JP2002212779A - 表面処理方法およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法と薄膜磁気ヘッド - Google Patents
表面処理方法およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法と薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき処理やウェットエッチング処理の不良
をなくすために表面の濡れ性を向上させる際に、フォト
レジストおよび下地へのダメージを減らした表面処理方
法を提供する。 【解決手段】 表面にフォトレジスト３１をパターニン
グした表面のめっき処理あるいはウェットエッチング処
理の前処理工程において、使用しているフォトレジスト
の感光波長よりも短波長の紫外光、波長１７２ｎｍ以下
に最大ピークを持つ発光スペクトルを有する紫外光ある
いは波長１７２ｎｍ以下の単色紫外光を、空気、酸素、
オゾンのうち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射
する。
をなくすために表面の濡れ性を向上させる際に、フォト
レジストおよび下地へのダメージを減らした表面処理方
法を提供する。 【解決手段】 表面にフォトレジスト３１をパターニン
グした表面のめっき処理あるいはウェットエッチング処
理の前処理工程において、使用しているフォトレジスト
の感光波長よりも短波長の紫外光、波長１７２ｎｍ以下
に最大ピークを持つ発光スペクトルを有する紫外光ある
いは波長１７２ｎｍ以下の単色紫外光を、空気、酸素、
オゾンのうち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストを
用いためっき処理、エッチング処理によって製造される
薄膜磁気ヘッド、電子回路基板、半導体素子、表示素子
の表面処理方法およびその表面処理方法を用いて製造し
た薄膜磁気ヘッド、電子回路基板、半導体素子、表示素
子に関する。
用いためっき処理、エッチング処理によって製造される
薄膜磁気ヘッド、電子回路基板、半導体素子、表示素子
の表面処理方法およびその表面処理方法を用いて製造し
た薄膜磁気ヘッド、電子回路基板、半導体素子、表示素
子に関する。
【０００２】また、本発明は、フォトレジストの剥離、
有機化合物を含有する液を用いるめっき、ウェットエッ
チング、ＣＭＰ、腐食を防止または抑制する物質（以
下、防食剤と呼ぶ）を含有する溶液を用いた防食処理ま
たは洗浄の工程を経て製造される薄膜磁気ヘッド、電子
回路基板、半導体素子、表示素子の表面処理方法および
その表面処理方法を用いて製造した薄膜磁気ヘッド、電
子回路基板、半導体素子、表示素子に関する。
有機化合物を含有する液を用いるめっき、ウェットエッ
チング、ＣＭＰ、腐食を防止または抑制する物質（以
下、防食剤と呼ぶ）を含有する溶液を用いた防食処理ま
たは洗浄の工程を経て製造される薄膜磁気ヘッド、電子
回路基板、半導体素子、表示素子の表面処理方法および
その表面処理方法を用いて製造した薄膜磁気ヘッド、電
子回路基板、半導体素子、表示素子に関する。
【０００３】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッド、電子回路基板、半導体
素子、半導体装置、表示素子などの電子装置の製造にあ
たって、下地または基板の表面にフォトレジストを用い
てパターニングし、その部分をめっき処理またはウェッ
トエッチング処理する場合、フォトレジストの表面改質
および下地表面の有機物除去によって被処理表面の濡れ
性を向上させるために、Ｏ２プラズマアッシング処理あ
るいは低圧水銀ランプによるＵＶ・オゾン（Ｏ３）アッ
シング処理が行われている。この処理後、引き続いて脱
脂処理、酸洗浄またはアルカリ洗浄処理、めっき処理ま
たはウェットエッチング処理を行うと、それぞれの処理
で用いる各溶液がパターン内の隅々まで行き渡るように
なり、液をはじいたり気泡を抱き込んで表面が液と接触
しないことに起因するめっき未析出やエッチング不良に
なるといった、不都合な事態を防止できる。
素子、半導体装置、表示素子などの電子装置の製造にあ
たって、下地または基板の表面にフォトレジストを用い
てパターニングし、その部分をめっき処理またはウェッ
トエッチング処理する場合、フォトレジストの表面改質
および下地表面の有機物除去によって被処理表面の濡れ
性を向上させるために、Ｏ２プラズマアッシング処理あ
るいは低圧水銀ランプによるＵＶ・オゾン（Ｏ３）アッ
シング処理が行われている。この処理後、引き続いて脱
脂処理、酸洗浄またはアルカリ洗浄処理、めっき処理ま
たはウェットエッチング処理を行うと、それぞれの処理
で用いる各溶液がパターン内の隅々まで行き渡るように
なり、液をはじいたり気泡を抱き込んで表面が液と接触
しないことに起因するめっき未析出やエッチング不良に
なるといった、不都合な事態を防止できる。
【０００４】すなわち、フォトレジストの現像あるいは
剥離処理、有機化合物を含有する液を用いるめっき処
理，ウェットエッチング処理，化学機械研磨処理、腐食
を防止または抑制する物質を含有する溶液を用いた防食
処理または洗浄処理を行った後は、純水洗浄した程度で
は、ヘッド、基板あるいは素子の表面すなわち被処理表
面に、フォトレジスト残渣、めっき液、ウェットエッチ
ング液、化学機械研磨液に含まれる添加剤、防食剤が吸
着残留しているおそれがある。それらが付着したままで
めっき処理やエッチング処理を施すと、その上に形成し
た層との密着が不良となったり、付着物質が脱離したり
溶出することによって後工程での汚染源となるという問
題がある。また、薄膜磁気ヘッドの製造工程では、これ
らの付着物質がヘッドと記録媒体との境界面で異物とな
ったり、潤滑性を悪くするという問題がある。
剥離処理、有機化合物を含有する液を用いるめっき処
理，ウェットエッチング処理，化学機械研磨処理、腐食
を防止または抑制する物質を含有する溶液を用いた防食
処理または洗浄処理を行った後は、純水洗浄した程度で
は、ヘッド、基板あるいは素子の表面すなわち被処理表
面に、フォトレジスト残渣、めっき液、ウェットエッチ
ング液、化学機械研磨液に含まれる添加剤、防食剤が吸
着残留しているおそれがある。それらが付着したままで
めっき処理やエッチング処理を施すと、その上に形成し
た層との密着が不良となったり、付着物質が脱離したり
溶出することによって後工程での汚染源となるという問
題がある。また、薄膜磁気ヘッドの製造工程では、これ
らの付着物質がヘッドと記録媒体との境界面で異物とな
ったり、潤滑性を悪くするという問題がある。
【０００５】そこで、表面に残留した有機物を除去する
ために、Ｏ２プラズマアッシング処理あるいは低圧水銀
ランプによるＵＶ・オゾンアッシング処理が用いられて
いる。
ために、Ｏ２プラズマアッシング処理あるいは低圧水銀
ランプによるＵＶ・オゾンアッシング処理が用いられて
いる。
【０００６】上記のようなＯ２プラズマアッシングある
いは低圧水銀ランプによるＵＶ・オゾンアッシングを用
いた表面処理の例は、特開平５−１８２２５９号公報、
