間、及びホットランニング脱イオン水中に４分
間配置された。その濡れた基板は、無電解Ｎｉメッキ浴
に５５分間移送され、０．４％のほう素をもつ約５μｍ
のＮｉが付着された。
ニッケルは、サンプル上の狭いレーザ書込み線上に首尾
よく付着し、他の箇所には付着しなかった。メッキされ
た線は、アルミナ基板に対して良好な接着性を呈した。
よく付着し、他の箇所には付着しなかった。メッキされ
た線は、アルミナ基板に対して良好な接着性を呈した。
尚、無電解ニッケル・メッキ浴は、約５０グラム／ｌの
酢酸二・νケルと、約２５グラム／ｌの乳酸と、約２．
５グラム／ｌのジメチルアミン・ボランと、約２５グラ
ム／ｌのクエン酸ナトリウムと、約０．１グラム／ｌの
非発泡性濡れ試剤と、約１．５ｍｇ／ｌのチオジグリコ
ール酸を含むものであった。
酢酸二・νケルと、約２５グラム／ｌの乳酸と、約２．
５グラム／ｌのジメチルアミン・ボランと、約２５グラ
ム／ｌのクエン酸ナトリウムと、約０．１グラム／ｌの
非発泡性濡れ試剤と、約１．５ｍｇ／ｌのチオジグリコ
ール酸を含むものであった。
Ｆ０発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、基板をシーディン
グ媒体と接触させる前に、基板をの選択された箇所をレ
ーザ・ビームで走査するだけで、基板を化学的試薬で処
理する必要がない、メッキによって金属化するために、
セラミック及びガラス基板、特に酸化物含有セラミック
、ガラス及びガラス−セラミック基板を処理するための
方法が提供される。
グ媒体と接触させる前に、基板をの選択された箇所をレ
ーザ・ビームで走査するだけで、基板を化学的試薬で処
理する必要がない、メッキによって金属化するために、
セラミック及びガラス基板、特に酸化物含有セラミック
、ガラス及びガラス−セラミック基板を処理するための
方法が提供される。
Claims (4)
- （１）金属化のために、セラミック及びガラス基板から
選択された基板を処理するための方法において、 （ａ）上記基板の表面を選択的に溶融させる段階と、 （ｂ）その後、上記選択的に溶融された表面部分にシー
トを付着させるために、少なくとも該選択的に溶融され
た表面部分を、シーディング媒体と接触させる段階を有
する、 基板の処理方法。 - （２）酸化物含有基板のシーディング方法において、 （ａ）集光された光ビームで上記基板にパターンを書き
込む段階と、 （ｂ）その後、上記パターンにシートを付着させるため
に、少なくとも上記パターンをシーディング媒体と接触
させる段階を有する、 基板のシーディング方法。 - （３）セラミック及びガラス基板から選択された基板を
金属化する方法において、 （ａ）集光された光ビームで上記基板にパターンを書き
込む段階と、 （ｂ）その後、上記パターンにシートを付着させるため
に、少なくとも上記パターンをシーディング媒体と接触
させる段階と、 （ｃ）上記パターンに金属を付着するために、上記パタ
ーンをメッキ媒体と接触させる段階を有する、基板のシ
ーディング方法。 - （４）アルミナ基板を金属化する方法において、 （ａ）波長約１０．６μｍ、電力４乃至８Ｗ、スポット
・サイズ約５０乃至１００μｍの集光された光ビームで
上記基板にパターンを書き込む段階と、 （ｂ）その後、少なくとも上記パターンを塩化パラジウ
ム溶液と接触させる段階と、 （ｃ）上記パターンに金属を付着するために、上記パタ
ーンをメッキ媒体と接触させる段階を有する、アルミナ
基板のシーディング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US29714489A | 1989-01-11 | 1989-01-11 | |
| US297144 | 1989-01-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02190474A true JPH02190474A (ja) | 1990-07-26 |
Family
ID=23145041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1297812A Pending JPH02190474A (ja) | 1989-01-11 | 1989-11-17 | 金属化のための基板の処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0377867A2 (ja) |
| JP (1) | JPH02190474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2017187930A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1007242A3 (fr) * | 1993-07-13 | 1995-05-02 | Laude Lucien Diego | Procede de production d'une couche metallique fortement adherente sur de l'alumine frittee et produit metallise ainsi obtenu. |
| JP2800785B2 (ja) * | 1996-06-18 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 微細配線実装基板およびその製造方法 |
| GB2384493A (en) * | 2002-01-23 | 2003-07-30 | Oxley Dev Co Ltd | Selective electroless plating of ceramic substrates for use in capacitors |
| DE102004017440A1 (de) | 2004-04-08 | 2005-11-03 | Enthone Inc., West Haven | Verfahren zur Behandlung von laserstrukturierten Kunststoffoberflächen |
| US9671030B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-06-06 | General Electric Company | Metallic seal assembly, turbine component, and method of regulating airflow in turbo-machinery |
| US9587632B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-03-07 | General Electric Company | Thermally-controlled component and thermal control process |
| US9169567B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-10-27 | General Electric Company | Components having tab members |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186479A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Hitachi Ltd | 選択的めつき方法 |
| JPS62146279A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Hitachi Ltd | 無電解めつき方法 |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP1297812A patent/JPH02190474A/ja active Pending
- 1989-12-19 EP EP19890123434 patent/EP0377867A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186479A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Hitachi Ltd | 選択的めつき方法 |
| JPS62146279A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Hitachi Ltd | 無電解めつき方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2017187930A1 (ja) * | 2016-04-26 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
| US11821090B2 (en) | 2016-04-26 | 2023-11-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing ceramic electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0377867A2 (en) | 1990-07-18 |
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