特開平７−７００３号公報、特開平７−１８５４８９号
公報、特開平９−１５２６１２号公報、特開平１０−２
７５６９８号公報、特開平１１−１２０５１４号公報、
特開２０００−１５０８９９号公報に述べられている。
いは低圧水銀ランプによるＵＶ・オゾンアッシングを用
いた表面処理の例は、特開平５−１８２２５９号公報、
特開平７−７００３号公報、特開平７−１８５４８９号
公報、特開平９−１５２６１２号公報、特開平１０−２
７５６９８号公報、特開平１１−１２０５１４号公報、
特開２０００−１５０８９９号公報に述べられている。
【０００７】しかしながら、上記の従来技術を用いた場
合、以下のような問題点がある。まず、めっき処理およ
びウェットエッチング処理の前処理工程において、フォ
トレジストパターンを形成後、Ｏ２プラズマアッシング
処理を施すことによって、被処理表面の濡れ性は向上す
るが、フォトレジスト膜が削られたり、露出しているめ
っき下地用金属膜またはエッチングする金属膜の表面、
すなわち被処理表面が酸化されるという副作用がある。
合、以下のような問題点がある。まず、めっき処理およ
びウェットエッチング処理の前処理工程において、フォ
トレジストパターンを形成後、Ｏ２プラズマアッシング
処理を施すことによって、被処理表面の濡れ性は向上す
るが、フォトレジスト膜が削られたり、露出しているめ
っき下地用金属膜またはエッチングする金属膜の表面、
すなわち被処理表面が酸化されるという副作用がある。
【０００８】また、低圧水銀ランプ（極大波長１８５ｎ
ｍ，２５４ｎｍ）によるＵＶ・オゾンアッシングの場合
は、濡れ性は向上するが、フォトレジストを感光あるい
はキュアさせる波長の紫外線が含まれることから、フォ
トレジストが感光して、ポジ型の場合はめっき液および
エッチング液に溶解しやくすくなったり、ネガ型の場合
は逆に硬化して割れを生じたり、剥離除去しにくくなっ
たりするという問題が生じる。ポジ型でも、ベースポリ
マ（ベースレジン）の紫外線硬化が起きて、ひび割れを
生じたり、剥離しにくくなることもある。
ｍ，２５４ｎｍ）によるＵＶ・オゾンアッシングの場合
は、濡れ性は向上するが、フォトレジストを感光あるい
はキュアさせる波長の紫外線が含まれることから、フォ
トレジストが感光して、ポジ型の場合はめっき液および
エッチング液に溶解しやくすくなったり、ネガ型の場合
は逆に硬化して割れを生じたり、剥離除去しにくくなっ
たりするという問題が生じる。ポジ型でも、ベースポリ
マ（ベースレジン）の紫外線硬化が起きて、ひび割れを
生じたり、剥離しにくくなることもある。
【０００９】次に、フォトレジストの剥離処理、有機化
合物を含有する液を用いるめっき処理またはウェットエ
ッチング処理もしくは化学機械研磨処理、腐食を防止ま
たは抑制する物質を含有する溶液を用いた防食処理また
は洗浄処理の後工程の場合には、Ｏ２プラズマアッシン
グによれば、残留した有機物を除去できるが、プラズマ
によるダメージで膜表面が削られたり、変質してしまう
という問題がある。特に金属膜の場合は、厚い酸化膜が
できてしまうという問題がある。
合物を含有する液を用いるめっき処理またはウェットエ
ッチング処理もしくは化学機械研磨処理、腐食を防止ま
たは抑制する物質を含有する溶液を用いた防食処理また
は洗浄処理の後工程の場合には、Ｏ２プラズマアッシン
グによれば、残留した有機物を除去できるが、プラズマ
によるダメージで膜表面が削られたり、変質してしまう
という問題がある。特に金属膜の場合は、厚い酸化膜が
できてしまうという問題がある。
【００１０】低圧水銀ランプ（極大波長１８５ｎｍ，２
５４ｎｍ）によるＵＶ・オゾンアッシングの場合も、残
留した有機物を除去できるが、十分に除去するためには
照射時間を長くする必要があり、その間に金属表面が酸
化してしまうという問題がある。また、１８５ｎｍ，２
５４ｎｍの紫外光は１７２ｎｍに比べて比較的深く有機
物層内へ入り込むため、残しておきたい有機絶縁層など
がダメージを受けるという問題もある。
５４ｎｍ）によるＵＶ・オゾンアッシングの場合も、残
留した有機物を除去できるが、十分に除去するためには
照射時間を長くする必要があり、その間に金属表面が酸
化してしまうという問題がある。また、１８５ｎｍ，２
５４ｎｍの紫外光は１７２ｎｍに比べて比較的深く有機
物層内へ入り込むため、残しておきたい有機絶縁層など
がダメージを受けるという問題もある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決するためになされたもので、その目的
とするところは、めっきあるいはウェットエッチングの
不良をなくすために表面の濡れ性を向上させる際に、フ
ォトレジストおよび下地へのダメージを減らした表面処
理方法を提供することにある。
術の問題点を解決するためになされたもので、その目的
とするところは、めっきあるいはウェットエッチングの
不良をなくすために表面の濡れ性を向上させる際に、フ
ォトレジストおよび下地へのダメージを減らした表面処
理方法を提供することにある。
【００１２】また、フォトレジストの剥離処理、有機化
合物を含有する液を用いるめっき処理またはウェットエ
ッチング処理もしくは化学機械研磨処理、腐食を防止ま
たは抑制する有機物質を含有する溶液を用いた防食処理
または洗浄処理の後工程において、下地金属や有機絶縁
層へのダメージを少なくして、フォトレジスト残渣や、
めっき処理またはウェットエッチング処理もしくは化学
機械研磨処理の液に含まれる有機化合物、腐食を防止ま
たは抑制する有機物質を除去する表面処理方法を提供す
ることにある。
合物を含有する液を用いるめっき処理またはウェットエ
ッチング処理もしくは化学機械研磨処理、腐食を防止ま
たは抑制する有機物質を含有する溶液を用いた防食処理
または洗浄処理の後工程において、下地金属や有機絶縁
層へのダメージを少なくして、フォトレジスト残渣や、
めっき処理またはウェットエッチング処理もしくは化学
機械研磨処理の液に含まれる有機化合物、腐食を防止ま
たは抑制する有機物質を除去する表面処理方法を提供す
ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、使用しているフォトレジストの感光波長
よりも短波長の紫外光、波長１７２ｎｍ以下に最大ピー
クを持つ発光スペクトルを有する紫外光あるいは波長１
７２ｎｍ以下の単色紫外光を照射することによって、フ
ォトレジストおよび下地へのダメージを減らし、かつ濡
れ性を向上させる。
に、本発明は、使用しているフォトレジストの感光波長
よりも短波長の紫外光、波長１７２ｎｍ以下に最大ピー
クを持つ発光スペクトルを有する紫外光あるいは波長１
７２ｎｍ以下の単色紫外光を照射することによって、フ
ォトレジストおよび下地へのダメージを減らし、かつ濡
れ性を向上させる。
【００１４】本発明によれば、照射する紫外光の最大ピ
ーク波長がフォトレジストの感光波長からはずれている
ため、フォトレジストを感光させてしまうことが少な
い。
ーク波長がフォトレジストの感光波長からはずれている
ため、フォトレジストを感光させてしまうことが少な
い。
【００１５】特に１７２ｎｍ以下の光は、１８５ｎｍ，
２５４ｎｍの光よりもエネルギーが高いため、表面に吸
着残留したフォトレジスト残渣、めっき処理またはウェ
ットエッチング処理もしくは化学機械研磨処理の液に含
まれる有機化合物、腐食を防止または抑制する有機物質
の化学結合を直接切断し、オゾン、原子状酸素による酸
化作用で分解除去する力が強い。より短い処理時間で表
面の有機物を除去し、濡れ性を向上させることができ
る。
２５４ｎｍの光よりもエネルギーが高いため、表面に吸
着残留したフォトレジスト残渣、めっき処理またはウェ
ットエッチング処理もしくは化学機械研磨処理の液に含
まれる有機化合物、腐食を防止または抑制する有機物質
の化学結合を直接切断し、オゾン、原子状酸素による酸
化作用で分解除去する力が強い。より短い処理時間で表
面の有機物を除去し、濡れ性を向上させることができ
る。
【００１６】さらに、本発明で用いる波長１７２ｎｍ以
下の紫外線は、空気中酸素や有機物層に吸収されやす
く、フォトレジスト層や有機絶縁層の中へ深く入り込む
ことはないため、フォトレジストや有機絶縁層のダメー
ジをより少なくすることができる。その上で、生成する
オゾンおよび原子状酸素により最表面の薄い有機物汚れ
を分解することができる。
下の紫外線は、空気中酸素や有機物層に吸収されやす
く、フォトレジスト層や有機絶縁層の中へ深く入り込む
ことはないため、フォトレジストや有機絶縁層のダメー
ジをより少なくすることができる。その上で、生成する
オゾンおよび原子状酸素により最表面の薄い有機物汚れ
を分解することができる。
【００１７】生成するオゾンおよび原子状酸素は、有機
物を分解し、濡れ性を向上させるが、Ｏ２プラズマアッ
シングとは異なり、酸素が下地に深く入り込むことはな
いので、下地金属表面の酸化を最小限に抑えることがで
きる。したがって、より短い処理時間で最表面の薄い有
機物汚れを分解する効果が得られるため、オゾンおよび
原子状酸素に曝される時間も短く、このことも下地金属
表面の酸化を最小限にくい止められる理由の一つと考え
られる。
物を分解し、濡れ性を向上させるが、Ｏ２プラズマアッ
シングとは異なり、酸素が下地に深く入り込むことはな
いので、下地金属表面の酸化を最小限に抑えることがで
きる。したがって、より短い処理時間で最表面の薄い有
機物汚れを分解する効果が得られるため、オゾンおよび
原子状酸素に曝される時間も短く、このことも下地金属
表面の酸化を最小限にくい止められる理由の一つと考え
られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【００１９】［実施例１］図１は、本発明の第１の実施
例にかかる銅（Ｃｕ）めっきシード層の上に銅めっきパ
ターンを形成する場合の表面処理方法の工程を説明する
図である。この処理方法によって、薄膜磁気ヘッド、Ｉ
Ｃチップの配線や電極パッド，コイルなどの形成や磁性
メモリの形成を行うことができる。まず、シリコンウェ
ハまたはガラス基材２１の表面に形成した電気銅（Ｃ
ｕ）めっきのシード層１１の上に、パターンめっき用の
フォトレジスト剤を塗布しフォトレジスト層３１を形成
する(図１(ａ))。次いで、マスクを用いて所定のパター
ンに露光、現像する（図１（ｂ））。この場合のフォト
レジスト３１はｉ線（３６５ｎｍ）で感光するネガフォ
トレジストである。現像後、めっきの直前に、中心波長
１７２ｎｍのキセノン(Ｘｅ)エキシマ紫外線（ＵＶ）ラ
ンプ（ＵＥＭ２０−１７２、ウシオ電機製）を用いて紫
外線を被処理表面に照射する（図１（ｃ））。この処理
は、室温、常圧の空気存在下、ランプと基板表面との距
離は０．５ｍｍから５ｍｍ、放射照度は５〜１００ｍＷ
／ｃｍ２、照射処理時間は１０秒〜３分の条件である。
その後、希硫酸による酸洗浄を省略し、硫酸銅めっき液
に浸漬して電気めっきを行って銅めっき層５１を形成し
た（図１（ｄ））。めっき後、水洗、乾燥し、フォトレ
ジスト３１を剥離して、基材２１上にめっきパターン５
１を形成した（図１（ｅ））。
例にかかる銅（Ｃｕ）めっきシード層の上に銅めっきパ
ターンを形成する場合の表面処理方法の工程を説明する
図である。この処理方法によって、薄膜磁気ヘッド、Ｉ
Ｃチップの配線や電極パッド，コイルなどの形成や磁性
メモリの形成を行うことができる。まず、シリコンウェ
ハまたはガラス基材２１の表面に形成した電気銅（Ｃ
ｕ）めっきのシード層１１の上に、パターンめっき用の
フォトレジスト剤を塗布しフォトレジスト層３１を形成
する(図１(ａ))。次いで、マスクを用いて所定のパター
ンに露光、現像する（図１（ｂ））。この場合のフォト
レジスト３１はｉ線（３６５ｎｍ）で感光するネガフォ
トレジストである。現像後、めっきの直前に、中心波長
１７２ｎｍのキセノン(Ｘｅ)エキシマ紫外線（ＵＶ）ラ
ンプ（ＵＥＭ２０−１７２、ウシオ電機製）を用いて紫
外線を被処理表面に照射する（図１（ｃ））。この処理
は、室温、常圧の空気存在下、ランプと基板表面との距
離は０．５ｍｍから５ｍｍ、放射照度は５〜１００ｍＷ
／ｃｍ２、照射処理時間は１０秒〜３分の条件である。
その後、希硫酸による酸洗浄を省略し、硫酸銅めっき液
に浸漬して電気めっきを行って銅めっき層５１を形成し
た（図１（ｄ））。めっき後、水洗、乾燥し、フォトレ
ジスト３１を剥離して、基材２１上にめっきパターン５
１を形成した（図１（ｅ））。
【００２０】この実施例によれば、中心波長が１７２ｎ
ｍの紫外線照射によってフォトレジスト現像処理時にＣ
ｕシード層１１の表面に残った現像剤や溶剤などの有機
物等を分解除去することができるとともに、紫外線照射
時に生じる酸化膜が非常に薄く均一な物とすることがで
きる。したがって、酸化膜除去のための酸洗浄を省略し
ても、めっき液浸漬時に酸化膜が除去され、めっき膜の
密着性は良好であった。さらに、紫外線照射処理によっ
て生じる酸化膜が薄いので、下地のサイドエッチングが
ほとんど起こらず、フォトレジスト３１下へのめっき液
の染み込みもなかった。加えて、紫外線照射処理によ
り、めっき処理表面の濡れ性が良いため、めっきの析出
性が良好で、未析出や気泡の抱き込みはなく、めっき処
理後のフォトレジスト層の剥離性も良好で、剥離残りは
なかった。
ｍの紫外線照射によってフォトレジスト現像処理時にＣ
ｕシード層１１の表面に残った現像剤や溶剤などの有機
物等を分解除去することができるとともに、紫外線照射
時に生じる酸化膜が非常に薄く均一な物とすることがで
きる。したがって、酸化膜除去のための酸洗浄を省略し
ても、めっき液浸漬時に酸化膜が除去され、めっき膜の
密着性は良好であった。さらに、紫外線照射処理によっ
て生じる酸化膜が薄いので、下地のサイドエッチングが
ほとんど起こらず、フォトレジスト３１下へのめっき液
の染み込みもなかった。加えて、紫外線照射処理によ
り、めっき処理表面の濡れ性が良いため、めっきの析出
性が良好で、未析出や気泡の抱き込みはなく、めっき処
理後のフォトレジスト層の剥離性も良好で、剥離残りは
なかった。
【００２１】［実施例２］本発明の実施例２を説明す
る。この実施例は、実施例１のＣｕシード層１１に代え
てＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっきの下地膜の上にめっき
層を形成する例である。まず、下地または基板の表面に
形成したＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっきの下地膜の上
に、パターンめっき用のフォトレジストを塗布し、露
光、現像する。この場合のフォトレジストはＫｒＦエキ
シマ光（２４８ｎｍ）で感光するポジフォトレジストで
ある。現像処理の後、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシ
マＵＶランプを用いて紫外線を被処理表面に照射する。
この処理は、室温、常圧の空気存在下、ランプと基板表
面との距離は０．５ｍｍから５ｍｍ、放射照度は５〜１
００ｍＷ／ｃｍ２、照射処理時間は１０秒〜３分の条件
である。紫外線による表面処理の後、希硫酸で酸洗浄を
行い、めっき液に浸漬してめっきを行った。なお、めっ
きは電気めっきでも、無電解めっきでもどちらでも良
い。めっき後、水洗、乾燥し、フォトレジストを剥離し
た。
る。この実施例は、実施例１のＣｕシード層１１に代え
てＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっきの下地膜の上にめっき
層を形成する例である。まず、下地または基板の表面に
形成したＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっきの下地膜の上
に、パターンめっき用のフォトレジストを塗布し、露
光、現像する。この場合のフォトレジストはＫｒＦエキ
シマ光（２４８ｎｍ）で感光するポジフォトレジストで
ある。現像処理の後、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシ
マＵＶランプを用いて紫外線を被処理表面に照射する。
この処理は、室温、常圧の空気存在下、ランプと基板表
面との距離は０．５ｍｍから５ｍｍ、放射照度は５〜１
００ｍＷ／ｃｍ２、照射処理時間は１０秒〜３分の条件
である。紫外線による表面処理の後、希硫酸で酸洗浄を
行い、めっき液に浸漬してめっきを行った。なお、めっ
きは電気めっきでも、無電解めっきでもどちらでも良
い。めっき後、水洗、乾燥し、フォトレジストを剥離し
た。
【００２２】この実施例によれば、紫外線照射時に生じ
る酸化膜が非常に薄く均一なことから、酸化膜除去のた
めの酸洗浄の希硫酸は１ｖｏｌ％以下の希薄なものでよ
く、また、処理時間も１分以内と短くて済んだ。酸化膜
が薄かったためと、酸洗浄で用いた希硫酸の酸化膜溶解
力が弱いため、下地のサイドエッチングがほとんど起こ
らず、フォトレジスト下への酸洗浄液の染み込みもなか
った。また、前処理後の表面の濡れ性が良いため、めっ
きの析出性が良好で、未析出や気泡の抱き込みはなかっ
た。さらに、フォトレジスト層が照射した紫外線に感光
してめっき液中で溶解あるいは剥離することはなかっ
た。加えて、前処理により酸化膜が除去されているの
で、めっきの密着性も良好であった。めっき後のフォト
レジストの剥離性も良好で、剥離残りはなかった。
る酸化膜が非常に薄く均一なことから、酸化膜除去のた
めの酸洗浄の希硫酸は１ｖｏｌ％以下の希薄なものでよ
く、また、処理時間も１分以内と短くて済んだ。酸化膜
が薄かったためと、酸洗浄で用いた希硫酸の酸化膜溶解
力が弱いため、下地のサイドエッチングがほとんど起こ
らず、フォトレジスト下への酸洗浄液の染み込みもなか
った。また、前処理後の表面の濡れ性が良いため、めっ
きの析出性が良好で、未析出や気泡の抱き込みはなかっ
た。さらに、フォトレジスト層が照射した紫外線に感光
してめっき液中で溶解あるいは剥離することはなかっ
た。加えて、前処理により酸化膜が除去されているの
で、めっきの密着性も良好であった。めっき後のフォト
レジストの剥離性も良好で、剥離残りはなかった。
【００２３】［実施例３］図２を用いて、本発明の実施
例３の表面処理方法について説明する。この実施例は、
基板２１上に形成したＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき膜
あるいはめっき下地用スパッタ膜に、パターンエッチン
グ処理を行う前の処理方法である。基板２１上に形成し
たＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき膜あるいはめっき下地
用スパッタ膜１２の上に、パターンエッチング用のフォ
トレジスト３２を塗布し（図２（ａ））。当該フォトレ
ジスト３２を、露光、現像する（図２（ｂ））。この場
合のフォトレジストはｉ線（３６５ｎｍ）で感光するポ
ジフォトレジストである。現像後、エッチングの直前
に、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシマＵＶランプを用
いて紫外線を表面に照射する（図２（ｃ））。室温、常
圧の空気存在下、ランプと基板表面との距離は０．５ｍ
ｍから５ｍｍ、放射照度は５〜１００ｍＷ／ｃｍ ２、照
射処理時間は１０秒〜３分の条件である。その後、Ｆｅ
Ｃｌ３系エッチング液に浸漬してエッチングを行った
（図２（ｄ））。エッチング後、水洗、乾燥し、フォト
レジストを剥離して所定のパターンを得た（図２
（ｅ））。
例３の表面処理方法について説明する。この実施例は、
基板２１上に形成したＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき膜
あるいはめっき下地用スパッタ膜に、パターンエッチン
グ処理を行う前の処理方法である。基板２１上に形成し
たＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき膜あるいはめっき下地
用スパッタ膜１２の上に、パターンエッチング用のフォ
トレジスト３２を塗布し（図２（ａ））。当該フォトレ
ジスト３２を、露光、現像する（図２（ｂ））。この場
合のフォトレジストはｉ線（３６５ｎｍ）で感光するポ
ジフォトレジストである。現像後、エッチングの直前
に、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシマＵＶランプを用
いて紫外線を表面に照射する（図２（ｃ））。室温、常
圧の空気存在下、ランプと基板表面との距離は０．５ｍ
ｍから５ｍｍ、放射照度は５〜１００ｍＷ／ｃｍ ２、照
射処理時間は１０秒〜３分の条件である。その後、Ｆｅ
Ｃｌ３系エッチング液に浸漬してエッチングを行った
（図２（ｄ））。エッチング後、水洗、乾燥し、フォト
レジストを剥離して所定のパターンを得た（図２
（ｅ））。
【００２４】この方法によれば、紫外線照射時に生じる
酸化膜が非常に薄く均一なので、酸化膜がエッチングバ
リヤとなるために生じるエッチング遅れはほとんどなか
った。また、逆に酸化膜が優先的にエッチングされて下
地のサイドエッチングが進むということもなく、フォト
レジスト下への液の染み込みもなかった。濡れ性が良い
ため、エッチングが均一に進み、エッチングムラや気泡
の抱き込みはなかった。フォトレジストが感光してエッ
チング液中で剥離や溶解するということもなかった。エ
ッチング後のフォトレジストの剥離性も良好で、剥離残
りはなかった。
酸化膜が非常に薄く均一なので、酸化膜がエッチングバ
リヤとなるために生じるエッチング遅れはほとんどなか
った。また、逆に酸化膜が優先的にエッチングされて下
地のサイドエッチングが進むということもなく、フォト
レジスト下への液の染み込みもなかった。濡れ性が良い
ため、エッチングが均一に進み、エッチングムラや気泡
の抱き込みはなかった。フォトレジストが感光してエッ
チング液中で剥離や溶解するということもなかった。エ
ッチング後のフォトレジストの剥離性も良好で、剥離残
りはなかった。
【００２５】［実施例４］図３を用いて、この発明の実
施例４にかかる前処理方法を説明する。基板２１上にＣ
ｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき層１３を形成後（図３
（ａ））、該めっき膜１３の腐食防止のため、ベンゾト
リアゾール（ＢＴＡ）水溶液に基板を浸漬し、水洗、乾
燥させて、めっき層１３の表面に腐食防止膜４３を形成
し、保管あるいは次工程へ移動させた（図３（ｂ））。
次工程の着工直前に、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシ
マＵＶランプを用いて紫外線を被処理表面に照射した
（図３（ｃ））。中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシマＵ
Ｖ光とオゾンの作用で、被処理表面に吸着していたＢＴ
Ａからなる腐食防止膜４３が分解除去された（図３
（ｄ））。ＢＴＡの分解物を完全に除去するために、Ｕ
Ｖ照射後に純水洗浄、アルコールやアセトン等を用いた
有機溶媒洗浄、それらに超音波を組み合わせた洗浄を行
っても良い。それから、このめっき膜の上にＡｌ２Ｏ３
絶縁膜５３を形成した（図３（ｅ））。
施例４にかかる前処理方法を説明する。基板２１上にＣ
ｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき層１３を形成後（図３
（ａ））、該めっき膜１３の腐食防止のため、ベンゾト
リアゾール（ＢＴＡ）水溶液に基板を浸漬し、水洗、乾
燥させて、めっき層１３の表面に腐食防止膜４３を形成
し、保管あるいは次工程へ移動させた（図３（ｂ））。
次工程の着工直前に、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシ
マＵＶランプを用いて紫外線を被処理表面に照射した
（図３（ｃ））。中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシマＵ
Ｖ光とオゾンの作用で、被処理表面に吸着していたＢＴ
Ａからなる腐食防止膜４３が分解除去された（図３
（ｄ））。ＢＴＡの分解物を完全に除去するために、Ｕ
Ｖ照射後に純水洗浄、アルコールやアセトン等を用いた
有機溶媒洗浄、それらに超音波を組み合わせた洗浄を行
っても良い。それから、このめっき膜の上にＡｌ２Ｏ３
絶縁膜５３を形成した（図３（ｅ））。
【００２６】めっき膜１３表面の酸化はほとんどなかっ
た。めっき膜１３とＡｌ２Ｏ３絶縁膜５３との密着性は
良好であった。Ａｌ２Ｏ３成膜装置内へのＢＴＡの持ち
込み汚染もなかった。基板表面には、ポリイミド系有機
絶縁膜も露出していたが、それら有機絶縁膜へのダメー
ジもほとんどなかった。上記の紫外線を照射した後の表
面をＸ線光電子分光法で分析した結果、ＢＴＡは検出さ
れなかった。
た。めっき膜１３とＡｌ２Ｏ３絶縁膜５３との密着性は
良好であった。Ａｌ２Ｏ３成膜装置内へのＢＴＡの持ち
込み汚染もなかった。基板表面には、ポリイミド系有機
絶縁膜も露出していたが、それら有機絶縁膜へのダメー
ジもほとんどなかった。上記の紫外線を照射した後の表
面をＸ線光電子分光法で分析した結果、ＢＴＡは検出さ
れなかった。
【００２７】一方、めっき下地用スパッタ膜除去のため
のエッチング工程の場合も、前工程での腐食防止のため
にベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）水溶液に基板を浸漬
し、水洗、乾燥させて保管あるいは次工程へ移動させ
た。次工程の着工直前に、中心波長１７２ｎｍのＸｅエ
キシマＵＶランプを用いて紫外線を表面に照射してから
エッチングした。
のエッチング工程の場合も、前工程での腐食防止のため
にベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）水溶液に基板を浸漬
し、水洗、乾燥させて保管あるいは次工程へ移動させ
た。次工程の着工直前に、中心波長１７２ｎｍのＸｅエ
キシマＵＶランプを用いて紫外線を表面に照射してから
エッチングした。
【００２８】ＢＴＡが基板表面に残留してそれがエッチ
ング液中へ持ち込まれることあるいはＢＴＡが基板表面
に吸着残留していることによるエッチング抑制はなく、
エッチングレートは正常であった。
ング液中へ持ち込まれることあるいはＢＴＡが基板表面
に吸着残留していることによるエッチング抑制はなく、
エッチングレートは正常であった。
【００２９】［実施例５］この発明の実施例４にかかる
前処理方法を説明する。光沢作用を持つ有機化合物を含
む硫酸銅めっき液に基板を浸漬して電気Ｃｕめっきを行
った。この有機化合物は添加剤と呼ばれることが多い。
めっき後、基板を引き上げ、水洗し、乾燥させた。続い
て、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシマＵＶランプを用
いて紫外線を表面に照射した。中心波長１７２ｎｍのＸ
ｅエキシマＵＶ光とオゾンの作用で、表面に吸着してい
たベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）が分解除去された。次
に脱脂、酸洗浄からなるめっき前処理を行ってＮｉ／Ａ
ｕめっきを行った。
前処理方法を説明する。光沢作用を持つ有機化合物を含
む硫酸銅めっき液に基板を浸漬して電気Ｃｕめっきを行
った。この有機化合物は添加剤と呼ばれることが多い。
めっき後、基板を引き上げ、水洗し、乾燥させた。続い
て、中心波長１７２ｎｍのＸｅエキシマＵＶランプを用
いて紫外線を表面に照射した。中心波長１７２ｎｍのＸ
ｅエキシマＵＶ光とオゾンの作用で、表面に吸着してい
たベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）が分解除去された。次
に脱脂、酸洗浄からなるめっき前処理を行ってＮｉ／Ａ
ｕめっきを行った。
【００３０】めっき析出性、めっき密着性は良好であっ
た。Ｃｕめっき添加剤のＮｉめっき液への持ち込み汚染
もなかった。上記の紫外線を照射した後の表面をＸ線光
電子分光法で分析した結果、めっき液に含まれる有機化
合物は検出されなかった。
た。Ｃｕめっき添加剤のＮｉめっき液への持ち込み汚染
もなかった。上記の紫外線を照射した後の表面をＸ線光
電子分光法で分析した結果、めっき液に含まれる有機化
合物は検出されなかった。
【００３１】Ｃｕめっき膜の表面上に、ポリイミド系有
機絶縁膜あるいはＡｌ２Ｏ３絶縁膜を成膜した場合に
も、密着性は良好であった。
機絶縁膜あるいはＡｌ２Ｏ３絶縁膜を成膜した場合に
も、密着性は良好であった。
【００３２】［比較例１］ＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっ
きの下地スパッタ膜の上に、パターンめっき用のフォト
レジストを塗布し、露光、現像した。この場合のフォト
レジストはｉ線（３６５ｎｍ）で感光するネガフォトレ
ジストである。被処理表面の濡れ性を上げるため、Ｏ２
プラズマアッシングを行った。その後、希硫酸で酸洗浄
を行い、めっき液に浸漬してめっきを行った。めっき
後、水洗、乾燥し、フォトレジストを剥離した。
きの下地スパッタ膜の上に、パターンめっき用のフォト
レジストを塗布し、露光、現像した。この場合のフォト
レジストはｉ線（３６５ｎｍ）で感光するネガフォトレ
ジストである。被処理表面の濡れ性を上げるため、Ｏ２
プラズマアッシングを行った。その後、希硫酸で酸洗浄
を行い、めっき液に浸漬してめっきを行った。めっき
後、水洗、乾燥し、フォトレジストを剥離した。
【００３３】濡れ性は向上したが、Ｏ２アッシングによ
って下地膜が酸化し、酸洗浄時にフォトレジスト下まで
サイドエッチングされてめっき液の染み込みが起き、フ
ォトレジスト下にもめっき膜が薄く析出してしまった。
フォトレジストの剥離性は良好で、剥離残りはなかっ
た。
って下地膜が酸化し、酸洗浄時にフォトレジスト下まで
サイドエッチングされてめっき液の染み込みが起き、フ
ォトレジスト下にもめっき膜が薄く析出してしまった。
フォトレジストの剥離性は良好で、剥離残りはなかっ
た。
【００３４】［比較例２］比較例１で用いたＯ２プラズ
マアッシングの代わりに、低圧水銀(Ｈｇ)灯によるＵＶ
光照射を行った。ＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっきの下地
膜の上に、パターンめっき用のフォトレジストを塗布
し、露光、現像した。この場合のフォトレジストはｉ線
（３６５ｎｍ）で感光するネガフォトレジストである。
濡れ性を上げるため、低圧Ｈｇ灯によるＵＶ光照射を室
温、空気存在下で行った。その後、希硫酸で酸洗浄し、
めっき液に浸漬してめっきを行った。めっき後、水洗、
乾燥し、フォトレジストを剥離した。
マアッシングの代わりに、低圧水銀(Ｈｇ)灯によるＵＶ
光照射を行った。ＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっきの下地
膜の上に、パターンめっき用のフォトレジストを塗布
し、露光、現像した。この場合のフォトレジストはｉ線
（３６５ｎｍ）で感光するネガフォトレジストである。
濡れ性を上げるため、低圧Ｈｇ灯によるＵＶ光照射を室
温、空気存在下で行った。その後、希硫酸で酸洗浄し、
めっき液に浸漬してめっきを行った。めっき後、水洗、
乾燥し、フォトレジストを剥離した。
【００３５】濡れ性は向上したが、中心波長１７２ｎｍ
のＸｅエキシマＵＶランプを照射した場合と同等の接触
角とするために、エキシマＵＶランプの場合に比べて２
〜５倍の処理時間がかかった。処理時間が長くなった
分、紫外線照射時に生じるオゾン、原子状酸素に長い時
間曝されたため、酸化膜がやや厚くなり、フォトレジス
ト下へのめっき液の染み込みが発生した。また、フォト
レジストが感光して硬化し、フォトレジスト剥離工程で
剥離残りが起きた。
のＸｅエキシマＵＶランプを照射した場合と同等の接触
角とするために、エキシマＵＶランプの場合に比べて２
〜５倍の処理時間がかかった。処理時間が長くなった
分、紫外線照射時に生じるオゾン、原子状酸素に長い時
間曝されたため、酸化膜がやや厚くなり、フォトレジス
ト下へのめっき液の染み込みが発生した。また、フォト
レジストが感光して硬化し、フォトレジスト剥離工程で
剥離残りが起きた。
【００３６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、めっきあるいはウェットエッチングの不良をなくす
ために表面の濡れ性を向上させる際に、フォトレジスト
および下地表面へのダメージを減らした表面処理ができ
る。
ば、めっきあるいはウェットエッチングの不良をなくす
ために表面の濡れ性を向上させる際に、フォトレジスト
および下地表面へのダメージを減らした表面処理ができ
る。
【００３７】また、フォトレジストの剥離処理、有機化
合物を含有する液を用いるめっき処理、ウェットエッチ
ング処理、化学機械研磨処理、腐食を防止または抑制す
る有機物質を含有する溶液を用いた防食処理または洗浄
処理の後工程において、下地金属や有機絶縁層へのダメ
ージを少なくして、フォトレジスト残渣、または、めっ
き処理、ウェットエッチング処理、化学機械研磨処理の
液に含まれる有機化合物、もしくは腐食を防止または抑
制する有機物質を除去する表面処理が可能となる。
合物を含有する液を用いるめっき処理、ウェットエッチ
ング処理、化学機械研磨処理、腐食を防止または抑制す
る有機物質を含有する溶液を用いた防食処理または洗浄
処理の後工程において、下地金属や有機絶縁層へのダメ
ージを少なくして、フォトレジスト残渣、または、めっ
き処理、ウェットエッチング処理、化学機械研磨処理の
液に含まれる有機化合物、もしくは腐食を防止または抑
制する有機物質を除去する表面処理が可能となる。
【図１】本発明の実施例１における表面処理およびめっ
き処理の工程図。
き処理の工程図。
【図２】発明の実施例３における表面処理およびウェッ
トエッチング処理の工程図。
トエッチング処理の工程図。
【図３】本発明の実施例４における防食処理、表面処理
および上層絶縁膜形成処理の工程図。
および上層絶縁膜形成処理の工程図。
１１ 電気Ｃｕめっきのシード層 １２ ＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき膜あるいはめっき
下地用スパッタ膜 １３ ＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき膜 ２１ 下地または基板 ３１ フォトレジスト（ネガ型） ３２ フォトレジスト（ポジ型） ４３ ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ） ５１ 電気Ｃｕめっき膜 ５３ Ａｌ２Ｏ３絶縁膜
下地用スパッタ膜 １３ ＣｏＮｉＦｅ３元系磁性めっき膜 ２１ 下地または基板 ３１ フォトレジスト（ネガ型） ３２ フォトレジスト（ポジ型） ４３ ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ） ５１ 電気Ｃｕめっき膜 ５３ Ａｌ２Ｏ３絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/40 Ｇ０３Ｆ 7/40 ５Ｄ０３３ ５２１ ５２１ ５Ｆ０３３ Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｍ ５Ｆ０４３ Ｈ０１Ｌ 21/28 Ｈ０１Ｌ 21/28 Ａ ５Ｆ０４６ 21/288 21/288 Ｅ 21/027 21/304 ６４５Ｄ 21/304 ６４５ 21/30 ５７０ 21/306 21/306 Ｚ 21/3205 Ｄ 21/88 Ｂ (72)発明者 斉木 教行 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 西田 哲也 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 Ｆターム(参考） 2H096 AA27 AA30 HA03 HA17 HA27 3B201 AA03 AA46 BB83 BB92 BB95 BB96 CC11 4K024 AA03 AA09 AB02 AB08 AB15 BA11 BB12 BB14 CA02 DA03 DA04 DA10 DB10 FA05 GA01 GA16 4K053 PA17 QA04 QA06 RA02 SA20 TA09 TA16 4M104 AA01 AA10 BB04 BB05 BB09 BB36 CC00 CC01 DD22 DD37 DD52 DD53 DD64 DD75 DD81 EE05 EE16 EE18 FF13 HH08 HH20 5D033 CA04 DA01 DA04 DA09 DA31 5F033 GG04 HH07 HH11 HH15 PP15 PP27 PP28 PP33 QQ07 QQ19 QQ48 QQ51 QQ53 RR02 RR03 RR21 RR22 XX00 XX13 XX18 5F043 AA26 BB18 CC09 DD01 5F046 LA18
Claims (29)
- 【請求項１】 表面にフォトレジストをパターニングし
た表面のめっき処理あるいはウェットエッチング処理の
前処理工程において、使用しているフォトレジストの感
光波長よりも短波長側に最大ピークを持つ発光スペクト
ルを有する紫外光を、空気、酸素、オゾンのうち少なく
とも１つを含む雰囲気で表面に照射することを特徴とす
る表面処理方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の表面処理方法におい
て、上記紫外光が波長１７２ｎｍ以下に最大ピークを持
つ発光スペクトルを有する紫外光であることを特徴とす
る表面処理方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の表面処理方法におい
て、上記紫外光が波長１７２ｎｍ以下の単色紫外光であ
ることを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項４】 下地基板あるいは下地膜上に、フォトレ
ジストをパターニングした後、使用しているフォトレジ
ストの感光波長よりも短波長側に最大ピークを持つ発光
スペクトルを有する紫外光を、空気、酸素、オゾンのう
ち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射し、続いて
脱脂処理、酸洗浄またはアルカリ洗浄、めっき処理また
はウェットエッチング処理のうち少なくとも１つの工程
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、上記紫外光が波長１７２ｎｍ以下に最大
ピークを持つ発光スペクトルを有する紫外光であること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 請求項４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、上記紫外光が波長１７２ｎｍ以下の単色
紫外光であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項７】 表面にフォトレジストをパターニングし
た表面のめっき処理あるいはウェットエッチング処理の
前処理工程として、使用しているフォトレジストの感光
波長よりも短波長側に最大ピークを持つ発光スペクトル
を有する紫外光を、空気、酸素、オゾンのうち少なくと
も１つを含む雰囲気で表面に照射する表面処理方法を用
いて製造した薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、表面処理方法で使用する上記紫外光が波長１７２ｎ
ｍ以下に最大ピークを持つ発光スペクトルを有する紫外
光である薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、表面処理方法で使用する上記紫外光が波長１７２ｎ
ｍ以下の単色紫外光である薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 下地基板あるいは下地膜上に、フォト
レジストをパターニングした後、使用しているフォトレ
ジストの感光波長よりも短波長側に最大ピークを持つ発
光スペクトルを有する紫外光を、空気、酸素、オゾンの
うち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射し、続い
て脱脂処理、酸洗浄またはアルカリ洗浄、めっき処理ま
たはウェットエッチング処理のうち少なくとも１つの工
程を含む製造方法を用いて製造した薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッドに
おいて、上記紫外光が波長１７２ｎｍ以下に最大ピーク
を持つ発光スペクトルを有する紫外光である薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を用いて製造した薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッドに
おいて、上記紫外光が波長１７２ｎｍ以下の単色紫外光
である薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いて製造した薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 下地基板あるいは下地膜上に、フォト
レジストをパターニングした後、使用しているフォトレ
ジストの感光波長よりも短波長側に最大ピークを持つ発
光スペクトルを有する紫外光を、空気、酸素、オゾンの
うち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射し、続い
て脱脂処理、酸洗浄またはアルカリ洗浄、めっき処理ま
たはウェットエッチング処理のうち少なくとも１つの工
程を含むことを特徴とする電子回路基板、半導体素子、
半導体装置、表示素子および電子装置のいずれかの製造
方法。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の電子回路基板、半
導体素子、半導体装置、表示素子および電子装置のいず
れかの製造方法において、上記紫外光が波長１７２ｎｍ
以下に最大ピークを持つ発光スペクトルを有する紫外光
であることを特徴とする電子回路基板、半導体素子、半
導体装置、表示素子および電子装置のいずれかの製造方
法。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載の電子回路基板、半
導体素子、半導体装置、表示素子および電子装置のいず
れかの製造方法において、上記紫外光が波長１７２ｎｍ
以下の単色紫外光であることを特徴とする電子回路基
板、半導体素子、半導体装置、表示素子および電子装置
のいずれかの製造方法。 - 【請求項１６】 表面にフォトレジストをパターニング
した表面のめっき処理あるいはウェットエッチング処理
の前処理工程であって、使用しているフォトレジストの
感光波長よりも短波長側に最大ピークを持つ発光スペク
トルを有する紫外光を、空気、酸素、オゾンのうち少な
くとも１つを含む雰囲気で表面に照射する表面処理方法
を用いて製造した電子回路基板または半導体素子または
半導体装置または表示素子または電子装置。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の電子回路基板また
は半導体素子または半導体装置または表示素子または電
子装置において、表面処理方法で使用する上記紫外光が
波長１７２ｎｍ以下に最大ピークを持つ発光スペクトル
を有する紫外光であることを特徴とする電子回路基板ま
たは半導体素子または半導体装置または表示素子または
電子装置。 - 【請求項１８】 請求項１６に記載の電子回路基板また
は半導体素子または半導体装置または表示素子または電
子装置において、表面処理方法で使用する上記紫外光が
波長１７２ｎｍ以下の単色紫外光であることを特徴とす
る電子回路基板または半導体素子または半導体装置また
は表示素子または電子装置。 - 【請求項１９】 下地基板あるいは下地膜上に、フォト
レジストをパターニングした後、使用しているフォトレ
ジストの感光波長よりも短波長側に最大ピークを持つ発
光スペクトルを有する紫外光を、空気、酸素、オゾンの
うち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射し、続い
て脱脂処理、酸洗浄またはアルカリ洗浄、めっき処理ま
たはウェットエッチング処理のうち少なくとも１つの工
程を含むことを特徴とする製造方法を用いて製造した電
子回路基板または半導体素子または半導体装置または表
示素子または電子装置。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の電子回路基板また
は半導体素子または半導体装置または表示素子または電
子装置において、製造方法で使用する上記紫外光が波長
１７２ｎｍ以下に最大ピークを持つ発光スペクトルを有
する紫外光であることを特徴とする電子回路基板または
半導体素子または半導体装置または表示素子または電子
装置。 - 【請求項２１】 請求項１９に記載の電子回路基板また
は半導体素子または半導体装置または表示素子または電
子装置において、製造方法で使用する上記紫外光が波長
１７２ｎｍ以下の単色紫外光であることを特徴とする電
子回路基板または半導体素子または半導体装置または表
示素子または電子装置。 - 【請求項２２】 フォトレジストの剥離処理、または、
有機化合物含有液を用いるめっき処理、ウェットエッチ
ング処理、化学機械研磨処理、もしくは、腐食抑制物質
を含有する溶液を用いた防食処理または洗浄処理の後工
程において、紫外光、特に波長１７２ｎｍ以下に最大ピ
ークを持つ発光スペクトルを有する紫外線または波長１
７２ｎｍ以下の単色紫外線を、空気、酸素、オゾンのう
ち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射することを
特徴とする表面処理方法。 - 【請求項２３】 フォトレジストの剥離処理、または、
有機化合物含有液を用いるめっき処理、ウェットエッチ
ング処理、化学機械研磨処理、もしくは、腐食抑制物質
を含有する溶液を用いた防食処理または洗浄処理の後工
程において、紫外光、特に波長１７２ｎｍ以下に最大ピ
ークを持つ発光スペクトルを有する紫外線または波長１
７２ｎｍ以下の単色紫外線を、空気、酸素、オゾンのう
ち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射することを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２４】 フォトレジストの剥離処理、または、
有機化合物含有液を用いるめっき処理、ウェットエッチ
ング処理、化学機械研磨処理、もしくは、腐食抑制物質
を含有する溶液を用いた防食処理または洗浄処理の後、
紫外光、特に波長１７２ｎｍ以下に最大ピークを持つ発
光スペクトルを有する紫外線または波長１７２ｎｍ以下
の単色紫外線を、空気、酸素、オゾンのうち少なくとも
１つを含む雰囲気で表面に照射して製造した薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２５】 フォトレジストの剥離処理、または、
有機化合物含有液を用いるめっき処理、ウェットエッチ
ング処理、化学機械研磨処理、もしくは、腐食抑制物質
を含有する溶液を用いた防食処理または洗浄処理の後工
程において、紫外光、特に波長１７２ｎｍ以下に最大ピ
ークを持つ発光スペクトルを有する紫外線または波長１
７２ｎｍ以下の単色紫外線を、空気、酸素、オゾンのう
ち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射することを
特徴とする電子回路基板、半導体素子、半導体装置、表
示素子および電子装置の製造方法。 - 【請求項２６】 フォトレジストの剥離処理、または、
有機化合物含有液を用いるめっき処理、ウェットエッチ
ング処理、化学機械研磨処理、もしくは、腐食抑制物質
を含有する溶液を用いた防食処理または洗浄処理の後工
程において、紫外光、特に波長１７２ｎｍ以下に最大ピ
ークを持つ発光スペクトルを有する紫外線または波長１
７２ｎｍ以下の単色紫外線を、空気、酸素、オゾンのう
ち少なくとも１つを含む雰囲気で表面に照射して製造し
た電子回路基板、半導体素子、半導体装置、表示素子お
よび電子装置。 - 【請求項２７】 表面が酸化される材の表面に液体を接
触させる処理の前処理工程において、波長１７２ｎｍ以
下に最大ピークを持つ発光スペクトルを有する紫外光
を、空気、酸素、オゾンのうち少なくとも１つを含む雰
囲気で表面に照射することを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項２８】 請求項２７に記載の表面処理方法にお
いて、上記紫外光が波長１７２ｎｍ以下の単色紫外光で
あることを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項２９】 請求項２７または請求項２８に記載の
表面処理方法において、表面が酸化される材の表面に液
体を接触させる処理が、めっき処理またはエッチング処
理または脱脂処理または酸洗浄もしくはアルカリ洗浄の
いずれかであることを特徴とする表面処理方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001002157A JP2002212779A (ja) | 2001-01-10 | 2001-01-10 | 表面処理方法およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法と薄膜磁気ヘッド |
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